JP2015228495A - 結晶性積層構造体、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、α−Ga2O3は、既に汎用に販売されているサファイア基板と同じ結晶構造を有するため、光・電子デバイスへの利用には好適であり、そのため、半導体装置に有用な電気特性に優れた酸化ガリウム薄膜が待ち望まれている状況である。
なお、特許文献2記載のα−(AlxGa1−x)2O3単結晶薄膜につき、本発明者らは、MBE法では成膜できず、AlおよびGaの原子比を1:1として、ミストCVDにより成膜した結晶性酸化物薄膜を、800℃30分の条件にてアニール処理した。しかし、結晶相を見ると、β−Ga2O3を主成分とするβ相の酸化物結晶のピークのみが観測される結果となった。なお、AlおよびGaの原子比を2:1とした場合も同様であった。そのため、特許文献2に記載されているような方法では、とても半導体装置に用いることができなかった。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて本発明を完成させるに至った。
下地基板は、上記の結晶性酸化物半導体薄膜の支持体となるものであれば特に限定されない。絶縁体基板であってもよいし、半導体基板であってもよいし、導電性基板であってもよい。本発明においては、前記下地基板が、コランダム構造を有する結晶物を主成分として含む基板、またはβ−ガリア構造を有する結晶物を主成分として含む基板であるのが好ましい。コランダム構造を有する結晶物を主成分として含む基板は、基板中の組成比で、コランダム構造を有する結晶物を50%以上含むものであれば、特に限定されないが、本発明においては、70%以上含むものであるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましい。コランダム構造を有する結晶を主成分とする基板としては、例えば、サファイア基板(例:c面サファイア基板)や、α型酸化ガリウム基板などが挙げられる。β−ガリア構造を有する結晶物を主成分とする基板は、基板中の組成比で、β−ガリア構造を有する結晶物を50%以上含むものであれば、特に限定されないが、本発明においては、70%以上含むものであるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましい。β−ガリア構造を有する結晶物を主成分とする基板としては、例えばβ−Ga2O3基板、又はGa2O3とAl2O3とを含みAl2O3が0wt%より多くかつ60wt%以下である混晶体基板などが挙げられる。その他の下地基板の例としては、六方晶構造を有する基板(例:SiC基板、ZnO基板、GaN基板)などが挙げられる。六方晶構造を有する基板上には、直接または別の層(例:緩衝層)を介して、前記結晶性酸化物半導体薄膜を形成するのが好ましい。下地基板の厚さは、本発明においては特に限定されないが、好ましくは、50〜2000μmであり、より好ましくは200〜800μmである。
本発明においては、前記下地基板が、サファイア基板(例:c面サファイア基板)、α型酸化ガリウム基板、β−Ga2O3基板、又はGa2O3とAl2O3とを含みAl2O3が0wt%より多くかつ60wt%以下である混晶体基板であるのが好ましく、β−Ga2O3基板であるのがより好ましい。このような好ましい下地基板を用いることで、前記結晶性酸化物半導体薄膜の不純物のカーボン含有率、キャリア濃度および半値幅が、他の下地基板を用いた場合に比べてさらに低減することができる。
前記結晶性酸化物半導体薄膜は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは/およびガリウムを主成分として含み、膜中に、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含んでいれば特に限定されない。なお、本発明において、「主成分」とは、対象成分が元素である場合には、原子比で、全体に対し、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上、更に好ましくは90%以上含まれることを意味し、100%であってもよいことを意味する。また、対象成分が元素以外のものである場合には、モル比で、全体に対し、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、更に好ましくは90モル%以上含まれることを意味し、100モル%であってもよいことを意味する。前記結晶性酸化物半導体薄膜は、単結晶膜であってもよく、多結晶膜であってもよいが、本発明においては、前記結晶性酸化物半導体薄膜が、多結晶が含まれていてもよい単結晶膜であるのが好ましい。
なお、本発明の結晶性積層構造体を半導体装置に用いる場合には、本発明の結晶性積層構造体をそのまま又は所望により基板の剥離等を行って、半導体装置に用いることができる。本発明においては、前記結晶性酸化物半導体薄膜を半導体層として半導体装置に用いることで、半導体層が、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜で構成されるので、耐圧性に優れた半導体装置を得ることができる。
図1は、本発明に係るショットキーバリアダイオード(SBD)の一例を示している。図1のSBDは、n−型半導体層101a、n+型半導体層101b、ショットキー電極105aおよびオーミック電極105bを備えている。
図3は、本発明に係る金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の一例を示している。図3のMESFETは、n−型半導体層111a、n+型半導体層111b、緩衝層(バッファ層)118、半絶縁体層114、ゲート電極115a、ソース電極115bおよびドレイン電極115cを備えている。
図4は、本発明に係る光電子移動度トランジスタ(HEMT)の一例を示している。図4のHEMTは、バンドギャップの広いn型半導体層121a、バンドギャップの狭いn型半導体層121b、n+型半導体層121c、緩衝層(バッファ層)128、半絶縁体層124、ゲート電極125a、ソース電極125bおよびドレイン電極125cを備えている。
図4のHEMTでは、ゲート電極下に良好な空乏層が形成されるので、ドレイン電極からソース電極に流れる電流を効率よく制御することができる。また、本発明においては、さらにリセス構造とすることで、ノーマリーオフを発現することができる。
本発明の半導体装置がMOSFETである場合の一例を図5に示す。図5のMOSFETは、トレンチ型のMOSFETであり、n−型半導体層131a、n+型半導体層131b及び131c、ゲート絶縁膜134、ゲート電極135a、ソース電極135bおよびドレイン電極135cを備えている。
図8は、本発明の半導体装置がSITである場合の一例を示す。図8のSITは、n−型半導体層141a、n+型半導体層141b及び141c、ゲート電極145a、ソース電極145bおよびドレイン電極145cを備えている。
図8のSITのオン状態では、前記ソース電極145bと前記ドレイン電極145cとの間に電圧を印可し、前記ゲート電極145aに前記ソース電極145bに対して正の電圧を与えると、前記n−型半導体層141a内にチャネル層が形成され、電子が前記n−型半導体層141aに注入され、ターンオンする。オフ状態は、前記ゲート電極の電圧を0Vにすることにより、チャネル層ができなくなり、n−型半導体層が空乏層で満たされた状態になり、ターンオフとなる。
本発明の半導体装置が発光ダイオード(LED)である場合の一例を図15に示す。図15の半導体発光素子は、第2の電極165b上にn型半導体層161を備えており、n型半導体層161上には、発光層163が積層されている。そして、発光層163上には、p型半導体層162が積層されている。p型半導体層162上には、発光層163が発生する光を透過する透光性電極167を備えており、透光性電極167上には、第1の電極165aが積層されている。なお、図15の半導体発光素子は、電極部分を除いて保護層で覆われていてもよい。
以下、本発明の実施例を説明する。
まず、図17を用いて、本実施例で用いたCVD装置19を説明する。CVD装置19は、下地基板等の被成膜試料20を載置する試料台21と、キャリアガスを供給するキャリアガス源22と、キャリアガス源22から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23と、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる成膜室27と、成膜室27の周辺部に設置されたヒータ28を備えている。試料台21は、石英からなり、被成膜試料20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室27と試料台21をどちらも石英で作製することにより、被成膜試料20上に形成される薄膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
<条件1>
臭化ガリウムと酸化ゲルマニウムをガリウムに対するゲルマニウムの原子比が1:0.05となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。条件1では、酸化ゲルマニウムの濃度は、5.0×10−3mol/Lとした。
<条件2>
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、酸化ゲルマニウムをそれぞれ物質量比で100:200:0.04となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。条件2では、酸化ゲルマニウムの濃度は、4.0×10−5mol/Lとした。
この原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。
次に、被成膜試料20として、1辺が10mmの正方形で厚さ600μmのc面サファイア基板を試料台21上に設置させ、ヒータ28を作動させて成膜室27内の温度を500℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23を開いてキャリアガス源22からキャリアガスを成膜室27内に供給し、成膜室27の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/minに調節した。キャリアガスとしては、酸素ガスを用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを微粒子化させて、原料微粒子を生成した。
この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室27内に導入され、成膜室27内で反応して、被成膜試料20の成膜面でのCVD反応によって被成膜試料20上に薄膜を形成した。条件2では、条件1で作成した薄膜試料を水素と窒素の混合ガス(混合比5:95)で800℃90分間アニール処理を施した。
条件1及び2で形成した薄膜の相の同定をした。同定は、薄膜用XRD回折装置を用いて、15度から95度の角度で2θ/ωスキャンを行うことによって行った。測定は、CuKα線を用いて行った。その結果、条件1の原料溶液を用いて形成した薄膜は、α−Ga203であった。条件2の原料溶液を用いて形成した薄膜は、アニール処理の前はα−Ga203であったが、アニール処理後は、微結晶または非晶質Ga2O3であると考えられる。
得られた薄膜の電気特性の評価としてはvan der pauw法により、ホール効果測定を行った。測定環境としては、室温で印加磁場の周波数は50mHzとした。キャリア密度および移動度を求めた結果を表1に示す。
表1に示すように、条件1と2のどちらの薄膜にも導電性が付与されたことが分かる。なお、条件2については、アニール処理後の薄膜を用いて測定を行った。
上記実験の結果、同一条件で成膜したサンプルであっても、上述のホール効果測定で測定値が得られるものと、抵抗値が高く、計測不能のものが混在していた。それらのサンプルについて簡易的な評価として0.2cm2のチタン電極を用い、端子間距離200μmに対して100Vの電圧をかけて電流値を計測し抵抗値を算出した。同一条件で成膜したサンプルであっても、抵抗値に大きなばらつきがあった。
以下に、ドーパントとしてスズを用いた場合とゲルマニウムを用いた場合の実験結果を示す。ドーパントとしてスズを用いる場合、塩化スズ(II)二水和物とガリウムアセチルアセトナートと塩酸を水に溶解した溶液を原料とした。一方、ドーパントとしてゲルマニウムを用いる場合、<条件1>と同様にして、酸化ゲルマニウムの量のみを変化させた。原料溶液中のスズ量やゲルマニウム量が異なる溶液を調製し、成膜温度500度、キャリアガスは酸素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。
臭化ガリウムと酸化ゲルマニウムをガリウムに対するゲルマニウムの原子比が1E−7、1E−6、8E−5、4E−4、2E−3、1E−2、2E−1、8E−1となるようにそれぞれ原料溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。上記の成膜条件で成膜を行い、SIMSを用いて、入射イオン種は酸素、出力3kV、200nAで不純物濃度の定量分析を行った。その結果を図18に示す。図18に示すように、液中ドーパント含有割合と、結晶膜中のドーピング量が相関関係を有し、液中ドーパント含有割合を調製することによって、形成される薄膜中のドーピング濃度を容易に制御することができることが分かった。
上記条件1と同様の方法でGeの液中ドーパント濃度が0.04%の原料溶液を用いて、Geがドーピングされた薄膜試料作製した(以下、「実施例試料」)。また、非特許文献3の成膜方法で作成したSnの液中ドーパント濃度が0.04%の原料溶液を用いて、Snがドーピングされた薄膜試料(以下、「参考例試料」)を作製した。これらの試料をそれぞれ、水素と窒素の混合ガス(混合比5:95)で450℃5分間アニール処理を施した。その前後で抵抗値を計測した結果を図19に示す。図19を参照すると、Snは抵抗値が上昇したのに対して、Geは抵抗値が減少した。これは、Snをドーパントとして用いた酸化ガリウムに対して、オーミック電極形成の際のアニール処理を施すことで、高抵抗化してしまうが、Geをドーパントとして用いることで半導体層の高抵抗化を避けながらオーミック接触を実現することに有利に働くと考えられる。
<条件3>Geドープ
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、酸化ゲルマニウムをそれぞれ物質量比で100:200:5となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。酸化ゲルマニウムの濃度は、5.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、臭化スズをそれぞれ物質量比で100:200:1となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。臭化スズの濃度は、1.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。
表中に示したように、条件4の参考例試料では炭素や塩素もコンタミネーションとして多く含まれていたのに対して、条件3の実施例試料では、炭素や塩素のコンタミネーションを実質的に含まず、さらに、水素や窒素のコンタミネーションをも抑制するという効果も発揮することがわかった。
実施例試料と同一条件で成膜した別試料を、SIMS装置と標準試料を用いてイオン濃度に換算したところ、水素、窒素、炭素はバックグラウンドノイズと同等であり、存在の有無が確認できないほど微量、つまり、実質的に含有していないということが分かった。また、臭素は1E+16atoms/ccから2E+18atoms/ccであることがわかった。
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、臭化ケイ素をそれぞれ物質量比で100:200:1となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。臭化ケイ素の濃度は、1.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。その結果、ゲルマニウム含有の実施例試料と同等の性能を示していることが分かった。
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、臭化チタンをそれぞれ物質量比で100:200:1となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。臭化チタンの濃度は、1.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。その結果、ゲルマニウム含有の実施例試料と同等の性能を示しており、Sn含有参考例試料に比べ、電気特性において特に優れていることが分かった。
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、臭化ニオブをそれぞれ物質量比で100:200:1となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。臭化ニオブの濃度は、1.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。その結果、ゲルマニウム含有の実施例試料と同等の性能を示しており、Sn含有参考例試料に比べ、電気特性において特に優れていることが分かった。
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、ジルコニウムアセテートをそれぞれ物質量比で100:200:1となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。ジルコニウムアセテートの濃度は、1.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。その結果、ゲルマニウム含有の実施例試料と同等の性能を示しており、Sn含有参考例試料に比べ、電気特性において特に優れていることが分かった。
臭化ガリウム、臭化アルミニウム、臭化バナジウムをそれぞれ物質量比で100:200:1となるように水溶液を調製した。この際、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。臭化バナジウムの濃度は、1.0×10−3mol/Lとした。成膜温度500℃、キャリアガスは窒素、流量は5L/minの条件で30分間成膜を行った。その結果、ゲルマニウム含有の実施例試料と同等の性能を示しており、Sn含有参考例試料に比べ、電気特性において特に優れていることが分かった。
インジウムを0.025モル%L、ドーピング量をインジウム比1モル%、キャリアガスをN2とし、500℃20分の成膜条件で、その他は条件1と同様にして、結晶性積層構造体を製作した。
条件1と同様にして、n−半導体層として、ゲルマニウムをドーピングしたα−Ga2O3薄膜をc面サファイア基板上に成膜し、ついで、薄膜上に、n+半導体層として、ドーピングしていないα−Ga2O3薄膜を成膜した。n+半導体層の形成については、何もドーピングしなかったこと以外は、上記と同様にして成膜することにより行った。そして、図20に示すように、n+半導体層の一部をエッチングした後、スパッタリングで、n+半導体層上にTiからなるオーミック電極を、n−半導体層上にPtからなるショットキー電極をそれぞれ設けて、SBDを作製した。
得られたSBDにつき、SIMS分析(Cs 3kV 200nA Ap16% Raster400)を行った。結果を図21に示す。図21から明らかなように、横軸のスパッタリング時間で1500秒を過ぎたあたりまではゲルマニウムが含まれておらず、また、1500秒を過ぎたあたりから4000秒あたりまではゲルマニウムが均一に含まれており、n+型半導体層およびn−型半導体層が良好に形成されていることが分かる。
基板として、4度のオフ角を有するc面サファイア基板を用いたこと以外、条件1と同様にして、結晶性積層構造体を得た。
条件1、条件4、条件5および条件12で得られた結晶性積層構造体につき、下記表4に示されるアニール処理を施し、アニール処理前後の電気抵抗値の変化を調べた。表4中、低抵抗化または変化がないものを「○」で表し、高抵抗化したものを「×」で表し、絶縁抵抗計で1000V印加した場合に抵抗値を示さないほど高抵抗化したものを「××」で表した。なお、実施していないものについては「−」で表した。
0.1mol/Lの臭化ガリウム水溶液を調製し、この水溶液にガリウムに対して1原子%となるように酸化ゲルマニウムを加え、さらに、10体積%となるように臭化水素酸を加えて、これを原料溶液として用いたこと、アニール処理をおこなわなかったこと以外は、条件1と同様にして結晶性積層構造体を得た。
0.05mol/Lの臭化ガリウム水溶液を調製し、この水溶液にガリウムに対して1原子%となるように臭化スズを加え、さらに、10体積%となるように臭化水素酸を加えて、これを原料溶液としたこと、アニール処理をおこなわなかったこと以外は、条件1と同様にして結晶性積層構造体(比較品)を得た。
条件13および条件14で得られた結晶性積層構造体をそれぞれ窒素雰囲気下400℃で1時間アニール処理し、処理前と処理後にそれぞれホール効果測定を実施した。結果を下記表5に示す。
0.1mol/Lの臭化ガリウム水溶液を調製し、この水溶液にガリウムに対して1原子%となるように酸化ゲルマニウムを加え、さらに、10体積%となるように臭化水素酸を加えて、これを原料溶液として用いたこと、アニール処理をおこなわなかったこと以外は、条件1と同様にして結晶性積層構造体を得た。
条件15で得られた結晶性積層構造体を窒素雰囲気下400℃にてアニール処理し、アニール処理前、アニール処理10分後、アニール処理20分後およびアニール処理30分後のそれぞれの時点でホール効果測定を実施した。それぞれの結果を下記表6に示す。
20 被成膜試料
21 試料台
22 キャリアガス源
23 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 成膜室
28 ヒータ
101a n−型半導体層
101b n+型半導体層
102 p型半導体層
103 金属層
104 絶縁体層
105a ショットキー電極
105b オーミック電極
111a n−型半導体層
111b n+型半導体層
114 半絶縁体層
115a ゲート電極
115b ソース電極
115c ドレイン電極
118 緩衝層
121a バンドギャップの広いn型半導体層
121b バンドギャップの狭いn型半導体層
121c n+型半導体層
123 p型半導体層
124 半絶縁体層
125a ゲート電極
125b ソース電極
125c ドレイン電極
128 緩衝層
129 基板
131a n−型半導体層
131b 第1のn+型半導体層
131c 第2のn+型半導体層
132 p型半導体層
134 ゲート絶縁膜
135a ゲート電極
135b ソース電極
135c ドレイン電極
138 緩衝層
139 半絶縁体層
141a n−型半導体層
141b 第1のn+型半導体層
141c 第2のn+型半導体層
142 p型半導体層
145a ゲート電極
145b ソース電極
145c ドレイン電極
151 n型半導体層
151a n−型半導体層
151b n+型半導体層
152 p型半導体層
154 ゲート絶縁膜
155a ゲート電極
155b エミッタ電極
155c コレクタ電極
161 n型半導体層
162 p型半導体層
163 発光層
165a 第1の電極
165b 第2の電極
167 透光性電極
169 基板
Claims (14)
- 下地基板上に、直接にまたは他の層を介して、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜を備えている結晶性積層構造体であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは/およびガリウムを主成分として含み、前記結晶性酸化物半導体薄膜が、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含むことを特徴とする結晶性積層構造体。
- 前記結晶性酸化物半導体薄膜がゲルマニウムを含む請求項1記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶性酸化物半導体薄膜が炭素を実質的に含まない請求項1または2に記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶性酸化物半導体薄膜中のゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が1×1016/cm3〜1×1022/cm3である請求項1〜3のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶性酸化物半導体薄膜中のゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が1×1017/cm3以下である請求項1〜3のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶性酸化物半導体薄膜中のゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が1×1020/cm3以上である請求項1〜3のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記酸化物半導体が、α型InXAlYGaZO3(0≦X≦2、0≦Y≦2、0≦Z≦2、X+Y+Z=1.5〜2.5であり、0<X又は0<Zである。)である請求項1〜6のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の結晶性積層構造体からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の結晶性積層構造体と電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
- コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜で構成される半導体層と電極とを備えている半導体装置であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは/およびガリウムを主成分として含み、前記結晶性酸化物半導体薄膜が、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含むことを特徴とする半導体装置。
- 縦型デバイスである請求項8〜10のいずれかに記載の半導体装置。
- パワーデバイスである請求項8〜11のいずれかに記載の半導体装置。
- ショットキーバリアダイオード(SBD)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)、接合電界効果トランジスタ(JFET)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)または発光ダイオード(LED)である請求項8〜12のいずれかに記載の半導体装置。
- ショットキーバリアダイオード(SBD)、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)、高電子移動度トランジスタ(HEMT)または静電誘導トランジスタ(SIT)である請求項8〜13のいずれかに記載の半導体装置。
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