JP2017092369A - Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017092369A JP2017092369A JP2015223793A JP2015223793A JP2017092369A JP 2017092369 A JP2017092369 A JP 2017092369A JP 2015223793 A JP2015223793 A JP 2015223793A JP 2015223793 A JP2015223793 A JP 2015223793A JP 2017092369 A JP2017092369 A JP 2017092369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- group iii
- iii nitride
- nitride semiconductor
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 37
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 38
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 336
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
(1)Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上のバッファ層と、を有するIII族窒化物半導体デバイス用基板において、
前記バッファ層は、前記Si単結晶基板上の初期バッファ層と、該初期バッファ層上の、超格子層および中間層を交互に繰り返し積層した複合層とを有し、
前記超格子層は、AlNよりなる第1層と、AlxGa1-xN(0.05<x<0.20)よりなる第2層とを交互に繰り返し積層した積層体からなり、前記超格子層の厚さは前記中間層の厚さよりも大きく、
前記中間層は、AlyGa1-yN(0≦y<0.03)からなり、厚さ120nm以上180nm以下であることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス用基板。
前記機能積層体は、電子走行層と、電子供給層と、キャップ層とをこの順に含む積層体であり、前記電子走行層の厚さが10nm以上100nm以下である、前記(1)または(2)に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。
前記初期バッファ層上に、超格子層および中間層を交互に繰り返し積層した複合層を形成する複合層形成工程と、
前記複合層上に、III族窒化物半導体からなる機能積層体を形成する機能積層体形成工程と、を含み、
前記超格子層は、AlNよりなる第1層とAlxGa1-xN(0.05<x<0.20)よりなる第2層とを交互に繰り返し積層した積層体からなり、
前記中間層は、AlyGa1-yN(0≦y<0.03)からなり、
前記複合層形成工程において、前記超格子層を前記中間層よりも厚く形成し、且つ、前記中間層を厚さ120nm以上180nm以下とすることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス用基板の製造方法。
図1に示すように、本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体デバイス用基板100は、Si単結晶基板10と、Si単結晶基板10上のバッファ層50と、を有する。ここで、バッファ層50は、Si単結晶基板10上の初期バッファ層20と、初期バッファ層20上の、超格子層31および中間層32を交互に繰り返し積層した複合層30とを有する。さらに、超格子層31は、AlNよりなる第1層31AとAlxGa1-xN(0.05<x<0.20)よりなる第2層31Bとを交互に繰り返し積層した積層体からなり、超格子層31の厚さは中間層32の厚さよりも大きい。そして、中間層32は、AlyGa1-yN(0≦y<0.03)からなり、その厚さは120nm以上180nm以下である。以下、各構成の詳細を順次説明する。
Si単結晶基板10は、シリコン単結晶からなる基板である。Si単結晶基板10の導電性は、10000Ω・cm以上の絶縁性の高い高比抵抗基板から、0.001Ω・cm程度までの低比抵抗基板まで、用途に応じて適宜使用することができ、公知のシリコン基板を適宜用いることができる。p型、n型いずれの伝導型としてもよい。Si単結晶基板10の面方位は特に指定されず、(111),(100),(110)面等の任意の面方位を使用することができる。III族窒化物の(0001)面を表面平坦性よく成長させるためには、面方位が(111)の基板を用いることが好ましい。Si単結晶基板10の厚さおよび幅等のその他の仕様は、III族窒化物半導体デバイス用基板100の用途に応じて、適宜設計すればよい。
初期バッファ層20は、シリコンとIII族窒化物との間の格子定数差を緩和するために設けられる。この目的のため、初期バッファ層20をAlN単結晶からなる層とすることが好ましい。また、Si単結晶基板10上と、初期バッファ層20との間に、SiNからなる層が設けられていてもよい。
複合層30は、超格子構造からなる超格子層31と、中間層32とを交互に繰り返し積層した積層構造を有する。すなわち、複合層30は、超格子層31および中間層32の組み合わせを1組として、これを複数組積層した積層構造を有する。初期バッファ層20直上に上記組み合わせをn組(ただし、nは2以上の整数である)設け、最後に超格子層31を1層設けた積層構造とすることが好ましい。こうすることで、耐圧性をより向上させ、炭素濃度傾斜層以降の層の欠陥密度を低減させることができるためである。このような場合、複合層30が超格子層31および中間層32の組み合わせを「n.5組」有する、と称する。詳細を後述するが、超格子層31の厚さを、中間層32の厚さよりも大きくすることが本実施形態において肝要である。
ここで、機能積層体70は、III族窒化物半導体デバイス用基板200をIII族窒化物半導体デバイスに供した際に、半導体デバイスとして機能する領域である。HEMTなど、横方向に電流が主に流すれる半導体デバイスでは、機能積層体70は、例えば、電子走行層71(チャネル層とも呼ばれる)と、電子供給層72と、キャップ層73とをこの順に含む積層体から構成される。
また、図2に示すように、III族窒化物半導体デバイス用基板200は、バッファ層50と機能積層体70との間に、炭素濃度を傾斜させた炭素濃度傾斜層60を有することも好ましい。炭素濃度傾斜層60は、AlGaNからなり、炭素濃度を成長方向に傾斜させた層とすることができる。ここで、炭素濃度を成長方向に傾斜させるとは、炭素濃度を連続的に変化させても断続的(階段状)に変化させても、いずれでもよいが、バッファ層50側の炭素濃度を最も高くし、機能積層体70側に向けて炭素濃度を順次低下するように傾斜させることが好ましい。図2に示すように、バッファ層50から順に、高炭素濃度層61、中炭素濃度層62、低炭素濃度層63を有する炭素濃度傾斜層60を、このような炭素濃度傾斜層として例示できる。各層内での炭素濃度は連続的に変化しても、一定でもいずれでもよい。なお、図2に示す炭素濃度傾斜層60の3層構造の炭素濃度傾斜は単なる一例に過ぎず、2層構造で炭素濃度を階段状に傾斜させてもよいし、4層以上の構造で炭素濃度を階段状に傾斜させてもよいことは勿論である。
次に、本発明に従うIII族窒化物半導体デバイス用基板200の製造方法は、Si単結晶基板10上に初期バッファ層20を形成する工程と、初期バッファ層20上に、超格子層31および中間層32を交互に繰り返し積層した複合層30を形成する複合層形成工程と、複合層30上に、III族窒化物半導体からなる機能積層体70を形成する機能積層体形成工程と、を含む。ここで、超格子層31は、AlNよりなる第1層31AとAlxGa1-xN(0.05<x<0.20)よりなる第2層31Bとを交互に繰り返し積層した積層体からなり、中間層32は、AlyGa1-yN(0≦y<0.03)からなる。そして、前記複合層形成工程において、超格子層31を中間層32よりも厚く形成し、且つ、中間層32を厚さ120nm以上180nm以下とする。既述の実施形態と重複する説明については省略する。
第2の方法:有機金属中のメチル基・エチル基等を、成長III族窒化物成長条件によりエピタキシャル成長層に混入させる。有機金属の分解を抑えるように、成長温度・成長圧力・成長速度・成長時のアンモニア流量・水素流量・窒素流量等を適宜設定することにより、エピタキシャル成長層に添加されるC濃度を調整することが可能である。
なお、本明細書において、複合層30と炭素濃度傾斜層60の各層におけるC濃度は、SIMSにより、各層の厚さの中央(例えば深さ方向に厚さの1/2を除去した箇所)の測定値を用いることとする。
Si単結晶基板(直径6インチ、厚さ625μm、ドーパント:ボロン(B)、比抵抗0.006Ω・cm、面方位(111))を用意し、MOCVD装置内にて、水素および窒素の混合雰囲気下で1050℃まで加熱後、アンモニアガスおよびTMA(トリメチルアルミニウム)ガスを流し、流量をV/III比が4700となるように設定して、炉内圧力60Torr(8KPa)にて、Si単結晶基板上に中心膜厚200nmのAlNからなる第1初期バッファ層を形成した。続いて第1初期バッファ層上に、アンモニアガスとTMAガスおよびTMG(トリメチルガリウム)ガスの流量比を変えることにより、Al0.23Ga0.77Nからなる中心膜厚300nmのアンドープの第2初期バッファ層を形成し、初期バッファ層とした。
中間層の厚さを150nmから130nmに変えた以外は、実施例1と同様にして実施例2に係るIII族窒化物半導体デバイス用基板を形成した。
中間層の厚さを150nmから170nmに変え、超格子層のペア数を8ペア(計240nm)から11ペア(計330nm)に変えた以外は、実施例1と同様にして実施例3にかかるIII族窒化物半導体デバイス用基板を形成した。
中間層の厚さを150nmから200nmに変えた以外は、実施例1と同様にして比較例1にかかるIII族窒化物半導体デバイス用基板を形成した。
超格子層のペア数を8ペア(計240nm)から5ペア(計150nm)に変えた以外は、実施例1と同様にして比較例1にかかるIII族窒化物半導体デバイス用基板を形成した。
実施例1〜3および比較例1,2に係るIII族窒化物半導体デバイス用基板(キャップ層形成後であり、以下同様)のそれぞれに対して、XRD回折装置(Bulker社製)を用いて、基板の中心部の{002}方位と{102}方位のX線回折ピークを取得し、FWHM(半値幅)の値を測定した。結果を表2に示す。
実施例1〜3および比較例1,2に係るIII族窒化物半導体デバイス用基板のそれぞれに対して、斜入射干渉式フラットネステスター(ニデック社製)を用いて反り量(SORI:SEMI M1−0302規格に準拠)を測定した。結果を表2に示す。
実施例1〜3および比較例1,2に係るIII族窒化物半導体デバイス用基板のそれぞれのキャップ層表面に対して、光学顕微鏡(オリンパス社製)を用いてOM暗視野像(Optical Microscope Dark field)を観察した。代表例として、実施例1および比較例1の測定結果を図4(A),(B)にそれぞれ示す。併せて、AFM装置(Veeco社製)を用いて表面の平坦性を評価した。代表例として、実施例1および比較例1の測定結果を図5(A),(B)にそれぞれ示す。実施例1〜3、比較例1,2のそれぞれの表面平坦性を、以下の評価基準により分類した。結果を表2に示す。
○:OM暗視野像およびAFM像のいずれからも、直径1μm以上の凸部は観察されない。
×:OM暗視野像およびAFM像のいずれからも、直径1μm以上の凸部が観察される。
実施例1〜3および比較例1,2に係るIII族窒化物半導体デバイス用基板のそれぞれのキャップ層上に、Ti/Alを蒸着させ、10μmの間隔を空けた電極を形成し、簡易的なHEMTデバイスを形成した。半導体パラメーターアラナイザーを用いて縦方向の電流電圧特性を測定した。代表例として、実施例1および比較例1の評価結果を図6(A),(B)にそれぞれ示す。実施例1〜3、比較例1,2のそれぞれの耐圧性を、以下の評価基準により分類した。結果を表2に示す。
○:縦方向に電圧を印加した場合に、印加電圧600Vにおいて縦方向の電流密度が1×10-4A/cm2以下である。
×:縦方向に電圧を印加した場合に、印加電圧600Vにおいて縦方向の電流密度が1×10-4A/cm2を超える。
20 初期バッファ層
30 複合層
30 n型半導体層
31 超格子層
31A 第1層
31B 第2層
32 中間層
50 バッファ
60 炭素濃度傾斜層
70 機能積層体
71 電子走行層
72 電子供給層
73 キャップ層
100,200 III族窒化物半導体素子
Claims (5)
- Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上のバッファ層と、を有するIII族窒化物半導体デバイス用基板において、
前記バッファ層は、前記Si単結晶基板上の初期バッファ層と、該初期バッファ層上の、超格子層および中間層を交互に繰り返し積層した複合層とを有し、
前記超格子層は、AlNよりなる第1層と、AlxGa1-xN(0.05<x<0.20)よりなる第2層とを交互に繰り返し積層した積層体からなり、前記超格子層の厚さは前記中間層の厚さよりも大きく、
前記中間層は、AlyGa1-yN(0≦y<0.03)からなり、厚さ120nm以上180nm以下であることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス用基板。 - 前記中間層がGaNからなる、請求項1に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。
- 前記バッファ層上にIII族窒化物半導体からなる機能積層体を有し、
前記機能積層体は、電子走行層と、電子供給層と、キャップ層とをこの順に含む積層体であり、前記電子走行層の厚さが10nm以上100nm以下である、請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。 - 前記バッファ層と前記機能積層体との間に、炭素濃度を傾斜させた炭素濃度傾斜層を有する、請求項3に記載のIII族窒化物半導体デバイス用基板。
- Si単結晶基板上に初期バッファ層を形成する工程と、
前記初期バッファ層上に、超格子層および中間層を交互に繰り返し積層した複合層を形成する複合層形成工程と、
前記複合層上に、III族窒化物半導体からなる機能積層体を形成する機能積層体形成工程と、を含み、
前記超格子層は、AlNよりなる第1層とAlxGa1-xN(0.05<x<0.20)よりなる第2層とを交互に繰り返し積層した積層体からなり、
前記中間層は、AlyGa1-yN(0≦y<0.03)からなり、
前記複合層形成工程において、前記超格子層を前記中間層よりも厚く形成し、且つ、前記中間層を厚さ120nm以上180nm以下とすることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015223793A JP6654409B2 (ja) | 2015-11-16 | 2015-11-16 | Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015223793A JP6654409B2 (ja) | 2015-11-16 | 2015-11-16 | Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092369A true JP2017092369A (ja) | 2017-05-25 |
JP6654409B2 JP6654409B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=58771749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015223793A Active JP6654409B2 (ja) | 2015-11-16 | 2015-11-16 | Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6654409B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005086102A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Univ Nagoya | 電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法 |
JP2007251144A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
WO2011155496A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
JP2012089871A (ja) * | 2001-12-03 | 2012-05-10 | Cree Inc | へテロ接合トランジスタ及びその製造方法 |
JP2014222730A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2015070091A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体基板 |
-
2015
- 2015-11-16 JP JP2015223793A patent/JP6654409B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089871A (ja) * | 2001-12-03 | 2012-05-10 | Cree Inc | へテロ接合トランジスタ及びその製造方法 |
JP2005086102A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Univ Nagoya | 電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法 |
JP2007251144A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
WO2011155496A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
JP2014222730A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2015070091A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6654409B2 (ja) | 2020-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102573938B1 (ko) | 화합물 반도체 기판 | |
US8928000B2 (en) | Nitride semiconductor wafer including different lattice constants | |
US8410552B2 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device | |
US20130307023A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5465469B2 (ja) | エピタキシャル基板、半導体デバイス基板、およびhemt素子 | |
US8378386B2 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device | |
JP2011166067A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5919703B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6731584B2 (ja) | 窒化物半導体装置および窒化物半導体基板 | |
JP2011049488A (ja) | Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス | |
JP2007095858A (ja) | 化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス | |
US8633514B2 (en) | Group III nitride semiconductor wafer and group III nitride semiconductor device | |
US8598626B2 (en) | Epitaxial substrate for semiconductor device, schottky junction structure, and leakage current suppression method for schottky junction structure | |
JP6173493B2 (ja) | 半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法 | |
JP5824814B2 (ja) | 半導体ウエーハ及び半導体素子及びその製造方法 | |
JP2004289005A (ja) | エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタ | |
JP6654409B2 (ja) | Iii族窒化物半導体デバイス用基板およびその製造方法 | |
KR100801372B1 (ko) | 화합물 반도체 소자, 화합물 반도체 소자의 제조 방법 및다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180918 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6654409 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |