JP5548170B2 - 抵抗変化メモリおよびその製造方法 - Google Patents
抵抗変化メモリおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5548170B2 JP5548170B2 JP2011173966A JP2011173966A JP5548170B2 JP 5548170 B2 JP5548170 B2 JP 5548170B2 JP 2011173966 A JP2011173966 A JP 2011173966A JP 2011173966 A JP2011173966 A JP 2011173966A JP 5548170 B2 JP5548170 B2 JP 5548170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- resistance change
- ion source
- source electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 title claims description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 196
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 9
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/82—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays the switching components having a common active material layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8416—Electrodes adapted for supplying ionic species
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
イオン源電極のパターニングにはRIE(Reactive Ion Etching)が使用されるが、これらの金属の蒸気圧が低いため、加工時に反応性を利用するのではなく、高エネルギーイオンをこれらの金属に照射し、イオンの持つ運動量を金属原子に与えることよってメカニカルに金属のエッチングを行う必要がある。
1に示した問題を回避するために、できるだけ薄膜の金属電極を用いることが必要である。しかし、Agの薄膜は原子の移動により凝集する性質を持っているため、薄膜の形成が難しい。我々の実験でも例えば20nm以下の膜厚では、モフォロジーも悪く、またより薄い膜厚の場合は、凝集により球形状となることが確認されている。
クロスポイント型の抵抗変化メモリでは、集積度を向上させるために、上下のメモリセルで金属配線が共有される構造を持つ。したがって、ある着目した金属配線より下に形成される第1メモリセルと、上に形成される第2メモリセルとは、その積層順序が上記金属配線に対して面対称となる必要がある。例えば、第1メモリセルとして、順構造となる、抵抗変化層上にイオン源電極が形成される順構造を有し、第2メモリセルでは、イオン源電極上に抵抗変化層が形成される逆構造を有することになる。パターニングという観点では、順構造と逆構造とが対になった積層構造をパターニングする場合には、順構造と逆構造でそれぞれ一回ずつ、難易度の高いAg(イオン源電極)のRIEが必要になる。また、凝集の観点から見ると、逆構造のメモリセルにおいてAg層(イオン電極)を堆積してからアモルファス層(抵抗変化層)を形成することになるので、そのプロセス中の熱履歴によってAgの凝集が加速される恐れがある。
第1実施形態による抵抗変化メモリを図1乃至図2を参照して説明する。図1は、第1実施形態の抵抗変化メモリの断面図を示し、図2は図1に示す切断面A−Aで切断した場合の断面図を示す。
第2実施形態による抵抗変化メモリの製造方法について図9(a)乃至図10を参照して説明する。図9(a)および図9(b)は第2実施形態に抵抗変化メモリの製造工程を示す断面図である。図10は第2実施形態の抵抗変化メモリを示す断面図である。図5(b)に示す開口52を形成するまでは、第1実施形態で説明した製造方法と同じ工程を用いて行う。その後、図9(a)に示すように、開口52を埋め込むように、イオン源電極となるAg層18を堆積する。続いて、このAg層18を覆うように、アモルファスシリコン層26、SiN層24、ポリシリコン層22、および第3配線100bとなるW層を順次成膜し、積層膜を形成する。その後、この積層膜を公知のリソグラフィ技術を用いて、パターニングし、Ag層18上に、アモルファスシリコン層26、SiN層24、ポリシリコン層22、およびW層100bからなる積層構造を形成する(図9(b))。
第3実施形態による抵抗変化メモリの製造方法を図11(a)乃至図14(b)を参照して説明する。図11(a)乃至図14(b)は第3実施形態に抵抗変化メモリの製造工程を示す断面図である。この第3実施形態においては、第2配線200として、次世代の配線材料として注目されているグラフェンを用いている。
10 第1メモリセル
11 バリアメタル
12 不純物がドープされたポリシリコン層
14 絶縁層
16 アモルファスシリコン層(抵抗変化層)
17 ライナ
18 イオン源電極
19 層間絶縁膜
20 第2メモリセル
22 不純物がドープされたポリシリコン層
24 絶縁層
26 アモルファスシリコン層(抵抗変化層)
27 ライナ
50 SiN層
52 開口
56 グラフェン層
100a 第1配線
100b 第3配線
200 第2配線
Claims (5)
- 第1配線上に第1抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1抵抗変化層上に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層および前記第1抵抗変化層をパターニングし、前記第1配線上に前記第1抵抗変化層および第1絶縁層の第1積層構造を形成する工程と、
前記第1積層構造を覆う第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜を平坦化し前記第1絶縁層の上面を露出させる工程と、
前記第1絶縁層の上部側面が露出するように、前記第1層間絶縁膜に選択的に溝部を形成する工程と、
前記溝部に第2配線を形成する工程と、
前記第1絶縁層を除去し、前記第1抵抗変化層上に開口を形成する工程と、
前記開口にイオン源電極を埋め込む工程と、
前記イオン源電極を覆うように、第2抵抗変化層、第3配線となる第3配線材料層を順次積層する工程と、
前記第3配線材料層、前記第2抵抗変化層をパターニングし、前記イオン源電極上に前記第2抵抗変化層および前記第3配線の第2積層構造を形成する工程と、
を備えている抵抗変化メモリの製造方法。 - 第1配線上に第1抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1抵抗変化層上に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層および前記第1抵抗変化層をパターニングし、前記第1配線上に前記第1抵抗変化層および前記第1絶縁層の第1積層構造を形成する工程と、
前記第1積層構造を覆う第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜を平坦化し前記第1絶縁層の上面を露出させる工程と、
前記第1絶縁層を除去し、前記第1抵抗変化層上に開口を形成する工程と、
前記開口にイオン源電極を埋め込む工程と、
前記イオン源電極の上部側面が露出するように、前記第1層間絶縁膜に選択的に溝部を形成する工程と、
前記溝部に第2配線を形成する工程と、
前記イオン源電極を覆うように、第2抵抗変化層、第3配線となる第3配線材料層を順次積層する工程と、
前記第3配線材料層、前記第2抵抗変化層をパターニングし、前記イオン源電極上に前記第2抵抗変化層および前記第3配線の第2積層構造を形成する工程と、
を備えている抵抗変化メモリの製造方法。 - 前記第2配線はグラフェンである請求項2記載の抵抗変化メモリの製造方法。
- 第1配線と、
前記第1配線の上方に設けられ前記第1配線と交差する第2配線と、
前記第2配線の上方に設けられ前記第2配線と交差する第3配線と、
