JP2008306157A - 可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1電極11と第2電極12の間に金属酸化物層10を有し、第1及び第2電極間への電気的ストレスの印加に応じて、第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、金属酸化物層10が第1及び第2電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメント13を有し、第1電極と第2電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極11と金属酸化物層10の界面であって、少なくとも特定電極11とフィラメント13の界面近傍を含む一部に、特定電極11に含まれる少なくとも1つの元素の酸化物であって、金属酸化物層10の酸化物とは異なる界面酸化物15を備える。
【選択図】 図2
Description
本発明の第1実施形態では、図1〜図24に基づいて本発明素子と本発明方法について説明する。尚、本発明の対象となる可変抵抗素子は、図1に示すように、素子構造として第1電極11と第2電極12の間に金属酸化物層10を備えた原形構造を有し、第1及び第2電極11,12間への電気的ストレスの印加に応じて、第1及び第2電極11,12間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子である。また、当該可変抵抗素子は、後述する「フォーミング」処理によって、金属酸化物層10中に第1及び第2電極11,12間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメント13が形成され、後述するスイッチング動作によって、図2に示されるようなフィラメント13の一部または全体が導通・破断することで、第1及び第2電極11,12間の電気抵抗が変化するものを想定する。従って、本発明素子における上述の原形構造とは、「フォーミング」処理前の素子構造を意味する。
上述の態様にて、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Ta(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+9.9Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を200℃の熱処理で行った。第2フォーミング処理後の本発明素子の断面構造を示す断面TEM写真を図8に示す。Ta電極(第1電極)とコバルト酸化物(金属酸化物層)の界面に厚さ5nm程度の界面酸化物(タンタル酸化物)が生成していることが分かる。図9に、この本発明素子の電圧パルス応答(スイッチング特性)を示す。正負1.5V100nsのセット用及びリセット用の電圧パルス印加により、抵抗値が可逆的に変化しており、高速スイッチングが可能であることが分かる。
上述の態様にて、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Ta(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。この本発明素子の第1及び第2電極間に電圧を印加したときのIV特性を図10に示す。図10中矢印で示すようにA、B、C、Dの順で電圧を印加している。Aで示す電圧印加は第1フォーミング処理であり、+10Vの電圧印加で金属酸化物層がブレークダウンして、フィラメントが形成され、仮の低抵抗状態となる。Bで示す電圧印加は第2フォーミング処理であり、低抵抗状態のフィラメントの抵抗値に応じて大電流が流れて、ジュール熱によりフィラメントとTa電極(第1電極)が接する界面近傍でTa電極及びコバルト酸化物中のフィラメント端が酸化されてフィラメントが破断され、高抵抗状態となる。このとき、界面のTa酸化物は図3(c)に示したように不均一に形成されると考えられる。Cで示す電圧印加はセット動作に相当するが、電圧振幅を上げていくと破断したフィラメントが再度導通状態となる。この場合には、界面のTa酸化物のごく一部の弱い箇所のみ導通状態になるが、Aで示す第1フォーミング後のような低抵抗状態ほどには抵抗値が低くならない。よって、Dで示す電圧印加のリセット動作時の電流は100μA程度に抑制される。図11に、この本発明素子の電圧パルス応答(スイッチング特性)を示す。正負1.0V40nsのセット用及びリセット用の電圧パルス印加により、抵抗値が可逆的に変化しており、高速スイッチングが可能であることが分かる。ここで、フォーミング電圧は10Vとなっているが、金属酸化物層の膜厚を薄くすることにより数V以下とすることができる。
上述の態様にて、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Ta(第1電極)/Ptの順で成膜した本発明素子の第1サンプル(第1電極がTa電極)、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/W(第1電極)/Ptの順で成膜した本発明素子の第2サンプル(第1電極がW電極)、及び、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Pt(第1電極)の順で成膜した比較サンプル(第1電極がPt電極)の2種の本発明素子と1種の比較用の可変抵抗素子を用意し、夫々の可変抵抗素子について実施例1と同様のスイッチング動作実験を行った。