JP2013119632A - タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜、及びタッチパネルセンサー、並びにスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を含むCu合金で構成されており、前記合金元素を一種含む場合は、Ni:0.1〜6原子%、Zn:0.1〜6原子%、またはMn:0.1〜1.9原子%のいずれかの含有量であり、前記合金元素を二種以上含む場合は、合計量で0.1〜6原子%(ただし、Mnを含む場合は[((6−x)×2)÷6]原子%以下、式中、xはNiとZnの合計添加量)であることに要旨を有する。
【選択図】なし
Description
上記積層構造とする場合の前記第1層の膜厚は、5〜100nmであることが望ましい。
また本発明は、このような効果を有するタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜の形成に好適なスパッタリングターゲットも提供するものである。
この濃化層は、熱処理などによりCu合金中の固溶限を超える合金元素(Ni、Zn、Mn)が透明導電膜との界面に拡散濃縮して形成されると考えられる。
ここで本発明において濃化層とは、Cu合金配線膜全体の合金含有率(平均合金濃度)よりも高い合金含有率を有する濃化層領域がCu合金配線膜表面近傍(透明導電膜接触面側)に形成されていることをいい、合金元素は少なくともNi、Zn、Mnよりなる群から選択される少なくとも一種である。
まず、本発明の第一の実施形態について説明する。
本発明ではCuに密着性向上元素として所定量のNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を含有させて密着性を向上させている。
上記Cu合金配線膜における各合金元素の含有量は、例えばICP発光分析法によって求めることができる。
以下、本発明の第二の実施形態について説明する。
透明導電膜に直接接触するCu合金配線膜(第1層)は、上記本発明の第一の実施形態と同じく、密着性向上に寄与する上記元素(Ni、Zn、及びMnよりなる群から選択される少なくとも一種)を含むCu合金で構成されており、これにより、透明導電膜との密着性が向上するが、合金元素添加量が増加するにしたがって、密着性と共に電気抵抗率も高くなる。そこで、第1層よりも電気抵抗率が低い第2層を第1層に積層させることによって、Cu合金配線膜全体の電気抵抗率の低減を図ることができる(図1参照)。すなわち、Cu合金配線膜を第1層と第2層の積層構造とすることにより、電気抵抗率が低いというCu本来の特性を有効に最大限発揮させつつ、Cuの欠点であった透明導電膜との密着性をより一層向上させることができる。
ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状(角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状など)に加工したものが含まれる。
ポリエチレンテレフタレート(PET)を基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で透明導電膜(ITOまたはIZO:膜厚は約100nm)を形成した。透明導電膜の成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×10-6Torrにしてから、透明導電膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。
・Arガス流量:8sccm
・O2ガス流量:0.8sccm
・スパッタパワー:260W
・基板温度:室温
・Arガス流量:30sccm
・Arガス圧:20mTorr
・スパッタパワー:260W
・基板温度:室温
上記の様にして得られたCu合金膜を用いて、150℃30分の熱処理後に以下の条件で、濃化層の有無、密着性、電気抵抗率を調べた。
上記熱処理後に濃化層が形成されているかを確認した。詳細には、熱処理後の各試料をTEM画像と界面のEDXライン分析により、濃化層が透明導電膜とCu合金膜との界面にできているかを確認した。本実施例では、濃化層が確認できたものを○、確認できなかったものを×と判定した。
テープによる剥離試験で密着性を評価した。詳細には、Cu合金膜の表面にカッターナイフで1mm間隔のマス目を25マス作成した。なお、カッターナイフでの切り込み深さは透明導電膜に達するまでである(透明導電膜は切断していない)。次いで、このマス目上に透明粘着テープ(住友スリーエム社製Scotch(登録商標)#600)をしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°となるように保持しつつ、上記テープを一挙に引きはがして、上記テープにより剥離しなかったマス目の区画数をカウントし、全区画との比率(膜残存率)を求めた。測定は3回行い、3回の平均値を各試料の密着率とした。
上記各Cu合金膜を、フォトリソグラフィーとエッチング(混酸)によって、線幅100μm、線長4.0mmの電気抵抗評価用ラインパターンに加工した。
電気抵抗は4端子法で電気抵抗率を測定した。電気抵抗率が11μΩcm以下を○、11μΩcm超を×とした。本実施例では、○を電気抵抗率良好と判断する。
これらの結果を表1に併記する。
またNo.36、37は、合金元素を含まない純Cuの例であり、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御したにもかかわらず、濃化層が形成されておらず、密着性が悪かった。
No.38は、本発明の規定以外の合金元素を使用した例であり、濃化層が形成されて折らず、密着性が悪かった。
上記実施例1と同様にしてポリエチレンテレフタレート(PET)を基板とし、その表面に、透明導電膜(ITO:膜厚は約100nm)を形成した。透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、上記実施例1と同様にして表2に示す成分組成を有するCu合金膜(膜厚は表2参照)を形成した(第1層)。引き続き第1層表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、第1層(上記実施例1のCu合金膜)と同じスパッタリング条件で表2に示す成分組成を有する第2層(純Cu、またはCu合金:膜厚は約300nm)を成膜して第1層と第2層の積層構造を有するCu合金膜を形成した。
Claims (6)
- 透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、
前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を含むCu合金で構成されており、
前記合金元素を一種含む場合は、Ni:0.1〜6原子%、Zn:0.1〜6原子%、またはMn:0.1〜1.9原子%のいずれかの含有量であり、
前記合金元素を二種以上含む場合は、合計量で0.1〜6原子%(ただし、Mnを含む場合のMn含有量は[((6−x)×2)÷6]原子%以下;式中、xはNiとZnの合計添加量)であることを特徴とするタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。 - 透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、
前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計で0.1〜30原子%含むCu合金(第1層)と、純CuまたはCuを主成分とするCu合金であって前記第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含む積層構造を有し、
前記第1層は、前記透明導電膜と接続されていることを特徴とするタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。 - 前記第1層の膜厚は、5〜100nmである請求項2に記載のタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のCu合金配線膜を備えたタッチパネルセンサー。
- 前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されている請求項4に記載のタッチパネルセンサー。
- 請求項2または3に記載のタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素を少なくとも一種を、合計で0.1〜30原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物で構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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