JP2012126981A - 配線用Cu合金及びそれを用いた接続構造 - Google Patents
配線用Cu合金及びそれを用いた接続構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012126981A JP2012126981A JP2010281365A JP2010281365A JP2012126981A JP 2012126981 A JP2012126981 A JP 2012126981A JP 2010281365 A JP2010281365 A JP 2010281365A JP 2010281365 A JP2010281365 A JP 2010281365A JP 2012126981 A JP2012126981 A JP 2012126981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- wiring
- insulating layer
- connection structure
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、0.01at%〜0.5at%のBiと、0.05at%〜0.5at%のInと、残部がCu及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Cu合金とした。また、本発明は、絶縁層とCu合金配線とが直接接合された接続構造において、Cu合金はBi及びInを含有しており、Cu合金配線は、絶縁層との接合界面側にBi偏析層が形成されていることを特徴とするものである。
【選択図】なし
Description
以下に各特性評価の条件について説明する。
Claims (5)
- 0.01at%〜0.5at%のBiと、0.05at%〜0.5at%のInと、残部がCu及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Cu合金。
- 絶縁層とCu合金配線とが直接接合された接続構造において、
Cu合金はBi及びInを含有しており、
Cu合金配線は、絶縁層との接合界面側にBi偏析層が形成されていることを特徴とする接続構造。 - Cu合金は、0.01at%〜0.5at%のBiと、0.05at%〜0.5at%のInと、残部がCu及び不可避不純物とからなる請求項2に記載の接続構造。
- 請求項2または請求項3に記載の接続構造の形成方法であって、
Cu合金配線は、絶縁層表面にスパッタリング法で形成したCu合金薄膜をエッチングすることにより形成し、
直接接合のための熱処理を施すことなく、絶縁層とCu合金配線とが直接接合されることを特徴とする接続構造の形成方法。 - 0.01at%〜0.5at%のBiと、0.05at%〜0.5at%のInと、残部がCu及び不可避不純物とから構成される配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010281365A JP5464667B2 (ja) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 配線用Cu合金を用いた接続構造及び配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010281365A JP5464667B2 (ja) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 配線用Cu合金を用いた接続構造及び配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012126981A true JP2012126981A (ja) | 2012-07-05 |
JP5464667B2 JP5464667B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=46644338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010281365A Expired - Fee Related JP5464667B2 (ja) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 配線用Cu合金を用いた接続構造及び配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5464667B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5876609B1 (ja) * | 2015-08-05 | 2016-03-02 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 導電フィラー用粉末 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186273A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006093629A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kobe Steel Ltd | 半導体配線用Cu合金、Cu合金配線の製法、該製法で得られたCu合金配線を有する半導体装置、並びに半導体のCu合金配線形成用スパッタリングターゲット |
JP2007072428A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Tohoku Univ | 平面電子表示装置及びその製造方法 |
JP2010196105A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
-
2010
- 2010-12-17 JP JP2010281365A patent/JP5464667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186273A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006093629A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kobe Steel Ltd | 半導体配線用Cu合金、Cu合金配線の製法、該製法で得られたCu合金配線を有する半導体装置、並びに半導体のCu合金配線形成用スパッタリングターゲット |
JP2007072428A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Tohoku Univ | 平面電子表示装置及びその製造方法 |
JP2010196105A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5876609B1 (ja) * | 2015-08-05 | 2016-03-02 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 導電フィラー用粉末 |
WO2017022578A1 (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 導電フィラー用粉末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5464667B2 (ja) | 2014-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4567091B1 (ja) | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 | |
WO2011013683A1 (ja) | 配線構造および配線構造を備えた表示装置 | |
TWI248978B (en) | Ag-based interconnecting film for flat panel display, Ag-base sputtering target and flat panel display | |
KR101358529B1 (ko) | 전자부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타겟재 | |
WO2006117954A1 (ja) | Al-Ni-B合金配線材料及びそれを用いた素子構造 | |
JP2011091364A (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 | |
JP2010502841A (ja) | 非常に小さな結晶粒径と高エレクトロマイグレーション抵抗とを有する銅スパッタリングターゲットおよびそれを製造する方法 | |
US8658009B2 (en) | Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and Cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer | |
JP3979605B2 (ja) | Al−Ni−B合金配線材料及びそれを用いた素子構造 | |
JP4655281B2 (ja) | 薄膜配線層 | |
JP2009070881A (ja) | 薄膜トランジスター | |
JP5491947B2 (ja) | 表示装置用Al合金膜 | |
JP2008124450A (ja) | ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ付パネルの製造方法 | |
TWI247812B (en) | Aluminum alloy film for wiring and sputter target material for forming the film | |
JP5464667B2 (ja) | 配線用Cu合金を用いた接続構造及び配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット | |
JP5416470B2 (ja) | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 | |
WO2008050710A1 (en) | Al-BASE ALLOY WIRING MATERIAL AND ELEMENT STRUCTURE USING THE SAME | |
JP5420964B2 (ja) | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 | |
KR101350648B1 (ko) | 전자부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타겟재 | |
JP2008112989A (ja) | ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP4264397B2 (ja) | フラットパネルディスプレイ用Ag基合金配線電極膜およびAg基合金スパッタリングターゲット、並びにフラットパネルディスプレイ | |
JP2015178239A (ja) | 積層膜 | |
JP2013168582A (ja) | 薄膜配線形成方法および薄膜配線 | |
JP2010185139A (ja) | Cu合金膜および表示デバイス | |
TW202206625A (zh) | 金屬配線構造體、金屬配線構造體的製造方法以及濺鍍靶 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130719 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20131022 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20131113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5464667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |