JP2015056653A - 記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】データの保持特性が良好な記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る記憶装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた抵抗変化層と、前記第1電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層内を移動可能な金属を含み、島状に形成されたイオンメタル粒と、を備える。前記第1電極及び前記第2電極は、前記金属よりもイオン化しにくい材料によって形成されており、前記第1電極は前記イオンメタル粒の周囲で前記抵抗変化層に接している。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、記憶装置に関する。
近年、金属膜と対向電極との間に高抵抗膜を設け、この高抵抗膜内に金属膜に含まれる金属のイオンを拡散させてフィラメントを形成又は消失させることにより、高抵抗膜の電気抵抗値を変化させる記憶装置が提案されている。しかしながら、このような記憶装置においては、データの保持特性が不十分であるという問題がある。
本発明の目的は、データの保持特性が良好な記憶装置を提供することである。
実施形態に係る記憶装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた抵抗変化層と、前記第1電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層内を移動可能な金属を含み、島状に形成されたイオンメタル粒と、を備える。前記第1電極及び前記第2電極は、前記金属よりもイオン化しにくい材料によって形成されており、前記第1電極は前記イオンメタル粒の周囲で前記抵抗変化層に接している。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る記憶装置を例示する斜視図であり、
図2は、本実施形態に係る記憶装置のピラー周辺を例示する断面図である。
本実施形態に係る記憶装置は、抵抗変化型記憶装置(ReRAM)の一種であるCBRAM:Conduction Bridge Random Access Memory)である。
図1は、本実施形態に係る記憶装置を例示する斜視図であり、
図2は、本実施形態に係る記憶装置のピラー周辺を例示する断面図である。
本実施形態に係る記憶装置は、抵抗変化型記憶装置(ReRAM)の一種であるCBRAM:Conduction Bridge Random Access Memory)である。
図1に示すように、本実施形態に係る記憶装置1においては、ワード線配線層10及びビット線配線層20が上下方向(Z方向)に沿って交互に積層されている。ワード線配線層10とビット線配線層20との間には、メモリセル層30が設けられている。なお、図1においては、ワード線配線層10が2層、ビット線配線層20が1層しか示されていないが、これには限定されず、より多数のワード線配線層10及びビット線配線層20が交互に積層されていてもよい。
各ワード線配線層10においては、一方向(Y方向)に延びる複数本のワード線WLが設けられている。各ビット線配線層20においては、他の一方向(X方向)に延びる複数本のビット線BLが設けられている。X方向、Y方向及びZ方向は、相互に交差、例えば直交する。各メモリセル層30においては、各ワード線WLと各ビット線BLとの間に、Z方向に延びるピラー11が設けられている。すなわち、各メモリセル層30においては、複数本のピラー11がX方向及びY方向に沿ってマトリクス状に配列されている。また、ワード線WL、ビット線BL及びピラー11の相互間には、層間絶縁膜19(図2参照)が配置されている。但し、図1においては、図示の便宜上、層間絶縁膜19は省略している。
図2に示すように、各ピラー11においては、ワード線WLからビット線BLに向かって、バリアメタル層12、下層電極層(電流制限層)13、抵抗変化層14、バリアメタル層16がこの順に積層されている。ビット線BL及びバリアメタル層16により、電極が形成されている。そして、抵抗変化層14とバリアメタル層16との間には、1個又は複数個のイオンメタル粒15が設けられている。イオンメタル粒15は、直径が例えば数nm程度の島状の部材であり、抵抗変化層14及びバリアメタル層16の双方に接している。バリアメタル層16は、イオンメタル粒15の周囲、すなわち、イオンメタル粒15が存在していない領域において、抵抗変化層14に接している。また、ピラー11の側面上にはライナー膜18が設けられており、ライナー膜18の周囲には層間絶縁膜19が設けられている。
なお、図2に示すピラー11は、下方にワード線WLが配置され、上方にビット線BLが配置されたピラー11であるため、イオンメタル粒15が抵抗変化層14よりも上方に配置されているが、下方にビット線BLが配置され、上方にワード線WLが配置されたピラー11の場合は、イオンメタル粒15が抵抗変化層14よりも下方に配置される。すなわち、各ピラー11内において、イオンメタル粒15は相対的にビット線BL側に配置され、抵抗変化層14は相対的にワード線WL側に配置される。ワード線WLは対向電極として機能する。
以下、各部の材料の一例を示す。ワード線WL及びビット線BLは、例えば、タングステン(W)により形成されている。バリアメタル層12及び16は、例えば、チタン(Ti)、チタン窒化物(TiN)、タンタル窒化物(TaN)又はタングステン窒化物(WN)により形成されている。ライナー膜18は例えばシリコン窒化物(Si3N4)により形成されており、層間絶縁膜19は例えばシリコン酸化物(SiO2)により形成されている。
イオンメタル粒15は、抵抗変化層14に金属を供給してフィラメントを形成するための層であり、抵抗変化層14内を繰り返し動くことが可能な金属により形成されている。イオンメタル粒15は、例えば銀(Ag)により形成されている。なお、イオンメタル粒15は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)若しくはニッケル(Ni)、又はこれらの金属の化合物によって形成されていてもよい。
抵抗変化層14は、イオンメタル粒15から移動してきた金属によりフィラメントが形成される層である。抵抗変化層14は、イオンメタル粒15を形成する金属が移動可能であり、この金属よりも抵抗率が高い材料又は絶縁性の材料により形成されており、例えば、アモルファスシリコン(Si)、ポリシリコン、シリコン酸化物(SiO2)、シリコン窒化物(SiN)、ハフニウム酸化物(HfO2)又はジルコニウム酸化物(ZrO2)などにより形成されている。なお、抵抗変化層14は単層膜でもよく、2層以上の層が積層された積層膜であってもよい。
下層電極層13は、上述のイオンメタル粒15を形成する金属が移動可能である材料により形成されている。下層電極層13は、メモリセルがセット動作するときの過電流によるショート不良を防ぐための電流制限層であり、記憶装置1の動作電圧帯である程度の抵抗値を持つ層である。下層電極層13に要求される抵抗値は記憶装置1の設計によって決まるが、概ね、1MΩ〜1GΩ程度である。下層電極層13は、例えば、イオンメタル粒15を形成する金属よりも電気抵抗率が高い材料によって形成されている。下層電極層13は、例えば、アモルファスシリコン又はポリシリコンにより形成され、所望の抵抗値を持つように厚さが調整された層でもよく、タンタルアルミニウム窒化物(TaAlN)又はタンタルシリコン窒化物(TaSiN)により形成され、所望の抵抗値を持つように厚さ又は組成が調整された層でもよい。なお、記憶装置1の設計によっては、下層電極層13は省略してもよい。本実施形態においては、下層電極層13は例えばポリシリコンにより形成されている。
次に、本実施形態に係る記憶装置の製造方法について説明する。
図3〜図11は、本実施形態に係る記憶装置の製造方法を例示する斜視断面図である。
先ず、図3に示すように、シリコン基板(図示せず)上に層間絶縁膜(図示せず)を形成し、その上に例えばタングステンを堆積させて、全面に導電膜21を形成する。次に、導電膜21上の全面に、バリアメタル層12、下層電極層13、抵抗変化層14をこの順に積層させる。
図3〜図11は、本実施形態に係る記憶装置の製造方法を例示する斜視断面図である。
先ず、図3に示すように、シリコン基板(図示せず)上に層間絶縁膜(図示せず)を形成し、その上に例えばタングステンを堆積させて、全面に導電膜21を形成する。次に、導電膜21上の全面に、バリアメタル層12、下層電極層13、抵抗変化層14をこの順に積層させる。
次に、イオンメタル粒15を形成する金属、例えば、銀を堆積させる。これにより、抵抗変化層14上に島状のイオンメタル粒15を形成する。イオンメタル粒15の大きさは、ピラー11の幅に合わせて調整し、1本のピラー11に1個〜数個程度のイオンメタル粒15が含まれるようにする。このとき、銀の堆積量は、例えば5nm以下、例えば3nm以下、例えば1nm以下とする。なお、「堆積量」とは、堆積材料が平坦な連続膜を形成すると仮定した場合に、その連続膜がある膜厚となる量である。例えば、5nmの堆積量とは、厚さが5nmの平坦な連続膜を形成するために必要な堆積材料の量をいう。
銀を堆積させる方法は特に限定されず、例えばスパッタ法等の気相成長法でもよく、塗布法でもよい。気相成長法の場合は、例えば、温度を制御するか、雰囲気を制御するか、下地を改質して疎水性又は親水性にする等の手段により、堆積させた銀を凝集させて、島状のイオンメタル粒15を形成する。また、塗布法の場合は、例えば、銀をコロイド状にした溶液を塗布し、乾燥させることにより、島状のイオンメタル粒15を形成する。但し、イオンメタル粒15の形成方法は、これらの方法には限定されない。
次に、抵抗変化層14上に、イオンメタル粒15を覆うように導電性材料を堆積させて、バリアメタル層16を形成する。バリアメタル層16は、イオンメタル粒15に接すると共に、イオンメタル粒15の周囲において抵抗変化層14にも接する。このようにして、積層膜11aを形成する。そして、積層膜11a上にハードマスク22を形成する。ハードマスク22は、例えば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物により形成する。
次に、図4に示すように、リソグラフィ技術により、ハードマスク22をY方向に延びるラインアンドスペース状にパターニングする。次に、ハードマスク22をマスクとしてRIE(reactive ion etching)等の異方性エッチングを施すことにより、積層膜11a及び導電膜21をパターニングする。これにより、積層膜11aがY方向に延びるライン状に加工される。また、導電膜21がY方向に延びるライン状に加工されて、複数本のワード線WLとなる。
次に、図5に示すように、全面にライナー膜18(図2参照)を形成した後、シリコン酸化物を堆積させる。次に、バリアメタル層16をストッパとしてCMP(chemical mechanical polishing)を施す。これにより、ハードマスク22が除去されると共に、ライン状に加工された積層膜11aの相互間に、層間絶縁膜19が埋め込まれる。この結果、ワード線WLと層間絶縁膜19が交互に配列されたワード線配線層10と、ライン状の積層膜11aと層間絶縁膜19が交互に配列された構造体が形成される。
次に、図6に示すように、全面に例えばタングステンを堆積させて、導電膜23を形成する。次に、バリアメタル層16を形成する。次に、バリアメタル層16上にイオンメタル粒15を形成する。イオンメタル粒15の形成方法は、上述の方法と同様である。次に、バリアメタル層16上に、イオンメタル粒15を覆うように、抵抗変化層14を形成する。抵抗変化層14は、イオンメタル粒15に接すると共に、イオンメタル粒15の周囲においてバリアメタル層16にも接する。次に、下層電極層13及びバリアメタル層12をこの順に積層する。これにより、積層膜11bを形成する。次に、ハードマスク24を形成する。
次に、図7に示すように、リソグラフィ技術により、ハードマスク24をX方向に延びるラインアンドスペース状にパターニングする。次に、ハードマスク24をマスクとしてRIE等の異方性エッチングを施して、積層膜11b、導電膜23、積層膜11aをパターニングする。
これにより、積層膜11bはX方向に延びるライン状に加工される。また、導電膜23もX方向に延びるライン状に加工されて、複数本のビット線BLとなる。更に、既にY方向に延びるライン状に加工されている積層膜11aが、Y方向において分断される。これにより、積層膜11aはX方向及びY方向の双方に沿って分断されて、マトリクス状に配列された複数本のピラー11に加工される。
次に、図8に示すように、全面にライナー膜18(図2参照)を形成した後、シリコン酸化物を堆積させる。次に、積層膜11bのバリアメタル層12をストッパとしてCMPを施す。これにより、ハードマスク24が除去されると共に、ピラー11及びライン状に加工された積層膜11bの相互間に、層間絶縁膜19が埋め込まれる。この結果、層間絶縁膜19内にピラー11がマトリクス状に配列されたメモリセル層30、ビット線BL及び層間絶縁膜19が交互に配列されたビット線配線層20、ライン状に加工された積層膜11b及び層間絶縁膜19が交互に配列された構造体が形成される。
次に、図9に示すように、全面に例えばタングステンを堆積させて、導電膜25を形成する。次に、バリアメタル層12、下層電極層13及び抵抗変化層14をこの順に積層させる。次に、上述の方法と同様な方法により、抵抗変化層14上にイオンメタル粒15を形成し、その上にバリアメタル層16を形成する。これにより、積層膜11cを形成する。次に、ハードマスク26を形成する。
次に、図10に示すように、リソグラフィ技術により、ハードマスク26をY方向に延びるラインアンドスペース状にパターニングする。次に、ハードマスク26をマスクとしてRIE等の異方性エッチングを施し、積層膜11c、導電膜25及び積層膜11bをパターニングする。
これにより、積層膜11cはY方向に延びるライン状に加工される。また、導電膜25もY方向に延びるライン状に加工されて、複数本のワード線WLとなる。更に、既にX方向に延びるライン状に加工されている積層膜11bが、X方向において分断される。これにより、積層膜11bはX方向及びY方向の双方に沿って分断され、マトリクス状に配列された複数本のピラー11に加工される。
次に、図11に示すように、全面にライナー膜18(図2参照)を形成した後、シリコン酸化物を堆積させる。次に、最上層のバリアメタル層16をストッパとしてCMPを施す。これにより、ハードマスク26が除去されると共に、ピラー11及びライン状に加工された積層膜11cの相互間に、層間絶縁膜19が埋め込まれる。
以後同様に、抵抗変化層14、イオンメタル粒15及びバリアメタル層16を含み一方向に延びるライン状に加工された積層膜上の全面に導電膜及び積層膜を形成し、上層の積層膜、導電膜、下層の積層膜を他方向に延びるライン状に加工する工程を繰り返す。これにより、Y方向に延びるワード線WL、ピラー11、X方向に延びるビット線BL、ピラー11を繰り返し形成することができ、記憶装置1を製造することができる。
次に、本実施形態に係る記憶装置の動作及び効果について説明する。
先ず、基本的なメモリ動作について説明する。
図2に示すように、ピラー11に対して、ワード線WLを負極としビット線BLを正極とするような電圧(以下、「正電圧」という)を印加すると、イオンメタル粒15に含まれる銀原子の一部がイオン化して陽イオンになる。この陽イオンが負極であるワード線WLに向かって移動し、抵抗変化層14内に進入する。そして、陽イオンは、抵抗変化層14内において、ワード線WLから供給された電子と結合し、銀原子として析出する。これにより、抵抗変化層14内に、抵抗変化層14を貫通するように、主として銀からなるフィラメントF(図12(a)参照)が形成される。この結果、このフィラメントFが電流経路となり、ピラー11が「低抵抗状態」となる。この動作を「セット」という。
先ず、基本的なメモリ動作について説明する。
図2に示すように、ピラー11に対して、ワード線WLを負極としビット線BLを正極とするような電圧(以下、「正電圧」という)を印加すると、イオンメタル粒15に含まれる銀原子の一部がイオン化して陽イオンになる。この陽イオンが負極であるワード線WLに向かって移動し、抵抗変化層14内に進入する。そして、陽イオンは、抵抗変化層14内において、ワード線WLから供給された電子と結合し、銀原子として析出する。これにより、抵抗変化層14内に、抵抗変化層14を貫通するように、主として銀からなるフィラメントF(図12(a)参照)が形成される。この結果、このフィラメントFが電流経路となり、ピラー11が「低抵抗状態」となる。この動作を「セット」という。
一方、ピラー11に対して、ワード線WLを正極としビット線BLを負極とするような電圧(以下、「逆電圧」という)を印加すると、フィラメントFを形成する銀がイオン化して陽イオンとなり、ビット線BLに向かって移動する。そして、イオンメタル粒15内において、ビット線BLから供給された電子と結合し、銀原子に戻る。これにより、抵抗変化層14内に形成されたフィラメントFの少なくとも一部が消失し、ピラー11が「高抵抗状態」となる。この動作を「リセット」という。そして、記憶装置1は、ピラー11の「低抵抗状態」及び「高抵抗状態」に対応させて、データを記憶する。
また、セット動作の直後、ピラー11に印加している正電圧を遮断すると、抵抗変化層14内に形成されたフィラメントFの一部が分解する。そのため、この状態にあるピラー11に逆電圧が印加されても、電流経路は形成されず、電流は流れない。一方、ピラー11に、読出電圧として、セット動作に必要なセット電圧よりも低い正電圧を印加すると、分解していた一部のフィラメントFが再形成されて電流が流れる。これにより、ピラー11が低抵抗状態にあることを検出することができる。このように、イオンメタル粒15と抵抗変化層14からなる素子は整流機能を備える。
次に、イオンメタル粒15を島状に形成することの効果について説明する。
図12(a)は本実施形態に係る記憶装置の動作を例示する模式的断面図であり、(b)は比較例に係る記憶装置の動作を例示する模式的断面図である。
図12(a)に示すように、イオンメタル粒15を島状に形成することにより、イオンメタルが平面に形成された場合に比べて、電圧が印加された際にイオン化してフィラメント成長の核となることが可能な領域が制限される。すなわち、平面の場合と比較してフィラメント成長の起点となる核の生成確率が低下する。ゆえに、イオンメタルを島状に形成した場合は、複数のフィラメントが同時に成長する確率が下がり、少数のフィラメントに電圧が集中することにより、それらをより太く強靭にすることが可能となる。太く強靭に形成されたフィラメントは、電圧がオフとなっても抵抗変化層14内でフィラメント形状を保持しやすく、低抵抗状態を維持しやすい。このため、本実施形態に係る記憶装置1は、データの保持特性が良好である。
図12(a)は本実施形態に係る記憶装置の動作を例示する模式的断面図であり、(b)は比較例に係る記憶装置の動作を例示する模式的断面図である。
図12(a)に示すように、イオンメタル粒15を島状に形成することにより、イオンメタルが平面に形成された場合に比べて、電圧が印加された際にイオン化してフィラメント成長の核となることが可能な領域が制限される。すなわち、平面の場合と比較してフィラメント成長の起点となる核の生成確率が低下する。ゆえに、イオンメタルを島状に形成した場合は、複数のフィラメントが同時に成長する確率が下がり、少数のフィラメントに電圧が集中することにより、それらをより太く強靭にすることが可能となる。太く強靭に形成されたフィラメントは、電圧がオフとなっても抵抗変化層14内でフィラメント形状を保持しやすく、低抵抗状態を維持しやすい。このため、本実施形態に係る記憶装置1は、データの保持特性が良好である。
また、本実施形態に係る記憶装置1においては、バリアメタル層16が抵抗変化層14に直接接しているため、抵抗変化層14とバリアメタル層16との間の密着性が良好である。このため、記憶装置1の製造工程において、例えば平面状に膜を積んでいく工程で抵抗変化層14とイオンメタル粒15の界面が膜剥がれの起点になりにくくなる。また、加工した場合においてもピラー状またはライン状のパターンが倒壊しにくくなるなどの効果がある。
一方、図12(b)に示すように、比較例に係る記憶装置101においては、抵抗変化層14とバリアメタル層15との間に、層状のイオンメタル層115が設けられている。イオンメタル層115は銀により形成されている。イオンメタル層115は連続膜であるため、バリアメタル層16は抵抗変化層14に接していない。
記憶装置101においては、フィラメントFがイオンメタル層115のどの部分からでも形成し得るため、フィラメント形成の核となる部分の生成確率が高く、結果として形成されるフィラメントFの本数が多くなる。イオンメタルが島状に形成される場合に比べて同時に成長するフィラメントの本数が増えることで、各フィラメントに印加される電圧が分散し、各フィラメントFが細く、脆弱に形成される。この結果、セット電圧の停止後、時間が経過すると、フィラメントFが分解されて消失しやすく、低抵抗状態を保持しにくい。このため、比較例に係る記憶装置101は、データの保持特性が低い。
また、比較例に係る記憶装置101においては、バリアメタル層16が抵抗変化層14に直接接していない。一般に、イオンメタル層115を形成する金属は抵抗変化層14を形成する材料との間の密着性が低いため、抵抗変化層14とイオンメタル層115との界面で剥離が生じやすい。従って、装置101においては、抵抗変化層14とバリアメタル層16との間の密着性が低い。このため、記憶装置101の製造工程において、例えば平面状に膜を積んでいく工程で抵抗変化層14とイオンメタル層115の界面が膜剥がれの起点になりやすくなる。また、加工した場合においてもピラー状またはライン状のパターンが倒壊しやすくなる。
次に、本実施形態の効果を示す試験例について説明する。
先ず、第1の試験例について説明する。
図13は、銀を島状に形成したサンプルの表面SEM写真である。
先ず、第1の試験例について説明する。
図13は、銀を島状に形成したサンプルの表面SEM写真である。
図13に示すように、本試験例によれば、銀を所定の条件でスパッタリングすることにより、基板上で銀を凝集させて、直径が数nm〜数十nm程度の島状に形成することができた。この技術を用いれば、図2に示すように、ピラー11内に所定の大きさのイオンメタル粒15を形成することができる。
次に、第2の試験例について説明する。
本試験例においては、図12(a)及び(b)に示す構造のサンプルを4種類作製した。このとき、抵抗変化層上の銀の堆積量を相互に異ならせて、銀を島状に堆積させた実施例に係るサンプルと、銀を層状に堆積させた比較例に係るサンプルを作製した。そして、所定の電圧を印加してセット動作を行い、低抵抗状態にした後、所定の時間毎に所定の電流値に至るまでの印加電圧を測定し、その電圧値をセット電圧として、セット電圧の経時変化を調べた。時間の経過に伴うセット電圧の増加が大きいサンプルほど、時間経過にしたがって抵抗変化層内に形成されたフィラメントが分解していることを示し、すなわちデータの保持特性が劣っていると解釈される。
本試験例においては、図12(a)及び(b)に示す構造のサンプルを4種類作製した。このとき、抵抗変化層上の銀の堆積量を相互に異ならせて、銀を島状に堆積させた実施例に係るサンプルと、銀を層状に堆積させた比較例に係るサンプルを作製した。そして、所定の電圧を印加してセット動作を行い、低抵抗状態にした後、所定の時間毎に所定の電流値に至るまでの印加電圧を測定し、その電圧値をセット電圧として、セット電圧の経時変化を調べた。時間の経過に伴うセット電圧の増加が大きいサンプルほど、時間経過にしたがって抵抗変化層内に形成されたフィラメントが分解していることを示し、すなわちデータの保持特性が劣っていると解釈される。
図14は、横軸に時間をとり、縦軸にセット電圧をとって、セット電圧の経時変化を例示するグラフ図である。
図14に示すように、実施例に係るサンプルは、比較例に係るサンプルよりもセット電圧の増加量が小さく、データ保持特性が優れていた。
図14に示すように、実施例に係るサンプルは、比較例に係るサンプルよりもセット電圧の増加量が小さく、データ保持特性が優れていた。
次に、第3の試験例について説明する。
本試験例においては、ある段差を持ったパターン付きの下地上に銀を堆積させ、その上にチタン窒化物(TiN)からなるバリアメタル層を成膜してサンプルを作製した。このとき、実施例に係るサンプルは、銀の堆積量を3nmとし、島状に堆積させた。一方、比較例に係るサンプルは、銀の堆積量を30nmとし、層状に堆積させた。そして、m−ELT(modified-Edge Liftoff Test)法により、下地に対するイオンメタル層の密着力を評価した。
本試験例においては、ある段差を持ったパターン付きの下地上に銀を堆積させ、その上にチタン窒化物(TiN)からなるバリアメタル層を成膜してサンプルを作製した。このとき、実施例に係るサンプルは、銀の堆積量を3nmとし、島状に堆積させた。一方、比較例に係るサンプルは、銀の堆積量を30nmとし、層状に堆積させた。そして、m−ELT(modified-Edge Liftoff Test)法により、下地に対するイオンメタル層の密着力を評価した。
図15は、横軸にサンプルをとり、縦軸に密着力をとって、銀の形態が密着性に及ぼす影響を例示するグラフ図である。
なお、図15において、黒い小さいプロットは各測定結果を示し、白い大きなプロットは測定結果の平均値を示す。
図15に示すように、実施例に係るサンプルは、比較例に係るサンプルよりも密着力が高く、従って密着性が良好であった。
なお、図15において、黒い小さいプロットは各測定結果を示し、白い大きなプロットは測定結果の平均値を示す。
図15に示すように、実施例に係るサンプルは、比較例に係るサンプルよりも密着力が高く、従って密着性が良好であった。
以上説明した実施形態によれば、データの保持特性が良好な記憶装置を実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
1:記憶装置、10:ワード線配線層、11:ピラー、11a、11b、11c:積層膜、12:バリアメタル層、13:下層電極層(電流制限層)、14:抵抗変化層、15:イオンメタル粒、16:バリアメタル層、18:ライナー膜、19:層間絶縁膜、20:ビット線配線層、21:導電膜、22:ハードマスク、23:導電膜、24:ハードマスク、25:導電膜、26:ハードマスク、30:メモリセル層、101:記憶装置、115:イオンメタル層、BL:ビット線、F:フィラメント、WL:ワード線
Claims (7)
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた抵抗変化層と、
前記第1電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記抵抗変化層内を移動可能な金属を含み、島状に形成されたイオンメタル粒と、
を備え、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記金属よりもイオン化しにくい材料によって形成されており、
前記第1電極は前記イオンメタル粒の周囲で前記抵抗変化層に接している記憶装置。 - 前記金属は銀である請求項1記載の記憶装置。
- 前記抵抗変化層はシリコン酸化物により形成されている請求項1または2に記載の記憶装置。
- 前記第1電極は、チタン、チタン窒化物、タンタル窒化物又はタングステン窒化物を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の記憶装置。
- 前記金属の堆積量は5nm以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の記憶装置。
- 前記第1電極は、
第1方向に延びる第1配線と、
前記第1配線と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記イオンメタル粒及び前記抵抗変化層に接した導電層と、
を有し、
前記第2電極は、前記第1方向に対して交差した第2方向に延びる第2配線を有する請求項1〜5のいずれか1つに記載の記憶装置。 - 前記第2電極と前記抵抗変化層との間に設けられ、前記金属よりも電気抵抗率が高い材料によって形成された電流制限層をさらに備えた請求項1〜6のいずれか1つに記載の記憶装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007091326A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Hitachi, Ltd. | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2007102341A1 (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化型素子、半導体装置、およびその製造方法 |
JP2010199348A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 半導体メモリとその製造方法 |
JP2012028765A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-02-09 | Crossbar Inc | SiGe材料を使用する抵抗性メモリー |
JP2012216725A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Nec Corp | 抵抗記憶装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007091326A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Hitachi, Ltd. | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2007102341A1 (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化型素子、半導体装置、およびその製造方法 |
JP2010199348A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 半導体メモリとその製造方法 |
JP2012028765A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-02-09 | Crossbar Inc | SiGe材料を使用する抵抗性メモリー |
JP2012216725A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Nec Corp | 抵抗記憶装置およびその製造方法 |
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