JP2011048323A - 表示装置用Cu合金膜および表示装置 - Google Patents
表示装置用Cu合金膜および表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011048323A JP2011048323A JP2009278377A JP2009278377A JP2011048323A JP 2011048323 A JP2011048323 A JP 2011048323A JP 2009278377 A JP2009278377 A JP 2009278377A JP 2009278377 A JP2009278377 A JP 2009278377A JP 2011048323 A JP2011048323 A JP 2011048323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- alloy
- adhesion
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 205
- 239000010408 film Substances 0.000 description 200
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 60
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 28
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 6
- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017871 Cu—Mn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- -1 copper nitride Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 2
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53233—Copper alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】透明基板と直接接触する表示装置用Cu合金膜であって、前記合金膜は、Zn,Ni,Ti,Al,Mg,Ca,W,NbおよびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で2〜20原子%含むCu合金からなる第一層(Y)と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層(Y)よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層(X)と、を含む積層構造を有し、前記第一層(Y)が前記透明基板と接触している表示装置である。
【選択図】図1
Description
Zn,Ni,Ti,Al,Mg,Ca,W,NbおよびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で2〜20原子%含むCu合金からなる第一層(Y)と、
純Cu、または前記第一層(Y)よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層(X)と、を含む積層構造を有し、
前記第一層(Y)が前記透明基板と接触しているところに特徴がある。
上記Cu合金膜において、第一層(Y)は透明基板と直接接しており、Zn,Ni,Ti,Al,Mg,Ca,W,NbおよびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素(密着性向上元素)を合計で2〜20原子%含むCu合金で構成されている。これらの元素は単独で含有しても良いし、2種以上を併用しても良い。単独で含有する場合は、単独の量が上記範囲を満足すれば良く、2種以上を含有する場合は合計量が上記範囲を満足すれば良い。これらの元素は、Cu金属には固溶するがCu酸化膜には固溶しない元素として選択したものである。これらの元素が固溶しているCu合金が成膜過程の熱処理等によって酸化されると、上記元素は拡散して粒界や界面に濃化し、該濃化層によって透明基板との密着性が向上すると考えられる。このような濃化層の形成によって、バリアメタルを介在させずにCu合金膜を透明基板と直接接続しても充分な密着性を確保することができる。その結果、液晶ディスプレイの階調表示などの表示性能の劣化を防止できる。
水素化アモルファスシリコン膜(n+a−Si:H)をドライエッチングでパターニングする。そして、図6に示すように、膜厚100nm程度のCu合金薄膜からなる第一層(Y)を成膜し、その上部に、純Cu、または第一層より電気抵抗率が低いCu合金薄膜(膜厚100nm程度)からなる第二層(X)を、スパッタリング法などにより合計で200nm程度の膜厚で積層成膜し、この積層膜をウエットエッチングでパターニングすることにより、信号線と一体のソース電極28と、ITO透明導電膜にコンタクトするドレイン電極29を形成する。更に、ソース電極28とドレイン電極29をマスクとして、チャネル保護膜(SiNx)上のn+型水素化アモルファスシリコン膜(n+a−Si:H)をドライエッチングにより除去する。
(試料の作製)
本実施例では、下記のようにして作製した表1の試料(No.3〜35)について、第一層(Y)を構成するCu合金の種類や含有量、および第一層(Y)の厚さが、電気抵抗率やガラス基板との密着性に及ぼす影響を調べた。
・背圧:1.0×10-6Torr以下
・プロセスガス圧:2.0×10-3Torr
・プロセスガスの流量:30sccm
・スパッタパワー:3.2W/cm2
・極間距離:50mm
・基板温度:室温
・成膜温度:室温
ガラス基板(コーニング社製の#1737、サイズは、直径101.6mm×厚さ0.7mm)上に形成された各Cu合金積層配線膜を、フォトリソグラフィーとウェットエッチングによって線幅100μm、線長10mmの電気抵抗評価用パターンに加工した。この際、ウエットエッチャントとしては、硫酸:硝酸:酢酸=50:10:10の混酸からなる混合液を用いた。そして、枚葉式CVD装置を用い、基板を加熱して350℃で30分の真空熱処理(真空度:0.27×10-3Pa以下)を施し、この真空熱処理後の電気抵抗を直流四探針法により室温で測定した。
熱処理後(真空雰囲気下、350℃で0.5時間)のCu合金膜の密着性を、テープによる剥離試験で評価した。詳細には、Cu合金の成膜表面にカッターナイフで1mm間隔の碁盤目状の切り込みを入れた。次いで、住友3M製黒色ポリエステルテープ(製品番号8422B)を上記成膜表面上にしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°になるように保持しつつ、上記テープを一挙に引き剥がして、上記テープにより剥離しなかった碁盤目の区画数をカウントし、全区画との比率(膜残存率)を求めた。測定は3回行い、3回の平均値を各試料の膜残存率とした。
件を満足するため、低い電気抵抗率とガラス基板との高い密着性を達成できた。
本実施例では、下記のように作製した試料(本発明例および比較例)について、ソーダライムガラス基板を用いたときのDCストレス試験後およびピーリング試験後の密着性を調べた。DCストレス試験は、一定の距離を保って電気的に分離したパターン間に一定のドライブ電圧(直流、DC)であるストレスを加えて、パターン間に一定の電界強度を保持した状態で保持し、電極間の漏れ電流の変化、剥がれや異物の形成などの外観を検査する検査法である。通常加える電圧よりも高い電圧を恒温恒湿の雰囲気(温度80℃、湿度80%)で加えることにより、通常のパネル動作で生じる電荷の移動が原因で発生する配線上の異常を短時間で検査できる検査法として有用である。ここでは、ライン幅10μm、30μm間隔でライン&スペースのパターンが形成された櫛形電極パターンを2つ交互になるように重ね、それぞれのライン同士の間隔を10μmとし、片方に0V、片方に40Vの直流電圧を加えて、ストレス試験を行った。
ソーダライムガラス基板(韓国SNP社製のOガラス(オーガラス)、直径50.8mm×厚さ0.7mm)上に、第一層(Y)として、Cu−Mn合金(Cu−2原子%Mn,膜厚100nm)と、第二層として、純Cu(膜厚200nm)の積層構成からなる本発明例のCu合金膜(全膜厚300nm)を、上記の実施例1に記載のスパッタリング法によって作製した。比較のため、純Cu単層膜(全膜厚300nm)および純Al単層膜(全膜厚300nm)を、上記と同様にして作製した。
u膜および純Al膜については、上記の加熱処理を行なわないサンプルを用意した。
次に、それぞれのサンプルについて、以下のようにしてDCストレス試験を行った。DCストレスの印加は、半導体パラメータ・アナライザ(アジレントテクノロジー社製のAgilent 4156C)を用い、80℃の加熱環境下において、図10に示すように、櫛形TEGパターンの一方のパッドにDC40Vを印加し(アノード電極)、他方のパッドをグランド(GND)とした(カソード電極)。印加時間は5時間とし、DCストレス印加前後における各種薄膜とソーダライムガラス基板との密着性を評価した。密着性の評価は、光学顕微鏡(対物レンズ100倍、接眼レンズ10倍)を用い、任意の観察視野(300μm×400μm)における膜の剥がれ(剥離)の有無を観察して行ない、剥がれが見られたものを×、剥がれが見られなかったものを○とした。
DCストレス印加後のサンプルの表面上に、前述した実施例1に用いた3M社製84222Bテープをしっかり貼り付け、上記実施例1と同様にして(60度ピール試験)剥離試験を行ったとき、膜の剥がれ(剥離)の有無を、上記と同様にして光学顕微鏡観察により調べて評価した。
本実施例では、第一層(Y)の構成元素をMnとし、Mnの含有量と第一層(Y)の膜厚が、ガラス基板との密着性および電気抵抗率に与える影響をさらに詳細に調べた。
ガラス基板にコーニング社製EAGLE2000(サイズは直径4インチ×厚さ0.7mm)を用いたこと、および第一層(Y)の膜厚は5〜100nmの間で変化させ、第2層(X)の膜厚は500nmで一定としたこと以外は実施例1と同様にして、ガラス基板上に第一層(Y)と第二層(X)の積層膜を形成した。成膜後、さらにCVD装置を用いて、1Paの窒素雰囲気下、320℃で5分間の熱処理を行った。次いで、成膜表面にカ
ッターナイフで1mm間隔で5×5の碁盤目状の切り込みをいれ、住友3M社製8422Bテープを成膜表面にしっかりと貼り付け、基板との角度が90°となるようにテープを一挙に引き剥がした。本実施例ではマスが一つでも剥離すれば不合格(×)とし、一つも剥離しなかった場合を合格(○)とした。
前記関係式を満たす場合に良好な密着性が得られる。なお、実施例1における密着性の評価では、テープによる剥離率が0〜10%未満のものを全て◎と評価しており、一方、本
実施例3では、一つでも剥離すれば不合格(×)の評価であり、実施例3の方が実施例1よりも厳しい評価となっている。すなわち、実施例1で◎の評価のもののうち、上記TM
≧230M-1.2を満たしているもの(表1のNo.12、15〜16)は一つも剥離しなかった例に相当し、上記関係式を満たさなかったもの(表1のNo.10、11、14)は剥離率10%未満の限度において剥離した例に相当する。
a)と(b)では、Mn、SiおよびOがガラスとの界面近傍で高濃度に検出されており、上記関係式を満たさない(c)ではガラスとの界面近傍でMnがほとんど検出されていないことがわかる。なお、図16の(a)〜(c)におけるCu合金膜の組成は、(a)第一層(Y):Cu−4原子%Mn(300nm)((a)は第一層のみ)、(b)第一層(Y):Cu−4原子%Mn(50nm)、第二層(X):純Cu(500nm)、(c)第一層(Y):Cu−4原子%Mn(20nm)、第二層(X):純Cu(500nm)であり、成膜後の熱処理条件はいずれも320℃で5分間である。
上記の密着性評価用の試料と同じ試料を用い、実施例1と同様にして電気抵抗を測定した。電気抵抗率は、直流四探針測定法によりCu合金膜のシート抵抗を測定し、電気抵抗率に換算して求めた。その結果、本実施例3において電気抵抗率はいずれも実用可能な範囲の低抵抗率を示すことがわかった。
本実施例では、下記のように作製した試料についてウェットエッチング性を調べた。通常、積層構造の試料では下地層と上層でエッチングレートが異なるため、上層に比べて下地層のエッチングレートが速い場合には配線底部にアンダーカットが生じる。そこで、本実施例ではアンダーカット量によりウェットエッチング性を評価するものとする。
本実施例では、Cu合金における合金元素としてZnを用い、下記のように作製した試料について、成膜直後、および成膜後に真空雰囲気中で350℃、30分間の熱処理を行った場合の密着性、および電気抵抗率を検討した。
図17、18より、成膜後に熱処理を施すことによって密着性が向上することが分かった。また、熱処理後において、Znをおよそ2原子%以上含有することによって、およそ80%以上もの高い密着性を実現できることが分かった。
5 透明導電膜(画素電極、ITO膜)
25 走査線
26 ゲート配線(ゲート電極)
27 ゲート絶縁膜
28 ソース配線(ソース電極)
29 ドレイン配線(ドレイン電極)
30 窒化シリコン膜(保護膜)
31 フォトレジスト
32 コンタクトホール
(X) 第二層
(Y) 第一層
Claims (6)
- 透明基板上に、透明基板と直接接触する表示装置用Cu合金膜を有する表示装置であって、
前記Cu合金膜は、
Zn,Ni,Ti,Al,Mg,Ca,W,NbおよびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で2〜20原子%含むCu合金からなる第一層(Y)と、
純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層(Y)よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層(X)と、を含む積層構造を有し、
前記第一層(Y)が前記透明基板と接触していることを特徴とする表示装置。 - 前記第一層(Y)の膜厚が10nm以上100nm以下であり、Cu合金膜全膜厚に対して60%以下である請求項1に記載の表示装置。
- 前記第一層(Y)に含有される合金元素がMnである場合は、前記第一層(Y)の膜厚が10nm以上100nm以下であり、
前記第一層(Y)に含有される合金元素がZnまたはNiである場合は、前記第一層(Y)の膜厚が20nm以上100nm以下である請求項1または2に記載の表示装置。 - 前記第一層(Y)に含有される合金元素がMnであり、前記第一層(Y)の膜厚TM(nm)と、Mnの含有量M(原子%)が、TM≧230M-1.2の関係を満たす請求項1〜3のいずれかに記載の表示装置。
- 前記Cu合金膜は、250℃以上で5分間以上熱処理したものである請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置。
- 前記透明基板の材料はソーダライムガラスである請求項1〜5のいずれかに記載の表示装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009278377A JP4567091B1 (ja) | 2009-01-16 | 2009-12-08 | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 |
US13/144,716 US8482189B2 (en) | 2009-01-16 | 2010-01-15 | Display device |
TW099101239A TWI437107B (zh) | 2009-01-16 | 2010-01-15 | Display device |
KR1020117016458A KR101230758B1 (ko) | 2009-01-16 | 2010-01-15 | 표시 장치용 구리 합금막 |
PCT/JP2010/050437 WO2010082637A1 (ja) | 2009-01-16 | 2010-01-15 | 表示装置 |
CN201080003695.9A CN102265323B (zh) | 2009-01-16 | 2010-01-15 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009008264 | 2009-01-16 | ||
JP2009174690 | 2009-07-27 | ||
JP2009278377A JP4567091B1 (ja) | 2009-01-16 | 2009-12-08 | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4567091B1 JP4567091B1 (ja) | 2010-10-20 |
JP2011048323A true JP2011048323A (ja) | 2011-03-10 |
Family
ID=42339890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009278377A Expired - Fee Related JP4567091B1 (ja) | 2009-01-16 | 2009-12-08 | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8482189B2 (ja) |
JP (1) | JP4567091B1 (ja) |
KR (1) | KR101230758B1 (ja) |
CN (1) | CN102265323B (ja) |
TW (1) | TWI437107B (ja) |
WO (1) | WO2010082637A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013047199A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013119632A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Kobe Steel Ltd | タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜、及びタッチパネルセンサー、並びにスパッタリングターゲット |
KR101406581B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2014-06-11 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 터치 패널 센서용 Cu 합금 배선막 및 그 제조 방법, 및 터치 패널 센서 및 스퍼터링 타깃 |
WO2017195826A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 積層配線膜および薄膜トランジスタ素子 |
WO2018123955A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線構造及びその製造方法、スパッタリングターゲット材、並びに酸化防止方法 |
JPWO2018189965A1 (ja) * | 2017-04-13 | 2020-03-05 | 株式会社アルバック | 液晶表示装置、有機el表示装置、半導体素子、配線膜、配線基板、ターゲット |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102473732B (zh) | 2009-07-27 | 2015-09-16 | 株式会社神户制钢所 | 布线结构以及具备布线结构的显示装置 |
JP2012027159A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP2012180540A (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Kobe Steel Ltd | 表示装置および半導体装置用Al合金膜 |
JP2012211378A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Kobe Steel Ltd | Cu合金膜、及びそれを備えた表示装置または電子装置 |
JP5171990B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2013-03-27 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金膜および表示装置 |
JP5524905B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-06-18 | 株式会社神戸製鋼所 | パワー半導体素子用Al合金膜 |
JP2013084907A (ja) | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Kobe Steel Ltd | 表示装置用配線構造 |
JP5912046B2 (ja) * | 2012-01-26 | 2016-04-27 | 株式会社Shカッパープロダクツ | 薄膜トランジスタ、その製造方法および該薄膜トランジスタを用いた表示装置 |
JP6288915B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2018-03-07 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP6140970B2 (ja) | 2012-10-12 | 2017-06-07 | 三菱電機株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
CN103219389B (zh) | 2013-03-21 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
JP5830631B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2015-12-09 | 株式会社アルバック | 搭載装置およびその製造方法 |
JP5805708B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2015-11-04 | 株式会社神戸製鋼所 | タッチパネルセンサー用配線膜、およびタッチパネルセンサー |
CN105900216B (zh) * | 2014-02-07 | 2019-05-10 | 株式会社神户制钢所 | 平板显示器用配线膜 |
TWI740908B (zh) | 2016-03-11 | 2021-10-01 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示設備 |
US10410883B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-09-10 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
US10134657B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-11-20 | Corning Incorporated | Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer |
US10794679B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-10-06 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
JP6350754B1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-04 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置及び表示装置基板 |
US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
US10580725B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
US11152294B2 (en) | 2018-04-09 | 2021-10-19 | Corning Incorporated | Hermetic metallized via with improved reliability |
CN109055808A (zh) * | 2018-10-26 | 2018-12-21 | 浙江星康铜业有限公司 | 一种铜锌合金 |
WO2020171940A1 (en) | 2019-02-21 | 2020-08-27 | Corning Incorporated | Glass or glass ceramic articles with copper-metallized through holes and processes for making the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158887A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Dept Corp | 回路基板及びその製造方法 |
JP2005166757A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 配線構造体、配線構造体の形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの形成方法、及び表示装置 |
WO2008018490A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Ulvac, Inc. | Method for forming conductive film, thin film transistor, panel with thin film transistor, and method for manufacturing thin film transistor |
WO2008081806A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Ulvac, Inc. | 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2733006B2 (ja) | 1993-07-27 | 1998-03-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH0766423A (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Toshiba Corp | 液晶表示装置用アレイ基板 |
JPH088498A (ja) | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Canon Inc | 配線構造、その製造方法および該配線構造を用いた画像形成装置 |
JP3048858B2 (ja) | 1994-11-02 | 2000-06-05 | シャープ株式会社 | 導電性薄膜を有する基板の製造方法 |
JPH10133597A (ja) | 1996-07-26 | 1998-05-22 | Canon Inc | 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法 |
US6219125B1 (en) | 1996-07-26 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate, process for producing the plate, for an LCD having a laminated electrode with a metal nitride layer |
JPH10186389A (ja) | 1996-12-24 | 1998-07-14 | Canon Inc | 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子 |
JP3365954B2 (ja) | 1997-04-14 | 2003-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体電極用Al−Ni−Y 合金薄膜および半導体電極用Al−Ni−Y 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH11337976A (ja) | 1998-03-26 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置 |
JP4458563B2 (ja) | 1998-03-31 | 2010-04-28 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP4663829B2 (ja) | 1998-03-31 | 2011-04-06 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置 |
JP4783525B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-09-28 | 株式会社アルバック | 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット |
JP2003273109A (ja) | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Advanced Display Inc | Al配線用薄膜及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 |
JP3940385B2 (ja) | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP2005303003A (ja) | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4541787B2 (ja) | 2004-07-06 | 2010-09-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス |
JP4330517B2 (ja) | 2004-11-02 | 2009-09-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP4579709B2 (ja) | 2005-02-15 | 2010-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | Al−Ni−希土類元素合金スパッタリングターゲット |
JP4117001B2 (ja) | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
JP4542008B2 (ja) | 2005-06-07 | 2010-09-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス |
US7683370B2 (en) | 2005-08-17 | 2010-03-23 | Kobe Steel, Ltd. | Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices |
US7411298B2 (en) | 2005-08-17 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices |
US7781767B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-24 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor substrate and display device |
CN101090123A (zh) * | 2006-06-16 | 2007-12-19 | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 | 具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法 |
JP2008098611A (ja) | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP4280277B2 (ja) | 2006-09-28 | 2009-06-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスの製法 |
CN101523612B (zh) | 2006-10-13 | 2011-07-06 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管基板及显示器件 |
JP4377906B2 (ja) | 2006-11-20 | 2009-12-02 | 株式会社コベルコ科研 | Al−Ni−La系Al基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法 |
JP2008127623A (ja) | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Kobelco Kaken:Kk | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP4170367B2 (ja) | 2006-11-30 | 2008-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット |
JP4355743B2 (ja) | 2006-12-04 | 2009-11-04 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金配線膜とそのCu合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用TFT素子、及びそのCu合金配線膜を作製するためのCu合金スパッタリングターゲット |
JP4705062B2 (ja) | 2007-03-01 | 2011-06-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造およびその作製方法 |
US7782413B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-08-24 | Tohoku University | Liquid crystal display device and manufacturing method therefor |
JP2009004518A (ja) | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス |
JP2009010052A (ja) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2009008770A (ja) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 積層構造およびその製造方法 |
US20090001373A1 (en) | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) | Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit |
JP5143649B2 (ja) | 2007-07-24 | 2013-02-13 | 株式会社コベルコ科研 | Al−Ni−La−Si系Al合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP4611417B2 (ja) | 2007-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法 |
US20100328247A1 (en) | 2008-02-22 | 2010-12-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Touch panel sensor |
WO2009123217A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット |
JP5432550B2 (ja) | 2008-03-31 | 2014-03-05 | 株式会社コベルコ科研 | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP5475260B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置 |
US8422207B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-04-16 | Kobe Steel, Ltd. | Al alloy film for display device, display device, and sputtering target |
TWI525773B (zh) | 2008-07-03 | 2016-03-11 | Kobe Steel Ltd | Wiring structure, thin film transistor substrate, manufacturing method thereof, and display device |
JP2010065317A (ja) | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
-
2009
- 2009-12-08 JP JP2009278377A patent/JP4567091B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-15 US US13/144,716 patent/US8482189B2/en active Active
- 2010-01-15 CN CN201080003695.9A patent/CN102265323B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-15 WO PCT/JP2010/050437 patent/WO2010082637A1/ja active Application Filing
- 2010-01-15 TW TW099101239A patent/TWI437107B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-01-15 KR KR1020117016458A patent/KR101230758B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158887A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Dept Corp | 回路基板及びその製造方法 |
JP2005166757A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 配線構造体、配線構造体の形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの形成方法、及び表示装置 |
WO2008018490A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Ulvac, Inc. | Method for forming conductive film, thin film transistor, panel with thin film transistor, and method for manufacturing thin film transistor |
WO2008081806A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Ulvac, Inc. | 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013047199A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPWO2013047199A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-03-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013119632A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Kobe Steel Ltd | タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜、及びタッチパネルセンサー、並びにスパッタリングターゲット |
KR101406581B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2014-06-11 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 터치 패널 센서용 Cu 합금 배선막 및 그 제조 방법, 및 터치 패널 센서 및 스퍼터링 타깃 |
WO2017195826A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 積層配線膜および薄膜トランジスタ素子 |
JP2017208533A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 積層配線膜および薄膜トランジスタ素子 |
CN109155243A (zh) * | 2016-05-13 | 2019-01-04 | 株式会社神户制钢所 | 层叠配线膜及薄膜晶体管元件 |
WO2018123955A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線構造及びその製造方法、スパッタリングターゲット材、並びに酸化防止方法 |
JPWO2018189965A1 (ja) * | 2017-04-13 | 2020-03-05 | 株式会社アルバック | 液晶表示装置、有機el表示装置、半導体素子、配線膜、配線基板、ターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4567091B1 (ja) | 2010-10-20 |
CN102265323B (zh) | 2014-03-12 |
KR20110105805A (ko) | 2011-09-27 |
WO2010082637A1 (ja) | 2010-07-22 |
US8482189B2 (en) | 2013-07-09 |
TW201040291A (en) | 2010-11-16 |
TWI437107B (zh) | 2014-05-11 |
KR101230758B1 (ko) | 2013-02-06 |
CN102265323A (zh) | 2011-11-30 |
US20110273075A1 (en) | 2011-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4567091B1 (ja) | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 | |
WO2012011539A1 (ja) | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 | |
JP5171990B2 (ja) | Cu合金膜および表示装置 | |
KR101320229B1 (ko) | 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치 | |
JP6068327B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
TWI496197B (zh) | Wiring structure | |
JP5620179B2 (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 | |
JP6077978B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2011091364A (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 | |
WO2008032786A1 (en) | Display device | |
TW201026862A (en) | Display device, Cu alloy film for use in the display device, and Cu alloy sputtering target | |
JP5491947B2 (ja) | 表示装置用Al合金膜 | |
JP5416470B2 (ja) | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 | |
JP2010258347A (ja) | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 | |
JP2012109465A (ja) | 表示装置用金属配線膜 | |
JP2012126981A (ja) | 配線用Cu合金及びそれを用いた接続構造 | |
JP2010165955A (ja) | Cu合金膜および表示デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4567091 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |