JP2012256012A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 入力端子と、
   前記入力端子に並列に接続されたｎ個（ｎは３以上の整数）のスイッチと、
   ｎ個の第１メモリ素子と、
   ｎ個の転送用スイッチと、
   ｎ個の第２メモリ素子と、
   ｎ個のバッファと、を有し、
   前記ｎ個の第１メモリ素子は、互いに異なる前記ｎ個のスイッチの出力に接続され、
   前記ｎ個の転送用スイッチは、互いに異なる前記ｎ個の第１メモリ素子の出力に接続され、
   前記ｎ個の第２メモリ素子は、互いに異なる前記ｎ個の転送用スイッチの出力に接続され、
   前記ｎ個のバッファは、互いに異なる前記ｎ個の第２メモリ素子の出力に接続され、
   前記ｎ個のスイッチは、異なる信号によりオン、オフが制御され、
   前記ｎ個の転送用スイッチは、同じ信号によりオン、オフが制御されることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記転送用スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。