JP2009177158A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上の第１電極と、
   前記第１の電極上の第１ユニットセルと、
   前記第１ユニットセル上の中間層と、
   前記中間層上の第２ユニットセルと、
   前記第２ユニットセル上の第２電極と、を有し、
   前記第１ユニットセルは、前記第１電極上の一導電型の第１不純物半導体層と、前記第１不純物半導体層上の単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上で、かつ、前記第１不純物半導体層の前記一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層と、を有し、
   前記第２ユニットセルは、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体と、を有し、
   前記第１ユニットセルと前記第２ユニットセルは、前記中間層を介して直列接続され、
   前記中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、
   前記第１ユニットセルは、絶縁層を介して前記支持基板と接合していることを特徴とする光電変換装置。
2. 請求項１において、
   前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
3. 請求項１において、
   前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置。
5. 請求項４において、
   前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記単結晶半導体層の厚さが０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記単結晶半導体層が単結晶シリコンであることを特徴とする光電変換装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第１電極は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルから選択された金属材料であることを特徴とする光電変換装置。
9. 請求項８において、
   前記第１電極は、前記金属材料の窒化物層を有し、前記窒化物層が前記第１不純物半導体層と接していることを特徴とする光電変換装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記絶縁層が、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は窒化シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記支持基板がガラス基板であることを特徴とする光電変換装置。
12. 単結晶半導体基板の一の面にイオンビームを注入して、前記一の面から所定の深さに損傷層を形成し、
    前記一の面に第１の不純物元素を注入して、一導電型の第１不純物半導体層を形成し、
    前記第１不純物半導体層上に第１電極を形成し、
    前記第１電極上に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層を支持基板と接合させ、
    前記単結晶半導体基板を前記損傷層から劈開して、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記単結晶半導体層の劈開面に第２の不純物元素を注入して、前記第１不純物半導体層の一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、
    前記第２不純物半導体層上に中間層を形成し、
    前記中間層上に、ｐ型有機半導体およびｎ型有機半導体を含むユニットセルを形成し、
    前記ユニットセル上に、第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
13. 請求項１２において、
    前記一の面から０．１μｍ以上、１０μｍ以下の深さに前記損傷層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
14. 請求項１２または請求項１３において、
    前記イオンビームは、Ｈ_３ ^＋ を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
15. 請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記中間層は、遷移金属酸化物を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
16. 請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
    前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
17. 請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
    前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
18. 請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
19. 請求項１８おいて、
    前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。