JP2016134193A - 抵抗変化型ランダムアクセスメモリのメモリセルアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセルアレイは、第1のビット線と、第1のワード線と、第1のソース線ペアと、第1のメモリセルとを含む。第1のメモリセルの選択端子は第1のワード線と接続される。第1のメモリセルの第1の制御端子は第1のソース線ペアの第1のソース線と接続される。第1のメモリセルの第2の制御端子は第1のソース線ペアの第2のソース線と接続される。第1のメモリセルの第3の制御端子は第1のビット線と接続される。
【選択図】図3B
Description
Claims (16)
- 第1のビット線と、
第1のワード線と、
第1のソース線ペアと、
第1のメモリセルと、
を含むメモリセルアレイであって、
前記第1のメモリセルの選択端子は前記第1のワード線と接続され、前記第1のメモリセルの第1の制御端子は前記第1のソース線ペアの第1のソース線と接続され、前記第1のメモリセルの第2の制御端子は前記第1のソース線ペアの第2のソース線と接続され、前記第1のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のビット線と接続され、
前記第1のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む選択トランジスタであって、選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第1のメモリセルの前記選択端子と接続され、選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第1のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第1のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第1のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第1のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第1のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項1に記載のメモリセルアレイであって、
第2のワード線と、
第2のソース線ペアと、
第2のメモリセルと、
をさらに含み、
前記第2のメモリセルの選択端子は前記第2のワード線と接続され、前記第2のメモリセルの第1の制御端子は前記第2のソース線ペアの第1のソース線と接続され、前記第2のメモリセルの第2の制御端子は前記第2のソース線ペアの第2のソース線と接続され、前記第2のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のビット線と接続され、
前記第2のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む選択トランジスタであって、選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第2のメモリセルの前記選択端子と接続され、選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第2のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第2のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第2のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第2のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第2のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項2に記載のメモリセルアレイであって、
第2のビット線と、
第3のメモリセルと、
をさらに含み、
前記第3のメモリセルの選択端子は前記第1のワード線と接続され、前記第3のメモリセルの第1の制御端子は前記第1のソース線ペアの前記第1のソース線と接続され、前記第3のメモリセルの第2の制御端子は前記第1のソース線ペアの前記第2のソース線と接続され、前記第3のメモリセルの第3の制御端子は前記第2のビット線と接続され、
前記第3のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む選択トランジスタであって、選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第3のメモリセルの前記選択端子と接続され、選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第3のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第3のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第3のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第3のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第3のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項3に記載のメモリセルアレイであって、
前記第1のソース線ペアの前記第2のソース線と前記第2のソース線ペアの前記第2のソース線とが互いにつながっている、
メモリセルアレイ。 - 請求項1に記載のメモリセルアレイであって、
プログラム動作が行われた後に、前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の両方がセット状態を有するか、又は前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の両方がリセット状態を有する、
メモリセルアレイ。 - 請求項5に記載のメモリセルアレイであって、
読み出し動作が行われる際、前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器は第1の読み出し電流を生じさせ、前記第1のメモリセルの前記第2の抵抗器は第2の読み出し電流を生じさせ、前記第1の読み出し電流と前記第2の読み出し電流との和に等しい重なりあった読み出し電流が前記ビット線に出力されるようにし、前記第1のメモリセルの記憶状態が前記重なりあった読み出し電流の大きさによって判定される、
メモリセルアレイ。 - 第1のビット線ペアと、
第1のワード線と、
第1のソース線と、
第1のメモリセルと、
を含むメモリセルアレイであって、
前記第1のメモリセルの選択端子は前記第1のワード線と接続され、前記第1のメモリセルの第1の制御端子は前記第1のビット線ペアの第1のビット線と接続され、前記第1のメモリセルの第2の制御端子は前記第1のビット線ペアの第2のビット線と接続され、前記第1のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のソース線と接続され、
前記第1のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む選択トランジスタであって、選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第1のメモリセルの前記選択端子と接続され、選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第1のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第1のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第1のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第1のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第1のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項7に記載のメモリセルアレイであって、
第2のワード線と、
第2のメモリセルと、
をさらに含み、
前記第2のメモリセルの選択端子は前記第2のワード線と接続され、前記第2のメモリセルの第1の制御端子は前記第1のビット線ペアの第1のビット線と接続され、前記第2のメモリセルの第2の制御端子は前記第1のビット線ペアの第2のビット線と接続され、前記第2のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のソース線と接続され、
前記第2のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む選択トランジスタであって、選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第2のメモリセルの前記選択端子と接続され、選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第2のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第2のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第2のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第2のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第2のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項8に記載のメモリセルアレイであって、
第2のビット線ペアと、
第3のメモリセルと、
をさらに含み、
前記第3のメモリセルの選択端子は前記第1のワード線と接続され、前記第3のメモリセルの第1の制御端子は前記第2のビット線ペアの第1のビット線と接続され、前記第3のメモリセルの第2の制御端子は前記第2のビット線ペアの第2のビット線と接続され、前記第3のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のソース線と接続され、
前記第3のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む選択トランジスタであって、選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第3のメモリセルの前記選択端子と接続され、選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第3のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第3のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第3のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第3のメモリセルの前記選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第3のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項7に記載のメモリセルアレイであって、
プログラム動作が行われた後に、前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器がそれぞれセット状態及びリセット状態を有するか、又は前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の両方がそれぞれ前記リセット状態及び前記セット状態を有する、
メモリセルアレイ。 - 請求項10に記載のメモリセルアレイであって、
読み出し動作が行われる際、前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器は前記第1のビット線ペアの前記第1のビット線に対して第1の読み出し電流を生じさせ、前記第1のメモリセルの前記第2の抵抗器は前記第1のビット線ペアの前記第2のビット線に対して第2の読み出し電流を生じさせ、前記第1のメモリセルの記憶状態が前記第1の読み出し電流と前記第2の読み出し電流との比較結果によって判定される、
メモリセルアレイ。 - 第1のビット線と、
第1のワード線と、
第1のソース線ペアと、
第1のメモリセルと、
を含むメモリセルアレイであって、
前記第1のメモリセルの選択端子は前記第1のワード線と接続され、前記第1のメモリセルの第1の制御端子は前記第1のソース線ペアの第1のソース線と接続され、前記第1のメモリセルの第2の制御端子は前記第1のソース線ペアの第2のソース線と接続され、前記第1のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のビット線と接続され、
前記第1のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む第1の選択トランジスタであって、第1の選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第1のメモリセルの前記選択端子と接続され、第1の選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第1のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、第1の選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第1のメモリセルの前記第1の選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第1のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む第2の選択トランジスタであって、第2の選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第1のメモリセルの前記選択端子と接続され、第2の選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第1のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、第2の選択トランジスタと、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第1のメモリセルの前記第2の選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第1のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項12に記載のメモリセルアレイであって、
第2のワード線と、
第2のメモリセルと、
をさらに含み、
前記第2のメモリセルの選択端子は前記第2のワード線と接続され、前記第2のメモリセルの第1の制御端子は前記第1のソース線ペアの前記第1のソース線と接続され、前記第2のメモリセルの第2の制御端子は前記第1のソース線ペアの前記第2のソース線と接続され、前記第2のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のビット線と接続され、
前記第2のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む第1の選択トランジスタであって、第1の選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第2のメモリセルの前記選択端子と接続され、第1の選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第2のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、第1の選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第2のメモリセルの前記第1の選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第2のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む第2の選択トランジスタであって、第2の選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第2のメモリセルの前記選択端子と接続され、第2の選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第2のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、第2の選択トランジスタと、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第2のメモリセルの前記第2の選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第2のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項13に記載のメモリセルアレイであって、
第2のソース線ペアと、
第3のメモリセルと、
をさらに含み、
前記第3のメモリセルの選択端子は前記第1のワード線と接続され、前記第3のメモリセルの第1の制御端子は前記第2のソース線ペアの第1のソース線と接続され、前記第3のメモリセルの第2の制御端子は前記第2のソース線ペアの第2のソース線と接続され、前記第3のメモリセルの第3の制御端子は前記第1のビット線と接続され、
前記第3のメモリセルは、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む第1の選択トランジスタであって、第1の選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第3のメモリセルの前記選択端子と接続され、第1の選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第3のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、第1の選択トランジスタと、
第1の抵抗器であって、第1の抵抗器の第1の端子は前記第3のメモリセルの前記第1の選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第1の抵抗器の第2の端子は前記第3のメモリセルの前記第1の制御端子と接続される、第1の抵抗器と、
ゲート端子と、第1のソース/ドレイン端子と、第2のソース/ドレイン端子と、を含む第2の選択トランジスタであって、第2の選択トランジスタの前記ゲート端子は前記第3のメモリセルの前記選択端子と接続され、第2の選択トランジスタの前記第1のソース/ドレイン端子は前記第3のメモリセルの前記第3の制御端子と接続される、第2の選択トランジスタと、
第2の抵抗器であって、第2の抵抗器の第1の端子は前記第3のメモリセルの前記第2の選択トランジスタの前記第2のソース/ドレイン端子と接続され、第2の抵抗器の第2の端子は前記第3のメモリセルの前記第2の制御端子と接続される、第2の抵抗器と、を含む、
メモリセルアレイ。 - 請求項12に記載のメモリセルアレイであって、
プログラム動作が行われた後に、前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の両方がセット状態を有するか、又は前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の両方がリセット状態を有する、
メモリセルアレイ。 - 請求項15に記載のメモリセルアレイであって、
読み出し動作が行われる際、前記第1のメモリセルの前記第1の抵抗器は第1の読み出し電流を生じさせ、前記第1のメモリセルの前記第2の抵抗器は第2の読み出し電流を生じさせ、前記第1の読み出し電流と前記第2の読み出し電流との和に等しい重なりあった読み出し電流が前記ビット線に出力されるようにし、前記第1のメモリセルの記憶状態が前記重なりあった読み出し電流の大きさによって判定される、
メモリセルアレイ。
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