前記第1配線と前記第2配線との交差領域に設けられた第1抵抗変化素子であって、前記第1配線上に設けられた第1抵抗変化層と、前記第1抵抗変化層上に設けられ前記第2配線を貫通するとともに前記第2配線に接続し金属イオン源を含むイオン源電極と、を有する第1抵抗変化素子と、
前記第2配線と前記第3配線との交差領域に設けられた第2抵抗変化素子であって、前記イオン源電極上に設けられた第2抵抗変化層を有する第2抵抗変化素子と、
を備え、前記イオン源電極は、前記第1抵抗変化素子および前記第2抵抗変化素子に対する共通のイオン源電極である抵抗変化メモリ。 - 前記第1抵抗変化素子は、前記第1配線と前記第1抵抗変化層との間に不純物がドープされた第1ポリシリコン層と、前記第1ポリシリコン層と前記第1抵抗変化層との間に設けられた第1絶縁層とを備え、
前記第2抵抗変化素子は、前記第2抵抗変化層と前記第3配線との間に不純物がドープされた第2ポリシリコン層と、前記第2ポリシリコン層と前記第2抵抗変化層との間に設けられた第2絶縁層とを備えている請求項4記載の抵抗変化メモリ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173966A JP5548170B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 抵抗変化メモリおよびその製造方法 |
PCT/JP2012/056609 WO2013021674A1 (en) | 2011-08-09 | 2012-03-08 | Variable resistance memory and method of manufacturing the same |
TW101108451A TWI476972B (zh) | 2011-08-09 | 2012-03-13 | Resistive change memory and its manufacturing method |
PCT/JP2012/059429 WO2013021682A1 (en) | 2011-08-09 | 2012-03-30 | Variable resistance memory and method of manufacturing the same |
US13/952,220 US9281474B2 (en) | 2011-08-09 | 2013-07-26 | Variable resistance memory and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173966A JP5548170B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 抵抗変化メモリおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038267A JP2013038267A (ja) | 2013-02-21 |
JP5548170B2 true JP5548170B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=47668205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011173966A Expired - Fee Related JP5548170B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 抵抗変化メモリおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9281474B2 (ja) |
JP (1) | JP5548170B2 (ja) |
TW (1) | TWI476972B (ja) |
WO (2) | WO2013021674A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9099645B2 (en) * | 2013-03-22 | 2015-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance random access memory device |
JP2015056653A (ja) | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
US9425237B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-08-23 | Crossbar, Inc. | Selector device for two-terminal memory |
US9768234B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-09-19 | Crossbar, Inc. | Resistive memory architecture and devices |
US9633724B2 (en) | 2014-07-07 | 2017-04-25 | Crossbar, Inc. | Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics |
US10211397B1 (en) | 2014-07-07 | 2019-02-19 | Crossbar, Inc. | Threshold voltage tuning for a volatile selection device |
US9698201B2 (en) | 2014-07-09 | 2017-07-04 | Crossbar, Inc. | High density selector-based non volatile memory cell and fabrication |
US10115819B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-10-30 | Crossbar, Inc. | Recessed high voltage metal oxide semiconductor transistor for RRAM cell |
US9460788B2 (en) | 2014-07-09 | 2016-10-04 | Crossbar, Inc. | Non-volatile memory cell utilizing volatile switching two terminal device and a MOS transistor |
US9685483B2 (en) | 2014-07-09 | 2017-06-20 | Crossbar, Inc. | Selector-based non-volatile cell fabrication utilizing IC-foundry compatible process |
WO2017052526A1 (en) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Sidewall anti-cation-diffusion barrier |
US10096362B1 (en) | 2017-03-24 | 2018-10-09 | Crossbar, Inc. | Switching block configuration bit comprising a non-volatile memory cell |
CN112599560B (zh) * | 2020-12-14 | 2024-05-24 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7151273B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory |
US7087919B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Layered resistance variable memory device and method of fabrication |
TWI245288B (en) | 2003-03-20 | 2005-12-11 | Sony Corp | Semiconductor memory element and semiconductor memory device using the same |
US7446010B2 (en) | 2005-07-18 | 2008-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Metal/semiconductor/metal (MSM) back-to-back Schottky diode |
US20070015348A1 (en) | 2005-07-18 | 2007-01-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Crosspoint resistor memory device with back-to-back Schottky diodes |
US7303971B2 (en) | 2005-07-18 | 2007-12-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | MSM binary switch memory device |
JP4396621B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2010-01-13 | ソニー株式会社 | 記憶素子及び記憶装置 |
US10134985B2 (en) | 2006-10-20 | 2018-11-20 | The Regents Of The University Of Michigan | Non-volatile solid state resistive switching devices |
US7382647B1 (en) | 2007-02-27 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Rectifying element for a crosspoint based memory array architecture |
JP4967176B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2012-07-04 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 |
KR20090081153A (ko) * | 2008-01-23 | 2009-07-28 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP2009246085A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5253872B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-07-31 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
KR100983175B1 (ko) | 2008-07-03 | 2010-09-20 | 광주과학기술원 | 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리소자, 및 이의 동작방법 |
CN102177584B (zh) * | 2008-10-08 | 2014-05-07 | 密执安大学评议会 | 具有可调电阻的硅基纳米级电阻器件 |
EP2351083B1 (en) | 2008-10-20 | 2016-09-28 | The Regents of the University of Michigan | A silicon based nanoscale crossbar memory |
JP2010141046A (ja) | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及び半導体記憶装置 |
WO2010079816A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5422237B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-08-09 JP JP2011173966A patent/JP5548170B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-08 WO PCT/JP2012/056609 patent/WO2013021674A1/en active Application Filing
- 2012-03-13 TW TW101108451A patent/TWI476972B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-03-30 WO PCT/JP2012/059429 patent/WO2013021682A1/en active Application Filing
-
2013
- 2013-07-26 US US13/952,220 patent/US9281474B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013038267A (ja) | 2013-02-21 |
US20130313508A1 (en) | 2013-11-28 |
WO2013021674A1 (en) | 2013-02-14 |
US9281474B2 (en) | 2016-03-08 |
WO2013021682A1 (en) | 2013-02-14 |
TW201308701A (zh) | 2013-02-16 |
TWI476972B (zh) | 2015-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5548170B2 (ja) | 抵抗変化メモリおよびその製造方法 | |
JP6270926B2 (ja) | 抵抗性メモリおよびその製造方法 | |
TWI380437B (en) | Sidewall structured switchable resistor cell | |
TWI575789B (zh) | 電阻式隨機存取記憶胞及其製造方法 | |
US8598561B2 (en) | Nonvolatile memory device and method for manufacturing same | |
JP5611903B2 (ja) | 抵抗変化メモリ | |
JP6758124B2 (ja) | 3次元積層チェーン型メモリ装置の製造方法 | |
JP2013161920A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2014216553A (ja) | 抵抗変化型記憶装置 | |
JP2009123899A (ja) | 半導体装置 | |
TW201030946A (en) | Nonvolatile memory cell including carbon storage element formed on a silicide layer | |
JP2016072498A (ja) | 半導体装置 | |
TWI553926B (zh) | 電阻式記憶體及其製造方法 | |
JP2015177134A (ja) | 集積回路装置及びその製造方法 | |
US11856870B2 (en) | MRAM structure and method of fabricating the same | |
JP2014056888A (ja) | 記憶装置 | |
US20220093859A1 (en) | Method of manufacturing resistive random access memory | |
JP5319092B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2018152413A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014138178A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法、並びに基板構造及びその製造方法 | |
TW202201826A (zh) | 電阻式隨機存取記憶體及其製造方法 | |
JP5634426B2 (ja) | 記憶装置 | |
CN112259681B (zh) | 电阻式随机存取存储器结构及其制造方法 | |
TWI724441B (zh) | 電阻式隨機存取記憶體結構及其製造方法 | |
KR20080026675A (ko) | 비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140516 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |