JP2014232317A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
表示装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014232317A JP2014232317A JP2014094578A JP2014094578A JP2014232317A JP 2014232317 A JP2014232317 A JP 2014232317A JP 2014094578 A JP2014094578 A JP 2014094578A JP 2014094578 A JP2014094578 A JP 2014094578A JP 2014232317 A JP2014232317 A JP 2014232317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide semiconductor
- oxide
- semiconductor film
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 359
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 43
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 87
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 65
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 60
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 58
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 56
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 35
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 35
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 35
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 13
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置について、図面を用いて説明する。なお、本実施の形態では、液晶表示装置を例にして本発明の一態様である表示装置を説明する。
図1(A)に、表示装置の一例を示す。図1(A)に示す表示装置は、画素部100と、走査線駆動回路104と、信号線駆動回路106と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路104によって電位が制御されるm本の走査線107と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路106によって電位が制御されるn本の信号線109と、を有する。さらに、画素部100はマトリクス状に配設された複数の画素301を有する。また、走査線107に沿って、各々が平行又は略平行に配設された容量線115を有する。なお、容量線115は、信号線109に沿って、各々が平行又は略平行に配設されていてもよい。また、走査線駆動回路104及び信号線駆動回路106をまとめて駆動回路部という場合がある。なお、図1(A)において、容量線115は、走査線駆動回路104に接続される構成について例示したが、これに限定されない。例えば、容量線115は、走査線駆動回路104に接続されない構成としても良い。
次に、図3(A)に示す表示装置の基板302上に設けられた素子部の作製方法について、図4乃至図7を用いて説明する。
は、酸化物半導体膜308a、308b(酸化物半導体膜307の第1部分)よりも膜厚が薄くなる。具体的には、酸化物半導体膜308dの膜厚は、酸化物半導体膜308a、308bの膜厚の2/3以下、さらに好ましくは1/2以下である。なお、酸化物半導体膜308dの膜厚の下限は、のちに形成される透光性を有する導電膜308cが容量素子の一方の電極として機能できる範囲であればよく、例えば5nm以上50nm以下とすることができる。酸化物半導体膜308dの膜厚を上記範囲とすることで、酸化物半導体膜308dの透過率を酸化物半導体膜308a及び308bと比べ向上させることができる。本実施の形態においては、酸化物半導体膜307として厚さ35〜100nmを形成するため、酸化物半導体膜308dの膜厚としては、例えば、15nm以上50nm以下とすることができる。
図8(A)に示す表示装置は、先に説明した表示装置に含まれるトランジスタ102、103の酸化物半導体膜308a、308bを、酸化物半導体膜388a及び酸化物膜390a、並びに酸化物半導体膜388b及び酸化物膜390bの積層構造とした例である。したがって、その他の構成は、トランジスタ102、103と同じであり、先の説明を参酌することができる。
ここでは、図2(B)に示す表示装置の画素301の変形例について、図10を用いて説明する。なお、図10に示す表示装置の画素301bは、図2(B)に示す表示装置の画素301の変形例の上面図である。このように、表示装置の画素形状については、実施者が適宜最適な形状を選択することができる。
本実施の形態では、実施の形態1に示す表示装置のトランジスタ及び容量素子に適用可能な酸化物半導体膜の一例について説明する。
CAAC−OS膜は、例えば、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを用い、スパッタリング法によって成膜する。当該スパッタリング用ターゲットにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がa−b面から劈開し、a−b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状又はペレット状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、CAAC−OS膜を成膜することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いることのできる表示モジュール及び電子機器について、図11及び図12を用いて説明を行う。
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 走査線駆動回路
105 容量素子
106 信号線駆動回路
107 走査線
108 液晶素子
109 信号線
115 容量線
301 画素
301b 画素
302 基板
304a 導電膜
304b 導電膜
304c 導電膜
304d 導電膜
305 絶縁膜
306 絶縁膜
307 酸化物半導体膜
308a 酸化物半導体膜
308b 酸化物半導体膜
308c 導電膜
308d 酸化物半導体膜
309 導電膜
310a 導電膜
310b 導電膜
310c 導電膜
310d 導電膜
310e 導電膜
310f 導電膜
311 絶縁膜
312 絶縁膜
313 絶縁膜
314 絶縁膜
315 導電膜
316a 導電膜
316b 導電膜
316c 導電膜
318 配向膜
320 液晶層
342 基板
344 遮光膜
346 有色膜
348 絶縁膜
350 導電膜
352 配向膜
372 開口部
374a 開口部
374b 開口部
374c 開口部
374d 開口部
374e 開口部
388 酸化物半導体膜
388a 酸化物半導体膜
388b 酸化物半導体膜
388c 導電膜
390 酸化物膜
390a 酸化物膜
390b 酸化物膜
390c 酸化物膜
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (9)
- チャネル形成領域に第1の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第1の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第2の酸化物半導体膜と、
前記トランジスタと電気的に接続される画素電極と、
一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、
前記一対の電極の一方が前記第2の酸化物半導体膜であり、前記一対の電極の他方が前記画素電極であり、
前記第2の酸化物半導体膜の膜厚が、前記第1の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の酸化物半導体膜、及び前記第2の酸化物半導体膜は、
In−M−Zn酸化物(MはAl、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)である
ことを特徴とする表示装置。 - チャネル形成領域に第1の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第1の酸化物半導体膜上に形成される第1の酸化物膜と、
前記第1の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第2の酸化物半導体膜と、
前記第2の酸化物半導体膜上に形成される第2の酸化物膜と、
前記トランジスタと電気的に接続される画素電極と、
一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、
前記一対の電極の一方が前記第2の酸化物半導体膜及び前記第2の酸化物膜であり、前記一対の電極の他方が前記画素電極であり、
前記第2の酸化物膜の膜厚が、前記第1の酸化物膜の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項3において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、前記第1の酸化物膜、及び前記第2の酸化物膜は、
In−M−Zn酸化物(MはAl、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)であり、
前記第1の酸化物膜及び前記第2の酸化物膜に含まれるMの原子数比が、前記第1の酸化物半導体膜及び前記第2の酸化物半導体膜に含まれるMの原子数比よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。 - チャネル形成領域に第1の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第1の酸化物半導体膜上に形成される第1の酸化物膜と、
前記第1の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第2の酸化物半導体膜と、
前記トランジスタと電気的に接続される画素電極と、
一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、
前記一対の電極の一方が前記第2の酸化物半導体膜であり、前記一対の電極の他方が前記画素電極である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5において、
前記第2の酸化物半導体膜の膜厚が、前記第1の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第1の酸化物膜は、
In−M−Zn酸化物(MはAl、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)であり、
前記第1の酸化物膜に含まれるMの原子数比が、前記第1の酸化物半導体膜及び前記第2の酸化物半導体膜に含まれるMの原子数比よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一つにおいて、
前記画素電極は、酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化亜鉛の群から選択された少なくとも一つの酸化物を含む
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一つに記載の表示装置を用いた電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014094578A JP6382566B2 (ja) | 2013-05-03 | 2014-05-01 | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097195 | 2013-05-03 | ||
JP2013097195 | 2013-05-03 | ||
JP2014094578A JP6382566B2 (ja) | 2013-05-03 | 2014-05-01 | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018145640A Division JP2018185541A (ja) | 2013-05-03 | 2018-08-02 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014232317A true JP2014232317A (ja) | 2014-12-11 |
JP2014232317A5 JP2014232317A5 (ja) | 2017-06-15 |
JP6382566B2 JP6382566B2 (ja) | 2018-08-29 |
Family
ID=51840996
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014094578A Active JP6382566B2 (ja) | 2013-05-03 | 2014-05-01 | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
JP2018145640A Withdrawn JP2018185541A (ja) | 2013-05-03 | 2018-08-02 | 半導体装置 |
JP2019217839A Active JP7068257B2 (ja) | 2013-05-03 | 2019-12-02 | 半導体装置 |
JP2022074106A Active JP7378532B2 (ja) | 2013-05-03 | 2022-04-28 | 半導体装置 |
JP2023186603A Pending JP2024020261A (ja) | 2013-05-03 | 2023-10-31 | 表示装置 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018145640A Withdrawn JP2018185541A (ja) | 2013-05-03 | 2018-08-02 | 半導体装置 |
JP2019217839A Active JP7068257B2 (ja) | 2013-05-03 | 2019-12-02 | 半導体装置 |
JP2022074106A Active JP7378532B2 (ja) | 2013-05-03 | 2022-04-28 | 半導体装置 |
JP2023186603A Pending JP2024020261A (ja) | 2013-05-03 | 2023-10-31 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9231002B2 (ja) |
JP (5) | JP6382566B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016199680A1 (ja) * | 2015-06-08 | 2016-12-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9853053B2 (en) | 2012-09-10 | 2017-12-26 | 3B Technologies, Inc. | Three dimension integrated circuits employing thin film transistors |
KR102244553B1 (ko) | 2013-08-23 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 용량 소자 및 반도체 장치 |
US10008513B2 (en) | 2013-09-05 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015179247A (ja) | 2013-10-22 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9766517B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and display module |
WO2016099580A2 (en) | 2014-12-23 | 2016-06-23 | Lupino James John | Three dimensional integrated circuits employing thin film transistors |
US9911762B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-03-06 | Innolux Corporation | Display device |
US11659759B2 (en) * | 2021-01-06 | 2023-05-23 | Applied Materials, Inc. | Method of making high resolution OLED fabricated with overlapped masks |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010073881A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
WO2012008079A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびシフトレジスタ |
US8102476B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display devices including an oxide semiconductor thin film transistor |
JP2012059860A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2013041945A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、x線センサー並びにx線デジタル撮影装置 |
Family Cites Families (189)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4470060A (en) | 1981-01-09 | 1984-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display with vertical non-single crystal semiconductor field effect transistors |
US5365079A (en) | 1982-04-30 | 1994-11-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor and display device including same |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP2616160B2 (ja) | 1990-06-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
US5245450A (en) | 1990-07-23 | 1993-09-14 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale |
FR2679057B1 (fr) | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
JP3150365B2 (ja) | 1991-07-22 | 2001-03-26 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3245959B2 (ja) | 1992-06-05 | 2002-01-15 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置の製造方法 |
JP3529153B2 (ja) | 1993-03-04 | 2004-05-24 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH06347826A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH07104312A (ja) | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
US5483366A (en) | 1994-07-20 | 1996-01-09 | David Sarnoff Research Center Inc | LCD with hige capacitance pixel having an ITO active region/poly SI pixel region electrical connection and having poly SI selection line extensions along pixel edges |
JP3339190B2 (ja) * | 1994-07-27 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
TW289097B (ja) | 1994-08-24 | 1996-10-21 | Hitachi Ltd | |
TW347477B (en) | 1994-09-30 | 1998-12-11 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH08306926A (ja) | 1995-05-07 | 1996-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JPH09146108A (ja) | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH09292504A (ja) | 1996-02-27 | 1997-11-11 | Sharp Corp | 反射板及びその作製方法及びその反射板を用いた反射型液晶表示装置 |
JP3634089B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
KR100299381B1 (ko) | 1998-08-24 | 2002-06-20 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100306546B1 (ko) | 1998-09-28 | 2001-11-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3683463B2 (ja) | 1999-03-11 | 2005-08-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ |
US6630977B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
KR100494682B1 (ko) | 1999-06-30 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP2001051300A (ja) | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
TW495626B (en) | 1999-09-13 | 2002-07-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure for a wide viewing angle liquid crystal display |
JP4393662B2 (ja) | 2000-03-17 | 2010-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2001324725A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
TWI247182B (en) | 2000-09-29 | 2006-01-11 | Toshiba Corp | Flat panel display device and method for manufacturing the same |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3750055B2 (ja) | 2001-02-28 | 2006-03-01 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6933528B2 (en) | 2002-04-04 | 2005-08-23 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
KR100930916B1 (ko) | 2003-03-20 | 2009-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4241238B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-03-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP4483235B2 (ja) | 2003-09-01 | 2010-06-16 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板 |
JP2005107489A (ja) | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
TWI226712B (en) | 2003-12-05 | 2005-01-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure and fabricating method thereof |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR101074395B1 (ko) | 2004-09-13 | 2011-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정 표시 장치 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7382421B2 (en) | 2004-10-12 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film transistor with a passivation layer |
KR100689316B1 (ko) | 2004-10-29 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광다이오드소자 및 그 제조방법 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7868326B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
EP1810335B1 (en) | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP2453480A2 (en) | 2004-11-10 | 2012-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4623464B2 (ja) | 2005-09-26 | 2011-02-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101667544B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US7745798B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-06-29 | Fujifilm Corporation | Dual-phosphor flat panel radiation detector |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
US9165505B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electoric device having the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
EP2924498A1 (en) | 2006-04-06 | 2015-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
US7847904B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI357530B (en) | 2007-09-11 | 2012-02-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and liquid crystal display panel |
CN103258857B (zh) | 2007-12-13 | 2016-05-11 | 出光兴产株式会社 | 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP5540517B2 (ja) | 2008-02-22 | 2014-07-02 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
JP5182993B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-04-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
KR101461127B1 (ko) | 2008-05-13 | 2014-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US8039842B2 (en) | 2008-05-22 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and display device including thin film transistor |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI642113B (zh) | 2008-08-08 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5602390B2 (ja) | 2008-08-19 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
JP5430113B2 (ja) | 2008-10-08 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
EP2202802B1 (en) | 2008-12-24 | 2012-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
JP5590877B2 (ja) | 2008-12-26 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2010243741A (ja) | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
JP5663214B2 (ja) | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101643835B1 (ko) | 2009-07-10 | 2016-07-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
BR112012001655A2 (pt) | 2009-07-24 | 2017-06-13 | Sharp Kk | método de fabricação de substrato de transistor de filme fino |
WO2011013523A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2460183A4 (en) | 2009-07-31 | 2015-10-07 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
KR102153841B1 (ko) | 2009-07-31 | 2020-09-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101291434B1 (ko) | 2009-07-31 | 2013-08-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
TWI604594B (zh) | 2009-08-07 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置 |
JP5458102B2 (ja) | 2009-09-04 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101779349B1 (ko) | 2009-10-14 | 2017-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101812683B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
KR101093268B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2011-12-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN102906804B (zh) | 2010-05-24 | 2014-03-12 | 夏普株式会社 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
JP2012018970A (ja) | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置 |
JP5330603B2 (ja) * | 2010-08-07 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
CN103081079B (zh) | 2010-08-30 | 2014-08-13 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US9230994B2 (en) * | 2010-09-15 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8686416B2 (en) * | 2011-03-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US20140014948A1 (en) | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
WO2014021356A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE102013216824A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
TWI575663B (zh) | 2012-08-31 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
CN104620390A (zh) | 2012-09-13 | 2015-05-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR20220145922A (ko) | 2012-12-25 | 2022-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
-
2014
- 2014-04-28 US US14/263,281 patent/US9231002B2/en active Active
- 2014-05-01 JP JP2014094578A patent/JP6382566B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-02 JP JP2018145640A patent/JP2018185541A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-12-02 JP JP2019217839A patent/JP7068257B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-28 JP JP2022074106A patent/JP7378532B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-31 JP JP2023186603A patent/JP2024020261A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8102476B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display devices including an oxide semiconductor thin film transistor |
JP2010073881A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
WO2012008079A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびシフトレジスタ |
JP2012059860A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2013041945A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、x線センサー並びにx線デジタル撮影装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016199680A1 (ja) * | 2015-06-08 | 2016-12-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7378532B2 (ja) | 2023-11-13 |
JP2018185541A (ja) | 2018-11-22 |
US20140326993A1 (en) | 2014-11-06 |
JP7068257B2 (ja) | 2022-05-16 |
JP2024020261A (ja) | 2024-02-14 |
JP2022103223A (ja) | 2022-07-07 |
JP6382566B2 (ja) | 2018-08-29 |
US9231002B2 (en) | 2016-01-05 |
JP2020060769A (ja) | 2020-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6592631B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7068257B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7491981B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI759089B (zh) | 半導體裝置 | |
JP7209774B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
TWI757223B (zh) | 顯示裝置 | |
KR102506007B1 (ko) | 트랜지스터의 제작 방법 | |
JP2015188080A (ja) | 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、並びに該半導体装置、該表示装置、及び該表示モジュールを有する電子機器 | |
US9590111B2 (en) | Semiconductor device and display device including the semiconductor device | |
US11430817B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6495612B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2020112824A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2014220492A (ja) | 半導体装置 | |
TW201440204A (zh) | 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置 | |
JP2014238577A (ja) | 表示装置、及び該表示装置を用いた電子機器 | |
JP2019192929A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014212309A (ja) | 半導体装置 | |
TW201502671A (zh) | 顯示裝置及電子裝置 | |
JP2019148804A (ja) | 表示装置 | |
KR102670170B1 (ko) | 트랜지스터의 제작 방법 | |
KR102669385B1 (ko) | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170425 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180703 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180802 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6382566 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |