JP2009537439A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、例えば、以下を提供する:
(項目1)
ナノ構造を成長させる方法であって、
触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、
該表面上に触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に、該成長基板の第1の部分を曝すことと、
該一組の条件に該成長基板の第1の部分を曝している間に、該成長基板の表面の第2の部分から該ナノ構造を除去することと、
該成長基板によって、該曝す動作と除去する動作とを、少なくとも1回繰り返すことと
を含む、方法。
(項目2)
上記ナノ構造はナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、項目1に記載の方法。
(項目3)
上記ナノ構造は、ナノチューブである、項目1に記載の方法。
(項目4)
上記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記除去する動作は、上記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
上記除去する動作は、上記成長基板の表面から受容基板の表面まで、上記ナノ構造を移行させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目7)
上記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、上記ナノ構造および/または上記成長基板の表面への適用を含む、項目1に記載の方法。
(項目8)
上記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
上記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
上記成長基板は円筒形の基板である、項目1に記載の方法。
(項目11)
上記成長基板は少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、項目1に記載の方法。
(項目12)
上記成長基板はアルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、項目1に記載の方法。
(項目13)
上記成長基板はAl 2 O 3 、SiO 2 または炭素を含む、項目1に記載の方法。
(項目14)
上記受容基板はポリマー材料、金属、あるいはAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
上記成長基板は多孔性である、項目1に記載の方法。
(項目16)
上記受容基板はAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目1に記載の方法。
(項目17)
上記受容基板は繊維性のウィーブである、項目1に記載の方法。
(項目18)
上記曝す動作は円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、項目1に記載の方法。
(項目19)
上記曝す動作は上記多孔性成長基板を介してナノ構造前駆体材料を流すことを含む、項目1に記載の方法。
(項目20)
上記ナノ構造前駆体は炭化水素を含む、項目19に記載の方法。
(項目21)
上記曝す動作は上記多孔性基板を介して化学種を流して、上記触媒材料を処置することを含む、項目1に記載の方法。
(項目22)
上記化学種は上記ナノ構造の成長前に上記触媒材料を活性化させる、項目21に記載の方法。
(項目23)
上記化学種は上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を再活性化させる、項目21に記載の方法。
(項目24)
上記化学種は上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を減らすか、または酸化させる、項目21に記載の方法。
(項目25)
上記ナノ構造前駆体はC 2 H 4 、CH 4 、H 2 、O 2 、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、項目19に記載の方法。
(項目26)
上記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目27)
上記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目28)
上記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目29)
上記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目30)
上記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、項目1に記載の方法。
(項目31)
上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目1に記載の方法。
(項目32)
上記成長基板は、Al 2 O 3 またはSiO 2 を含み、上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目31に記載の方法。
(項目33)
上記成長基板はAl 2 O 3 を含み、上記触媒材料は鉄を含む、項目31に記載の方法。
(項目34)
第1の触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、
該成長基板の表面の第2の部分から上記ナノ構造を除去した後、該第1の触媒材料を第2の触媒材料と置き換えることと
を含む、項目1に記載の方法。
(項目35)
上記除去する動作は機械的なツール、化学的試薬、または熱の上記第1の触媒材料への適用を含む、項目34に記載の方法。
(項目36)
上記置き換える動作は上記成長基板上に上記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、項目34に記載の方法。
(項目37)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を、上記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、項目34に記載の方法。
(項目38)
上記置き換える動作は上記成長基板の表面上で上記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、項目34に記載の方法。
(項目39)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を上記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、項目34に記載の方法。
(項目40)
上記ナノ構造はカーボンナノ構造である、項目1に記載の方法。
(項目41)
上記ナノ構造は上記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、項目1に記載の方法。
(項目42)
上記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を上記ナノ構造に追加することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目43)
上記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、項目42に記載の方法。
(項目44)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目45)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目46)
上記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、項目1に記載の方法。
(項目47)
上記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、項目46に記載の方法。
(項目48)
上記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、項目1に記載の方法。
(項目49)
ナノ構造を成長させる方法であって、
成長基板に第1の触媒材料を含む表面を提供することと、
該成長基板の第1の部分を、該表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される第1の組の条件に曝すことと、
該成長基板の第1の部分を該第1の組の条件に曝す間に、該第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される第2の組の条件に、該成長基板の第2の部分を処置することと
を含む、方法。
(項目50)
上記ナノ構造は、ナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、項目49に記載の方法。
(項目51)
上記ナノ構造は、ナノチューブである、項目49に記載の方法。
(項目52)
上記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、項目49に記載の方法。
(項目53)
上記ナノ構造を上記成長基板の表面の一部から除去することをさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目54)
上記除去する動作は、上記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、項目53に記載の方法。
(項目55)
上記除去する動作は、上記成長基板の表面から受容基板の表面まで、上記ナノ構造を移行させることを含む、項目53に記載の方法。
(項目56)
上記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、上記ナノ構造および/または上記成長基板の表面への適用を含む、項目53に記載の方法。
(項目57)
上記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、項目49に記載の方法。
(項目58)
上記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、項目49に記載の方法。
(項目59)
上記成長基板は円筒形の基板である、項目49に記載の方法。
(項目60)
上記成長基板は、少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、項目49に記載の方法。
(項目61)
上記成長基板は、アルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、項目49に記載の方法。
(項目62)
上記成長基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、または炭素を含む繊維である、項目49に記載の方法。
(項目63)
上記受容基板は、ポリマー材料、金属、あるいはAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目49に記載の方法。
(項目64)
上記成長基板は多孔性である、項目49に記載の方法。
(項目65)
上記受容基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目54に記載の方法。
(項目66)
上記受容基板は、繊維のウィーブである、項目65に記載の方法。
(項目67)
上記曝す動作は、円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、項目49に記載の方法。
(項目68)
上記曝す動作は、ナノ構造前駆体材料を上記多孔性の成長基板を介して流すことを含む、項目49に記載の方法。
(項目69)
上記ナノ構造前駆体材料は、炭化水素を含む、項目68に記載の方法。
(項目70)
上記曝す動作は、上記多孔性の成長基板を介して化学種を流して、上記触媒材料を処置することを含む、項目49に記載の方法。
(項目71)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長前に上記触媒材料を活性化する、項目70に記載の方法。
(項目72)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を再活性化する、項目70に記載の方法。
(項目73)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を減らすか、または酸化させる、項目70に記載の方法。
(項目74)
上記ナノ構造前駆体材料はC 2 H 4 、CH 4 、H 2 、O 2 、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、項目68に記載の方法。
(項目75)
上記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目76)
上記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目77)
上記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目78)
上記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目79)
上記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、項目49に記載の方法。
(項目80)
上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目49に記載の方法。
(項目81)
上記成長基板は、Al 2 O 3 またはSiO 2 を含み、上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目80に記載の方法。
(項目82)
上記成長基板はAl 2 O 3 を含み、上記触媒材料は鉄を含む、項目80に記載の方法。
(項目83)
上記置き換える動作は上記成長基板上に上記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、項目49に記載の方法。
(項目84)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を、上記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、項目49に記載の方法。
(項目85)
上記置き換える動作は上記成長基板の表面上で上記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、項目49に記載の方法。
(項目86)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を上記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、項目49に記載の方法。
(項目87)
上記ナノ構造は上記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、項目49に記載の方法。
(項目88)
上記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を上記ナノ構造に追加することをさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目89)
上記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、項目88に記載の方法。
(項目90)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目91)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目92)
上記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、項目49に記載の方法。
(項目93)
上記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、項目92に記載の方法。
(項目94)
上記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、項目49に記載の方法。
(項目95)
ナノ構造を成長させる方法であって、
成長基板に第1の触媒材料を含む表面を提供することと、
該成長基板を、該表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される第1の組の条件に曝すことと、
該成長基板の表面からナノ構造を除去することと、
該第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される第2の組の条件に、該成長基板の第2の部分を処置することと
を含む、方法。
(項目96)
上記ナノ構造は、ナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、項目95に記載の方法。
(項目97)
上記ナノ構造は、ナノチューブである、項目95に記載の方法。
(項目98)
上記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、項目95に記載の方法。
(項目99)
上記除去する動作は、上記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、項目95に記載の方法。
(項目100)
上記除去する動作は、上記成長基板の表面から受容基板の表面まで、上記ナノ構造を移行させることを含む、項目95に記載の方法。
(項目101)
上記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、上記ナノ構造および/または上記成長基板の表面への適用を含む、項目95に記載の方法。
(項目102)
上記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、項目95に記載の方法。
(項目103)
上記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、項目95に記載の方法。
(項目104)
上記成長基板は円筒形の基板である、項目95に記載の方法。
(項目105)
上記成長基板は、少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、項目95に記載の方法。
(項目106)
上記成長基板は、アルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、項目95に記載の方法。
(項目107)
上記成長基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、または炭素を含む繊維である、項目95に記載の方法。
(項目108)
上記受容基板は、ポリマー材料、金属、あるいはAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目95に記載の方法。
(項目109)
上記成長基板は多孔性である、項目95に記載の方法。
(項目110)
上記受容基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目99に記載の方法。
(項目111)
上記受容基板は、繊維のウィーブである、項目110に記載の方法。
(項目112)
上記曝す動作は、円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、項目95に記載の方法。
(項目113)
上記曝す動作は、ナノ構造前駆体材料を上記多孔性の成長基板を介して流すことを含む、項目95に記載の方法。
(項目114)
上記ナノ構造前駆体材料は、炭化水素を含む、項目113に記載の方法。
(項目115)
上記曝す動作は、上記多孔性の成長基板を介して化学種を流して、上記触媒材料を処置することを含む、項目95に記載の方法。
(項目116)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長前に上記触媒材料を活性化する、項目115に記載の方法。
(項目117)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を再活性化する、項目115に記載の方法。
(項目118)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を減らすか、または酸化させる、項目115に記載の方法。
(項目119)
上記ナノ構造前駆体材料はC 2 H 4 、CH 4 、H 2 、O 2 、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、項目113に記載の方法。
(項目120)
上記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目121)
上記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目122)
上記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目123)
上記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目124)
上記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、項目95に記載の方法。
(項目125)
上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目95に記載の方法。
(項目126)
上記成長基板は、Al 2 O 3 またはSiO 2 を含み、上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目125に記載の方法。
(項目127)
上記成長基板はAl 2 O 3 を含み、上記触媒材料は鉄を含む、項目125に記載の方法。
(項目128)
上記置き換える動作は上記成長基板上に上記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、項目95に記載の方法。
(項目129)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を、上記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、項目95に記載の方法。
(項目130)
上記置き換える動作は上記成長基板の表面上で上記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、項目95に記載の方法。
(項目131)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を上記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、項目95に記載の方法。
(項目132)
上記ナノ構造は上記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、項目95に記載の方法。
(項目133)
上記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を上記ナノ構造に追加することをさらに含む、項目95に記載の方法。
(項目134)
上記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、項目133に記載の方法。
(項目135)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、項目95に記載の方法。
(項目136)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、項目95に記載の方法。
(項目137)
上記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、項目95に記載の方法。
(項目138)
上記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、項目137に記載の方法。
(項目139)
上記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、項目95に記載の方法。
(項目140)
ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板であって、該成長基板は触媒材料を含む、成長基板と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面上でナノ構造の触媒による形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含む、システム。
(項目141)
上記成長基板の表面を、上記触媒材料を再活性化するか、または該触媒材料を異なる触媒材料と置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域をさらに含む、項目140に記載のシステム。
(項目142)
上記成長基板は、回転可能な円筒形基板である、項目140に記載のシステム。
(項目143)
上記成長基板は、中空である、項目142に記載のシステム。
(項目144)
上記成長基板は、多孔性である、項目142に記載のシステム。
(項目145)
少なくとも1つ以上の支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、項目140に記載のシステム。
(項目146)
上記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、項目140に記載のシステム。
(項目147)
ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含み、
該成長基板は回転可能で、中空で、円筒形の基板であり、該ナノ構造は該成長基板の表面上に直接的に形成される、システム。
(項目148)
上記成長基板は多孔性である、項目147に記載のシステム。
(項目149)
少なくとも1つの支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、項目147に記載のシステム。
(項目150)
上記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、項目147に記載のシステム。
(項目151)
ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板であって、該表面は位相的に連続する表面である、成長基板と、
該成長基板の表面の第1の部分を、該成長基板の表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面の第2の部分を、触媒材料を該成長基板の表面から実質的に除去することなしに、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面の第3の部分を、該成長基板の表面上で触媒材料を化学的に処置するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含み、
動作中、少なくとも2つの領域が同時に動作される、システム。
(項目152)
上記成長基板の表面の第4の部分を、上記触媒材料を再活性化するか、または該触媒材料を異なる触媒材料と置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域をさらに含む、項目151に記載のシステム。
(項目153)
上記成長基板は回転可能な円筒形の基板である、項目151に記載のシステム。
(項目154)
上記成長基板は中空である、項目153に記載のシステム。
(項目155)
上記成長基板は多孔性である、項目153に記載のシステム。
(項目156)
少なくとも1つの支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、項目151に記載のシステム。
(項目157)
上記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、項目151に記載のシステム。
(発明の概要)
本発明は、複合体(composite article)を形成する方法を提供し、該方法は、それぞれ接合表面を有する、第1および第2基板を提供するステップと、一組の実質的に整列したナノ構造が、接合表面の少なくとも10%の表面上または表面内に均一に分散するように、第1および第2基板の少なくとも1つの接合表面上または表面内にナノ構造を配列するステップと、基板の界面を形成するために、それぞれの接合表面を介して第1および第2基板を互いに結合させるステップであって、界面は、一組の実質的に整列したナノ構造を含むステップと、を含む方法を提供する。
(項目1)
ナノ構造を成長させる方法であって、
触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、
該表面上に触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に、該成長基板の第1の部分を曝すことと、
該一組の条件に該成長基板の第1の部分を曝している間に、該成長基板の表面の第2の部分から該ナノ構造を除去することと、
該成長基板によって、該曝す動作と除去する動作とを、少なくとも1回繰り返すことと
を含む、方法。
(項目2)
上記ナノ構造はナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、項目1に記載の方法。
(項目3)
上記ナノ構造は、ナノチューブである、項目1に記載の方法。
(項目4)
上記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記除去する動作は、上記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
上記除去する動作は、上記成長基板の表面から受容基板の表面まで、上記ナノ構造を移行させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目7)
上記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、上記ナノ構造および/または上記成長基板の表面への適用を含む、項目1に記載の方法。
(項目8)
上記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
上記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
上記成長基板は円筒形の基板である、項目1に記載の方法。
(項目11)
上記成長基板は少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、項目1に記載の方法。
(項目12)
上記成長基板はアルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、項目1に記載の方法。
(項目13)
上記成長基板はAl 2 O 3 、SiO 2 または炭素を含む、項目1に記載の方法。
(項目14)
上記受容基板はポリマー材料、金属、あるいはAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
上記成長基板は多孔性である、項目1に記載の方法。
(項目16)
上記受容基板はAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目1に記載の方法。
(項目17)
上記受容基板は繊維性のウィーブである、項目1に記載の方法。
(項目18)
上記曝す動作は円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、項目1に記載の方法。
(項目19)
上記曝す動作は上記多孔性成長基板を介してナノ構造前駆体材料を流すことを含む、項目1に記載の方法。
(項目20)
上記ナノ構造前駆体は炭化水素を含む、項目19に記載の方法。
(項目21)
上記曝す動作は上記多孔性基板を介して化学種を流して、上記触媒材料を処置することを含む、項目1に記載の方法。
(項目22)
上記化学種は上記ナノ構造の成長前に上記触媒材料を活性化させる、項目21に記載の方法。
(項目23)
上記化学種は上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を再活性化させる、項目21に記載の方法。
(項目24)
上記化学種は上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を減らすか、または酸化させる、項目21に記載の方法。
(項目25)
上記ナノ構造前駆体はC 2 H 4 、CH 4 、H 2 、O 2 、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、項目19に記載の方法。
(項目26)
上記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目27)
上記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目28)
上記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目29)
上記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、項目1に記載の方法。
(項目30)
上記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、項目1に記載の方法。
(項目31)
上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目1に記載の方法。
(項目32)
上記成長基板は、Al 2 O 3 またはSiO 2 を含み、上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目31に記載の方法。
(項目33)
上記成長基板はAl 2 O 3 を含み、上記触媒材料は鉄を含む、項目31に記載の方法。
(項目34)
第1の触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、
該成長基板の表面の第2の部分から上記ナノ構造を除去した後、該第1の触媒材料を第2の触媒材料と置き換えることと
を含む、項目1に記載の方法。
(項目35)
上記除去する動作は機械的なツール、化学的試薬、または熱の上記第1の触媒材料への適用を含む、項目34に記載の方法。
(項目36)
上記置き換える動作は上記成長基板上に上記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、項目34に記載の方法。
