JP2015227279A5 - - Google Patents
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| CN110571152A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-12-13 | 青岛佳恩半导体有限公司 | 一种igbt背面电极缓冲层的制备方法 |
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| KR101932576B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9478668B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
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| US9299852B2 (en) * | 2011-06-16 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN110010670A (zh) | 2011-09-08 | 2019-07-12 | 株式会社田村制作所 | Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET |
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