JP2019139827A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019139827A JP2019139827A JP2018024250A JP2018024250A JP2019139827A JP 2019139827 A JP2019139827 A JP 2019139827A JP 2018024250 A JP2018024250 A JP 2018024250A JP 2018024250 A JP2018024250 A JP 2018024250A JP 2019139827 A JP2019139827 A JP 2019139827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage elements
- pair
- variable resistance
- data
- resistance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- -1 hafnium oxide (HfOx) Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/003—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/14—Dummy cell management; Sense reference voltage generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0023—Address circuits or decoders
- G11C13/0026—Bit-line or column circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0023—Address circuits or decoders
- G11C13/0028—Word-line or row circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
- G11C2013/0042—Read using differential sensing, e.g. bit line [BL] and bit line bar [BLB]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
- G11C2013/0054—Read is performed on a reference element, e.g. cell, and the reference sensed value is used to compare the sensed value of the selected cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/32—Material having simple binary metal oxide structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/82—Array having, for accessing a cell, a word line, a bit line and a plate or source line receiving different potentials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
(1)データ「0」が記憶されるとき:
真のデータを記憶する記憶素子MC11には3μAが流れ、補完データを記憶する記憶素子/MC11には16μAが流れる。両者の電流差は13μAであり、センスアンプ10は、差信号の良好な検出結果により、データ「0」を出力する。
(2)データ「1」が記憶されるとき:
真のデータを記憶する記憶素子MC11には16μAが流れ、補完データを記憶する記憶素子/MC11には3μAが流れる。両者の電流差は13μAであり、センスアンプ10は、差信号の良好な検出結果により、データ「1」を出力する。
(1)データ「0」が記憶されるとき:
記憶素子MC11には6μAが流れ、記憶素子/MC11には16μAが流れる。両者の電流差は10μAであり、センスアンプ10は、差信号の良好な検出結果により、データ「0」を出力する。
(2)データ「1」が記憶されるとき:
記憶素子MC11には、10μAが流れ、記憶素子/MC11には3μAが流れる。両者の電流差は7μAである。マージンが小さくなると、センスアンプ10は、差信号の検出を正しく行えない場合があり、つまり、正しくデータ「1」を出力できなくなる場合がある。
(1)データ「0」が記憶されるとき:
記憶素子MC_Aには3μAが流れ、記憶素子MC_Bには3μAが流れ、両者の合計電流は6μAである。
(2)データ「1」が記憶されるとき:
記憶素子MC_Aには16μAが流れ、記憶素子MC_Bには16μAが流れる。両者の合計電流は32μAである。
データ「0」とデータ「1」のときのウインドウ幅は26μA(32μA−6μA)であり、基準電流Irefは、その間に設定される。
(1)データ「0」が記憶されるとき:
記憶素子MC_Aには6μAが流れ、記憶素子MC_Bには3μAが流れる。両者の合計電流は9μAである。
(2)データ「1」が記憶されるとき:
記憶素子MC_Aには、10μAが流れ、記憶素子MC_Bには16μAが流れる。両者合計電流は26μAである。
一方の記憶素子MC_Aにテールビットシフトが生じても、データ「0」とデータ「1」との間のウインドウ幅は17μA(26μA−9μA)であり、基準電流Irefは17.5μA(9μA+8.5μA)に設定される。この読出しマージンは、従来の読出し方法のときよりも大きいことがわかる。
110:メモリアレイ
120:行デコーダおよび駆動回路(X−DEC)
130:列デコーダおよび駆動回路(Y−DEC)
140:入出力バッファ
150:制御回路
160:センスアンプ
170:書込みドライバ・読出しバイアス回路170
Claims (11)
- 複数の記憶素子を含むメモリアレイと、
前記複数の記憶素子の中から選択された一対の記憶素子に同一データを書込む書込み手段と、
前記複数の記憶素子の中から選択された一対の記憶素子に記憶されたデータを読出す読出し手段とを有し、
前記読出し手段は、一対の記憶素子の各々に流れる電流の合計と基準値とを比較し、比較結果に基づきデータを出力するセンスアンプを含む、半導体記憶装置。 - 前記書込み手段は、行方向に隣接する一対の記憶素子に同一データを書込む、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記記憶素子は、可逆性かつ不揮発性の可変抵抗素子と当該可変抵抗素子に接続されたアクセス用トランジスタとを含み、
前記書込み手段は、一対の記憶素子のそれぞれの可変抵抗素子をセットまたはリセットする、請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリアレイは、前記基準値を生成するためのダミーの記憶素子を含む、請求項1ないし3いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記ダミーの記憶素子は、セットされた可変抵抗素子を流れる電流とリセットされた可変抵抗素子を流れる電流との間の電流を流すように設定される、請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、リテンション特性またはエンデュランス特性に応じて前記基準値を設定する手段を含む、請求項1ないしい5いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置は、アドレス情報に基づき行方向の記憶素子を選択する行選択手段と、アドレス情報に基づき列方向の記憶素子を選択する列選択手段とを含み、
前記書込み手段は、前記行選択手段および前記列選択手段によって選択された一対の記憶素子に同一データを書込み、
前記読出し手段は、前記行選択手段および前記列選択手段によって選択された一対の記憶素子に記憶されたデータを読出す、請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 半導体記憶装置のデータの読出し方法であって、
メモリセルアレイに含まれる複数の記憶素子の中から選択された一対の記憶素子に同一データを書込み、
前記一対の記憶素子からデータを読出すとき、当該一対の記憶素子の各々に流れる電流の合計と基準値とを比較し、比較結果に基づきデータを出力する、読出し方法。 - 前記記憶素子は、可逆性かつ不揮発性の可変抵抗素子と当該可変抵抗素子に接続されたアクセス用トランジスタとを含む、請求項8に記載の読出し方法。
- 前記記憶素子は、可変抵抗素子を含み、前記基準値は、セットされた可変抵抗素子に流れる電流とリセットされた可変抵抗素子に流れる電流との間の電流に設定される、請求項8または9に記載の読出し方法。
- 前記基準値は、リテンション特性またはエンデュランス特性に応じて可変される、請求項9または10に記載の読出し方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018024250A JP6599494B2 (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 半導体記憶装置 |
TW108100635A TWI672697B (zh) | 2018-02-14 | 2019-01-08 | 半導體記憶體元件 |
US16/249,907 US10777272B2 (en) | 2018-02-14 | 2019-01-17 | Semiconductor memory device |
KR1020190007687A KR102128188B1 (ko) | 2018-02-14 | 2019-01-21 | 반도체 메모리 장치 |
CN201910108551.2A CN110164496B (zh) | 2018-02-14 | 2019-02-03 | 半导体存储器元件及其读取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018024250A JP6599494B2 (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019139827A true JP2019139827A (ja) | 2019-08-22 |
JP6599494B2 JP6599494B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=67540828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018024250A Active JP6599494B2 (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 半導体記憶装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10777272B2 (ja) |
JP (1) | JP6599494B2 (ja) |
KR (1) | KR102128188B1 (ja) |
CN (1) | CN110164496B (ja) |
TW (1) | TWI672697B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220014387A (ko) | 2020-07-24 | 2022-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US11605418B2 (en) * | 2020-10-26 | 2023-03-14 | Micron Technology, Inc. | Memory device architecture using multiple physical cells per bit to improve read margin and to alleviate the need for managing demarcation read voltages |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080316802A1 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-25 | Thomas Happ | Memory device having drift compensated read operation and associated method |
JP2012181900A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびそのテスト方法 |
JP2013054807A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | 不揮発性メモリ |
JP2016134193A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 力旺電子股▲分▼有限公司 | 抵抗変化型ランダムアクセスメモリのメモリセルアレイ |
JP2016522527A (ja) * | 2013-04-02 | 2016-07-28 | マイクロン テクノロジー, インク. | Rramおよびrramに対して情報を格納し検索する方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5623795A (en) | 1979-08-03 | 1981-03-06 | Hitachi Ltd | Device for arranging circular part |
JP2003242771A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007012180A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US8325508B2 (en) * | 2009-06-08 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Writing method for variable resistance nonvolatile memory element, and variable resistance nonvolatile memory device |
KR101194933B1 (ko) | 2010-12-08 | 2012-10-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
US8885400B2 (en) * | 2013-02-21 | 2014-11-11 | Sandisk 3D Llc | Compensation scheme for non-volatile memory |
US9196362B2 (en) * | 2013-04-05 | 2015-11-24 | Sandisk 3D Llc | Multiple layer forming scheme for vertical cross point reram |
TWI503842B (zh) | 2013-11-28 | 2015-10-11 | Winbond Electronics Corp | 電阻式記憶體裝置及其記憶胞 |
US9196373B2 (en) * | 2014-02-26 | 2015-11-24 | Sandisk 3D Llc | Timed multiplex sensing |
CN103839585A (zh) | 2014-03-03 | 2014-06-04 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种具有读取自参考功能的 2-1t1r rram 存储单元 |
JP5748877B1 (ja) | 2014-03-07 | 2015-07-15 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 抵抗変化型メモリ |
US9324426B2 (en) | 2014-06-02 | 2016-04-26 | Integrated Silicon Solution, Inc. | Method for improving sensing margin of resistive memory |
CN105448331B (zh) * | 2014-08-22 | 2017-12-01 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式随机存取存储器电路以及读取方法 |
US20160148686A1 (en) * | 2014-11-26 | 2016-05-26 | Ememory Technology Inc. | Memory cell array of resistive random-access memories |
KR20170097811A (ko) * | 2016-02-18 | 2017-08-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저항성 메모리 장치 및 이를 위한 전압 생성 회로 |
CN107180649B (zh) * | 2016-03-11 | 2021-01-15 | 联华电子股份有限公司 | 半导体存储器元件及操作半导体存储器元件的方法 |
-
2018
- 2018-02-14 JP JP2018024250A patent/JP6599494B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-08 TW TW108100635A patent/TWI672697B/zh active
- 2019-01-17 US US16/249,907 patent/US10777272B2/en active Active
- 2019-01-21 KR KR1020190007687A patent/KR102128188B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-03 CN CN201910108551.2A patent/CN110164496B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080316802A1 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-25 | Thomas Happ | Memory device having drift compensated read operation and associated method |
JP2012181900A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびそのテスト方法 |
JP2013054807A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | 不揮発性メモリ |
JP2016522527A (ja) * | 2013-04-02 | 2016-07-28 | マイクロン テクノロジー, インク. | Rramおよびrramに対して情報を格納し検索する方法 |
JP2016134193A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 力旺電子股▲分▼有限公司 | 抵抗変化型ランダムアクセスメモリのメモリセルアレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201935481A (zh) | 2019-09-01 |
CN110164496B (zh) | 2021-05-18 |
TWI672697B (zh) | 2019-09-21 |
JP6599494B2 (ja) | 2019-10-30 |
US20190252019A1 (en) | 2019-08-15 |
KR20190098691A (ko) | 2019-08-22 |
KR102128188B1 (ko) | 2020-06-30 |
CN110164496A (zh) | 2019-08-23 |
US10777272B2 (en) | 2020-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5642649B2 (ja) | 半導体記憶装置及び半導体装置 | |
KR20190139082A (ko) | 메모리 장치의 비트 에러율 균등화 방법 | |
US20060050547A1 (en) | Resistive memory arrangement | |
KR20100116938A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 | |
US8451643B2 (en) | Semiconductor memory device rewriting data after execution of multiple read operations | |
JP2013004143A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2011204302A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5748877B1 (ja) | 抵抗変化型メモリ | |
KR20170106751A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 검증 라이트 방법 | |
US11043249B2 (en) | Memory devices with improved refreshing operation | |
US11735260B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP6599494B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR102471567B1 (ko) | 메모리 장치 및 메모리 장치의 제어 방법 | |
JP6457792B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2009080884A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5988061B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20220277790A1 (en) | Memory chip and method of controlling memory chip | |
JP5774154B1 (ja) | 抵抗変化型メモリ | |
JP7185748B1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
WO2022102283A1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
WO2021210475A1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2021170425A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190424 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190903 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20190903 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190911 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20190917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6599494 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |