JP2012212854A - 基板処理装置および固体原料補充方法 - Google Patents

基板処理装置および固体原料補充方法 Download PDF

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Abstract

【課題】簡単な構成で固体原料を補充できる基板処理装置および簡単に固体原料を補充できる固体原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料容器３００と、固体原料容器と処理室２０１との間の配管２３２ｂと、固体原料容器と接続された配管３８０であって、補充用の固体原料を保持する原料補充容器３５０が取り付けられる取付部を備える配管３８０と、配管３８０と真空排気手段２４６との間に接続された配管２５９と、配管３８０に接続され、パージガスを導入するための配管２８４と、配管２５９の途中に接続されたバルブ２６８と、配管２８４の途中に接続されたバルブ２６９と、を備え、原料補充容器から固体原料容器へ固体原料を補充するために原料補充容器が取付部に取り付けられた際に、配管内３８０を真空引きし、その後配管３８０内にパージガスを導入する。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置および固体原料補充方法に関し、特に、半導体ウエハ等の基板を処理するための基板処理装置および当該基板処理装置に固体原料を補充する固体原料補充方法に関する。
半導体ウエハの表面に薄膜を形成する場合、内部に半導体ウエハ載置部を備えた処理室を有する基板処理装置が使用される。処理室には原料ガスを供給する原料供給系が接続されており、原料供給系から原料ガスが処理室内に供給され、半導体ウエハ上に薄膜が形成される。
基板処理装置を使用した薄膜形成で、ＧａＣｌ3のような常温において固体である物質を原料として使用する場合、固体原料を収容した固体原料タンクを設け、固体原料タンク内で固体原料を昇華させ、昇華した気体原料を原料ガスとして、原料供給系の配管を通して処理室内に供給する。
従来は、固体原料タンク内の固体原料がなくなると、空になった固体原料タンクを原料供給系の配管から外して固体原料が充分に充填されている固体原料タンクと交換することが行なわれている。
このような従来技術にあっては、固体原料タンクの交換のために空になった固体原料タンクを原料供給系の配管から外した際に、原料供給系の配管が大気開放され、配管内に大気中の水分などが付着して、水分除去するためのパージ時間が長くなるという問題がある。
そこで、固体原料タンクを外すことなく固体原料タンクに原料を補充することができる技術が開発されている（特許文献１参照）。
この技術では、固体原料を保持する原料容器と、原料容器に接続され原料容器に固体原料を補充する原料補充容器と、原料補充容器を加熱するヒータと、原料容器と原料補充容器の内部の圧力を調整可能な圧力調整手段とを備える装置を使用して、原料補充容器の内部の圧力を減圧し、原料補充容器の内部を加熱して固体原料を昇華させて気体原料へ変態させ、原料容器の内部の圧力を減圧することで原料補充容器からの気体原料を原料容器に捕集し、原料補充容器の内部を降温することを所定回数繰り返すことによって、原料補充容器から原料容器に固体原料を補充している。
また、固体原料を加熱して蒸発させて成膜用の原料ガスを得るために、固体原料を貯留する固体原料貯留部と、固体原料貯留部から供給される固体原料を溶融させて液体原料を得る固体原料受け入れ室と、固体原料受け入れ室と連通し、固体原料受け入れ室から供給されるを気化させる気化室と、を備えた装置も提案されている（特許文献２参照）。
特開２０１０−４０６９５号公報 特開２０１０−１４４２２１号公報
しかしながら、このような固体原料補充技術では、装置構成が複雑なものとなり、補充方法も複雑なものとなる。
本発明の主な目的は、簡単な構成で固体原料を補充できる基板処理装置および簡単に固体原料を補充できる固体原料補充方法を提供することにある。
本発明によれば、
基板を収容可能な処理室と、
前記基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記処理室へ供給する原料供給系と、
制御部と、
を有する基板処理装置であって、
前記原料供給系は、
前記固体原料を収容する固体原料容器と、
前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、
前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、
前記第２の配管と真空排気手段との間に接続された第３の配管と、
前記第２の配管に接続され、パージガスを導入するための第４の配管と、
前記第３の配管の途中に接続された第１のバルブと、
前記第４の配管の途中に接続された第２のバルブと、を備え、
前記制御部は、前記原料補充容器から前記固体原料容器へ前記固体原料を補充するために前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際に、前記第２の配管内を真空引きし、その後前記第２の配管内に前記パージガスを導入するように、前記真空排気手段と前記第１のバルブと前記第２のバルブとを制御する制御手段である基板処理装置が提供される。
また、本発明によれば、
基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記基板を処理する処理室へ供給する原料供給系であって、前記固体原料を収容する固体原料容器と、前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、前記第２の配管と真空排気手段との間に接続された第３の配管と、前記第２の配管に接続され、パージガスを導入するための第４の配管と、前記第３の配管の途中に接続された第１のバルブと、前記第４の配管の途中に接続された第２のバルブと、を備える前記原料供給系の前記取付部に前記原料補充容器を取り付ける工程と、
前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた状態で、前記第２のバルブを閉じ、前記第１のバルブを開けて、前記第２の配管内を前記真空排気手段で真空引きする工程と、
その後、前記第１のバルブを閉じ、前記第２のバルブを開けて、前記第２の配管内に前記パージガスを導入する工程と、
その後、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する工程と、
を備える固体原料補充方法が提供される。
本発明によれば、簡単な構成で固体原料を補充できる基板処理装置および簡単に固体原料を補充できる固体原料補充方法が提供される。
図１は、本発明の好ましい実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の構成を説明するための概略斜透視図である。 図２は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の一例とそれに付随する原料供給系や排気系等を説明するための概略構成図であって、処理炉部分を概略縦断面で示す概略構成図である。 図３は、図２に示す処理炉の内部構造を説明するための概略横断面図である。 図４は、図２に示す処理炉のノズルを説明するための概略図である。 図５は、図４のＡ部の概略部分拡大図である。 図６は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り付けた際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための図である。 図７は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り付けた際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための一部切り欠き概略正面図である。 図８は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り付けた際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための、図７のＡＡ線概略矢視図である。 図９は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる原料補充カートリッジを説明するための概略部分断面図である。 図１０は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置から原料補充カートリッジを取り外した際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための一部切り欠き概略正面図である。 図１１は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置から原料補充カートリッジを取り外した際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための、図１０のＡＡ線概略矢視図である。 図１２は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の一例とそれに付随する原料供給系や排気系等を説明するための概略構成図であって、処理炉部分を概略縦断面で示す概略構成図である。 図１３は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り付けた際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための図である。 図１４は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り付けた際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための一部切り欠き概略正面図である。 図１５は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り付けた際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための、図１４のＢＢ線概略矢視図である。 図１６は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる原料補充カートリッジを説明するための概略部分断面図である。 図１７は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる原料補充カートリッジを説明するための概略部分断面図である。 図１８は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置に原料補充カートリッジを取り外した際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための図である。 図１９は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置から原料補充カートリッジを取り外した際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための一部切り欠き概略正面図である。 図２０は、本発明の好ましい第２の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置から原料補充カートリッジを取り外した際の状態と、原料供給タンクと原料補充カートリッジの周囲の配管等を説明するための、図１９のＢＢ線概略矢視図である。 図２１は、比較のための、原料供給タンクを取り外して固体原料を補充する技術を説明するための図であり、原料供給タンクを取り付けた状態を示している。 図２２は、比較のための、原料供給タンクを取り外して固体原料を補充する技術を説明するための図であり、原料供給タンクを取り外した状態を示している。
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の好ましい第１および第２の実施の形態で好適に使用される基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、半導体装置の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。
下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。しかし、本発明は、縦型装置の使用を前提としたものでなく、例えば、枚葉装置を使用しても良い。また、成膜処理だけでなく、エッチング処理等にも使用してもよい。
図１を参照すれば、基板処理装置１０１では、基板の一例となるウエハ２００を収納したカセット１１０が使用されており、ウエハ２００は半導体シリコン等の材料から構成されている。基板処理装置１０１は筐体１１１を備えており、筐体１１１の内部にはカセットステージ１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入されたり、カセットステージ１１４上から搬出されたりする。
カセットステージ１１４上にはカセット１１０が、工程内搬送装置（図示せず）によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢を保持しかつカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部にはカセット棚１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。
カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構１１８ｂとを備えている。カセット搬送装置１１８はカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連動動作により、カセットステージ１１４とカセット棚１０５と予備カセット棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとを備えている。ウエハ移載装置１２５ａにはウエハ２００をピックアップするためのツイーザ１２５ｃが設けられている。ウエハ移載装置１２５はウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連動動作により、ツイーザ１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ウエハ２００をボート２１７に対して装填（チャージング）したり、ボート２１７から脱装（ディスチャージング）したりするように構成されている。
筐体１１１の後部上方には、ウエハ２００を熱処理する処理炉２０２が設けられており、処理炉２０２の下端部が炉口シャッタ１４７により開閉されるように構成されている。
処理炉２０２の下方には処理炉２０２に対しボート２１７を昇降させるボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台にはアーム１２８が連結されており、アーム１２８にはシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持するとともに、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数の保持部材を備えており、複数枚（例えば５０〜１５０枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
カセット棚１０５の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ａが設置されている。クリーンユニット１３４ａは供給ファン（図示せず）および防塵フィルタ（図示せず）を備えており、クリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ｂが設置されている。クリーンユニット１３４ｂも供給ファン（図示せず）および防塵フィルタ（図示せず）を備えており、クリーンエアをウエハ移載装置１２５ａやボート２１７等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａやボート２１７等の近傍を流通した後に、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
続いて、基板処理装置１０１の主な動作について説明する。
工程内搬送装置（図示略）によってカセット１１０がカセットステージ１１４上に搬入されると、カセット１１０は、ウエハ２００がカセットステージ１１４の上で垂直姿勢を保持し、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くようにカセットステージ１１４上に載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、筐体１１１の後方に右周り縦方向９０°回転させられる。
その後、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってカセット１１０のウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、後続のウエハ２００をボート２１７に装填する。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、処理炉２０２の下端部を閉じていた炉口シャッタ１４７が開き、処理炉２０２の下端部が開放される。その後、ウエハ２００群を保持したボート２１７がボートエレベータ１１５の上昇動作により処理炉２０２内に搬入（ローディング）され、処理炉２０２の下部がシールキャップ２１９により閉塞される。
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に対し任意の処理が実施される。その処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ２００およびカセット１１０が筐体１１１の外部に搬出される。
（第１の実施の形態）
次に図２〜図５を参照して前述した基板処理装置１０１に使用される第１の実施の形態の処理炉２０２や原料供給系２３０、排気系２４０等について説明する。
図２を参照すれば、処理炉２０２にはウエハ２００を加熱するための加熱装置（加熱手段）であるヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対しヒータ素線が設けられたユニット構成を有している。ヒータ２０７の内側には、ウエハ２００を処理するための石英製の反応管２０３が設けられている。
反応管２０３の下部にはマニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９は、保持部材としてのヒータベース２２１に固定されている。反応管２０３の下端部およびマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング）２２０が配置され、両者の間は気密にシールされている。
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。マニホールド２０９の下部開口端部に設けられた環状のフランジとシールキャップ２１９の上面との間には気密部材（以下Ｏリング）２２０が配置され、両者の間は気密にシールされている。少なくとも、反応管２０３、マニホールド２０９、及びシールキャップ２１９により処理室２０１が形成されている。
シールキャップ２１９にはボート２１７を支持するボート支持台２１８が設けられている。ボート２１７はボート支持台２１８に固定された底板２１０とその上方に配置された天板２１１とを有しており、底板２１０と天板２１１との間に複数本の支柱２１２が架設された構成を有している(図１参照）。ボート２１７には複数枚のウエハ２００が保持されている。複数枚のウエハ２００は、互いに一定の間隔をあけながら水平姿勢を保持した状態で反応管２０３の管軸方向に多段に積載されボート２１７の支柱２１２に支持されている。
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボートを回転させる回転機構２２７が設けられている。回転機構２２７はシールキャップ２１９を貫通してボート支持台２１８に接続されており、回転機構２２７によって、ボート支持台２１８を介してボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させる。
シールキャップ２１９は反応管２０３の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降され、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。
以上の処理炉２０２では、複数枚のウエハ２００がボート２１７に搭載された状態で、ボート２１７がボート支持台２１８で支持されながら処理室２０１に挿入される。処理室２０１に挿入されたボート２１７には、バッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で反応管２０３の管軸方向に多段に積載されている。ヒータ２０７が処理室２０１に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱するようになっている。
図２〜図５を参照すれば、処理室２０１へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給経路としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられている。ガス供給管２３２ａ、２３２ｂの端部は、マニホールド２０９の下部を貫通するように設けられており、ガス供給管２３２ｂは、処理室２０１内でガス供給管２３２ａと合流して、２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが一本の多孔ノズル２３３の下端部に連通されている。ノズル２３３の上部には、図５に示すように、ガスを放出する複数のガス供給孔２３８ｂが設けられている。
ノズル２３３は、処理室２０１内にほぼ垂直に設けられ、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。反応管２０３の上部は、ガス供給管２３２ｂから供給される原料ガスの分解温度以上の領域に延在するように配置されている。一方、ガス供給管２３２ｂが処理室２０１内でガス供給管２３２ａと合流する箇所は、原料ガスの分解温度未満の領域であり、ウエハ２００およびウエハ付近の温度よりも低い温度の領域である。
ガス供給管２３２ａには、上流側から順に、流量制御手段としてのマスフローコントローラ２４１および開閉弁であるバルブ２５１および２５０が設けられている。さらに、ガス供給管２３２ａには、バルブ２５０とバルブ２５１との間に、後述の排気管２４７に接続されたベントライン２５７およびバルブ２５６が設けられている。
主に、ガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２４１、バルブ２５０、２５１、ノズル２３３、ベントライン２５７およびバルブ２５６によりガス供給系２３０ａが構成されている。
また、ガス供給管２３２ａにはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管２３２ｄが、バルブ２５０の下流側で接続されている。キャリアガス供給管２３２ｄにはマスフローコントローラ２４４およびバルブ２５４が設けられている。主に、キャリアガス供給管２３２ｄ、マスフローコントローラ２４４、バルブ２５４によりキャリアガス供給系（不活性ガス供給系）２３０ｄが構成されている。キャリアガス供給系２３０ｄからは、例えば、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガスが供給される。
ガス供給管２３２ａでは、気体状の原料ガスがマスフローコントローラ２４１で流量調整されて供給される。なお、原料ガスを処理室２０１に供給していない間は、バルブ２５０を閉じ、バルブ２５６を開けて、バルブ２５６を介して原料ガスをベントライン２５７に流しておく。