尚、第1フォーミング処理は、第1及び第2サンプル、比較サンプルに対して、夫々+10V、+8.7V、+7.9Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を夫々−0.79V、−0.60V、−0.47Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。但し、比較サンプルに対する第2フォーミング処理では、界面酸化物は生成されていないと考えられる。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Al(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+8.3Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を−0.56Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。実施例1との相違点は、第1電極がTaではなくAlである点である。図13及び図14に、この本発明素子のスイッチング動作時のIV特性と、電圧パルス応答(スイッチング特性)を夫々示す。尚、図14のスイッチング特性の縦軸は、第1及び第2電極間に+0.2Vを印加した時の電流値(絶対値)で示している。図13及び図14に示すように、数100μAの低消費電流と、正負1.5V100nsのセット用及びリセット用の電圧パルス印加による高速スイッチング動作が確認できた。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Cr(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+8.0Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を−0.97Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。実施例1との相違点は、第1電極がTaではなくCrである点である。図15及び図16に、この本発明素子のスイッチング動作時のIV特性と、電圧パルス応答(スイッチング特性)を夫々示す。尚、図16のスイッチング特性の縦軸は、第1及び第2電極間に+0.2Vを印加した時の電流値(絶対値)で示している。図15及び図16に示すように、100μAの低消費電流と、正負3.0V50nsのセット用及びリセット用の電圧パルス印加による高速スイッチング動作が確認できた。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/ニッケル酸化物(金属酸化物層)/Al(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+13.2Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を−0.91Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。実施例1との相違点は、金属酸化物層がコバルト酸化物ではなくニッケル酸化物であり、第1電極がTaではなくAlである点である。図17に、この本発明素子のスイッチング動作時のIV特性を示す。図17に示すように、1mA以下の低消費電流でのスイッチング動作が確認できた。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/ニッケル酸化物(金属酸化物層)/Cr(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+10.95Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を−0.75Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。実施例1との相違点は、金属酸化物層がコバルト酸化物ではなくニッケル酸化物であり、第1電極がTaではなくCrである点である。図18に、この本発明素子のスイッチング動作時のIV特性を示す。図18に示すように、1mA以下の低消費電流でのスイッチング動作が確認できた。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/ニッケル酸化物(金属酸化物層)/Ta(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+6.2Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を−0.87Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。実施例1との相違点は、金属酸化物層がコバルト酸化物ではなくニッケル酸化物である点である。図19に、この本発明素子のスイッチング動作時のIV特性を示す。図19に示すように、1mA以下の低消費電流でのスイッチング動作が確認できた。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Ta(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Ta(第1電極)/Ptの順で成膜し、本発明素子の原形構造を試作した。また、第2電極を基準に第1電極に+3.6Vの第1フォーミング電圧を印加して第1フォーミング処理を行い、界面酸化物を生成するための第2フォーミング処理を−0.77Vの第2フォーミング電圧を印加して行った。実施例1との相違点は、第1電極及び第2電極の両方がTa電極である点である。図20に、この本発明素子のスイッチング動作時のIV特性を示す。図20に示すように、金属酸化物層(コバルト酸化物)の両側に酸化物生成自由エネルギが小さい材料(Ta)を備えた場合でも、1mA以下の低消費電流でのスイッチング動作が確認できた。
上述の実施例1と同様の作製方法で、熱酸化膜付きのシリコン基板に、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Ta(第1電極)/Ptの順で成膜した本発明素子の第1サンプル(第1電極がTa電極)、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Al(第1電極)/Ptの順で成膜した本発明素子の第2サンプル(第1電極がAl電極)、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Cr(第1電極)/Ptの順で成膜した本発明素子の第3サンプル(第1電極がCr電極)、及び、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/W(第1電極)の順で成膜した本発明素子の第4サンプル(第1電極がW電極)、下からTi/Pt(第2電極)/コバルト酸化物(金属酸化物層)/Ti(第1電極)の順で成膜した本発明素子の第5サンプル(第1電極がTi電極)の5種の本発明素子のサンプルを用意し、夫々の可変抵抗素子について、第1フォーミング処理時に第2フォーミング処理も同時に行えるか否かを調べた。
次に、本発明素子をメモリセルとして使用した不揮発性半導体記憶装置(本発明装置)の一構成例について図25及び図26を用いて説明する。
11: 第1電極(特定電極)
12: 第2電極
13: フィラメント
14: フィラメント破断部
15: 界面酸化物
16: 電流狭窄部
17: Si基板
18: 熱酸化膜
19: Ti層(接着層)
20: フォトレジスト
21: フォトレジスト
22: Pt層(キャッピング層)
30: 電圧パルス発生器
31: 直流電圧源
32: 直流電流計
33: スイッチ
40: メモリセルアレイ
41: ビット線デコーダ
42: ワード線デコーダ
43: 制御回路
44: 電圧スイッチ回路
45: 読み出し回路
46: 電圧発生回路
47: アドレス線
48: データ線
49: 制御信号線
50: メモリセル
BL,BL1〜BLm: ビット線
WL,WL1〜WLn: ワード線
Vcc: 電源電圧
Vss: 接地電圧
Vpp: 書き込み用電圧
Vee: 消去用電圧
Vrd: 読み出し電圧
Claims (24)
- 第1電極と第2電極の間に金属酸化物層を有し、前記第1及び第2電極間への電気的ストレスの印加に応じて、前記第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、
前記金属酸化物層が、前記第1及び第2電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメントを有し、
前記第1電極と前記第2電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極と前記金属酸化物層の界面であって、少なくとも前記特定電極と前記フィラメントの界面近傍を含む一部に、前記特定電極に含まれる少なくとも1つの元素である特定元素の酸化物であって、前記金属酸化物層の酸化物とは異なる界面酸化物を備えることを特徴とする可変抵抗素子。 - 前記フィラメントと前記界面酸化物の接点付近に、前記界面酸化物によって前記フィラメントの電流経路が狭窄される電流狭窄部を備えることを特徴とする請求項1に記載の可変抵抗素子。
- 前記界面酸化物の熱伝導率が、前記特定電極の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の可変抵抗素子。
- 前記特定元素の酸化物生成自由エネルギが、前記金属酸化物層を構成する金属元素の酸化物生成自由エネルギより小さいことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の可変抵抗素子。
- 前記金属酸化物層が、遷移金属を含む金属酸化物であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の可変抵抗素子。
- 前記金属酸化物層が、Co、Ni、Ti、V、Cu、W、Nb、Mnから選択される少なくとも1つの遷移金属の酸化物であることを特徴とする請求項5に記載の可変抵抗素子。
- 前記特定電極が、W、Cr、Ta、Alから選択される少なくとも1つの元素であって、前記金属酸化物層に含まれる遷移金属とは異なる元素を含んでいることを特徴とする請求項5または6に記載の可変抵抗素子。
- 前記界面酸化物と前記金属酸化物の間で酸素が移動することによって、前記第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の可変抵抗素子。
- 前記第1電極と前記第2電極の何れか一方を基準電極として他方の印加電極に正または負極性の第1電圧パルスを印加することにより前記第1及び第2電極間の電気抵抗が高抵抗化し、前記印加電極に前記第1電圧パルスとは逆極性の第2電圧パルスを印加することにより前記第1及び第2電極間の電気抵抗が低抵抗化することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の可変抵抗素子。
- 前記第1及び第2電極間の電気抵抗を高抵抗化するために前記第1及び第2電極間に印加する第1電圧パルスと、前記第1及び第2電極間の電気抵抗を低抵抗化するために前記第1及び第2電極間に印加する第2電圧パルスの各印加時間が100ns以下であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の可変抵抗素子
- 請求項1に記載の可変抵抗素子の製造方法であって、
前記第1電極と前記第2電極の間に前記金属酸化物層を有する可変抵抗素子の原形構造を形成する原形構造形成工程と、
前記原形構造の前記第1及び第2電極間に第1フォーミング電圧を印加して、前記金属酸化物層内の前記第1及び第2電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメントを形成する第1フォーミング工程と、
前記第1電極と前記第2電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極と前記金属酸化物層の界面であって、少なくとも前記特定電極と前記フィラメントの界面近傍を含む一部に、前記特定電極に含まれる少なくとも1つの元素である特定元素の酸化物であって、前記金属酸化物層の酸化物とは異なる界面酸化物を形成する第2フォーミング工程と、を順次処理することを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第2フォーミング工程において、前記特定電極中の前記特定元素が前記界面を介して前記金属酸化物層中の酸素を奪取することにより、前記界面酸化物が生成されることを特徴とする請求項11に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程において、前記界面酸化物を形成するとともに、前記フィラメントと前記界面酸化物の界面に、前記フィラメントの電流導通を抑制する高抵抗化したフィラメント破断部を形成することを特徴とする請求項12に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程の後に、前記第1及び第2電極間に、前記第1及び第2電極間の電気抵抗を低抵抗化するための電圧を印加することで、前記フィラメント破断部と前記界面酸化物を貫通する電流経路を形成して、前記フィラメントと前記界面酸化物の接点付近に前記フィラメントの電流経路が狭窄される電流狭窄部を形成することを特徴とする請求項13に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記原形構造形成工程において、前記特定電極に含まれる前記特定元素の酸化物生成自由エネルギが前記金属酸化物層を構成する金属元素の酸化物生成自由エネルギより小さくなるように、前記特定電極と前記金属酸化物層を形成することを特徴とする請求項12〜14の何れか1項に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程において、前記第1及び第2電極間に第2フォーミング電圧を印加することによって前記界面酸化物を生成することを特徴とする請求項11〜15の何れか1項に記載の前記可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程において、
前記特定電極と前記金属酸化物層の界面を熱処理することによって、前記界面酸化物を形成することを特徴とする請求項11〜15の何れか1項に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第1フォーミング工程時に流れる電流を利用して、前記第1フォーミング工程と並行して前記第2フォーミング工程を行うことを特徴とする請求項11に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第1フォーミング工程において、流れる電流を1mA以下に制限することを特徴とする請求項18に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程において、前記特定電極中の前記特定元素が前記界面を介して前記金属酸化物層中の酸素を奪取することにより、前記界面酸化物が生成されることを特徴とする請求項18または19に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程において、前記フィラメントと前記界面酸化物の接点付近に、前記界面酸化物によって前記フィラメントの電流経路が狭窄される電流狭窄部が生成されることを特徴とする請求項20に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第2フォーミング工程の後に、前記第1及び第2電極間に、前記第1及び第2電極間の電気抵抗を高抵抗化するための電圧を印加することで、前記フィラメントと前記界面酸化物の界面に、前記フィラメントの電流導通を抑制する高抵抗化したフィラメント破断部を形成することを特徴とする請求項21に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記原形構造形成工程において、前記特定電極に含まれる前記特定元素の酸化物生成自由エネルギが前記金属酸化物層を構成する金属元素の酸化物生成自由エネルギより小さくなるように、前記特定電極と前記金属酸化物層を形成することを特徴とする請求項20〜22の何れか1項に記載の可変抵抗素子の製造方法
- 請求項1〜10の何れか1項に記載の前記可変抵抗素子を有するメモリセルと、
前記可変抵抗素子の両端に電力を印加して、電気抵抗を変化させて情報の書き込み及び消去を行う情報書き換え手段と、
前記可変抵抗素子の両端に読み出し電圧を印加して前記可変抵抗素子を流れる電流量から電気抵抗状態を検知して記憶された情報を読み出す情報読み出し手段と、
を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
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