JP2015228495A5 - - Google Patents
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Claims (14)
- コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは／およびガリウムを主成分として含み、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含むことを特徴とする結晶性酸化物半導体薄膜。
- ゲルマニウムを含む請求項１記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
- 炭素を実質的に含まない請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
- ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が１×１０１６／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
- ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が１×１０１７／ｃｍ３以下である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
- ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が１×１０２０／ｃｍ３以上である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
- 前記結晶性酸化物半導体薄膜に含まれる金属元素中のガリウムの原子比が０．５以上である請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜と電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
- コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜で構成される半導体層と電極とを備えている半導体装置であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは／およびガリウムを主成分として含み、前記結晶性酸化物半導体薄膜が、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含むことを特徴とする半導体装置。
- 縦型デバイスである請求項８〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
- パワーデバイスである請求項８〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
- ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）である請求項８〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
- ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）または静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）である請求項８〜１３のいずれかに記載の半導体装置。
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