そして、原料ガスを処理室２０１に供給する際には、バルブ２５６を閉じ、バルブ２５０を開けて、原料ガスをバルブ２５０の下流のガス供給管２３２ａに供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ２４４で流量調整されてバルブ２５４を介してキャリアガス供給管２３２ｄから供給され、原料ガスはバルブ２５０の下流側でこのキャリアガスと合流し、ノズル２３３を介して処理室２０１に供給される。
本実施の形態では、原料ガスとして、例えばアンモニアガス（ＮＨ3）が、ガス供給管２３２ａに供給され、ノズル２３３を介して処理室２０１に供給される。アンモニアガスを供給しているのは、ＧａＮ膜を成膜する場合を想定しているためであり、成膜する膜の種類に応じて、アンモニアガスの代わりに、オゾンガス、Ｈ2Ｏ、Ｈ2＋ＣＯ2ガス等が適宜供給される。
ガス供給管２３２ｂの上流側端部には、固体原料４００を収容した固体原料タンク３００が接続されている。ガス供給管２３２ｂには、固体原料タンク３００から順に開閉弁であるバルブ２６５および２６１が設けられている。さらに、ガス供給管２３２ｂには、バルブ２６５とバルブ２６１との間に、後述の排気管２３１に接続されたベントライン２５８およびバルブ２６２が設けられている。固体原料タンク３００には、配管３７５を介してガス供給管２８２が接続されている。ガス供給管２８２には、上流側から順に、流量制御手段としてのマスフローコントローラ２４２、開閉弁であるバルブ２６３および２６４が設けられている。バルブ２６５とバルブ２６１との間のガス供給管２３２ｂと、バルブ２６３とバルブ２６４との間のガス供給管２８２との間には配管２８３が接続されている。配管２８３には開閉弁であるバルブ２６６が設けられている。バルブ２６１〜２６６、ガス供給管２８２の一部、ガス供給管２３２ｂの一部および配管２８３は、図７、８に示すように、集合バルブ２６０として構成されている。
固体原料タンク３００を加熱するヒータ４５０、４５１、４５２が設けられている。ヒータ４５０、４５１、４５２によって固体原料タンク３００の底面、側面、天井部がそれぞれ加熱され、固体原料タンク３００の収容された固体原料４００を所定温度に加熱すると共に、再固化による固体原料タンク３００の内壁への原料の付着を防止している。また、バルブ２６１からマニホールド２０９までのガス供給管２３２ｂには、ヒータ２８１が巻回され、固体原料タンク３００からバルブ２６１までの間のガス供給管２３２ｂには、ヒータ２８５が巻回され、ベントライン２５８には、ヒータ４２１が巻回され、再固化による管内壁への原料の付着を防止するため、加熱可能に構成されている。さらに、後述するバルブ２６７にもヒータ４５３が取り付けられ、再固化によるバルブ内壁への原料の付着を防止するため、加熱可能に構成されている。
また、バルブ２６５と固体原料タンク３００との間のガス供給管２３２ｂには、圧力センサ４１０が設けられている。圧力センサ４１０は、加熱高温対応可能である。圧力センサ４１０によって固体原料タンク３００内に分圧をモニタし、固体原料タンク３００中で原料が昇華して、適切な圧力状態にあるかどうかや、原料の残量が減少することで圧力が降下しないかなどを観察する。
主に、ガス供給管２８２、マスフローコントローラ２４２、バルブ２６３、２６４、配管３７５、固体原料タンク３００、ガス供給管２３２ｂ、バルブ２６５、２６１、ノズル２３３、ベントライン２５８およびバルブ２６２によりガス供給系２３０ｂが構成されている。
また、ガス供給管２３２ｂにはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管２３２ｃが、バルブ２６１の下流側で接続されている。キャリアガス供給管２３２ｃにはマスフローコントローラ２４３およびバルブ２５３が設けられている。主に、キャリアガス供給管２３２ｃ、マスフローコントローラ２４３、バルブ２５３によりキャリアガス供給系（不活性ガス供給系）２３０ｃが構成されている。キャリアガス供給系２３０ｃからは、例えば、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガスが供給される。
ヒータ４５０、４５１、４５２により、固体原料４００を収容した固体原料タンク３００を所定温度に加熱すると、固体原料４００が昇華して、気体となって、固体原料タンク３００内の空間３０４に所定温度に対応した所定分圧で存在する。その状態で、キャリアガスとして例えば、窒素（Ｎ２）ガスをマスフローコントローラ２４２で流量調整して、配管２８２に供給する。窒素（Ｎ２）ガスは、バルブ２６３、２６４、配管３７５を介して固体原料タンク３００内の空間３０４に供給され、気体となった固体原料４００が窒素（Ｎ２）ガスと共に配管２３２ｂに流入する。気体となった固体原料４００を処理室２０１に供給していない間は、バルブ２６１を閉じ、バルブ２６２を開けて、バルブ２６２を介して原料ガスをベントライン２５８に流しておく。
そして、気体となった固体原料４００を処理室２０１に供給する際には、バルブ２６２を閉じ、バルブ２６１を開けて、気体となった固体原料４００を窒素（Ｎ２）ガスと共にバルブ２６１の下流のガス供給管２３２ｂに供給する。一方、キャリアガスである窒素（Ｎ２）ガスがマスフローコントローラ２４３で流量調整されてバルブ２５３を介してキャリアガス供給管２３２ｃから供給され、気体となった固体原料４００と窒素（Ｎ２）ガスは、バルブ２６１の下流側でキャリアガス供給管２３２ｃから供給されるキャリアガス（窒素ガス）と合流し、ノズル２３３を介して処理室２０１に供給される。
本実施の形態では、固体原料４００として、例えばＧａＣｌ３が用いられ、昇華して気体となったＧａＣｌ３が、ガス供給管２３２ｂに供給され、ノズル２３３を介して処理室２０１に供給される。固体原料４００として、ＧａＣｌ３を使用しているのは、ＧａＮ膜を成膜する場合を想定しているためであり、成膜する膜の種類に応じて、ＧａＣｌ３の代わりに、ＡｌＣｌ３等が適宜用いられる。
主に、ガス供給系２３０ａ、ガス供給系２３０ｂ、キャリアガス供給系２３０ｃ、キャリアガス供給系２３０ｄにより原料供給系２３０が構成されている。
なお、配管２８３およびバルブ２６６は、パージ用であり、通常は閉じておき、パージする際には、バルブ２６４、２６５を閉じ、バルブ２６３、２６６を開け、バルブ２６１または２６２を開けて、ガス供給管２８２、バルブ２６３、配管２８３、バルブ２６６、ガス供給管２３２ｂおよびバルブ２６１を介して，またはガス供給管２８２、バルブ２６３、配管２８３、バルブ２６６、ベントライン２５８およびバルブ２６２を介してパージを行う。
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。排気管２３１には処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２５５を介して真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ２４６の下流側の排気管２４７は廃ガス処理装置（図示せず）等に接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２５５は、弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節してコンダクタンスを調整して処理室２０１内の圧力調整をできるようになっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２５５、真空ポンプ２４６、圧力センサ２４５により排気系２４０が構成される。
反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ（図示せず）が設置されており、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ２０７への供給電力を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。
反応管２０３内の中央部にはボート２１７が設けられている。ボート２１７は、ボートエレベータ１１５（図１参照）により反応管２０３に対し昇降（出入り）することができるようになっている。ボート２１７が反応管２０３内に導入されると、マニホールド２０９の下端部がＯリング２２０を介してシールキャップ２１９で気密にシールされる。ボート２１７はボート支持台２１８に支持されている。処理の均一性を向上するために、ボート回転機構２２７を駆動し、ボート支持台２１８に支持されたボート２１７を回転させる。
以上のマスフローコントローラ２４１、２４２、２４３、２４４、バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６８、２６９、ＡＰＣバルブ２５５、ヒータ２０７、２８１、２８５、４２１、４５０、４５１、４５２、温度センサ（図示せず）、圧力センサ２４５、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２２７、ボートエレベータ１１５、および後述するバルブ２６８、２６９等の各部材はコントローラ２８０に接続されている。コントローラ２８０は、基板処理装置１０１の全体の動作を制御する制御部（制御手段）の一例であって、マスフローコントローラ２４１、２４２、２４３、２４４の流量調整、バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、バルブ２６８、２６９の開閉動作、ＡＰＣバルブ２５５の開閉および圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、ヒータ２８１、２８５、４２１、４５０、４５１、４５２の温度調整動作、温度センサ（図示せず）に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２２７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等をそれぞれ制御するようになっている。なお、バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６８、２６９はエアーバルブであり、それぞれ電磁弁を介してコントローラ２８０で制御される。
次に、上述した基板処理装置１０１を使用して、ＧａＮ膜を形成するプロセスについて説明する。なお、以下のステップは、コントローラ２８０の制御によって行われる。
ヒータ２０７を制御して処理室２０１内を所定の温度に保持する。
その後、複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填されると、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
その後、ボート２１７をボート駆動機構２２７により回転させ、ウエハ２００を回転させる。その後、ＡＰＣバルブ２５５を開いて真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空引きし、ウエハ２００の温度等が安定したら、次のステップを順次実行する。
本実施の形態では、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いてＧａＮ膜の成膜を行う。ＡＬＤ法とは、ある成膜条件（温度等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の原料となる原料ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、原料ガスを供給するサイクル数で行う（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、２０サイクル行う）。
粉末加工されたＧａＣｌ３を固体原料４００として収容した固体原料タンク３００をヒータ４５０、４５１、４５２で所定の温度に加熱しておく。また、ヒータ２８１、２８５によりガス供給管２３２ｂを、ヒータ４２１によりベントライン２５８を、それぞれ所定の温度に加熱しておく。
排気管２３１のＡＰＣバルブ２５５を所定の角度開いておき、バルブ２６３、２６４、２６５を開けてキャリアガスとして窒素（Ｎ２）ガスを配管２８２から固体原料タンク３００に供給し、バルブ２６１を開けて気体となったＧａＣｌ３を窒素ガスと共にガス供給管２３２ｂに供給する。一方、バルブ２５３を開けてキャリアガスである窒素（Ｎ２）ガスをキャリアガス供給管２３２ｃから供給し、気体となったＧａＣｌ３と窒素ガスを、バルブ２６１の下流側でキャリアガス供給管２３２ｃから供給される窒素ガスと合流させ、ノズル２３３を介して処理室２０１に供給する。
次に、バルブ２６１およびバルブ２５３を閉めて、気体となったＧａＣｌ３と窒素ガスの処理室２０１への供給を止め、排気管２３１のＡＰＣバルブ２５５は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、残留ＧａＣｌ３を処理室２０１内から除去する。
排気管２３１のＡＰＣバルブ２５５を所定の角度開いたままで、バルブ２５１、２５０を開けてＮＨ３ガスをガス供給管２３２ａに供給する。一方、バルブ２５４を開けてキャリアガスである窒素ガスをキャリアガス供給管２３２ｄから供給し、ＮＨ３ガスを、バルブ２５１の下流側でキャリアガス供給管２３２ｄから供給される窒素ガスと合流させ、ノズル２３３を介して処理室２０１に供給する。
次に、バルブ２５０およびバルブ２５４を閉めて、ＮＨ３ガスと窒素ガスの処理室２０１への供給を止め、排気管２３１のＡＰＣバルブ２５５は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、残留ＮＨ３ガスとを処理室２０１内から除去する。
以上の、気体となったＧａＣｌ３の処理室２０１への供給、ＧａＣｌ３の処理室２０１からの除去、ＮＨ３ガスの処理室２０１への供給、ＮＨ３ガスの処理室２０１からの除去の４工程を１サイクルとし、所定回数繰り返すことにより、ウエハ２００上にＧａＮ膜の成膜を行なう。
所定膜厚のＧａＮ膜を形成する成膜処理がなされると、Ｎ２等の不活性ガスを処理室２０１内へ供給しつつ排気することで処理室２０１内を不活性ガスでパージする。その後、処理室２０１内の雰囲気を不活性ガスで置換し、処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰する。その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降して、マニホールド２０９の下端を開口し、処理済ウエハ２００をボート２１７に搭載された状態でマニホールド２０９の下端から処理室２０１の外部に搬出する。その後、処理済ウエハ２００をボート２１７より取り出す。
以上のようにして、ウエハ２００へのＧａＮ膜の成膜を繰り返して、固体原料タンク３００が空になると、固体原料タンク３００に固体原料４００の補充を行う。
次に、固体原料タンク３００に固体原料４００の補充を行うための構造と、補充方法について説明する。
図２、６〜８を参照すれば、固体原料タンク３００は密閉された構造となっている。固体原料タンク３００の底部３０３には、中央が低く、周辺部が高い傾斜部３０２が設けられている。固体原料タンク３００の天井板３１０には、貫通孔３１４、３１６が設けられている。貫通孔３１４には、継ぎ手３２２を介してガス供給管２３２ｂのバルブ２６５が接続されている。貫通孔３１６には、配管３７５が接続されている。配管３７５にはバルブ２６７が接続され、バルブ２６７には配管３８０が接続され、配管３８０には、固体原料４００を補充するための原料補充カートリッジ３５０が取り付けられている。配管３７５には、また、継ぎ手３２１を介してガス供給管２８２のバルブ２６４が接続されている。
配管３７５のフランジ３７４には、Ｏリング３７３を介してバルブ２６７のフランジ３７２がクランプ３８４によって固定されている。バルブ２６７のフランジ３７１には、Ｏリング３７０を介して配管３８０のフランジ３６９がクランプ３８３によって固定されている。配管３８０のフランジ３６８には、Ｏリング３６７を介して原料補充カートリッジ３５０のバルブ２７０のフランジ３６６がクランプ３８２によって固定されている。配管３８０のフランジ３６８は、貫通孔３１６の真上に位置している。バルブ２６７およびバルブ２７０は手動のバタフライバルブである。
配管３８０には、パージガス供給配管２８４および配管２５９が接続されている。パージガス供給配管２８４にはバルブ２６９が設けられている。パージガス供給配管２８４に供給するパージガスとしては、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが用いられる。配管２５９は、真空ポンプ２４６の下流側の排気管２３１に接続されている（図２参照）。配管２５９にはバルブ２６８が設けられている。バルブ２６８、２６９の開閉動作は、コントローラ２８０で制御される。
なお、上述した原料供給系２３０には、ガス供給系２３０ａ、ガス供給系２３０ｂ、キャリアガス供給系２３０ｃ、キャリアガス供給系２３０ｄだけでなく、固体原料タンク３００に接続されたパージガス供給配管２８４、配管２５９およびバルブ２６８、２６９も含まれる。
図９を参照すれば、原料補充カートリッジ３５０は、びん３５１と、バルブ２７０と、アダプター３６０とを備え、びん３５１にはアダプター３６０を介してバルブ２７０が取り付けられている。びん３５１の口部３５３の外周部にはねじ溝３５５が設けられている。アダプター３６０の一端部３６１の内周部にはねじ溝３６２が設けられている。びん３５１の口部３５３とアダプター３６０との間には、ＰＴＦＥ製のパッキン３５７が設けられ、アダプター３６０は、びん３５１の口部３５３にパッキン３５７を介して取り付けられている。アダプター３６０の他端部にはフランジ３６３が設けられている。アダプター３６０のフランジ３６３には、Ｏリング３６４を介してバルブ２７０のフランジ３６５がクランプ３８１によって固定されている。
図７、図８は、原料補充カートリッジ３５０を配管３８０に取り付けた状態を示しており、図１０、図１１は、原料補充カートリッジ３５０を配管３８０から取り外した状態を示している。図１０を参照すれば、原料補充カートリッジ３５０を配管３８０から取り外した後には、配管３８０のフランジ３６８には、Ｏリング３６７を介して閉止板３７７がクランプ３８２によって固定される。
次に、原料補充カートリッジ３５０を使用して、固体原料タンク３００に固体原料４００を補充する方法について説明する。
固体原料タンク３００が空になると、原料補充カートリッジ３５０を配管３８０に取り付ける。この際には、配管３８０のフランジ３６８に、Ｏリング３６７を介して原料補充カートリッジ３５０のバルブ２７０のフランジ３６６をクランプ３８２によって固定する。なお、バルブ２６７、２７０は閉じたままである。原料補充カートリッジ３５０を配管３８０に取り付けた後、バルブ２６８を開け、配管２５９、排気管２３１を介して真空ポンプ２４６により、配管３８０内を真空引きする。その後、バルブ２６８を閉じ、バルブ２６９を開け、配管３８０内を窒素ガスでパージする。パージ完了後、バルブ２６９を閉じる。
原料補充カートリッジ３５０のバルブ２７０と、バルブ２６７とを開け、原料補充カートリッジ３５０のびん３５１内の固体原料４００を固体原料タンク３００に落下させて供給する。供給された固体原料４００は、固体原料タンク３００の底部３０３の傾斜部３０２により、固体原料タンク３００の中央部へ均等に供給される。固体原料４００を固体原料タンク３００に供給した後においても、固体原料４００と天井板３１０との間には空間３０４が形成されるようにする。
固体原料４００の固体原料タンク３００への供給が終わると、バルブ２７０と、バルブ２６７とを閉じ、バルブ２６８を開け、配管２５９、排気管２３１を介して真空ポンプ２４６により、配管３８０内を真空引きする。その後、バルブ２６８を閉じ、バルブ２６９を開け、配管３８０内を窒素ガスでパージする。パージ完了後、バルブ２６９を閉じる。
その後、クランプ３８２を外して、原料補充カートリッジ３５０を配管３８０から取り外す。原料補充カートリッジ３５０を配管３８０から取り外した後には、配管３８０のフランジ３６８には、Ｏリング３６７を介して閉止板３７７がクランプ３８２によって固定される（図１０参照）。
一方、取り外した原料補充カートリッジ３５０は、原料供給メーカーへ送付され、次の固体原料４００が、原料補充カートリッジ３５０に充填される。
（第２の実施の形態）
次に図１２を参照して前述した基板処理装置１０１に使用される第２の実施の形態の処理炉２０２や原料供給系２３０、排気系２４０等について説明する。本実施の形態の処理炉２０２および排気系２４０は第１の実施の形態の処理炉２０２および排気系２４０と同じである。本実施の形態の原料供給系２３０は、原料供給系２３０も、第１の実施の形態では、ガス供給管２８２および配管２８３にはヒータが設けられていないのに対して、本実施の形態では、ガス供給管２８２にヒータ４２２が設けられ、配管２８３にヒータ４２３が設けられている点が実施の形態の原料供給系２３０と異なるが、他の点は同じである。また、第２の実施の形態の基板処理装置１０１を使用してＧａＮを形成するプロセスも第１の実施の形態と同じである。
次に、固体原料タンク３００に固体原料４００の補充を行うための構造と、補充方法について説明する。
図１２〜１５を参照すれば、本実施の形態の固体原料タンク３００は、第１の実施の形態の固体原料タンク３００の構造と同じである。固体原料タンク３００の貫通孔３１６には、配管３７５が接続されている。配管３７５にはバルブ２６７が接続され、バルブ２６７には配管３８０が接続され、配管３８０には、固体原料４００を補充するための原料補充カートリッジ４７０が取り付けられている。
配管３７５のフランジ３７４には、Ｏリング３７３を介してバルブ２６７のフランジ３７２がクランプ３８４によって固定されている。バルブ２６７のフランジ３７１には、Ｏリング３７０を介して配管３８０のフランジ３６９がクランプ３８３によって固定されている。配管３８０のフランジ３６８には、Ｏリング３６７を介して原料補充カートリッジ４７０のバルブ４８０のフランジ４６６がクランプ３８２によって固定されている。配管３８０のフランジ３６８は、貫通孔３１６の真上に位置している。バルブ２６７およびバルブ４８０は手動のバタフライバルブである。
配管３８０には、パージガス供給配管２８４および配管２５９が接続されている。パージガス供給配管２８４にはバルブ２６９が設けられている。パージガス供給配管２８４に供給するパージガスとしては、例えば、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガスが用いられる。配管２５９は、真空ポンプ２４６の下流側の排気管２３１に接続されている（図１２参照）。配管２５９にはバルブ２６８が設けられている。バルブ２６８、２６９の開閉動作は、コントローラ２８０で制御される。パージガス供給配管２８４にはヒータ４２５が設けられ、配管２５９にはヒータ４２６が設けられている。
バルブ２６９の上流側のパージガス供給配管２８４には配管４９４の一端が接続されている。配管４９４にはバルブ４８５が設けられている。配管４９４の他端には継手５１２が設けられている。バルブ２６８の下流側の配管２５９には配管４９５の一端が接続されている。配管４９５にはバルブ４８７が設けられている。配管４９５の他端には継手５１１が設けられている。バルブ４８５と継手５１２の間の配管４９４とバルブ４８７と継手５１１の間の配管４９５との間には、配管４９３が接続されている。配管４９３にはバルブ４８６が設けられている。
なお、原料供給系２３０には、ガス供給系２３０ａ、ガス供給系２３０ｂ、キャリアガス供給系２３０ｃ、キャリアガス供給系２３０ｄだけでなく、固体原料タンク３００に接続されたパージガス供給配管２８４、配管２５９およびバルブ２６９、２６８も含まれる。
原料補充カートリッジ４７０は、容器４７１と、バルブ４８０と、バルブ４８３と、バルブ４８４とを備えている。容器４７１は、容器本体４７２と、その下の容器取り付け用配管部４７３とを備えている。容器取り付け用配管部４７３の上端部は、容器本体４７２に連通している。容器取り付け用配管部４７３の下端部にはフランジ４６３が設けられている。容器取り付け用配管部４７３のフランジ４６３には、Ｏリング４６４を介してバルブ４８０のフランジ４６５がクランプ４８１によって固定されている。
容器取り付け用配管部４７３には配管４９１が接続されている。配管４９１にはバルブ４８３が接続されている。容器本体４７２の上部には配管４９２が接続されている。配管４９２にはバルブ４８４が接続されている。
容器本体４７２には、蓋４７４がねじ４７６で取り付けられている。容器本体４７２と蓋４７４との間には、Ｏリング等の封止部材（図示せず）が設けられている。蓋４７４には、固体原料４００が見えるように窓４７５が設けられている。
図１３〜図１５は、原料補充カートリッジ４７０を配管３８０に取り付けた状態を示している。上述のように、原料補充カートリッジ４７０のバルブ４８０は、クランプ３８２によって配管３８０に固定されている。バルブ４８３は配管４９４の継手５１２に接続されている。バルブ４８４は配管４９５の継手５１１に接続されている。
図１６〜図２０は、原料補充カートリッジ４７０を配管３８０に取り付ける前および取り外した後の状態を示している。なお、取り外した場合には、固体原料４００は容器４７１内には残っていない。原料補充カートリッジ４７０を配管３８０に取り付ける前および取り外した後では、バルブ４８０のフランジ４６６には、Ｏリング４８９を介して閉止板４８８がクランプ４８２によって固定されている。バルブ４８３には閉止栓４９８が取り付けられ、バルブ４８４には閉止栓４９９が取り付けられている。また、配管３８０のフランジ３６８には、Ｏリング３６７を介して閉止板３７７がクランプ３８２によって固定されている。配管４９４の継手５１２には閉止栓４７８が取り付けられ、配管４９５の継手５１１には閉止栓４７９が取り付けられている。
本実施の形態では、マスフローコントローラ２４１、２４２、２４３、２４４、バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６８、２６９、４８３、４８４、４８５、４８６、４８７、ＡＰＣバルブ２５５、ヒータ２０７、２８１、２８５、４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６、４５０、４５１、４５２、４５３、温度センサ（図示せず）、圧力センサ２４５、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２２７、ボートエレベータ１１５等の各部材はコントローラ２８０に接続されている。コントローラ２８０は、基板処理装置１０１の全体の動作を制御する制御部（制御手段）の一例であって、マスフローコントローラ２４１、２４２、２４３、２４４の流量調整、バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６８、２６９、４８３、４８４、４８５、４８６、４８７の開閉動作、ＡＰＣバルブ２５５の開閉および圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、ヒータ２８１、２８５、４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６、４５０、４５１、４５２、４５３の温度調整動作、温度センサ（図示せず）に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２２７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等をそれぞれ制御するようになっている。なお、バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６８、２６９、４８３、４８４、４８５、４８６、４８７はエアーバルブであり、それぞれ電磁弁を介してコントローラ２８０で制御される。
次に、原料補充カートリッジ４７０を使用して、固体原料タンク３００に固体原料４００を供給または補充する方法について説明する。
まず、基板処理装置１０１を立ち上げる場合の運用について説明する。基板処理装置１０１を立ち上げる際には、図１６〜図２０に示すように、原料補充カートリッジ４７０は配管３８０に取り付けられていない。配管３８０のフランジ３６８には、閉止板３７７が取り付けられている。配管４９４の継手５１２には閉止栓４７８が取り付けられ、配管４９５の継手５１１には閉止栓４７９が取り付けられている。バルブ２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６８、２６９、４８３、４８４、４８５、４８６、４８７は全て閉じられており、ヒータ２８１、２８５、４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６、４５０、４５１、４５２、４５３は全てオフの状態となっている。
まず、バルブ２６３、２６４、２６５、２６１を開き、ガス供給管２８２から、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等のパージガスを供給して、固体原料タンク３００およびガス供給管２３２ｂを介して固体原料タンク３００上部配管ラインをパージし、また、バルブ２６８、２６９、４８５、４８６、４８７を開き、パージガス供給配管２８４から、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等のパージガスを供給して、バルブ２６７上部配管ラインをパージした後、ヒータ２８１、２８５、４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６、４５０、４５１、４５２、４５３をオンにして、全ラインを１００℃以上に設定して、１２時間〜４８時間水分除去を実施する。
その後、ヒータ４５０、４５１、４５２を制御して、固体原料タンク３００を使用温度（４０℃〜１５０℃）に設定し、ヒータ４５３、ヒータ２８１、２８５、４２１、４２２、４２３、４２４を制御して、バルブ２６７およびガス供給管２８２、ガス供給管２３２ｂ、ベントライン２５８、配管２８３、３７５を、固体原料タンク３００を使用温度＋５℃から１０℃に設定し、ヒータ４２４、４２５、４２６はオフとする。バルブ２６５、２６１を閉じ、バルブ２６６、２６２を開けて、ガス供給管２８２から、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等のパージガスを供給して、ガス供給管２８２、配管２８３およびベントライン２５８を介してバイパスラインパージを実施する。また、バルブ２６８、４８７を閉じて、バルブ２６７上部配管ラインを加圧状態とする。
次に、原料補充カートリッジ４７０を取り付ける際の運用について説明する。図１６、１７、１９、２０を参照すれば、原料補充カートリッジ４７０のバルブ４８０に取り付けられている閉止板４８８を取り外し、バルブ４８３に取り付けられている閉止栓４９８およびバルブ４８４に取り付けられている閉止栓４９９を取り外す。また、配管３８０のフランジ３６８に取り付けられている閉止板３７７を取り外し、配管４９４の継手５１２に取り付けられている閉止栓４７８および配管４９５の継手５１１に取り付けられている閉止栓４７９を取り外す。そして、図１４、１６に示すように、原料補充カートリッジ４７０のバルブ４８０を配管３８０のフランジ３６８に取り付け、バルブ４８３を配管４９４の継手５１２に取り付け、バルブ４８４を配管４９５の継手５１１に取り付けることによって、原料補充カートリッジ４７０を取り付ける。
次に、図１３〜１５を参照して、バルブ２６９を開けた状態で、バルブ２６８を５秒間開け、その後、２５秒間閉めることを繰り返して、１５回以上のサイクルパージを実施して、大気開放された、バルブ２６７とバルブ４８０との間の配管３８０、バルブ２６９と配管３８０との間のパージガス供給配管２８４、およびバルブ２６９と配管３８０との間の配管２５９をパージする。
また、バルブ４８７を開き、バルブ４８６を閉じ、バルブ４８５、４８３を開いて、パージガス供給配管２８４から、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等のパージガスを供給して、原料補充カートリッジ４７０内、配管４９４、バルブ４８３、配管４９１、配管４９２、バルブ４８４および配管４９５をパージして、水分除去を行う。この際には、配管４９１を介して原料補充カートリッジ４７０の下部からパージガスが原料補充カートリッジ４７０内に導入され、原料補充カートリッジ４７０の上部に取り付けた配管４９２からパージガスが排出されるので、パージガスによって、原料補充カートリッジ４７０の固定原料４００の水分も除去される。
バルブ２６９、２６８を閉じて、原料充填待機状態とする。バルブ２６６、２６２を閉じ、バルブ２６４、２６１を開けて、ガス供給管２８２から、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等のパージガスを供給して、固体原料タンク３００内のパージを実施する。
その後、バルブ４８７を閉じ、バルブ２６７、４８０を開いて、固体原料４００を原料補充カートリッジ４７０から固体原料タンク３００に供給する。その後、バルブ２６７を閉じ、バルブ２６９、２６８を開けて、パージを行う。
その後、バルブ４８７を開けて、原料補充カートリッジ４７０内をパージする。バルブ２６４、２６５を閉じ、バルブ２６６、２６１を開けて、プロセス供給待機状態とする。
ヒータ４２４、４２５、４２６を８０℃に設定し、固体原料４００を原料補充カートリッジ４７０から固体原料タンク３００に充填後１２時間経過後、バルブ４８０を閉じ、バルブ４８３、４８４を閉じ、バルブ１５を開けて、原料補充カートリッジ４７０内のパージを停止する。バルブ２６８、４８７を閉じて、パージガスを封入する。
原料補充カートリッジ４７０のバルブ４８０を配管３８０のフランジ３６８から取り外し、バルブ４８３を配管４９４の継手５１２から取り外し、バルブ４８４を配管４９５の継手５１１から取り外して、原料補充カートリッジ４７０を取り外す。原料補充カートリッジ４７０のバルブ４８０に閉止板４８８を取り付け、バルブ４８３に閉止栓４９８を取り付け、バルブ４８４に閉止栓４９９を取り付ける。配管３８０のフランジ３６８に閉止板３７７を取り付け、配管４９４の継手５１２に閉止栓４７８を取り付け、配管４９５の継手５１１に閉止栓４７９を取り付ける。バルブ４６９、４８７を開いて常時ラインパージする。
以上のようにして、基板処理装置１０１を立ち上げた後、原料補充カートリッジ４７０を取り付けて、固体原料４００を固体原料タンク３００に供給する方法について説明したが、固体原料タンク３００の固体原料４００が空になった後に、原料補充カートリッジ４７０を取り付けて、固体原料４００を固体原料タンク３００に供給する際にも上記と同様な操作を行う。
上記のようにして、固体原料４００を、原料補充カートリッジ４７０から固体原料タンク３００に供給することにより、水分を０．５ｐｐｍ以下にして固体原料４００を固体原料タンク３００に供給することができるので、塩化ガスと水分が反応することを十分に抑制でき、固体原料タンク３００内が腐食せず、半永久的に固体原料４００を供給することが可能である。
また、原料補充カートリッジ４７０内をパージ可能となっているので、原料補充カートリッジ４７０内への固体原料４００の供給時に混入した水分を除去することが可能である。
図２１、２２を参照して、比較のための、固体原料タンクを取り外して固体原料を補充する技術を説明する。本比較例においては、上記実施の形態の固体原料タンク３００に代えて固体原料タンク３３０を使用する。固体原料タンク３３０には、バルブ３２５、継ぎ手３２３および継ぎ手３２１を介してガス供給管２８２のバルブ２６４が接続されている。固体原料タンク３３０には、また、バルブ３２６、継ぎ手３２４および継ぎ手３２２を介してガス供給管２３２ｂのバルブ２６５が接続されている。
成膜等のウエハ２００の処理を行う場合は、固体原料４００として収容した固体原料タンク３３０を所定の温度に加熱しておき、バルブ２６３、２６４、３２５、３２６、２６５、２６１を開けて、キャリアガスとして窒素（Ｎ２）ガスを配管２８２から固体原料タンク３３０に供給し、気体となった固体原料４００を窒素ガスと共にガス供給管２３２ｂに供給する。
固体原料タンク３３０が空になると、バルブ２６４、３２５、３２６、２６５を閉めて、継手３２３、３２４を外して、固体原料タンク３３０を取り外す。その時、バルブ２６４と継手３２３との間の配管２８２’およびバルブ２６５と継手３２４との間の配管２３２ｂ’は、大気開放され、配管内２８２’および配管２３２ｂ’に大気中の水分などが付着する。そのため、交換した固体原料タンク３３０を取り付けた後、バルブ２６４とバルブ３２５との間の配管２８２’およびバルブ２６５とバルブ３２６との間の配管２３２ｂ’の水分を除去するために、バルブ２６４、２６５、２６１を閉じ、バルブ２６３、２６６、２６２を開けて配管２８２から窒素（Ｎ２）ガスを導入し、配管２５８に流して、窒素ガスパージを行う必要があり、パージ時間が長くなるという問題がある。
上述した本発明の好ましい第１および第２の実施の形態では、配管３８０に原料補充カートリッジ３５０、４７０を取り付け、原料補充カートリッジ３５０、４７０から固体原料４００を固体原料タンク３００に供給する構造なので、装置構成も簡単であり、固体原料４００も簡単に補充することができる。また、固体原料４００を原料補充カートリッジ３５０、４７０から固体原料タンク３００に直接供給できる。さらに、特許文献１のように、固体原料タンク３００以外の補充用の固体原料タンクを使用する必要もない。
さらに、また、本発明の第１および第２の好ましい実施の形態では、固体原料４００の補充時に固体原料タンク３００を取り外す必要がない。固体原料タンク３００を取り外さないので、バルブ２６４と固体原料タンク３００との間に配管およびバルブ２６５と固体原料タンク３００との間に配管が大気開放されることがなく、固体原料４００の補充時にこれらの配管の水分除去のためのパージを行う必要がない。そのため、固体原料４００の補充時間が比較例と比べて大幅に短縮できる。
また、配管３８０には、真空ポンプ２４６に接続された配管２５９が接続され、さらに、パージ用のパージガスを供給するパージガス供給配管２８４が接続され、また、バルブ２７０（４８０）、２６７が設けられているので、原料補充カートリッジ３５０、４７０を配管３８０に取り付けた後、配管３８０内を真空引きし、その後窒素ガスパージを行うことができる。従って、配管３８０内を窒素ガス雰囲気にした状態で原料補充カートリッジ３５０、４７０から固体原料タンク３００に固体原料４００を補充できる。その結果、固体原料４００補充時に、固体原料タンク３００内が大気雰囲気に晒されることはない。
固体原料タンク３００の底部３０３には、中央が低く、周辺部が高い傾斜部３０２を設けているので、補充された固体原料４００が、固体原料タンク３００の中央ではなく、端の方から供給されても、傾斜部３０２によって、中央部に均等に移動し易くなっている。
なお、上記では、ＡＬＤ法によってＧａＮ膜を成膜する方法を例に説明したが、ＡＬＤ法によって成膜することや、ＧａＮ膜を成膜することは一例であり、他の方法、例えば、ＣＶＤ法で成膜してもよく、他の膜、例えば、ＡｌＮ膜を成膜してよい。
また、上記では、固体原料のＧａＣｌ３を使用したが、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）やＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）を使用することもできる。これらは、ＧａＮ、ＡｌＮの成膜に好適に使用される。
（本発明の好ましい態様）
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
本発明の好ましい一態様によれば、
基板を収容可能な処理室と、
前記基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記処理室へ供給する原料供給系と、
制御部と、
を有する基板処理装置であって、
前記原料供給系は、
前記固体原料を収容する固体原料容器と、
前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、
前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、
前記第２の配管と真空排気手段との間に接続された第３の配管と、
前記第２の配管に接続され、パージガスを導入するための第４の配管と、
前記第３の配管の途中に接続された第１のバルブと、
前記第４の配管の途中に接続された第２のバルブと、を備え、
前記制御部は、前記原料補充容器から前記固体原料容器へ前記固体原料を補充するために前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際に、前記第２の配管内を真空引きし、その後前記第２の配管内に前記パージガスを導入するように、前記真空排気手段と前記第１のバルブと前記第２のバルブとを制御する制御手段である基板処理装置が提供される。
（付記２）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部が取り付けられる原料補充容器パージガス導入部取付部と、前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部が取り付けられる原料補充容器パージガス排出部取付部とをさらに備え、
前記制御部は、前記原料補充容器から前記固体原料容器へ前記固体原料を補充するために前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられ、前記原料補充容器のパージガス導入部が前記原料補充容器パージガス導入部取付部に取り付けられ、前記原料補充容器のパージガス排出部が前記原料補充容器パージガス排出部取付部に取り付けられた際に、前記第２の配管内を真空引きし、その後前記第２の配管内に前記パージガスを導入するように、前記真空排気手段と前記第１のバルブと前記第２のバルブとを制御し、前記原料補充容器のパージガス導入部から前記パージガスを前記原料補充容器に導入し、前記原料補充容器のパージガス排出部から前記パージガスを排出するように、前記真空排気手段と前記第１のバルブと、前記第２のバルブと、前記パージガス導入部と、前記パージガス排出部と、を制御する制御手段である。
（付記３）
付記２の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料補充容器のパージガス導入部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続され、前記原料補充容器のパージガス排出部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続されている。
（付記４）
付記１〜３のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記第２の配管と前記固体原料容器との間に設けられた第３のバルブを備える。
（付記５）
付記１〜４のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記第２の配管は、前記固体原料容器の天井部に接続される。
（付記６）
付記１〜５のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記固体原料容器は、容器内部の底部に中央が低く、周辺部が高い傾斜部を備える。
（付記７）
本発明の好ましい他の態様によれば、
基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記基板を処理する処理室へ供給する原料供給系であって、前記固体原料を収容する固体原料容器と、前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、前記第２の配管と真空排気手段との間に接続された第３の配管と、前記第２の配管に接続され、パージガスを導入するための第４の配管と、前記第３の配管の途中に接続された第１のバルブと、前記第４の配管の途中に接続された第２のバルブと、を備える前記原料供給系の前記取付部に前記原料補充容器を取り付ける工程と、
前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた状態で、前記第２のバルブを閉じ、前記第１のバルブを開けて、前記第２の配管内を前記真空排気手段で真空引きする工程と、
その後、前記第１のバルブを閉じ、前記第２のバルブを開けて、前記第２の配管内に前記パージガスを導入する工程と、
その後、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する工程と、
を備える固体原料補充方法が提供される。
（付記８）
付記７の固体原料補充方法であって、好ましくは、
前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部を前記原料供給系の原料補充容器パージガス導入部取付部に取り付け、前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部を前記原料供給系の原料補充容器パージガス排出部取付部に取り付ける工程と、
その後、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する前に、前記原料補充容器のパージガス導入部から前記パージガスを前記前記原料補充容器に導入し、前記原料補充容器のパージガス排出部から前記パージガスを排出する工程と、をさらに備える。
（付記９）
付記８の固体原料補充方法であって、好ましくは、前記原料補充容器のパージガス導入部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続され、前記原料補充容器のパージガス排出部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続されている。
（付記１０）
付記８または９の固体原料補充方法であって、好ましくは、前記原料供給系は、前記第２の配管と前記固体原料容器との間に設けられた第３のバルブを備え、前記原料補充容器を取り付ける工程と、前記真空引きする工程と、前記パージガスを導入する工程では、前記第３のバルブを閉じ、前記固体原料を補充する工程では前記第３のバルブを開ける。
（付記１１）
付記８〜１０のいずれかのの固体原料補充方法であって、好ましくは、前記原料補充容器が第４のバルブを備え、前記原料補充容器は前記第４のバルブを介して、前記取付部に前記原料補充容器を取り付けられ、前記原料補充容器を取り付ける工程と、前記真空引きする工程と、前記パージガスを導入する工程では、前記第４のバルブを閉じ、前記固体原料を補充する工程では前記第４のバルブを開ける。
（付記１２）
付記８〜１１のいずれかの固体原料補充方法であって、好ましくは、前記第２の配管は、前記固体原料容器の天井部に接続され、前記固体原料を補充する工程では、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を落下させる。
（付記１３）
付記８〜１２のいずれかの固体原料補充方法であって、好ましくは、前記固体原料容器は、容器内部の底部に中央が低く、周辺部が高い傾斜部を備える。
（付記１４）
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
基板を収容可能な処理室と、
前記基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記処理室へ供給する原料供給系と、
を有する基板処理装置であって、
前記原料供給系は、
前記固体原料を収容する固体原料容器と、
前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、
前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、を備える基板処理装置が提供される。
（付記１５）
付記１４の基板処理装置であって、好ましくは、前記第２の配管は、前記固体原料容器の天井部に接続される。
（付記１６）
付記１５の基板処理装置であって、好ましくは、前記取付部は、前記第２の配管が前記固体原料容器の天井部に接続される箇所の真上に位置する。
（付記１７）
付記１４〜１６のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記第２の配管と前記固体原料容器との間に設けられた第１のバルブを備える。
（付記１８）
付記１４〜１７のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記固体原料容器は、容器内部の底部に中央が低く、周辺部が高い傾斜部を備える。
（付記１９）
付記１４〜１８のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、 前記第２の配管と真空排気手段との間に接続された第３の配管と、前記第２の配管に接続され、パージガスを導入するための第４の配管と、をさらに備える。
（付記２０）
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記基板を処理する処理室へ供給する原料供給系であって、前記固体原料を収容する固体原料容器と、前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、を備える前記原料供給系の前記取付部に前記原料補充容器を取り付ける工程と、
前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた状態で、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する工程と、
を備える固体原料補充方法が提供される。
（付記２１）
付記２０の固体原料補充方法であって、好ましくは、前記第２の配管は、前記固体原料容器の天井部に接続され、前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する工程では、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を落下させて補充する。
（付記２２）
付記２０または２１の固体原料補充方法であって、好ましくは、前記取付部は、前記第２の配管が前記固体原料容器の天井部に接続される箇所の真上に位置する。
（付記２３）
付記２０〜２２のいずれかの固体原料補充方法であって、好ましくは、前記第２の配管と前記固体原料容器との間に設けられた第１のバルブを備え、前記固体原料を補充する工程では、前記第１のバルブを開ける。
（付記２４）
付記２０〜２３のいずれかの固体原料補充方法であって、好ましくは、前記原料補充容器が第２のバルブを備え、前記原料補充容器は前記第２のバルブを介して、前記取付部に取り付けられ、前記固体原料を補充する工程では前記第２のバルブを開ける。
（付記２５）
付記２０〜２４のいずれかの固体原料補充方法であって、好ましくは、前記固体原料容器は、容器内部の底部に中央が低く、周辺部が高い傾斜部を備える。
（付記２６）
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
基板を収容可能な処理室と、
前記基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記処理室へ供給する原料供給系と、
を有する基板処理装置であって、
前記原料供給系は、
前記固体原料を収容する固体原料容器と、
前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、
補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が前記固体原料容器に取り付けられる取付部と、
前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部が取り付けられる原料補充容器パージガス導入部取付部と、
前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部が取り付けられる原料補充容器パージガス排出部取付部と、
前記原料補充容器から前記固体原料容器へ前記固体原料を補充するために前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられ、前記原料補充容器のパージガス導入部が前記原料補充容器パージガス導入部取付部に取り付けられ、前記原料補充容器のパージガス排出部が前記原料補充容器パージガス排出部取付部に取り付けられた際に、前記原料補充容器のパージガス導入部から前記パージガスを前記原料補充容器に導入し、前記原料補充容器のパージガス排出部から前記パージガスを排出するように、前記パージガス導入部と前記パージガス排出部とを制御する制御手段と、
を備える基板処理装置が提供される。
（付記２７）
付記２６の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料補充容器のパージガス導入部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続され、前記原料補充容器のパージガス排出部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続されている。
（付記２８）
付記２７の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料補充容器のパージガス導入部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続された第２の配管と、前記第２の配管に設けられた第１のバルブとを備え、前記原料補充容器のパージガス排出部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続された第３の配管と、前記第３の配管に設けられた第２のバルブとを備えている。
（付記２９）
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記基板を処理する処理室へ供給する原料供給系であって、前記固体原料を収容する固体原料容器と、前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が前記固体原料容器に取り付けられる取付部と、前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部が取り付けられる原料補充容器パージガス導入部取付部と、前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部が取り付けられる原料補充容器パージガス排出部取付部と、を備える前記原料供給系の前記取付部に前記原料補充容器を取り付け、前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部を前記原料供給系の原料補充容器パージガス導入部取付部に取り付け、前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部を前記原料供給系の原料補充容器パージガス排出部取付部に取り付ける工程と、
その後、前記原料補充容器のパージガス導入部から前記パージガスを前記前記原料補充容器に導入し、前記原料補充容器のパージガス排出部から前記パージガスを排出する工程と、
その後、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた状態で、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を補充する工程と、
を備える固体原料補充方法が提供される。
（付記３０）
付記２９の固体原料補充方法であって、好ましくは、前記原料補充容器のパージガス導入部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続され、前記原料補充容器のパージガス排出部は、前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続されている。
（付記３１）
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
固体原料収容容器と、前記容器の開口部に取り付けられたバタフライバルブとを備える固体原料補充用カートリッジが提供される。
（付記３２）
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
固体原料収容容器と、
前記固体原料収容容器を取り付ける取付部と、
前記原料補充容器にパージガスを導入するパージガス導入部と、
前記原料補充容器からパージガスを排出するパージガス排出部と、
を備える固体原料補充用カートリッジが提供される。
（付記３３）
付記３２の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料補充容器のパージガス導入部は、前記原料補充容器が取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続され、前記原料補充容器のパージガス排出部は、前記原料補充容器が取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続されている。
（付記３４）
付記３３の基板処理装置であって、好ましくは、前記パージガス導入部は、前記原料補充容器が取り付けられた際の前記原料補充容器の下部に接続された第１の配管と、前記第１の配管に設けられた第１のバルブとを備え、前記パージガス排出部は、前記原料補充容器が取り付けられた際の前記原料補充容器の上部に接続された第２の配管と、前記第２の配管に設けられた第１のバルブとを備えている。
以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
１０１ 基板処理装置
１１５ ボートエレベータ
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ 反応管
２０７、２８１、４２５、４２６、４５０ ヒータ
２０９ マニホールド
２１７ ボート
２１８ ボート支持台
２１９ シールキャップ
２２０、３６４、３６７、３７０、３７３ Ｏリング
２２７ 回転機構
２３０ 原料供給系
２３０ａ、２３０ｂ ガス供給系
２３０ｃ、２３０ｄ キャリアガス供給系（不活性ガス供給系）
２３１、２４７ 排気管
２３２ａ、２３２ｂ、２８２ ガス供給管
２３２ｄ キャリアガス供給管
２３３ ノズル
２３８ｂ ガス供給孔
２４０ 排気系
２４１、２４２、２４３、２４４ マスフローコントローラ
２４５ 圧力センサ
２４６ 真空ポンプ
２５０、２５１、２５３、２５４、２５６、２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６７、２６８、２６９、２７０、４８０、４８３、４８４、４８５、４８６、４８７ バルブ
２５５ ＡＰＣバルブ
２５７、２５８ ベントライン
２５９、２８３、３７５、３８０、４９１、４９２、４９３、４９４、４９５ 配管
２６０ 集合バルブ
２８０ コントローラ
２８４ パージガス供給配管
３００ 固体原料タンク
３０２ 傾斜部
３０３ 底部
３０４ 空間
３１０ 天井板
３１４、３１６ 貫通孔
３２１、３２２ 継ぎ手
３５０、４７０ 原料補充カートリッジ
３５１ びん
３５３ 口部
３６０ アダプター
３５５、３６２ ねじ溝
３５７ パッキン
３６１ 一端部
３６３、３６５、３６６、３６８、３６９、３７１、３７２、３７４、４６３、４６５、４６６ フランジ
３７７、４８８ 閉止板
３８１、３８２、３８３、３８４、４８１、４８２ クランプ
４００ 固体原料
４７１ 容器
４７２ 容器本体
４７３ 容器取り付け用配管部
４７４ 蓋
４７５ 窓
４７８、４７９、４９８、４９９ 閉止栓
５１１、５１２ 継手

Claims (4)

  1. 基板を収容可能な処理室と、
    前記基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記処理室へ供給する原料供給系と、
    を有する基板処理装置であって、
    前記原料供給系は、
    前記固体原料を収容する固体原料容器と、
    前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、
    前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、を備える基板処理装置。
  2. 前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部が取り付けられる原料補充容器パージガス導入部取付部と、前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部が取り付けられる原料補充容器パージガス排出部取付部とをさらに備え、
    前記制御部は、前記原料補充容器から前記固体原料容器へ前記固体原料を補充するために前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられ、前記原料補充容器のパージガス導入部が前記原料補充容器パージガス導入部取付部に取り付けられ、前記原料補充容器のパージガス排出部が前記原料補充容器パージガス排出部取付部に取り付けられた際に、前記第２の配管内を真空引きし、その後前記第２の配管内に前記パージガスを導入するように、前記真空排気手段と前記第１のバルブと前記第２のバルブとを制御し、前記原料補充容器のパージガス導入部から前記パージガスを前記原料補充容器に導入し、前記原料補充容器のパージガス排出部から前記パージガスを排出するように、前記真空排気手段と前記第１のバルブと、前記第２のバルブと、前記パージガス導入部と、前記パージガス排出部と、を制御する制御手段である請求項１記載の基板処理装置。
  3. 基板の処理に用いる気体原料を、固体原料を昇華させて生成し、前記基板を処理する処理室へ供給する原料供給系であって、前記固体原料を収容する固体原料容器と、前記固体原料容器と前記処理室との間に接続された第１の配管と、前記固体原料容器と接続された第２の配管であって、補充用の前記固体原料を保持する原料補充容器が取り付けられる取付部を備える前記第２の配管と、前記第２の配管と真空排気手段との間に接続された第３の配管と、前記第２の配管に接続され、パージガスを導入するための第４の配管と、前記第３の配管の途中に接続された第１のバルブと、前記第４の配管の途中に接続された第２のバルブと、を備える前記原料供給系の前記取付部に前記原料補充容器を取り付ける工程と、
    前記原料補充容器が前記取付部に取り付けられた状態で、前記第２のバルブを閉じ、前記第１のバルブを開けて、前記第２の配管内を前記真空排気手段で真空引きする工程と、
    その後、前記第１のバルブを閉じ、前記第２のバルブを開けて、前記第２の配管内に前記パージガスを導入する工程と、
    その後、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する工程と、
    を備える固体原料補充方法。
  4. 前記原料補充容器にパージガスを導入する前記原料補充容器のパージガス導入部を前記原料供給系の原料補充容器パージガス導入部取付部に取り付け、前記原料補充容器からパージガスを排出する前記原料補充容器のパージガス排出部を前記原料供給系の原料補充容器パージガス排出部取付部に取り付ける工程と、
    その後、前記原料補充容器から前記固体原料容器に前記固体原料を前記第２の配管を介して補充する前に、前記原料補充容器のパージガス導入部から前記パージガスを前記前記原料補充容器に導入し、前記原料補充容器のパージガス排出部から前記パージガスを排出する工程と、
    をさらに備える請求項３記載の固体原料補充方法。
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KR1020120026409A KR101346598B1 (ko) 2011-03-22 2012-03-15 기판 처리 장치 및 고체 원료 보충 방법
TW101109134A TWI478237B (zh) 2011-03-22 2012-03-16 Substrate processing device and solid material supplement method
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016084526A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置
WO2018199063A1 (ja) * 2017-04-28 2018-11-01 株式会社フジキン センサ付き継手及びこれを用いた監視システム

Families Citing this family (376)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986456B2 (en) * 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9029253B2 (en) 2012-05-02 2015-05-12 Asm Ip Holding B.V. Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
JP6082283B2 (ja) * 2012-05-30 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 筐体及びこれを含む基板処理装置
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
CN103966551B (zh) * 2013-01-27 2016-11-23 常州国成新材料科技有限公司 一种解决高温下衬底原子蒸发影响平整度的方法及装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
JP6111171B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
JP6263407B2 (ja) * 2014-02-10 2018-01-17 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) * 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
US20220145456A1 (en) * 2020-11-09 2022-05-12 Applied Materials, Inc. Refillable large volume solid precursor sublimation vessel
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
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TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
US11862482B2 (en) * 2021-03-11 2024-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor substrate bonding tool and methods of operation
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11168092A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Denso Corp 気相成長方法および気相成長装置
JP2007084874A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 原料供給装置および成膜装置
JP2010040695A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および原料補充方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05117864A (ja) * 1991-06-25 1993-05-14 Anelva Corp Ｃｖｄ装置
US5195651A (en) * 1991-06-26 1993-03-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Ball feeder for replenishing evaporator feed
US6402840B1 (en) * 1999-08-10 2002-06-11 Optoscint, Inc. Crystal growth employing embedded purification chamber
US20020062784A1 (en) * 1999-09-09 2002-05-30 Pandelisev Kiril A. Material purification
CN100390317C (zh) * 2002-07-10 2008-05-28 东京毅力科创株式会社 成膜装置
CN2848871Y (zh) * 2005-05-03 2006-12-20 杨林 生产彩虹膜或纸的高真空电镀设备
CN101641457B (zh) * 2007-03-26 2012-04-25 株式会社爱发科 蒸镀源、蒸镀装置、成膜方法
JP5200551B2 (ja) * 2008-01-18 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
US20090293810A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Stefan Bangert Arrangement for coating a substrate
JP2010144221A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Tokyo Electron Ltd 原料ガス発生装置及び成膜装置
JP5361467B2 (ja) * 2009-03-13 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 気化器
US8252117B2 (en) * 2010-01-07 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Automatic feed system and related process for introducing source material to a thin film vapor deposition system
JP5236755B2 (ja) * 2011-01-14 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11168092A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Denso Corp 気相成長方法および気相成長装置
JP2007084874A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 原料供給装置および成膜装置
JP2010040695A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および原料補充方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016084526A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置
WO2018199063A1 (ja) * 2017-04-28 2018-11-01 株式会社フジキン センサ付き継手及びこれを用いた監視システム
JPWO2018199063A1 (ja) * 2017-04-28 2020-03-12 株式会社フジキン センサ付き継手及びこれを用いた監視システム
JP7113525B2 (ja) 2017-04-28 2022-08-05 株式会社フジキン センサ付き継手及びこれを用いた監視システム

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