(項目37)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を、上記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、項目34に記載の方法。
(項目38)
上記置き換える動作は上記成長基板の表面上で上記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、項目34に記載の方法。
(項目39)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を上記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、項目34に記載の方法。
(項目40)
上記ナノ構造はカーボンナノ構造である、項目1に記載の方法。
(項目41)
上記ナノ構造は上記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、項目1に記載の方法。
(項目42)
上記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を上記ナノ構造に追加することをさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目43)
上記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、項目42に記載の方法。
(項目44)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目45)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目46)
上記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、項目1に記載の方法。
(項目47)
上記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、項目46に記載の方法。
(項目48)
上記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、項目1に記載の方法。
(項目49)
ナノ構造を成長させる方法であって、
成長基板に第1の触媒材料を含む表面を提供することと、
該成長基板の第1の部分を、該表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される第1の組の条件に曝すことと、
該成長基板の第1の部分を該第1の組の条件に曝す間に、該第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される第2の組の条件に、該成長基板の第2の部分を処置することと
を含む、方法。
(項目50)
上記ナノ構造は、ナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、項目49に記載の方法。
(項目51)
上記ナノ構造は、ナノチューブである、項目49に記載の方法。
(項目52)
上記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、項目49に記載の方法。
(項目53)
上記ナノ構造を上記成長基板の表面の一部から除去することをさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目54)
上記除去する動作は、上記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、項目53に記載の方法。
(項目55)
上記除去する動作は、上記成長基板の表面から受容基板の表面まで、上記ナノ構造を移行させることを含む、項目53に記載の方法。
(項目56)
上記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、上記ナノ構造および/または上記成長基板の表面への適用を含む、項目53に記載の方法。
(項目57)
上記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、項目49に記載の方法。
(項目58)
上記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、項目49に記載の方法。
(項目59)
上記成長基板は円筒形の基板である、項目49に記載の方法。
(項目60)
上記成長基板は、少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、項目49に記載の方法。
(項目61)
上記成長基板は、アルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、項目49に記載の方法。
(項目62)
上記成長基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、または炭素を含む繊維である、項目49に記載の方法。
(項目63)
上記受容基板は、ポリマー材料、金属、あるいはAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目49に記載の方法。
(項目64)
上記成長基板は多孔性である、項目49に記載の方法。
(項目65)
上記受容基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目54に記載の方法。
(項目66)
上記受容基板は、繊維のウィーブである、項目65に記載の方法。
(項目67)
上記曝す動作は、円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、項目49に記載の方法。
(項目68)
上記曝す動作は、ナノ構造前駆体材料を上記多孔性の成長基板を介して流すことを含む、項目49に記載の方法。
(項目69)
上記ナノ構造前駆体材料は、炭化水素を含む、項目68に記載の方法。
(項目70)
上記曝す動作は、上記多孔性の成長基板を介して化学種を流して、上記触媒材料を処置することを含む、項目49に記載の方法。
(項目71)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長前に上記触媒材料を活性化する、項目70に記載の方法。
(項目72)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を再活性化する、項目70に記載の方法。
(項目73)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を減らすか、または酸化させる、項目70に記載の方法。
(項目74)
上記ナノ構造前駆体材料はC 2 H 4 、CH 4 、H 2 、O 2 、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、項目68に記載の方法。
(項目75)
上記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目76)
上記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目77)
上記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目78)
上記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、項目49に記載の方法。
(項目79)
上記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、項目49に記載の方法。
(項目80)
上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目49に記載の方法。
(項目81)
上記成長基板は、Al 2 O 3 またはSiO 2 を含み、上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目80に記載の方法。
(項目82)
上記成長基板はAl 2 O 3 を含み、上記触媒材料は鉄を含む、項目80に記載の方法。
(項目83)
上記置き換える動作は上記成長基板上に上記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、項目49に記載の方法。
(項目84)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を、上記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、項目49に記載の方法。
(項目85)
上記置き換える動作は上記成長基板の表面上で上記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、項目49に記載の方法。
