JP2007251144A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007251144A JP2007251144A JP2007030341A JP2007030341A JP2007251144A JP 2007251144 A JP2007251144 A JP 2007251144A JP 2007030341 A JP2007030341 A JP 2007030341A JP 2007030341 A JP2007030341 A JP 2007030341A JP 2007251144 A JP2007251144 A JP 2007251144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- concentration
- buffer layer
- carbon
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 177
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 173
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 170
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 57
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 52
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 26
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 11
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 7
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】HEMT1は、基板2上に、それぞれGaN系化合物半導体からなる低温バッファ層3、バッファ層4、電子走行層5および電子供給層6を、この順に積層して備える。バッファ層4は、炭素が添加され、この添加される炭素濃度は、この炭素濃度に対して電流コラプスが急激に変化する濃度以下であり、かつこの炭素濃度に対してHEMT1の耐圧が急激に変化する濃度以上とされる。また、電子走行層5の層厚は、この層厚に対して電流コラプスが急激に変化する厚さ以上であり、かつこの層厚に対してHEMT1の耐圧が急激に変化する厚さ以下とされる。
【選択図】 図1
Description
まず、本発明の実施の形態1にかかる半導体素子について説明する。図1は、本実施の形態1にかかる半導体素子としてのHEMT1の構成を示す断面図である。図1に示すように、HEMT1は、サファイア、SiまたはSiC等からなる基板2上に、バッファ層を介して積層された化合物半導体層を備える。具体的には、基板2上に、低温形成したGaNからなる低温バッファ層3と、GaNからなるバッファ層4と、GaNからなる電子走行層5と、AlGaNからなる電子供給層6とをこの順に積層して形成されたヘテロ接合構造を有する。
つぎに、本発明の実施の形態2にかかる半導体素子について説明する。図4は、本実施の形態2にかかる半導体素子としてのHEMT11の構成を示す断面図である。図4に示すように、HEMT11は、HEMT1の構成をもとに、バッファ層4および電子走行層5に替えて、GaNからなるバッファ層14および電子走行層15を備えるとともに、このバッファ層14と電子走行層15との間に、GaNからなる炭素濃度遷移層18をさらに備える。その他の構成は、HEMT1と同じであり、同一構成部分には同一符号を付して示している。
図9は、本発明の実施の形態3にかかる半導体素子としての電界効果トランジスタ100の構成を示す断面図である。この図に示すように、電界効果トランジスタ100は、例えばSi、サファイア、SiCまたはZnOからなる基板31上に、窒化物系化合物半導体を用いて形成されたバッファ層32〜34および半導体動作層35が順次積層され、その上にソース電極36S、ドレイン電極36D、絶縁ゲート36Gが形成されている。
2,22 基板
3,23 低温バッファ層
4,14,24 バッファ層
5,15,25 電子走行層
5a,25a 2次元電子ガス層
6,26 電子供給層
7D,27D ドレイン電極
7G,27G ゲート電極
7S,27S ソース電極
18 炭素濃度遷移層
31 基板
32〜34 バッファ層
35 半導体動作層
35a チャネル層
35b リサーフ層
35c,35d コンタクト層
35e 反転層
36D ドレイン電極
36G 絶縁ゲート
36Ga ゲート絶縁膜
36Gb ゲート電極
36S ソース電極
40 複合層
41 第1の層
42 第2の層
100 電界効果トランジスタ
Claims (17)
- 基板上にバッファ層を介して積層された化合物半導体層を備える半導体素子において、
前記バッファ層は、炭素が添加され、この添加される炭素濃度は、該炭素濃度に対して電流コラプスが急激に変化する濃度以下であり、かつ前記炭素濃度に対して当該半導体素子の耐圧が急激に変化する濃度以上であることを特徴とする半導体素子。 - 前記炭素濃度は、1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- バッファ層を介して基板上に積層された化合物半導体層を備える半導体素子において、
前記化合物半導体層内の電流経路となる層から前記バッファ層までの層厚は、該層厚に対して電流コラプスが急激に変化する厚さ以上であり、かつ前記層厚に対して当該半導体素子の耐圧が急激に変化する厚さ以下であることを特徴とする半導体素子。 - 前記電流経路となる層は、前記化合物半導体層内のヘテロ接合界面に形成される2次元電子ガス層であることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。
- 前記層厚は、0.05μm以上、1μm以下であることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体素子。
- バッファ層を介して基板上に積層された化合物半導体層を備える半導体素子において、
前記バッファ層と前記化合物半導体層との間に積層されるとともに、前記化合物半導体層から前記バッファ層に向かう積層方向の距離に応じて添加濃度が増加するように炭素が添加された炭素濃度遷移層を備えることを特徴とする半導体素子。 - 前記バッファ層と前記化合物半導体層との間に積層されるとともに、前記化合物半導体層から前記バッファ層に向かう積層方向の距離に応じて添加濃度が増加するように炭素が添加された炭素濃度遷移層を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 前記炭素濃度遷移層に添加される炭素の添加濃度は、前記積層方向の距離に応じて、前記化合物半導体層の炭素濃度から前記バッファ層の炭素濃度まで変化することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体素子。
- 前記炭素濃度遷移層の層厚は、1μm以下であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 前記化合物半導体層内のヘテロ接合界面から前記バッファ層または前記炭素濃度遷移層までの層厚間の炭素濃度は、1×1017cm-3以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 前記化合物半導体層と、前記バッファ層および前記炭素濃度遷移層の少なくとも一方とは、Al1-x-yGaxInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)系の半導体材料を用いて形成されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 当該半導体素子は、ダイオードまたは電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 基板上にバッファ層、半導体動作層、絶縁層および電極層を順次積層して備える半導体素子において、
前記バッファ層は、炭素が添加された窒化物系化合物半導体層を含み、前記窒化物系化合物半導体層の炭素濃度は、該炭素濃度に対して当該半導体素子の耐圧が急激に変化する濃度以上であり、かつ飽和濃度以下であることを特徴とする半導体素子。 - 前記炭素濃度は、1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下であることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子。
- 前記窒化物系化合物半導体層における炭素以外の不純物濃度は、1×1016cm-3以上、1×1017cm-3以下であることを特徴とする請求項13または14に記載の半導体素子。
- 前記半導体動作層は、炭素が非添加であり、層厚が200nm以上、400nm以下であることを特徴とする請求項13〜15のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 前記窒化物系化合物半導体層は、GaN系化合物半導体によって形成されることを特徴とする請求項13〜16のいずれか一つに記載の半導体素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007030341A JP5064824B2 (ja) | 2006-02-20 | 2007-02-09 | 半導体素子 |
PCT/JP2007/052872 WO2007097264A1 (ja) | 2006-02-20 | 2007-02-16 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006043036 | 2006-02-20 | ||
JP2006043036 | 2006-02-20 | ||
JP2007030341A JP5064824B2 (ja) | 2006-02-20 | 2007-02-09 | 半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007251144A true JP2007251144A (ja) | 2007-09-27 |
JP5064824B2 JP5064824B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=38437304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007030341A Active JP5064824B2 (ja) | 2006-02-20 | 2007-02-09 | 半導体素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5064824B2 (ja) |
WO (1) | WO2007097264A1 (ja) |
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088081A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Iii族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ |
WO2010070863A1 (ja) | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010183093A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-08-19 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010219151A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ |
JP2010239034A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010258442A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および溝の形成方法 |
WO2010131451A1 (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
KR101006480B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2011-01-06 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 |
JP2011035065A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置 |
JP2011082494A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-04-21 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体基板 |
WO2011099097A1 (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2011187654A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなるhemt、およびその製造方法 |
JP2011258782A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体基板 |
WO2012014352A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2012033645A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2012033703A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012033575A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
WO2012066701A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
WO2012105179A1 (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-09 | 次世代パワーデバイス技術研究組合 | 半導体基板、半導体装置、および半導体基板の製造方法 |
JP2012174697A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
CN102832124A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 三菱电机株式会社 | 氮化物半导体装置的制造方法 |
JP2013008938A (ja) * | 2011-02-22 | 2013-01-10 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
JP2013021106A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置 |
JP2013038157A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体基板 |
EP2573818A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-27 | International Rectifier Corporation | Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration |
US8552531B2 (en) | 2010-08-30 | 2013-10-08 | Advanced Power Device Research Association | Nitride-based compound semiconductor and nitride-based compound semiconductor device |
JP2014017422A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
WO2014108946A1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-17 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2014197645A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
TWI462286B (zh) * | 2009-12-10 | 2014-11-21 | Dowa Electronics Materials Co | A epitaxial substrate for electronic components and a method for manufacturing the same |
JP2014222716A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | コバレントマテリアル株式会社 | 窒化物半導体基板 |
CN104465743A (zh) * | 2013-09-19 | 2015-03-25 | 富士通株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
WO2015155932A1 (ja) * | 2014-04-09 | 2015-10-15 | サンケン電気株式会社 | 半導体基板及び半導体素子 |
US9166031B2 (en) | 2013-09-05 | 2015-10-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
US9171945B2 (en) | 2011-05-25 | 2015-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Switching element utilizing recombination |
JP2015201575A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体基板の製造方法、半導体素子の製造方法、半導体基板、並びに半導体素子 |
JP2015207771A (ja) * | 2015-06-03 | 2015-11-19 | コバレントマテリアル株式会社 | 化合物半導体基板 |
US9196685B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-11-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2016152106A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体ウエハ、半導体装置及び半導体ウエハの製造方法 |
US9496380B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-11-15 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device comprising compound semiconductor layered structure having buffer layer and method of manufacturing the same |
JP2016213507A (ja) * | 2016-09-07 | 2016-12-15 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
JP2017011180A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2017037030A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017077733A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体、窒化物半導体の製造方法、および電子デバイス |
WO2017077734A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体、窒化物半導体の製造方法、および電子デバイス |
JP2017092369A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 |
JP2017152690A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-31 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | エンハンスドノーマリーオフ型高電子移動度ヘテロ接合トランジスタ |
JP2018113358A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 三菱電機株式会社 | 高電子移動度トランジスタの製造方法、高電子移動度トランジスタ |
KR20190035885A (ko) * | 2016-08-18 | 2019-04-03 | 레이던 컴퍼니 | 이온 주입을 이용한 고저항 나이트라이드 버퍼층의 반도체 물질 성장 |
CN111373513A (zh) * | 2017-11-20 | 2020-07-03 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
US10770554B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-09-08 | Sciocs Company Limited | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate |
US10818757B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-10-27 | Sciocs Company Limited | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate |
JP7398968B2 (ja) | 2020-01-20 | 2023-12-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2024004016A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5133927B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-01-30 | コバレントマテリアル株式会社 | 化合物半導体基板 |
US8269253B2 (en) | 2009-06-08 | 2012-09-18 | International Rectifier Corporation | Rare earth enhanced high electron mobility transistor and method for fabricating same |
JP2012243886A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP6249868B2 (ja) | 2014-04-18 | 2017-12-20 | サンケン電気株式会社 | 半導体基板及び半導体素子 |
JP6494361B2 (ja) | 2015-03-25 | 2019-04-03 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイス |
US9871108B2 (en) | 2015-04-23 | 2018-01-16 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP6671124B2 (ja) | 2015-08-10 | 2020-03-25 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイス |
JP6660631B2 (ja) | 2015-08-10 | 2020-03-11 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイス |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173203A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Mis型電界効果トランジスタ |
JP2000068498A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置 |
JP2003023220A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2004311913A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びhemt用基板 |
JP2005217361A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高電子移動度トランジスタ |
JP2005235935A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高電子移動度トランジスタ |
JP2006332367A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびiii族窒化物系トランジスタを作製する方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3393602B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2003-04-07 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
-
2007
- 2007-02-09 JP JP2007030341A patent/JP5064824B2/ja active Active
- 2007-02-16 WO PCT/JP2007/052872 patent/WO2007097264A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173203A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Mis型電界効果トランジスタ |
JP2000068498A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置 |
JP2003023220A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2004311913A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びhemt用基板 |
JP2005217361A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高電子移動度トランジスタ |
JP2005235935A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高電子移動度トランジスタ |
JP2006332367A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびiii族窒化物系トランジスタを作製する方法 |
Cited By (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088081A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Iii族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ |
KR101006480B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2011-01-06 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 |
JP2010183093A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-08-19 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP4677499B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2011-04-27 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
WO2010070863A1 (ja) | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010245504A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-10-28 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
KR101273040B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2013-06-10 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 전자 디바이스용 에피택셜 기판 및 그 제조 방법 |
US8410472B2 (en) | 2008-12-15 | 2013-04-02 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Epitaxial substrate for electronic device and method of producing the same |
CN102318049A (zh) * | 2008-12-15 | 2012-01-11 | 同和电子科技有限公司 | 电子器件用外延基板及其生产方法 |
JP2010219151A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ |
JP2010239034A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010258442A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および溝の形成方法 |
TWI466290B (zh) * | 2009-05-11 | 2014-12-21 | Dowa Electronics Materials Co | A epitaxial substrate for electronic components and a method for manufacturing the same |
JP4685961B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2011-05-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
US8426893B2 (en) | 2009-05-11 | 2013-04-23 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Epitaxial substrate for electronic device and method of producing the same |
WO2010131451A1 (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010287882A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-12-24 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2011035065A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置 |
JP2011082494A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-04-21 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体基板 |
TWI462286B (zh) * | 2009-12-10 | 2014-11-21 | Dowa Electronics Materials Co | A epitaxial substrate for electronic components and a method for manufacturing the same |
WO2011099097A1 (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2011166067A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Panasonic Corp | 窒化物半導体装置 |
US20120299060A1 (en) * | 2010-02-15 | 2012-11-29 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2011187654A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなるhemt、およびその製造方法 |
JP2011258782A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体基板 |
JP2012033575A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2012033645A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2012033703A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012033679A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Panasonic Corp | 電界効果トランジスタ |
US8604516B2 (en) | 2010-07-30 | 2013-12-10 | Panasonic Corporation | Heterojunction field-effect transistor with field plate connected to gate or source electrode |
WO2012014352A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US8552531B2 (en) | 2010-08-30 | 2013-10-08 | Advanced Power Device Research Association | Nitride-based compound semiconductor and nitride-based compound semiconductor device |
WO2012066701A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP5810293B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-11-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体装置 |
CN103155124A (zh) * | 2010-11-19 | 2013-06-12 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体装置 |
US20130240901A1 (en) * | 2010-11-19 | 2013-09-19 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device |
WO2012105179A1 (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-09 | 次世代パワーデバイス技術研究組合 | 半導体基板、半導体装置、および半導体基板の製造方法 |
US9099383B2 (en) | 2011-02-03 | 2015-08-04 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate |
JP2012174697A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2013008938A (ja) * | 2011-02-22 | 2013-01-10 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
US9496380B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-11-15 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device comprising compound semiconductor layered structure having buffer layer and method of manufacturing the same |
US9171945B2 (en) | 2011-05-25 | 2015-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Switching element utilizing recombination |
CN102832124A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 三菱电机株式会社 | 氮化物半导体装置的制造方法 |
JP2013021106A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置 |
JP2013038157A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体基板 |
EP2573818A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-27 | International Rectifier Corporation | Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration |
US8796738B2 (en) | 2011-09-21 | 2014-08-05 | International Rectifier Corporation | Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration |
JP2014017422A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9831310B2 (en) | 2012-07-10 | 2017-11-28 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device, method for producing the same, power-supply unit, and high-frequency amplifier |
WO2014108946A1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-17 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US9595606B2 (en) | 2013-01-10 | 2017-03-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Field-effect transistor |
JPWO2014108946A1 (ja) * | 2013-01-10 | 2017-01-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2014197645A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014222716A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | コバレントマテリアル株式会社 | 窒化物半導体基板 |
US9117743B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-08-25 | Covalent Materials Corportion | Nitride semiconductor substrate |
US9166031B2 (en) | 2013-09-05 | 2015-10-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
CN104465743A (zh) * | 2013-09-19 | 2015-03-25 | 富士通株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
US9196685B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-11-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2015155932A1 (ja) * | 2014-04-09 | 2015-10-15 | サンケン電気株式会社 | 半導体基板及び半導体素子 |
KR102121096B1 (ko) * | 2014-04-09 | 2020-06-09 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 반도체 기판 및 반도체 소자 |
CN106165072A (zh) * | 2014-04-09 | 2016-11-23 | 三垦电气株式会社 | 半导体基板及半导体元件 |
KR20160138090A (ko) * | 2014-04-09 | 2016-12-02 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 반도체 기판 및 반도체 소자 |
TWI614895B (zh) * | 2014-04-09 | 2018-02-11 | Sanken Electric Co., Ltd. | 半導體基板及半導體元件 |
JP2015201575A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体基板の製造方法、半導体素子の製造方法、半導体基板、並びに半導体素子 |
JP2015201574A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体基板及び半導体素子 |
WO2016152106A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体ウエハ、半導体装置及び半導体ウエハの製造方法 |
JP2015207771A (ja) * | 2015-06-03 | 2015-11-19 | コバレントマテリアル株式会社 | 化合物半導体基板 |
JP2017011180A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2017037030A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017077733A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体、窒化物半導体の製造方法、および電子デバイス |
WO2017077734A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体、窒化物半導体の製造方法、および電子デバイス |
JP2017092369A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 |
JP2017152690A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-31 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | エンハンスドノーマリーオフ型高電子移動度ヘテロ接合トランジスタ |
US10770554B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-09-08 | Sciocs Company Limited | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate |
US10818757B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-10-27 | Sciocs Company Limited | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate |
KR20190035885A (ko) * | 2016-08-18 | 2019-04-03 | 레이던 컴퍼니 | 이온 주입을 이용한 고저항 나이트라이드 버퍼층의 반도체 물질 성장 |
KR102238369B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2021-04-08 | 레이던 컴퍼니 | 이온 주입을 이용한 고저항 나이트라이드 버퍼층의 반도체 물질 성장 |
US11127596B2 (en) | 2016-08-18 | 2021-09-21 | Raytheon Company | Semiconductor material growth of a high resistivity nitride buffer layer using ion implantation |
JP2016213507A (ja) * | 2016-09-07 | 2016-12-15 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
US10297447B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-05-21 | Mitsubishi Electric Corporation | High electron mobility transistor manufacturing method and high electron mobility transistor |
JP2018113358A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 三菱電機株式会社 | 高電子移動度トランジスタの製造方法、高電子移動度トランジスタ |
CN111373513A (zh) * | 2017-11-20 | 2020-07-03 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
CN111373513B (zh) * | 2017-11-20 | 2023-10-13 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
JP7398968B2 (ja) | 2020-01-20 | 2023-12-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2024004016A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007097264A1 (ja) | 2007-08-30 |
JP5064824B2 (ja) | 2012-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064824B2 (ja) | 半導体素子 | |
US8618578B2 (en) | Field effect transistor | |
JP5566670B2 (ja) | GaN系電界効果トランジスタ | |
JP5587564B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 | |
US20110241017A1 (en) | Field effect transistor | |
US10199476B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2012033679A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US9087890B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2011187623A (ja) | 半導体素子、および半導体素子の製造方法 | |
JP2017157589A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2015135946A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2009170546A (ja) | GaN系電界効果トランジスタ | |
CN110310981B (zh) | 氮面增强型复合势垒层氮化镓基异质结场效应管 | |
JP2007123824A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体を用いた電子装置 | |
JP2011129607A (ja) | GaN系MOS型電界効果トランジスタ | |
JP2015115371A (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法、並びに電界効果トランジスタおよびダイオード | |
JP2009239144A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法 | |
KR102077674B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2013135055A (ja) | Mis型半導体装置およびその製造方法 | |
WO2018220741A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101364029B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | |
JP2015008244A (ja) | ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
KR101427279B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | |
CN110875379B (zh) | 一种半导体器件及其制造方法 | |
KR101427280B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120809 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5064824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |