JP2009177158A5 - - Google Patents
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- 支持基板と、
前記支持基板上の第1電極と、
前記第1の電極上の第1ユニットセルと、
前記第1ユニットセル上の中間層と、
前記中間層上の第2ユニットセルと、
前記第2ユニットセル上の第2電極と、を有し、
前記第1ユニットセルは、前記第1電極上の一導電型の第1不純物半導体層と、前記第1不純物半導体層上の単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上で、かつ、前記第1不純物半導体層の前記一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層と、を有し、
前記第2ユニットセルは、p型有機半導体と、n型有機半導体と、を有し、
前記第1ユニットセルと前記第2ユニットセルは、前記中間層を介して直列接続され、
前記中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、
前記第1ユニットセルは、絶縁層を介して前記支持基板と接合していることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1において、
前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1において、
前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項4において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層の厚さが0.1μm以上、10μm以下であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層が単結晶シリコンであることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1電極は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルから選択された金属材料であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項8において、
前記第1電極は、前記金属材料の窒化物層を有し、前記窒化物層が前記第1不純物半導体層と接していることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記絶縁層が、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は窒化シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記支持基板がガラス基板であることを特徴とする光電変換装置。 - 単結晶半導体基板の一の面にイオンビームを注入して、前記一の面から所定の深さに損傷層を形成し、
前記一の面に第1の不純物元素を注入して、一導電型の第1不純物半導体層を形成し、
前記第1不純物半導体層上に第1電極を形成し、
前記第1電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を支持基板と接合させ、
前記単結晶半導体基板を前記損傷層から劈開して、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の劈開面に第2の不純物元素を注入して、前記第1不純物半導体層の一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層を形成し、
前記第2不純物半導体層上に中間層を形成し、
前記中間層上に、p型有機半導体およびn型有機半導体を含むユニットセルを形成し、
前記ユニットセル上に、第2電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項12において、
前記一の面から0.1μm以上、10μm以下の深さに前記損傷層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項12または請求項13において、
前記イオンビームは、H3 + を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項12乃至請求項14のいずれか一項において、
前記中間層は、遷移金属酸化物を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項12乃至請求項15のいずれか一項において、
前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項12乃至請求項15のいずれか一項において、
前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項12乃至請求項17のいずれか一項において、
前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項18おいて、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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