JP2014187359A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、酸化物半導体層と、第１の酸化物層と、第２の酸化物層と、第３の酸化物層と、第４の酸化物層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の上面で前記第３の酸化物層と接する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の上面で前記第４の酸化物層と接する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル形成領域において前記第２の酸化物層の上面と接し、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル形成領域において前記酸化物半導体層の上面で前記第１の酸化物層と接し、
前記ソース電極は、前記第３の酸化物層を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続し、
前記ドレイン電極は、前記第４の酸化物層を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｚｎおよび元素Ｍ（元素ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆのうち１種類以上の元素）を有し、
前記第１の酸化物層は、Ｉｎ、Ｚｎおよび元素Ｍ（元素ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆのうち１種類以上の元素）を有し、
前記第２の酸化物層は、Ｉｎ、Ｚｎまたは元素Ｍ（元素ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）のうち、少なくとも１種類の元素を有し、
前記第３の酸化物層は、Ｉｎ、Ｚｎおよび元素Ｍ（元素ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆのうち１種類以上の元素）を有し、
前記第４の酸化物層は、Ｉｎ、Ｚｎおよび元素Ｍ（元素ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆのうち１種類以上の元素）を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記第１の酸化物層において、Ｉｎの原子数比率が５０ａｔｏｍｉｃ％未満、元素Ｍの原子数比率が５０ａｔｏｍｉｃ％以上であり、
前記酸化物半導体層において、Ｉｎの原子数比率が２５ａｔｏｍｉｃ％以上、元素Ｍの原子数比率が７５ａｔｏｍｉｃ％未満であり、
前記第３の酸化物層および前記第４の酸化物層において、Ｉｎの原子数比率が５０ａｔｏｍｉｃ％以上、元素Ｍの原子数比率が５０ａｔｏｍｉｃ％未満である、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物層における元素Ｍの原子数に対するＩｎの原子数の比が、前記酸化物半導体層における元素Ｍの原子数に対するＩｎの原子数の比より大きい、ことを特徴とする半導体装置。
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