JP2009177158A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009177158A5
JP2009177158A5 JP2008326712A JP2008326712A JP2009177158A5 JP 2009177158 A5 JP2009177158 A5 JP 2009177158A5 JP 2008326712 A JP2008326712 A JP 2008326712A JP 2008326712 A JP2008326712 A JP 2008326712A JP 2009177158 A5 JP2009177158 A5 JP 2009177158A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
layer
photoelectric conversion
conversion device
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008326712A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5289927B2 (ja
JP2009177158A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008326712A priority Critical patent/JP5289927B2/ja
Priority claimed from JP2008326712A external-priority patent/JP5289927B2/ja
Publication of JP2009177158A publication Critical patent/JP2009177158A/ja
Publication of JP2009177158A5 publication Critical patent/JP2009177158A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5289927B2 publication Critical patent/JP5289927B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (19)

  1. 支持基板と、
    前記支持基板上の第1電極と
    前記第1の電極上の第1ユニットセルと、
    前記第1ユニットセル上の中間層と、
    前記中間層上の第2ユニットセルと、
    前記第2ユニットセル上の第2電極と、を有し、
    前記第1ユニットセルは、前記第1電極上の一導電型の第1不純物半導体層と、前記第1不純物半導体層上の単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上で、かつ、前記第1不純物半導体層の前記一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層と、を有し
    前記第2ユニットセルは、p型有機半導体とn型有機半導体と、を有し、
    前記第1ユニットセルと前記第2ユニットセルは、前記中間層を介して直列接続され、
    前記中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、
    前記第1ユニットセルは、絶縁層を介して前記支持基板と接合していることを特徴とする光電変換装置。
  2. 請求項1において、
    前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
  3. 請求項1において、
    前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置。
  5. 請求項4において、
    前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
    前記単結晶半導体層の厚さが0.1μm以上、10μm以下であることを特徴とする光電変換装置。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
    前記単結晶半導体層が単結晶シリコンであることを特徴とする光電変換装置。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
    前記第1電極は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルから選択された金属材料であることを特徴とする光電変換装置。
  9. 請求項8において、
    前記第1電極は、前記金属材料の窒化物層を有し、前記窒化物層が前記第1不純物半導体層と接していることを特徴とする光電変換装置。
  10. 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
    前記絶縁層が、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は窒化シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
  11. 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
    前記支持基板がガラス基板であることを特徴とする光電変換装置。
  12. 単結晶半導体基板の一の面にイオンビームを注入して、前記一の面から所定の深さに損傷層を形成
    前記一の面に第1の不純物元素を注入して、一導電型の第1不純物半導体層を形成し
    前記第1不純物半導体層上に第1電極を形成し、
    前記第1電極上に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層を支持基板と接合させ、
    前記単結晶半導体基板を前記損傷層から劈開して、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し
    前記単結晶半導体層の劈開面に第2の不純物元素を注入して、前記第1不純物半導体層の一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層を形成し、
    前記第2不純物半導体層上に中間層を形成し、
    前記中間層上にp型有機半導体およびn型有機半導体を含むユニットセルを形成し、
    前記ユニットセル上に第2電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  13. 請求項12において、
    前記一の面から0.1μm以上、10μm以下の深さに前記損傷層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  14. 請求項12または請求項13において、
    前記イオンビームは、H を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  15. 請求項12乃至請求項14のいずれか一項において、
    前記中間層は、遷移金属酸化物を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  16. 請求項12乃至請求項15のいずれか一項において、
    前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  17. 請求項12乃至請求項15のいずれか一項において、
    前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  18. 請求項12乃至請求項17のいずれか一項において、
    前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  19. 請求項18おいて、
    前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
JP2008326712A 2007-12-28 2008-12-23 光電変換装置 Expired - Fee Related JP5289927B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008326712A JP5289927B2 (ja) 2007-12-28 2008-12-23 光電変換装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007340320 2007-12-28
JP2007340320 2007-12-28
JP2008326712A JP5289927B2 (ja) 2007-12-28 2008-12-23 光電変換装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009177158A JP2009177158A (ja) 2009-08-06
JP2009177158A5 true JP2009177158A5 (ja) 2012-01-26
JP5289927B2 JP5289927B2 (ja) 2013-09-11

Family

ID=40512442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008326712A Expired - Fee Related JP5289927B2 (ja) 2007-12-28 2008-12-23 光電変換装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090165854A1 (ja)
EP (1) EP2075850A3 (ja)
JP (1) JP5289927B2 (ja)
KR (1) KR101558911B1 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5438986B2 (ja) 2008-02-19 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
US8304302B2 (en) * 2009-04-03 2012-11-06 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Photovoltaic device using single wall carbon nanotubes and method of fabricating the same
EP2256839B1 (en) * 2009-05-28 2019-03-27 IMEC vzw Single junction or a multijunction photovoltaic cells and method for their fabrication
KR101707430B1 (ko) * 2009-05-29 2017-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자기기
US9741955B2 (en) * 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
US8525407B2 (en) * 2009-06-24 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light source and device having the same
US8169137B2 (en) * 2009-07-14 2012-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light source and device using electroluminescence element
JP5295059B2 (ja) * 2009-09-25 2013-09-18 三菱電機株式会社 光電変換装置とその製造方法
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
US8350236B2 (en) * 2010-01-12 2013-01-08 Axcelis Technologies, Inc. Aromatic molecular carbon implantation processes
KR101036213B1 (ko) * 2010-01-26 2011-05-20 광주과학기술원 발광소자와 태양전지 성능을 포함하는 전자소자
US8704083B2 (en) * 2010-02-11 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and fabrication method thereof
US8614495B2 (en) * 2010-04-23 2013-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Back side defect reduction for back side illuminated image sensor
JP2011233692A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 光電変換素子、有機太陽電池及びそれらを用いた光電変換装置
US9490368B2 (en) * 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8975509B2 (en) * 2010-06-07 2015-03-10 The Governing Council Of The University Of Toronto Photovoltaic devices with multiple junctions separated by a graded recombination layer
JP5753445B2 (ja) 2010-06-18 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
WO2012018649A2 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Spectrawatt, Inc. Cooperative photovoltaic networks and photovoltaic cell adaptations for use therein
KR101117127B1 (ko) * 2010-08-06 2012-02-24 한국과학기술연구원 비정질 실리콘 태양전지와 유기 태양전지를 이용한 탠덤형 태양전지
KR101912675B1 (ko) 2010-10-04 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
DE102010043006A1 (de) * 2010-10-27 2012-05-03 Solarworld Innovations Gmbh Photovoltaisches Bauelement
JP5912404B2 (ja) 2010-10-29 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
US8557614B2 (en) * 2010-12-28 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing lighting device
JP2012182443A (ja) 2011-02-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び発光装置
KR20120095790A (ko) * 2011-02-21 2012-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치
US20120211065A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US20120234392A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
JP6023461B2 (ja) 2011-05-13 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
US9159939B2 (en) 2011-07-21 2015-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
JP2013058562A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
KR101326538B1 (ko) * 2012-01-03 2013-11-08 한국기계연구원 이중 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지
KR101326539B1 (ko) * 2012-01-03 2013-11-08 한국기계연구원 Wo3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지
JP6108858B2 (ja) 2012-02-17 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 p型半導体材料および半導体装置
KR101832230B1 (ko) 2012-03-05 2018-04-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
JPWO2013141328A1 (ja) * 2012-03-22 2015-08-03 住友化学株式会社 有機無機ハイブリッド光電変換素子
KR101458566B1 (ko) * 2013-05-21 2014-11-07 재단법인대구경북과학기술원 정류소자 및 그의 제조 방법
US9484537B2 (en) 2013-08-28 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Organic photo diode with dual electron blocking layers
KR101518594B1 (ko) 2013-10-18 2015-05-07 서울시립대학교 산학협력단 유기박막 태양전지
CN104716261A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 中国科学院大连化学物理研究所 一种吸收光谱互补的硅薄膜/有机叠层薄膜太阳能电池
US10749118B2 (en) 2014-06-26 2020-08-18 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
KR102307061B1 (ko) * 2014-08-05 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
CN107075767B (zh) * 2014-11-26 2021-09-03 科迪华公司 环境受控的涂层系统
WO2016123363A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-04 The Regents Of The University Of California Tandem organic-inorganic photovoltaic devices
US20170179199A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Dpix, Llc Method of screen printing in manufacturing an image sensor device
JP2016106437A (ja) * 2016-03-17 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
JP6986418B2 (ja) * 2017-11-07 2021-12-22 株式会社カネカ 積層型光電変換装置および積層型光電変換装置モジュールの製造方法
US11011503B2 (en) * 2017-12-15 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct-bonded optoelectronic interconnect for high-density integrated photonics
US11169326B2 (en) 2018-02-26 2021-11-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects

Family Cites Families (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180618A (en) * 1977-07-27 1979-12-25 Corning Glass Works Thin silicon film electronic device
JPS5461886A (en) * 1977-10-27 1979-05-18 Mitsubishi Chem Ind Phtocell anode electrode and method of fabricating same
US4272641A (en) * 1979-04-19 1981-06-09 Rca Corporation Tandem junction amorphous silicon solar cells
US4316049A (en) * 1979-08-28 1982-02-16 Rca Corporation High voltage series connected tandem junction solar battery
DE3242831A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Solarzelle aus amorphem silizium und verfahren zu ihrer herstellung
JPH0644638B2 (ja) 1982-12-29 1994-06-08 圭弘 濱川 異質単位セル同士のスタック形光起電力素子
US4496788A (en) * 1982-12-29 1985-01-29 Osaka Transformer Co., Ltd. Photovoltaic device
US4510344A (en) * 1983-12-19 1985-04-09 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell substrate
JPS60152971A (ja) * 1984-01-20 1985-08-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 半導体放射線検出器
US4878097A (en) * 1984-05-15 1989-10-31 Eastman Kodak Company Semiconductor photoelectric conversion device and method for making same
US4950614A (en) * 1984-05-15 1990-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a tandem type semiconductor photoelectric conversion device
US4633034A (en) * 1985-02-08 1986-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
US4680422A (en) * 1985-10-30 1987-07-14 The Boeing Company Two-terminal, thin film, tandem solar cells
US4665277A (en) * 1986-03-11 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Floating emitter solar cell
US4684761A (en) * 1986-04-09 1987-08-04 The Boeing Company Method for making graded I-III-VI2 semiconductors and solar cell obtained thereby
CA1303194C (en) * 1987-07-21 1992-06-09 Katsumi Nakagawa Photovoltaic element with a semiconductor layer comprising non-single crystal material containing at least zn, se and h in an amount of 1 to40 atomic %
US4926229A (en) * 1987-11-20 1990-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Pin junction photovoltaic element with P or N-type semiconductor layer comprising non-single crystal material containing Zn, Se, H in an amount of 1 to 4 atomic % and a dopant and I-type semiconductor layer comprising non-single crystal Si(H,F) material
US5075763A (en) * 1988-09-28 1991-12-24 Kopin Corporation High temperature metallization system for contacting semiconductor materials
JP2829653B2 (ja) * 1989-01-21 1998-11-25 キヤノン株式会社 光起電力素子
JPH02192771A (ja) * 1989-01-21 1990-07-30 Canon Inc 光起電力素子
US5002618A (en) * 1989-01-21 1991-03-26 Canon Kabushiki Kaisha Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal BAs(H,F) semiconductor film
US5002617A (en) * 1989-01-21 1991-03-26 Canon Kabushiki Kaisha Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal AlAs(H,F) semiconductor film
JPH04275467A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Sanyo Electric Co Ltd フォトトランジスタ
JP3048732B2 (ja) * 1991-11-25 2000-06-05 三洋電機株式会社 光起電力装置
US5656098A (en) * 1992-03-03 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic conversion device and method for producing same
US5248349A (en) * 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
JP3073327B2 (ja) * 1992-06-30 2000-08-07 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
JP2761156B2 (ja) * 1992-06-30 1998-06-04 キヤノン株式会社 光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電装置
JP3360919B2 (ja) * 1993-06-11 2003-01-07 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池
JP3571785B2 (ja) * 1993-12-28 2004-09-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP2984537B2 (ja) * 1994-03-25 1999-11-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
US5668050A (en) * 1994-04-28 1997-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell manufacturing method
US5635408A (en) * 1994-04-28 1997-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device
US5780160A (en) * 1994-10-26 1998-07-14 Donnelly Corporation Electrochromic devices with improved processability and methods of preparing the same
JP2992464B2 (ja) * 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
US5736431A (en) * 1995-02-28 1998-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing thin film solar battery
JPH08255762A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp 半導体デバイスの製造方法
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
TW447144B (en) * 1995-03-27 2001-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and a method of manufacturing the same
EP0784348B1 (en) * 1996-01-10 2003-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module having a specific surface side cover excelling in moisture resistance and transparency
JPH09255487A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Sony Corp 薄膜半導体の製造方法
US5720827A (en) * 1996-07-19 1998-02-24 University Of Florida Design for the fabrication of high efficiency solar cells
US6756289B1 (en) * 1996-12-27 2004-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
EP0851513B1 (en) * 1996-12-27 2007-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
US5989737A (en) * 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
JPH10335683A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Ion Kogaku Kenkyusho:Kk タンデム型太陽電池およびその製造方法
JPH11288858A (ja) * 1998-01-30 1999-10-19 Canon Inc Soi基板の再生方法及び再生基板
JP4208281B2 (ja) * 1998-02-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
WO1999048157A1 (en) * 1998-03-19 1999-09-23 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Solar battery
CN1293785C (zh) * 1998-06-26 2007-01-03 出光兴产株式会社 发光器件
JP2000150837A (ja) * 1998-11-13 2000-05-30 Canon Inc 半導体基体の作製方法
JP4452789B2 (ja) * 1999-09-01 2010-04-21 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法
JP2001160540A (ja) * 1999-09-22 2001-06-12 Canon Inc 半導体装置の製造方法、液相成長法及び液相成長装置、太陽電池
TW474114B (en) * 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
JP2001308354A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Sharp Corp 積層型太陽電池
WO2002007171A1 (fr) * 2000-07-19 2002-01-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrat auquel est attachee une electrode et procede de preparation associe
JP3513592B2 (ja) * 2000-09-25 2004-03-31 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池の製造方法
JP4674780B2 (ja) * 2001-02-08 2011-04-20 株式会社カネカ タンデム型薄膜太陽電池の製造方法
US6930025B2 (en) * 2001-02-01 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Transparent conductive film formation process, photovoltaic device production process, transparent conductive film, and photovoltaic device
JP4560245B2 (ja) * 2001-06-29 2010-10-13 キヤノン株式会社 光起電力素子
US6815788B2 (en) * 2001-08-10 2004-11-09 Hitachi Cable Ltd. Crystalline silicon thin film semiconductor device, crystalline silicon thin film photovoltaic device, and process for producing crystalline silicon thin film semiconductor device
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003298089A (ja) * 2002-04-02 2003-10-17 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd タンデム型薄膜光電変換装置とその製造方法
JP2004014958A (ja) 2002-06-11 2004-01-15 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法
US6818529B2 (en) * 2002-09-12 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming a silicon film across the surface of a glass substrate
US7158161B2 (en) * 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
JP2004260014A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Kyocera Corp 多層型薄膜光電変換装置
DE10326547A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Tandemsolarzelle mit einer gemeinsamen organischen Elektrode
JP2005050905A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp シリコン薄膜太陽電池の製造方法
JP4476594B2 (ja) * 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4683829B2 (ja) * 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP4243237B2 (ja) * 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) * 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
KR20060110323A (ko) * 2003-12-16 2006-10-24 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
CN1938866A (zh) * 2004-03-31 2007-03-28 罗姆股份有限公司 叠层型薄膜太阳能电池及其制造方法
JP4925569B2 (ja) * 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2006066535A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子及び撮像素子
JPWO2006025260A1 (ja) * 2004-08-31 2008-05-08 国立大学法人京都大学 積層型有機無機複合高効率太陽電池
KR20060085465A (ko) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 연속상 반도체 전극, 그의 제조방법 및 이를 채용한태양전지
US8659008B2 (en) * 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
US7772485B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US7781673B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US8158881B2 (en) * 2005-07-14 2012-04-17 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20080006324A1 (en) * 2005-07-14 2008-01-10 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US20070181179A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20070267055A1 (en) * 2005-07-14 2007-11-22 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US20070131270A1 (en) * 2005-07-14 2007-06-14 Russell Gaudiana Window with photovoltaic cell
US7750425B2 (en) * 2005-12-16 2010-07-06 The Trustees Of Princeton University Intermediate-band photosensitive device with quantum dots embedded in energy fence barrier
US20070193621A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-23 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
US7671271B2 (en) * 2006-03-08 2010-03-02 National Science And Technology Dev. Agency Thin film solar cell and its fabrication process
EP2261980B1 (en) * 2006-04-11 2013-06-12 Merck Patent GmbH Tandem photovoltaic cells
KR20070101917A (ko) * 2006-04-12 2007-10-18 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지와 그의 제조방법
US7608521B2 (en) * 2006-05-31 2009-10-27 Corning Incorporated Producing SOI structure using high-purity ion shower
KR20090028581A (ko) * 2006-05-31 2009-03-18 코닝 인코포레이티드 박막 광기전 구조 및 그 제조 방법
US20070277874A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 David Francis Dawson-Elli Thin film photovoltaic structure
US20070289626A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
US8008421B2 (en) * 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
US8008424B2 (en) * 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
US20080092947A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Pulse plating of a low stress film on a solar cell substrate
EP2135295A4 (en) * 2007-04-06 2014-05-21 Semiconductor Energy Lab Photovoltaic module and method for its production
KR101362688B1 (ko) * 2007-04-13 2014-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치 및 그 제조 방법
CN101842910B (zh) * 2007-11-01 2013-03-27 株式会社半导体能源研究所 用于制造光电转换器件的方法
KR101608953B1 (ko) * 2007-11-09 2016-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 장치 및 그 제조 방법
TWI452703B (zh) * 2007-11-16 2014-09-11 Semiconductor Energy Lab 光電轉換裝置及其製造方法
US20090139558A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Shunpei Yamazaki Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP5248995B2 (ja) * 2007-11-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
JP5248994B2 (ja) * 2007-11-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
JP5286046B2 (ja) * 2007-11-30 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009177158A5 (ja)
JP2009152577A5 (ja)
Shastry et al. Mutual photoluminescence quenching and photovoltaic effect in large-area single-layer MoS2–polymer heterojunctions
TWI464890B (zh) 光電轉換裝置和其製造方法
Lee et al. Heterostructures based on inorganic and organic van der Waals systems
ES2810301T1 (es) Dispositivos nanoestructurados
US9773884B2 (en) III-nitride transistor with engineered substrate
CN102655206A (zh) 电能产生器
WO2011109146A3 (en) Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures
WO2011063228A3 (en) Betavoltaic apparatus and method
JP2011040445A5 (ja)
JP2010153823A5 (ja)
JP2012504875A5 (ja)
KR101876559B1 (ko) 플렉서블 표시장치의 제조방법
Kang et al. Fabrication of vertical light emitting diode based on thermal deformation of nanoporous GaN and removable mechanical supporter
US20130341589A1 (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
CN1841780A (zh) 薄膜晶体管、薄膜晶体管显示板及其制造方法
JP2012191187A5 (ja)
JP2015088756A (ja) 基板構造体とそれを含むcmos素子及びその製造方法
CN106165120A (zh) 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
EP3394893A1 (fr) Dispositif optoelectronique matriciel presentant une electrode superieure transparente
JP2010087495A5 (ja) 光電変換装置の作製方法
Sberna et al. Solution-based fabrication of polycrystalline Si thin-film transistors from recycled polysilanes
US8003423B2 (en) Method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization
JP2015109292A (ja) 半導体モジュール