JP2015228495A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015228495A5
JP2015228495A5 JP2015095288A JP2015095288A JP2015228495A5 JP 2015228495 A5 JP2015228495 A5 JP 2015228495A5 JP 2015095288 A JP2015095288 A JP 2015095288A JP 2015095288 A JP2015095288 A JP 2015095288A JP 2015228495 A5 JP2015228495 A5 JP 2015228495A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide semiconductor
thin film
crystalline oxide
semiconductor thin
film according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015095288A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015228495A (ja
JP6557899B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015095288A priority Critical patent/JP6557899B2/ja
Priority claimed from JP2015095288A external-priority patent/JP6557899B2/ja
Publication of JP2015228495A publication Critical patent/JP2015228495A/ja
Publication of JP2015228495A5 publication Critical patent/JP2015228495A5/ja
Priority to JP2019053236A priority patent/JP6893625B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6557899B2 publication Critical patent/JP6557899B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2015095288A 2014-05-08 2015-05-07 結晶性積層構造体、半導体装置 Active JP6557899B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015095288A JP6557899B2 (ja) 2014-05-08 2015-05-07 結晶性積層構造体、半導体装置
JP2019053236A JP6893625B2 (ja) 2014-05-08 2019-03-20 結晶性積層構造体、半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014097244 2014-05-08
JP2014097244 2014-05-08
JP2015095288A JP6557899B2 (ja) 2014-05-08 2015-05-07 結晶性積層構造体、半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019053236A Division JP6893625B2 (ja) 2014-05-08 2019-03-20 結晶性積層構造体、半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015228495A JP2015228495A (ja) 2015-12-17
JP2015228495A5 true JP2015228495A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2018-06-14
JP6557899B2 JP6557899B2 (ja) 2019-08-14

Family

ID=52146230

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015095288A Active JP6557899B2 (ja) 2014-05-08 2015-05-07 結晶性積層構造体、半導体装置
JP2019053236A Active JP6893625B2 (ja) 2014-05-08 2019-03-20 結晶性積層構造体、半導体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019053236A Active JP6893625B2 (ja) 2014-05-08 2019-03-20 結晶性積層構造体、半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9379190B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
EP (1) EP2942803B1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP (2) JP6557899B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
CN (3) CN110047907B (cg-RX-API-DMAC7.html)
TW (1) TWI607511B (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2942803B1 (en) * 2014-05-08 2019-08-21 Flosfia Inc. Crystalline multilayer structure and semiconductor device
CN110828536A (zh) * 2014-07-22 2020-02-21 株式会社Flosfia 结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置
EP3783662B1 (en) * 2014-09-02 2025-03-12 Flosfia Inc. Laminated structure and method for manufacturing same, semiconductor device, and crystalline film
JP6906217B2 (ja) * 2015-12-18 2021-07-21 株式会社Flosfia 半導体装置
CN107068773B (zh) * 2015-12-18 2021-06-01 株式会社Flosfia 半导体装置
JP2017128492A (ja) * 2016-01-15 2017-07-27 株式会社Flosfia 結晶性酸化物膜
US10158029B2 (en) * 2016-02-23 2018-12-18 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for robust overstress protection in compound semiconductor circuit applications
JP6705962B2 (ja) * 2016-06-03 2020-06-03 株式会社タムラ製作所 Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の成長方法及び結晶積層構造体
JP6580267B2 (ja) * 2016-07-26 2019-09-25 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6932904B2 (ja) * 2016-08-24 2021-09-08 株式会社Flosfia 半導体装置
US10804362B2 (en) 2016-08-31 2020-10-13 Flosfia Inc. Crystalline oxide semiconductor film, crystalline oxide semiconductor device, and crystalline oxide semiconductor system
WO2018052097A1 (ja) 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Flosfia 半導体膜の製造方法及び半導体膜並びにドーピング用錯化合物及びドーピング方法
US20180097073A1 (en) * 2016-10-03 2018-04-05 Flosfia Inc. Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device
JP2018067672A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ブイ・テクノロジー 酸化物半導体装置及びその製造方法
CN109952392A (zh) * 2016-11-07 2019-06-28 株式会社Flosfia 结晶性氧化物半导体膜及半导体装置
JP7116409B2 (ja) * 2017-02-27 2022-08-10 株式会社タムラ製作所 トレンチｍｏｓ型ショットキーダイオード
JP6967238B2 (ja) * 2017-02-28 2021-11-17 株式会社タムラ製作所 ショットキーバリアダイオード
JP2019007048A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 トヨタ自動車株式会社 成膜装置
CN107293511B (zh) * 2017-07-05 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层退火设备及退火方法
CN107464844A (zh) * 2017-07-20 2017-12-12 中国电子科技集团公司第十三研究所 氧化镓场效应晶体管的制备方法
JP7166522B2 (ja) * 2017-08-21 2022-11-08 株式会社Flosfia 結晶膜の製造方法
JP7065440B2 (ja) * 2017-09-04 2022-05-12 株式会社Flosfia 半導体装置の製造方法および半導体装置
GB2569196B (en) 2017-12-11 2022-04-20 Pragmatic Printing Ltd Schottky diode
GB2601276B (en) * 2017-12-11 2022-09-28 Pragmatic Printing Ltd Schottky diode
CN108493234A (zh) * 2018-05-10 2018-09-04 广东省半导体产业技术研究院 一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管及其制备方法
TWI859146B (zh) * 2018-07-12 2024-10-21 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置和半導體系統
TWI879736B (zh) * 2018-07-12 2025-04-11 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置和半導體系統
TWI897850B (zh) * 2018-07-12 2025-09-21 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置和半導體系統
TW202006945A (zh) * 2018-07-12 2020-02-01 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置和半導體系統
JP2020011859A (ja) * 2018-07-17 2020-01-23 トヨタ自動車株式会社 成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
JP2020011858A (ja) * 2018-07-17 2020-01-23 トヨタ自動車株式会社 成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
KR102415439B1 (ko) * 2018-08-01 2022-06-30 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 결정 구조 화합물, 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃, 결정질 산화물 박막, 아모르퍼스 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
JP6857641B2 (ja) 2018-12-19 2021-04-14 信越化学工業株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7315136B2 (ja) * 2018-12-26 2023-07-26 株式会社Flosfia 結晶性酸化物半導体
DE112019007009B4 (de) * 2019-03-13 2023-04-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinheit
US11088242B2 (en) 2019-03-29 2021-08-10 Flosfia Inc. Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device
WO2020212800A1 (ja) * 2019-04-18 2020-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体リレー、および半導体装置
JP7409790B2 (ja) * 2019-06-20 2024-01-09 信越化学工業株式会社 酸化物半導体膜及び半導体装置
WO2021010427A1 (ja) * 2019-07-16 2021-01-21 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
CN110571152A (zh) * 2019-08-14 2019-12-13 青岛佳恩半导体有限公司 一种igbt背面电极缓冲层的制备方法
JP7128970B2 (ja) * 2019-08-27 2022-08-31 信越化学工業株式会社 積層構造体及び積層構造体の製造方法
WO2021065940A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
CN110752159B (zh) * 2019-10-28 2023-08-29 中国科学技术大学 对氧化镓材料退火的方法
CN111106167A (zh) * 2019-11-27 2020-05-05 太原理工大学 一种择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜基传感器的制备方法
JPWO2021106811A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) * 2019-11-29 2021-06-03
KR20220106816A (ko) * 2019-11-29 2022-07-29 가부시키가이샤 플로스피아 반도체 장치 및 반도체 시스템
JP7478334B2 (ja) * 2020-01-10 2024-05-07 株式会社Flosfia 半導体素子および半導体装置
TWI879858B (zh) * 2020-01-10 2025-04-11 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置及半導體系統
WO2021141130A1 (ja) * 2020-01-10 2021-07-15 株式会社Flosfia 導電性金属酸化膜、半導体素子および半導体装置
JP7530615B2 (ja) * 2020-01-10 2024-08-08 株式会社Flosfia 結晶、半導体素子および半導体装置
WO2021157719A1 (ja) * 2020-02-07 2021-08-12 株式会社Flosfia 半導体素子および半導体装置
KR20230029676A (ko) * 2020-06-29 2023-03-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 성막용 도핑원료용액의 제조방법, 적층체의 제조방법, 성막용 도핑원료용액 및 반도체막
JPWO2022009970A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) * 2020-07-10 2022-01-13
EP4202077A4 (en) * 2020-08-20 2024-08-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. FILM FORMING PROCESS AND RAW MATERIAL SOLUTION
CN112103175A (zh) * 2020-08-28 2020-12-18 上海大学 n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜
JP7469201B2 (ja) 2020-09-18 2024-04-16 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
KR102394975B1 (ko) * 2020-10-22 2022-05-09 경북대학교 산학협력단 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자
WO2022230831A1 (ja) * 2021-04-26 2022-11-03 株式会社Flosfia 半導体装置
JP7572685B2 (ja) * 2021-07-07 2024-10-24 株式会社Tmeic エッチング方法
US20230074175A1 (en) * 2021-09-09 2023-03-09 The Regents Of The University Of Michigan Doped Aluminum-Alloyed Gallium Oxide And Ohmic Contacts

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030019613A (ko) * 2000-07-28 2003-03-06 동경 엘렉트론 주식회사 성막방법
CN101558504A (zh) * 2006-10-17 2009-10-14 住友化学株式会社 热电转换材料、其制造方法、热电转换元件以及提高热电转换材料强度的方法
JP5142257B2 (ja) 2007-09-27 2013-02-13 独立行政法人産業技術総合研究所 不純物イオン注入層の電気的活性化方法
US20110233689A1 (en) * 2008-12-08 2011-09-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Semiconductor device, process for producing semiconductor device, semiconductor substrate, and process for producing semiconductor substrate
KR101932576B1 (ko) * 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101895398B1 (ko) * 2011-04-28 2018-10-25 삼성전자 주식회사 산화물 층의 형성 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
US9466618B2 (en) * 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
JP6013685B2 (ja) * 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5793732B2 (ja) 2011-07-27 2015-10-14 高知県公立大学法人 ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
WO2013035843A1 (ja) 2011-09-08 2013-03-14 株式会社タムラ製作所 Ｇａ2Ｏ3系半導体素子
JP5948581B2 (ja) 2011-09-08 2016-07-06 株式会社Flosfia Ｇａ２Ｏ３系半導体素子
WO2013069729A1 (ja) * 2011-11-09 2013-05-16 株式会社タムラ製作所 半導体素子及びその製造方法
KR20150047474A (ko) * 2012-06-14 2015-05-04 티브라 코포레이션 다중층 기판 구조물
JP5972065B2 (ja) * 2012-06-20 2016-08-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP5965338B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
IN2015DN01663A (cg-RX-API-DMAC7.html) * 2012-08-03 2015-07-03 Semiconductor Energy Lab
JP5343224B1 (ja) * 2012-09-28 2013-11-13 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置および結晶
CN103117226B (zh) * 2013-02-04 2015-07-01 青岛大学 一种合金氧化物薄膜晶体管的制备方法
JP5397794B1 (ja) * 2013-06-04 2014-01-22 Ｒｏｃａ株式会社 酸化物結晶薄膜の製造方法
JP5397795B1 (ja) * 2013-06-21 2014-01-22 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法
US10109707B2 (en) * 2014-03-31 2018-10-23 Flosfia Inc. Crystalline multilayer oxide thin films structure in semiconductor device
EP2942803B1 (en) * 2014-05-08 2019-08-21 Flosfia Inc. Crystalline multilayer structure and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015228495A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2015227279A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
Chowdhury et al. Comparison of 600V Si, SiC and GaN power devices
JP2016529720A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2016164979A5 (ja) 半導体装置
JP2014075580A5 (ja) 半導体装置
EP4235798A3 (en) Schottky diodes and method of manufacturing the same
JP2016506081A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2013516795A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2016015484A5 (ja) 半導体装置
BR112016002017A2 (pt) transistor de efeito de campo e método para produzir transistor de efeito de campo
JP2010212672A5 (ja) 半導体装置
JP2013243355A5 (ja) 半導体装置
WO2012051133A3 (en) Vertical semiconductor device with thinned substrate
JP2014007399A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2013058770A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO2010006107A3 (en) Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making
JP2016213454A5 (ja) 半導体装置
WO2009137578A3 (en) Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making
JP2012023359A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2014518016A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2016178279A5 (ja) 半導体装置
SE1751139A1 (en) Integration of a schottky diode with a mosfet
WO2009088452A8 (en) Improved sawtooth electric field drift region structure for power semiconductor devices
JP2015153785A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)