(項目86)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を上記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、項目49に記載の方法。
(項目87)
上記ナノ構造は上記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、項目49に記載の方法。
(項目88)
上記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を上記ナノ構造に追加することをさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目89)
上記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、項目88に記載の方法。
(項目90)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目91)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、項目49に記載の方法。
(項目92)
上記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、項目49に記載の方法。
(項目93)
上記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、項目92に記載の方法。
(項目94)
上記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、項目49に記載の方法。
(項目95)
ナノ構造を成長させる方法であって、
成長基板に第1の触媒材料を含む表面を提供することと、
該成長基板を、該表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される第1の組の条件に曝すことと、
該成長基板の表面からナノ構造を除去することと、
該第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される第2の組の条件に、該成長基板の第2の部分を処置することと
を含む、方法。
(項目96)
上記ナノ構造は、ナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、項目95に記載の方法。
(項目97)
上記ナノ構造は、ナノチューブである、項目95に記載の方法。
(項目98)
上記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、項目95に記載の方法。
(項目99)
上記除去する動作は、上記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、項目95に記載の方法。
(項目100)
上記除去する動作は、上記成長基板の表面から受容基板の表面まで、上記ナノ構造を移行させることを含む、項目95に記載の方法。
(項目101)
上記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、上記ナノ構造および/または上記成長基板の表面への適用を含む、項目95に記載の方法。
(項目102)
上記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、項目95に記載の方法。
(項目103)
上記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、項目95に記載の方法。
(項目104)
上記成長基板は円筒形の基板である、項目95に記載の方法。
(項目105)
上記成長基板は、少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、項目95に記載の方法。
(項目106)
上記成長基板は、アルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、項目95に記載の方法。
(項目107)
上記成長基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、または炭素を含む繊維である、項目95に記載の方法。
(項目108)
上記受容基板は、ポリマー材料、金属、あるいはAl 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目95に記載の方法。
(項目109)
上記成長基板は多孔性である、項目95に記載の方法。
(項目110)
上記受容基板は、Al 2 O 3 、SiO 2 、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、項目99に記載の方法。
(項目111)
上記受容基板は、繊維のウィーブである、項目110に記載の方法。
(項目112)
上記曝す動作は、円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、項目95に記載の方法。
(項目113)
上記曝す動作は、ナノ構造前駆体材料を上記多孔性の成長基板を介して流すことを含む、項目95に記載の方法。
(項目114)
上記ナノ構造前駆体材料は、炭化水素を含む、項目113に記載の方法。
(項目115)
上記曝す動作は、上記多孔性の成長基板を介して化学種を流して、上記触媒材料を処置することを含む、項目95に記載の方法。
(項目116)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長前に上記触媒材料を活性化する、項目115に記載の方法。
(項目117)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を再活性化する、項目115に記載の方法。
(項目118)
上記化学種は、上記ナノ構造の成長後に上記触媒材料を減らすか、または酸化させる、項目115に記載の方法。
(項目119)
上記ナノ構造前駆体材料はC 2 H 4 、CH 4 、H 2 、O 2 、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、項目113に記載の方法。
(項目120)
上記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目121)
上記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目122)
上記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目123)
上記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、項目95に記載の方法。
(項目124)
上記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、項目95に記載の方法。
(項目125)
上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目95に記載の方法。
(項目126)
上記成長基板は、Al 2 O 3 またはSiO 2 を含み、上記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、項目125に記載の方法。
(項目127)
上記成長基板はAl 2 O 3 を含み、上記触媒材料は鉄を含む、項目125に記載の方法。
(項目128)
上記置き換える動作は上記成長基板上に上記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、項目95に記載の方法。
(項目129)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を、上記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、項目95に記載の方法。
(項目130)
上記置き換える動作は上記成長基板の表面上で上記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、項目95に記載の方法。
(項目131)
上記置き換える動作は上記成長基板の一部を上記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、項目95に記載の方法。
(項目132)
上記ナノ構造は上記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、項目95に記載の方法。
(項目133)
上記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を上記ナノ構造に追加することをさらに含む、項目95に記載の方法。
(項目134)
上記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、項目133に記載の方法。
(項目135)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、項目95に記載の方法。
(項目136)
上記除去する動作の前に、上記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、項目95に記載の方法。
(項目137)
上記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、項目95に記載の方法。
(項目138)
上記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、項目137に記載の方法。
(項目139)
上記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、項目95に記載の方法。
(項目140)
ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板であって、該成長基板は触媒材料を含む、成長基板と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面上でナノ構造の触媒による形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含む、システム。
(項目141)
上記成長基板の表面を、上記触媒材料を再活性化するか、または該触媒材料を異なる触媒材料と置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域をさらに含む、項目140に記載のシステム。
(項目142)
上記成長基板は、回転可能な円筒形基板である、項目140に記載のシステム。
(項目143)
上記成長基板は、中空である、項目142に記載のシステム。
(項目144)
上記成長基板は、多孔性である、項目142に記載のシステム。
(項目145)
少なくとも1つ以上の支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、項目140に記載のシステム。
(項目146)
上記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、項目140に記載のシステム。
(項目147)
ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含み、
該成長基板は回転可能で、中空で、円筒形の基板であり、該ナノ構造は該成長基板の表面上に直接的に形成される、システム。
(項目148)
上記成長基板は多孔性である、項目147に記載のシステム。
(項目149)
少なくとも1つの支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、項目147に記載のシステム。
(項目150)
上記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、項目147に記載のシステム。
(項目151)
ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板であって、該表面は位相的に連続する表面である、成長基板と、
該成長基板の表面の第1の部分を、該成長基板の表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面の第2の部分を、触媒材料を該成長基板の表面から実質的に除去することなしに、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面の第3の部分を、該成長基板の表面上で触媒材料を化学的に処置するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含み、
動作中、少なくとも2つの領域が同時に動作される、システム。
(項目152)
上記成長基板の表面の第4の部分を、上記触媒材料を再活性化するか、または該触媒材料を異なる触媒材料と置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域をさらに含む、項目151に記載のシステム。
(項目153)
上記成長基板は回転可能な円筒形の基板である、項目151に記載のシステム。
(項目154)
上記成長基板は中空である、項目153に記載のシステム。
(項目155)
上記成長基板は多孔性である、項目153に記載のシステム。
(項目156)
少なくとも1つの支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、項目151に記載のシステム。
(項目157)
上記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、項目151に記載のシステム。
(発明の概要)
本発明は、複合体(composite article)を形成する方法を提供し、該方法は、それぞれ接合表面を有する、第1および第2基板を提供するステップと、一組の実質的に整列したナノ構造が、接合表面の少なくとも10%の表面上または表面内に均一に分散するように、第1および第2基板の少なくとも1つの接合表面上または表面内にナノ構造を配列するステップと、基板の界面を形成するために、それぞれの接合表面を介して第1および第2基板を互いに結合させるステップであって、界面は、一組の実質的に整列したナノ構造を含むステップと、を含む方法を提供する。
Claims (60)
- ナノ構造を成長させる方法であって、
触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、
該表面上に触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に、該成長基板の第1の部分を曝すことと、
該一組の条件に該成長基板の第1の部分を曝している間に、該成長基板の表面の第2の部分から該ナノ構造を除去することと、
該成長基板によって、該曝す動作と除去する動作とを、少なくとも1回繰り返すことと
を含む、方法。 - 第1の触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、
該成長基板の表面の第2の部分から前記ナノ構造を除去した後、該第1の触媒材料を第2の触媒材料と置き換えることと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記除去する動作は機械的なツール、化学的試薬、または熱の前記第1の触媒材料への適用を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記ナノ構造はカーボンナノ構造である、請求項1に記載の方法。
- ナノ構造を成長させる方法であって、
成長基板に第1の触媒材料を含む表面を提供することと、
該成長基板の第1の部分を、該表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される第1の組の条件に曝すことと、
該成長基板の第1の部分を該第1の組の条件に曝す間に、該第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される第2の組の条件に、該成長基板の第2の部分を処置することと
を含む、方法。 - 前記ナノ構造を前記成長基板の表面の一部から除去することをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- ナノ構造を成長させる方法であって、
成長基板に第1の触媒材料を含む表面を提供することと、
該成長基板を、該表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される第1の組の条件に曝すことと、
該成長基板の表面からナノ構造を除去することと、
該第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される第2の組の条件に、該成長基板の第2の部分を処置することと
を含む、方法。 - 前記ナノ構造は、ナノチューブ、ナノ繊維またはナノワイヤである、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記ナノ構造は、カーボンナノチューブである、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記除去する動作は、前記ナノ構造を受容基板に取り付けることなしに、該ナノ構造を除去することを含む、請求項1、6または7に記載の方法。
- 前記除去する動作は、前記成長基板の表面から受容基板の表面まで、前記ナノ構造を移行させることを含む、請求項1、6または7に記載の方法。
