JP5464667B2 - 配線用Cu合金を用いた接続構造及び配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット - Google Patents
配線用Cu合金を用いた接続構造及び配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット Download PDFInfo
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以下に各特性評価の条件について説明する。
Claims (4)
- 絶縁層とCu合金配線とが直接接合された接続構造において、
Cu合金はBi及びInを含有しており、
Cu合金配線は、絶縁層との接合界面側にBi偏析層が形成されていることを特徴とする接続構造。 - Cu合金は、0.01at%〜0.5at%のBiと、0.05at%〜0.5at%のInと、残部がCu及び不可避不純物とからなる請求項1に記載の接続構造。
- 請求項1または請求項2に記載の接続構造の形成方法であって、
Cu合金配線は、絶縁層表面にスパッタリング法で形成したCu合金薄膜をエッチングすることにより形成し、
直接接合のための熱処理を施すことなく、絶縁層とCu合金配線とが直接接合されることを特徴とする接続構造の形成方法。 - 0.01at%〜0.5at%のBiと、0.05at%〜0.5at%のInと、残部がCu及び不可避不純物とから構成される配線用Cu合金からなるスパッタリングターゲット。
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