JP2015008244A - ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<構成>
まず、本発明の実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの構成について説明する。
図1は、本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの構造の一例を示す図である。
図2は、本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの構造の他の一例を示す図である。
なお、上記では、本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの代表的な構造(図1,2参照)について説明したが、下記に示すような各構造にしても同様の効果が得られる。以下、本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの各変形例について説明する。なお、図3〜5は図1(構造1)の変形例を、図6〜10は図2(構造2)の変形例を示している。
図1,2において、ゲート電極10は、第2の電子供給層5の上面の一部を覆うようにソース電極8側およびドレイン電極9側に延伸して形成されているが、これに限るものではない。すなわち、図3,6に示すように、ゲート電極10をソース電極8側およびドレイン電極9側のいずれにも延伸して形成せず、第2の電子供給層5の上面と接しない構造としてもよい。ただし、電界のピーク強度を緩和する効果が得られなくなる点を考慮すれば、電流コラプスの増大は避けられない。従って、図3,6に示す構造は最良の形態とはいえないが、一定の効果を得ることができる。その他、図4,7に示すように、ゲート電極10をドレイン電極9側にのみ延伸して形成する構造としてもよい。このような構造であれば、最も大きな電界が発生するゲート電極10・ドレイン電極9間において電界緩和の効果が得られるため、図1に示す構造と同様、電流コラプスを低減することが可能となる。すなわち、ゲート電極10は、第2の電子供給層5における第1の電子供給層4とは反対側の面上の一部を覆い、かつ少なくともドレイン電極9側に延伸して形成するようにしてもよい。
また、図1〜10におけるチャネル層3、第1の電子供給層4、および第2の電子供給層5のバンドギャップの大きさを各々E3,E4,E5とした場合において、これらがE3<E4≦E5という関係を満足すれば、ヘテロ接合電界効果型トランジスタを動作させるのに十分である。従って、必ずしも図1,2で示したようにチャネル層3をGaN、第1の電子供給層4をAl0.28Ga0.72N、第2の電子供給層5をAl0.28Ga0.72Nとする必要はなく、構成する元素の組成が異なるAl,Ga,NのうちNを含む少なくとも2種類の元素からなる化合物で構成されていればよく、例えば、チャネル層3、第1の電子供給層4、および第2の電子供給層5を構成する化合物半導体を各々AlxGa1−xN、AlyGa1−yN、AlzGa1−zNとすると、0≦x<1、0<y<1、0<z<1、x<y≦zという関係を満足する化合物半導体で構成されていればよい。また、必ずしもAl,Ga,Nの3元素のうちNを含む少なくとも2元素からなる化合物半導体で構成される必要もなく、例えばInを加えたIn,Al,Ga,NのうちNを含む少なくとも2種類の元素からなる化合物半導体で構成されていてもよい。
また、図1〜10において、第1の電子供給層4は、Alの混晶比(Al組成)が0.28で膜厚が3nmであるとしているが、これらの値に限定されるものではなく、チャネル層3上に第1の電子供給層4のみが存在する状況において、チャネル層3と第1の電子供給層4との界面に誘起される電子濃度が十分に低ければよい。図11,12は、チャネル層3がGaNである場合における、第1の電子供給層4のAl混晶比および膜厚の変化によって界面に誘起される電子濃度を示している。図12において、斜線部分は電子濃度が3×1011(cm−2)未満の領域を示している。図11,12に示すように、例えば電子濃度が3×1011(cm−2)未満となる程度に抑えればよく、Al混晶比が0.16で膜厚が5nmであっても満足することが分かる。
図2において、誘電膜12は、リセス開口部の底面、側面、および第2の電子供給層5の上面に渡って全てを被覆するように形成されているが、これに限るものではない。例えば、図9に示すように、リセス開口部の底面にのみ誘電膜12を被覆し、ゲート電極10をリセス開口部の側面との間に空隙を有するように形成するような構造としても同様の効果が得られる。他に、図10に示すように、リセス開口部の底面にのみを被覆しないように誘電膜12を形成した後にゲート電極10を埋め込んで形成するような構造としてもよい。ただし、この場合は、図2の構造によって得られる効果のうちの「ゲート電極10直下に存在する誘電膜12の膜厚を制御することによって、トランジスタの閾値電圧の絶対値を大きくする」という効果を発揮することができず、また、「絶縁効果によって、ゲートリーク電流を低減する」という効果についてもリセス開口部の側面に対する絶縁効果によるもののみであるため、最良の形態とはいえない。このように、誘電膜12は、ゲート電極10と、第1の電子供給層4および第2の電子供給層5のうちの少なくとも一方との間に形成されるようにしてもよい。
また、図1〜10に示す構造において、チャネル層3、第1の電子供給層4、および第2の電子供給層5がAl,Ga,NのうちNを含む少なくとも2元素からなる化合物半導体で構成される場合は、第1の電子供給層4および第2の電子供給層5に大きな分極効果が発生するため、チャネル層3の第1の電子供給層4側に高濃度の2次元電子ガス11を発生させることができる。従って、トランジスタの大電流化さらには高出力化に有利であり、より好ましい構造である。
また、ヘテロ接合電界効果型トランジスタは、チャネル層3に用いる半導体材料の絶縁破壊電界が高いほど耐圧が高くなる。AlxGa1−xNはAl組成がより高いほどバンドギャップが大きく絶縁破壊電界が高いため、チャネル層3をAlxGa1−xNで構成する場合は、よりAl組成が高い(xが1に近い)方が好ましい。また、第1の電子供給層4および第2の電子供給層5に用いる半導体材料のバンドギャップが大きいほど、第1の電子供給層4および第2の電子供給層5を介してゲート電極10からヘテロ界面へ流れるゲートリーク電流が抑制されるため、第1の電子供給層4として用いるAlyGa1−yN、および第2の電子供給層5として用いるAlzGa1−zNも同様に、Al組成がより高い方が好ましい。
図1〜10において、チャネル層3、第1の電子供給層4、および第2の電子供給層5は、必ずしも同一組成の1層からなる構造である必要はなく、上述のバンドギャップの大きさについての条件を満たせば、In組成、Al組成、Ga組成が空間的に変化していてもよく、これらが異なる数層からなる多層膜でもよい。また、これらの層には、上記の窒化物半導体においてn型、p型となる不純物が含まれていてもよい。
また、図1〜10において、半絶縁性SiC基板1は、Si、サファイア、GaN、AlN等であってもよい。また、例えば基板1としてGaNを使用した場合には、基板1上にバッファ層2を形成することなく、基板1上にチャネル層3、第1の電子供給層4等を形成することができる。従って、基板1上には必ずしもバッファ層2を形成する必要はなく、形成しなくてもよい。
また、図1〜4,6,7,9,10において、ソース電極8およびドレイン電極9は、チャネル層3の第1の電子供給層4側に発生する2次元電子ガス11とオーミックコンタクトが形成されていれば、必ずしもソース電極8およびドレイン電極9の各々の下にSi注入領域6,7を形成する必要はない。例えば、図5,8に示すようなソース電極8およびドレイン電極9の各々が第1の電子供給層4の表面と接触した構造であってもよい。ただし、ソース電極8およびドレイン電極9の各々の下にSi注入領域6,7が形成されていた方が、チャネル層3の第1の電子供給層4側に発生する2次元電子ガス11とソース電極8・ドレイン電極9間の抵抗を低減することができるため、トランジスタの大電流化および高出力化に有利であり、より好ましい構造といえる。なお、Si注入領域6,7には必ずしもSiを注入する必要はなく、n型不純物が高濃度にドーピングされていることが条件であり、窒化物半導体中でn型の不純物準位を形成する材料(O,C,N,空孔等)がドーピングされていればよい。
また、図1〜10において、ソース電極8およびドレイン電極9は、必ずしもTi/Nb/Ptである必要はなく、オーミック特性が得られれば、Ti,Al,Nb,Hf,Zr,Sr,Ni,Ta,Au,Mo,Wなどの金属、もしくはこれらから構成される多層膜で形成されていてもよい。
また、図1〜10において、ゲート電極10は、必ずしもNi/Auである必要はなく、Ti,Al,Pt,Au,Ni,Pd等の金属、IrSi,PtSi,NiSi2等のシリサイドや、TiN,WN等の窒化物金属、もしくはこれらから構成される多層膜などで形成されていてもよい。
なお、上述した変形例の構成は全て個々に採用する必要はなく、それぞれを組み合わせた構造としてもよい。
次に、本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造工程について説明する。
なお、上記では本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造工程における代表的な条件について説明したが、下記に示すような条件であっても同様の効果が得られる。以下、本実施の形態によるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法の各変形例について説明する。
図15に示す工程以降、図18に示す工程より前までの間において、マスクのパターンを利用して誘電膜12を形成、あるいは誘電膜12を全面に形成した後にマスクのパターンを形成して不要な領域を削除する加工を行う、すなわち、ゲート電極10と、第1の電子供給層4および第2の電子供給層5のうちの少なくとも一方との間に誘電膜12(絶縁体薄膜)を形成することによって、図2に示す構造を有する窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタを作製することができる。
また、図13,15に示す工程において、チャネル層3、第1の電子供給層4、および第2の電子供給層5を形成する際に、窒化物半導体の原料ガスとなるトリメチルアンモニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、アンモニア、あるいはn型ドーパントの原料ガスとなるシラン等の圧力、流量、温度、導入時間を調整し、チャネル層3、第1の電子供給層4、および第2の電子供給層5を所望の組成、膜厚、ドーピング濃度とすることによって、図1〜10に示すような種々の窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタを作製することができる。
また、図18に示す工程において、ゲート電極10がドレイン電極9側にのみ延伸して形成されるようなマスクのパターンを形成することによって、図4,7に示すようなゲート電極10の形状を有するヘテロ接合電界効果型トランジスタを作製することができる。すなわち、ゲート電極10は、第2の電子供給層5における第1の電子供給層4とは反対側の面上の一部を覆い、かつ少なくともドレイン電極9側に延伸して形成するようにしてもよい。また、ゲート電極10がソース電極8側およびドレイン電極9側のいずれにも延伸しないように形成されるようなマスクのパターンを形成することによって、図3,6に示すようなゲート電極10の形状を有するヘテロ接合電界効果型トランジスタを作製することができる。
また、上述した変形例のプロセス(製造工程)は全て個々に採用する必要はなく、それぞれを組み合わせたプロセスとしてもよい。
Claims (8)
- 窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、
基板上に形成されたチャネル層と、
前記チャネル層上に形成された第1の電子供給層と、
前記第1の電子供給層上の予め定められた領域に形成されたゲート電極と、
前記第1の電子供給層上であって、前記ゲート電極の一方側と他方側とに各々形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記第1の電子供給層上であって、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極が形成された領域以外の領域に、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接さず、かつ前記第1の電子供給層と接するように形成された第2の電子供給層と、
を備える、ヘテロ接合電界効果型トランジスタ。 - 前記ゲート電極は、前記第2の電子供給層における前記第1の電子供給層とは反対側の面上の一部を覆い、かつ少なくとも前記ドレイン電極側に延伸して形成されることを特徴とする、請求項1に記載のヘテロ接合電界効果型トランジスタ。
- 前記ゲート電極と、前記第1の電子供給層および前記第2の電子供給層のうちの少なくとも一方との間に形成された絶縁体薄膜をさらに備えることを特徴とする、請求項1または2に記載のヘテロ接合電界効果型トランジスタ。
- 前記第1の電子供給層の前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された領域下を含み、前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々と前記第1の電子供給層との接合界面から前記チャネル層の一部に渡って形成されたn型不純物領域をさらに備えることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載のヘテロ接合電界効果型トランジスタ。
- 窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法であって、
(a)基板上にチャネル層および第1の電子供給層を順次形成する工程と、
(b)前記第1の電子供給層上であって、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を形成すべき領域以外の領域に、前記第1の電子供給層と接するように第2の電子供給層を形成する工程と、
(c)前記第1の電子供給層上であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成すべき領域に、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程と、
(d)前記第1の電子供給層上であって、前記ゲート電極を形成すべき領域に、前記ゲート電極を形成する工程と、
を備え、
前記工程(c)は、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記ゲート電極を形成すべき領域の一方側と他方側とに各々形成され、かつ前記第2の電子供給層と接しないように形成されることを特徴とする、ヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記工程(d)において、
前記ゲート電極は、前記第2の電子供給層における前記第1の電子供給層とは反対側の面上の一部を覆い、かつ少なくとも前記ドレイン電極側に延伸して形成されることを特徴とする、請求項5に記載のヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記工程(b)と前記工程(c)との間、または、前記工程(c)と前記工程(d)との間において、
(e)前記ゲート電極と、前記第1の電子供給層および前記第2の電子供給層のうちの少なくとも一方との間に絶縁体薄膜を形成する工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項5または6に記載のヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記工程(b)と前記工程(c)との間において、
(f)前記第1の電子供給層の前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成すべき領域下を含み、前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々と前記第1の電子供給層との接合界面となるべき箇所から前記チャネル層の一部に渡ってn型不純物領域を形成する工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項5ないし7のいずれかに記載のヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法。
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