- 前記除去する動作は、機械的なツール、機械的な振動、化学的試薬または熱の、前記ナノ構造および/または前記成長基板の表面への適用を含む、請求項1、6または7に記載の方法。
- 前記成長基板は実質的に平坦な表面を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板は実質的に平坦でない表面を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板は円筒形の基板である、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板は、少なくとも1つの連続的に回転するコンポーネント上に配置される柔軟なベルトである、請求項1、6または7に記載の方法。
- 前記成長基板は、アルミナ、シリコン、炭素、セラミックまたは金属を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板は、Al2O3、SiO2、または炭素を含む繊維である、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記受容基板は、ポリマー材料、金属、あるいはAl2O3、SiO2、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板は多孔性である、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記受容基板は、Al2O3、SiO2、炭素またはポリマー材料を含む繊維を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記受容基板は、繊維のウィーブである、請求項21に記載の方法。
- 前記曝す動作は、円筒形の成長基板の連続的な回転を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記曝す動作は、ナノ構造前駆体材料を前記多孔性の成長基板を介して流すことを含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記ナノ構造前駆体材料は、炭化水素を含む、請求項24に記載の方法。
- 前記曝す動作は、前記多孔性の成長基板を介して化学種を流して、前記触媒材料を処置することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記化学種は、前記ナノ構造の成長前に前記触媒材料を活性化する、請求項26に記載の方法。
- 前記化学種は、前記ナノ構造の成長後に前記触媒材料を再活性化する、請求項26に記載の方法。
- 前記化学種は、前記ナノ構造の成長後に前記触媒材料を減らすか、または酸化させる、請求項26に記載の方法。
- 前記ナノ構造前駆体材料はC2H4、CH4、H2、O2、ヘリウム、アルゴンまたはこれらの組み合わせを含む、請求項24に記載の方法。
- 前記一組の条件は外部エネルギーの供給源への曝露を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記一組の条件は熱放射または電磁放射への曝露を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記一組の条件は抵抗性加熱への曝露、レーザへの曝露、または赤外光への曝露を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記一組の条件は500〜1300℃への曝露を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記触媒材料は金属または金属酸化物を含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板は、Al2O3またはSiO2を含み、前記触媒材料は鉄、コバルトまたはニッケルを含む、請求項36に記載の方法。
- 前記成長基板はAl2O3を含み、前記触媒材料は鉄を含む、請求項36に記載の方法。
- 前記置き換える動作は前記成長基板上に前記第2の触媒材料を接触印刷することを含む、請求項2、5または7に記載の方法。
- 前記置き換える動作は前記成長基板の一部を、前記第2の触媒材料を含む溶液、またはその前駆体に接触させることを含む、請求項2、5または7に記載の方法。
- 前記置き換える動作は前記成長基板の表面上で前記第2の触媒材料を蒸発させることまたはスパッタリングすることを含む、請求項2、5または7に記載の方法。
- 前記置き換える動作は前記成長基板の一部を前記第2の触媒材料を含む膜またはテープと接触させることを含む、請求項2、5または7に記載の方法。
- 前記ナノ構造は前記表面上または該表面内に配置され、その結果該ナノ構造の長軸が実質的に整列され、かつ該表面に平行でない、請求項2、5または7に記載の方法。
- 前記除去する動作の前に、1つ以上の支持材料を前記ナノ構造に追加することをさらに含む、請求項2、5または7に記載の方法。
- 前記支持材料はモノマー、ポリマー、繊維または金属である、請求項44に記載の方法。
- 前記除去する動作の前に、前記ナノ構造をアニーリングする動作をさらに含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記除去する動作の前に、前記ナノ構造を濃縮化する動作をさらに含む、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記成長基板の第1の部分が第1の組の条件下で維持され、同時に該成長基板の第2の部分が該第1の組の条件とは異なる第2の組の条件下で維持される、請求項1、5または7に記載の方法。
- 前記第1および/または第2の組の条件は、温度および気圧を含む、請求項48に記載の方法。
- 前記成長基板の1つ以上の部分は、該基板の動作を可能にする電極との接触によって、抵抗的に加熱される、請求項1、5または7に記載の方法。
- ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板であって、該成長基板は触媒材料を含む、成長基板と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面上でナノ構造の触媒による形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含む、システム。 - 前記成長基板の表面を、前記触媒材料を再活性化するか、または該触媒材料を異なる触媒材料と置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域をさらに含む、請求項51に記載のシステム。
- ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面を、第1の触媒材料を再活性化するか、または該第1の触媒材料を第2の触媒材料に置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含み、
該成長基板は回転可能で、中空で、円筒形の基板であり、該ナノ構造は該成長基板の表面上に直接的に形成される、システム。 - ナノ構造を成長させるためのシステムであって、
その上でナノ構造を成長させるのに適した表面を有する成長基板であって、該表面は位相的に連続する表面である、成長基板と、
該成長基板の表面の第1の部分を、該成長基板の表面上で触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面の第2の部分を、触媒材料を該成長基板の表面から実質的に除去することなしに、該成長基板の表面からナノ構造を除去するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と、
該成長基板の表面の第3の部分を、該成長基板の表面上で触媒材料を化学的に処置するように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域と
を含み、
動作中、少なくとも2つの領域が同時に動作される、システム。 - 前記成長基板の表面の第4の部分を、前記触媒材料を再活性化するか、または該触媒材料を異なる触媒材料と置き換えるように選択される一組の条件に曝すことが可能な領域をさらに含む、請求項54に記載のシステム。
- 前記成長基板は回転可能な円筒形の基板である、請求項51または54に記載のシステム。
- 前記成長基板は中空である、請求項56に記載のシステム。
- 前記成長基板は多孔性である、請求項53または56に記載のシステム。
- 少なくとも1つの支持ローラおよび/または駆動ローラをさらに含む、請求項51、53または54に記載のシステム。
- 前記成長基板に関連付けられた少なくとも1組の電気接触をさらに含む、請求項51、53または54に記載のシステム。
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