JP2007142196A - 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ - Google Patents
半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007142196A JP2007142196A JP2005334502A JP2005334502A JP2007142196A JP 2007142196 A JP2007142196 A JP 2007142196A JP 2005334502 A JP2005334502 A JP 2005334502A JP 2005334502 A JP2005334502 A JP 2005334502A JP 2007142196 A JP2007142196 A JP 2007142196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor thin
- film
- transistor
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 78
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 25
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【解決手段】キャリア密度が10+17cm−3以下、ホール移動度が2cm2/V・sec以上、エネルギーバンドギャップが2.4eV以上となるように、酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜を成膜した後に、酸化処理して透明半導体薄膜40を形成する。
【選択図】 図1
Description
そのなかでも、近年における表示装置のめざましい発展に伴い、液晶表示装置(LCD)のみならず、エレクトロルミネッセンス表示装置(EL)や、フィールドエミッションディスプレイ(FED)などの各種の表示装置において、表示素子に駆動電圧を印加して表示装置を駆動させるスイッチング素子として、薄膜トランジスタ(TFT)が多用されている。
また、その材料としては、シリコン半導体化合物が最も広く用いられており、一般に、高速動作が必要な高周波増幅素子、集積回路用素子などには、シリコン単結晶が用いられ、液晶駆動用素子などには、大面積化の要求からアモルファスシリコンが用いられている。
さらに、半導体活性層に可視光が照射されると導電性を示し、漏れ電流が発生して誤動作のおそれがあるなど、スイッチング素子としての特性が劣化するという問題もある。そのため、可視光を遮断する遮光層を設ける方法が知られており、例えば、遮光層としては金属薄膜が用いられている。
しかしながら、金属薄膜からなる遮光層を設けると工程が増えるだけでなく、浮遊電位を持つこととなるので、遮光層をグランドレベルにする必要があり、その場合にも寄生容量が発生するという問題がある。
また、従来の薄膜トランジスタ(TFT)は、ガラス等の基板上にゲ−ト電極、ゲ−ト絶縁層、水素化アモルファスシリコン(a−Si:H)等の半導体層、ソ−ス及びドレイン電極を積層した逆スタガ構造のものがあり、イメ−ジセンサを始め、大面積デバイスの分野において、アクティブマトリスク型の液晶ディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ等の駆動素子として用いられている。これらの用途では、従来アモルファスシリコンを用いたものでも高機能化に伴い作動の高速化が求められてきている。
例えば、特許文献1や、特許文献2などには、酸化亜鉛を高温で結晶化し薄膜トランジスタを構成する方法が記載されており、非特許文献1には、亜鉛、錫を含有する酸化物薄膜を用いたTFT(Thin Film Transistors)が記載されている。
本発明に係る半導体薄膜において、比抵抗が10Ωcmより小さくなると、薄膜トランジスタ1などの素子を構成した際に、漏れ電流が発生してしまうとともに、ノーマリーオンになってしまったり、on−off比が小さくなってしまったりすることにより、良好なトランジスタ性能が発揮できないおそれがある。
また、比抵抗が107Ωcmより大きいと、薄膜トランジスタ1の閾値電圧が高くなったり、駆動時に過大な電圧を掛けなければならなかったりするおそれがある。
mobility;ホール測定により求めた電荷移動度)が2cm2/V・sec以上、エネルギーバンドギャップが2.4eV以上の非縮退半導体薄膜であるのが好ましい。
本発明に係る半導体薄膜において、キャリア密度が10+17cm−3より大きくなると、薄膜トランジスタ1などの素子を構成した際に、漏れ電流が発生してしまうとともに、ノーマリーオンになってしまったり、on−off比が小さくなってしまったりすることにより、良好なトランジスタ性能が発揮できないおそれがある。
また、ホール移動度が2cm2/Vsより小さいと、薄膜トランジスタ1の電界効果移動度が小さくなってしまい、表示素子を駆動するスイッチング素子として用いる場合に、アモルファスシリコンと同様に、スイチング速度が遅く、高速な動画の表示に追従できないおそれがある。
また、エネルギーバンドギャップが2.4eVより小さいと、可視光が照射された際に、価電子帯の電子が励起されて導電性を示し、漏れ電流が生じやすくなるおそれがある。
また、縮退半導体であるとキャリア濃度を低濃度で安定定期に制御できないおそれがある。ここで、非縮退半導体薄膜はキャリア濃度が温度に依存して変化する半導体薄膜をいい、キャリア濃度の温度依存性は、ホール測定から求めることができる。
原子比[Zn/(Zn+Sn)]が0.40より小さいと、過剰に存在する錫の価数が変化し、キャリア密度の調整を困難にするおそれがある。
一方、原子比[Zn/(Zn+Sn)]が0.95より大きくなると、部分的に酸化亜鉛が結晶化して特性にむらが生じるおそれがある。
このような方法とすることにより、半導体薄膜中のキャリア濃度を制御しながら、前述したような半導体薄膜を製造することができる。
まず、本発明に係る薄膜トランジスタの第一実施形態について説明する。
なお、図1は、本発明に係る薄膜トランジスタの第一実施形態の概略を示す説明図である。
ゲート電極30、ソ−ス電極20、ドレイン電極10の各電極は、異なる二層以上の導電層を積層した多層構造とすることもでき、図示する例において、各電極30,20,10は、それぞれ第一導電層31,21,11と第二導電層32,22,12とから構成されている。
このようなゲート絶縁膜50は、異なる2層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい。また、ゲート絶縁膜50は、結晶質を含むもの、多結晶を含むもの、非晶質のいずれであってもよいが、工業的に製造しやすい多結晶を含むものか、非晶質であるものが好ましく、非晶質であるものが非晶質膜である透明半導体層との密着性がよいため特に好ましい。
このような酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜は、広い温度範囲で作製しやすいとともに、非晶質膜とすることにより大面積で均一な物性を発現しやすくなるため、表示パネルなどの用途で特に好ましい。
なお、非晶質膜であることは、X線回折で明確なピークが現れないことで確認できる。
このような不具合をより有効に借り比するためには、比抵抗は102〜106Ωcmが好ましく、103〜105Ωcmが特に好ましい。
ここで、非縮退半導体薄膜とは、キャリア濃度が温度に依存して変化する半導体薄膜であり、これに対して、縮退半導体薄膜とは、キャリア濃度が温度に依存せずに一定の値を示す半導体薄膜のことをいう。このキャリア濃度の温度依存性は、ホール測定から求めることができる。
原子比(Zn/(Zn+Sn))が0.40より小さく、亜鉛の含有率が少ないと、過剰に存在する錫の価数が変化し、キャリア密度の調整を困難にするおそれがある。また、成膜時の温度や後処理の温度が低いときに、ホール移動度が低くなるおそれがある。
一方、原子比(Zn/(Zn+Sn))が0.95より大きくなり、亜鉛の含有率が過剰になると、部分的に酸化亜鉛が結晶化して特性にむらが生じるおそれがある。
本実施形態において、上記のような不具合をより有効に回避するためには、原子比(Zn/(Zn+Sn))は0.51〜0.94であるのが好ましくは、より好ましくは0.67〜0.93、さらに好ましくは0.68〜0.92であり、0.7〜0.9が特に好ましい。
このような不具合をより有効に回避するためには、上記原子比は、より好ましくは0.7以上、さらに好ましく、0.8以上であり、0.9以上が特に好ましい。
第三金属元素[M]としては、3B族(B、Al、Ga、In、Ti)、あるいは3A族(Sc、Y)、あるいはランタノイド(La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)が挙げられる。また、その含有量は、原子比[M/(M+Zn+Sn)]が、0〜0.3となるよう調整するのが好ましく、0.0001〜0.2に調整するのがより好ましく、0.01〜0.1に調整するのが特に好ましい。
スパッタ法としては、例えば、DCスパッタ法、RFスパッタ法、ACスパッタ法、ECRスパッタ法、対向ターゲットスパッタ法などが挙げられる。これらのなかでも、工業的に量産性が高く、また、RFスパッタ法よりもキャリア濃度を下げやすいDCスパッタ法や、ACスパッタ法が好ましい。また、成膜による界面の劣化を抑えて、漏れ電流を抑制したり、onn−off比などの透明半導体薄膜40の特性を向上させたりするには、膜質の制御がしやすいECRスパッタ法や、対向ターゲットスパッタ法が好ましい。
再現性、大面積での均一性から酸化亜鉛と酸化錫とを含有する焼結ターゲットを用いることが好ましい。
また、酸化亜鉛と酸化錫とを含有する焼結ターゲットのバルク抵抗は、通常500Ωcm以下とする。さらに、酸化亜鉛と酸化錫とを含有する焼結ターゲットは、平均粒径20μm以下のZn2SnO4で表されるスピネル型の結晶を含むものが好ましい。
このような不具合をより有効に回避するために、焼結ターゲットは、好ましくは1200℃以上、より好ましくは1250℃以上、さらに好ましくは1300℃以上で焼結したものを用いるのがよい。
このような不具合をより有効に回避するためには、到達圧力は、好ましくは5×10−3Pa以下、さらに好ましくは5×10−4Pa以下であり、5×10−5Pa以下であるのが特に好ましい。
このような不具合をより有効に回避するためには、雰囲気ガス中の水H2O、又は水素H2の濃度は、好ましくは1.0vol%以下、より好ましくは0.1vol%以下であり、0.01vol%以下であるのが特に好ましい。
このような不具合をより有効に回避するためには、基板温度は、好ましくは180〜290℃、より好ましくは200〜270℃である。
このとき、熱処理時の膜面の温度が、成膜時の基板温度より100〜270℃高い方が好ましい。この温度差が100℃より小さいと熱処理効果が無く、270℃より高いと基板が変形したり、半導体薄膜界面が変質し半導体特性が低下したりするおそれがある。このような不具合をより有効に回避するには、成膜時の基板温度より熱処理時の膜面の温度が130〜240℃高いものがより好ましく、160〜210℃高いものが特に好ましい。
なお、成膜時に酸素などのガス成分の濃度を制御して、キャリア濃度を制御する方法もあるが、このような方法では、ホール移動度が低下するおそれがある。これは、キャリア制御のために導入したガス成分が、膜中に取り込まれ散乱因子となっているものと推定される。
また、薄膜トランジスタ1のon−off比は、通常103以上とするが、好ましくは104以上、よりより好ましく105以上、さらに好ましくは106以上であり、特に好ましくは107以上である。
また、閾値電圧(Vth)がプラスでノーマリーオフとなることが好ましい。閾値電圧(Vth)がマイナスでノーマリーオンとなると、消費電力が大きくなるおそれがある。
次に、本発明に係る薄膜トランジスタの第二実施形態について説明する。
なお、図2は、本発明に係る薄膜トランジスタの第二実施形態の概略を示す説明図である。
(1)スパッタリングターゲットの製造、及び評価
1.ターゲットの製造
原料として、平均粒径が2.0μmの酸化亜鉛と、0.6μmの酸化錫とを混合して、これを湿式ボールミルに供給し、72時間混合粉砕して原料微粉末を得た。
得られた原料微粉末を造粒した後、直径10cm、厚さ5mmの寸法にプレス成形して、これを焼成炉に入れ、酸素ガス加圧下において、1,400℃,48時間の条件で焼成して、焼結体(ターゲット)を得た。このとき、昇温速度は、3℃/分であった。
2.ターゲットの評価
得られたターゲットにつき、密度を測定した。その結果、理論相対密度は86%であった。
上記(1)で得られたスパッタリングターゲットを、DCスパッタ法の一つであるDCマグネトロンスパッタリング法の成膜装置に装着し、ガラス基板(コーニング1737)上に透明導電膜を成膜した。
ここでのスパッタ条件としては、基板温度200℃、到達圧力;5×10−5Pa、雰囲気ガス;Ar100%、スパッタ圧力(全圧);0.4Pa、到達圧力5×10−5Pa、基板温度200℃、投入電力100W、成膜時間20分間とした。
この結果、ガラス基板上に、膜厚が約100nmの透明導電性酸化物が形成された透明導電ガラスが得られた。
なお、得られた膜組成をICP法で分析したところ、原子比〔Zn/(Zn+Sn)〕が0.60、原子比〔Sn/(Zn+Sn)〕が0.40であった。
上記(2)で得られた透明半導体薄膜を大気中(酸素存在下)280℃で、2時間加熱(大気下熱処理)することで酸化処理を行なった。
上記(3)で得られた透明半導体薄膜のキャリア濃度、及びホール移動度をホール測定装置により測定した。キャリア濃度は1.2×1014cm−3、ホール移動度35cm2/Vsであった。また、四端子法により測定した比抵抗値は、1.2×103Ωcmであった。
なお、X線回折で非晶質膜であることを確認した。
ホール測定装置:Resi Test8310(東陽テクニカ製)
測定条件:ACホール測定、測定温度300K、磁場0.45Tesla
原料の組成比、成膜条件、酸化処理条件を表1のように調整した以外は、実施例1と同様に作製評価した。その結果を表1に併せて示す。
原料の組成比、成膜条件、酸化処理条件を表1のように調整した以外は、実施例1と同様に作製評価した。その結果を表1に併せて示す。
40 透明半導体薄膜
Claims (7)
- 酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜からなる半導体薄膜であって、
比抵抗が10〜107Ωcmであることを特徴とする半導体薄膜。 - キャリア密度が10+17cm−3以下、ホール移動度が2cm2/V・sec以上、エネルギーバンドギャップが2.4eV以上の非縮退半導体薄膜であることを特徴とする請求項1の半導体薄膜。
- 前記非晶質膜中の亜鉛[Zn]と錫[Sn]の原子比が、Zn/(Zn+Sn)=0.40〜0.95であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の半導体薄膜。
- 波長550nmの透過率が75%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体薄膜。
- 仕事関数が3.5〜6.5eVであることを特徴とする請求項1〜4の透明酸化物半導体薄膜。
- 酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜を物理成膜法で成膜した後に、酸素存在下で膜面の温度が、成膜時の基板温度以上の温度となる後処理工程を行うことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体薄膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005334502A JP5395994B2 (ja) | 2005-11-18 | 2005-11-18 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
KR1020137019876A KR101398332B1 (ko) | 2005-11-18 | 2006-11-16 | 반도체 박막, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터 |
KR1020087011742A KR101312774B1 (ko) | 2005-11-18 | 2006-11-16 | 반도체 박막, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터 |
US12/093,827 US7906777B2 (en) | 2005-11-18 | 2006-11-16 | Semiconductor thin film and method for manufacturing same, and thin film transistor |
CN2006800429947A CN101312912B (zh) | 2005-11-18 | 2006-11-16 | 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管 |
PCT/JP2006/322809 WO2007058232A1 (ja) | 2005-11-18 | 2006-11-16 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
TW095142630A TWI400806B (zh) | 2005-11-18 | 2006-11-17 | A semiconductor thin film, and a method for manufacturing the same, and a thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005334502A JP5395994B2 (ja) | 2005-11-18 | 2005-11-18 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013178649A Division JP5702447B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007142196A true JP2007142196A (ja) | 2007-06-07 |
JP5395994B2 JP5395994B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=38048616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005334502A Active JP5395994B2 (ja) | 2005-11-18 | 2005-11-18 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7906777B2 (ja) |
JP (1) | JP5395994B2 (ja) |
KR (2) | KR101312774B1 (ja) |
CN (1) | CN101312912B (ja) |
TW (1) | TWI400806B (ja) |
WO (1) | WO2007058232A1 (ja) |
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007139009A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 酸化物半導体、薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
JP2009099953A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-05-07 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
WO2009081885A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009176864A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
JP2009260254A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Korea Electronics Telecommun | 酸化物半導体薄膜用組成物、これを採用した電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010021264A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2010013621A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 住友化学株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010037161A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜 |
JP2010123913A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Korea Electronics Telecommun | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR100974884B1 (ko) | 2008-05-26 | 2010-08-11 | 한국전자통신연구원 | 접촉 저항을 개선한 무인듐 투명 전도막을 포함한 다층전자 소자 및 그의 제조방법 |
US7811840B2 (en) | 2008-05-28 | 2010-10-12 | Micron Technology, Inc. | Diodes, and methods of forming diodes |
US7824957B2 (en) | 2008-05-30 | 2010-11-02 | Fujifilm Corporation | Method for producing semiconductor device |
JP2010267955A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011054942A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2011046010A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
WO2011055644A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2011100991A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011141525A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置の駆動方法、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
JP2011142316A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2011170328A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法、及び液晶表示装置 |
JP2011187952A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2012033699A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物半導体ターゲットおよび酸化物半導体膜の製造方法 |
KR101115074B1 (ko) | 2010-11-09 | 2012-03-13 | 박제기 | Zto 박막의 패턴화 방법, 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8278136B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-10-02 | Fujifilm Corporation | Semiconductor device, method for producing the same, sensor and electro-optical device |
JP2012235105A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタ構造、ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP2013053350A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Taiheiyo Cement Corp | ターゲット及びその製造方法 |
JP2013065864A (ja) * | 2010-05-20 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013101404A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US8743307B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-06-03 | Samsung Display Co, Ltd. | Display device |
JP2014135495A (ja) * | 2008-10-10 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014520396A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-08-21 | シーブライト・インコーポレイテッド | 改善されたソース/ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
US8866984B2 (en) | 2010-01-24 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8907334B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-12-09 | Kobe Steel, Ltd. | Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor |
JP2015005775A (ja) * | 2008-07-31 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015018271A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015045872A (ja) * | 2010-01-20 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015092603A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015097275A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015111736A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2015135989A (ja) * | 2010-03-08 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015165311A (ja) * | 2010-02-12 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9190523B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor, thin film transistor including the same, and thin film transistor array panel including the same |
KR101578590B1 (ko) | 2011-03-14 | 2015-12-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 산화물 반도체 박막의 제조 방법 |
US9293597B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-03-22 | Hitachi, Ltd. | Oxide semiconductor device |
WO2016043231A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 国立大学法人東京工業大学 | 発光素子、表示装置および照明装置 |
US9299474B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor |
JP2016131250A (ja) * | 2008-07-31 | 2016-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017028304A (ja) * | 2009-10-16 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2017188691A (ja) * | 2009-03-05 | 2017-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018081313A (ja) * | 2009-12-18 | 2018-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10332912B2 (en) | 2009-11-13 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
JP2020102640A (ja) * | 2009-06-30 | 2020-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021165839A (ja) * | 2007-06-29 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2023018068A (ja) * | 2010-08-06 | 2023-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277326A (ja) | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | アモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタ |
JP2009123957A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ |
KR100976459B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 제조방법 및 그를 구비하는평판표시장치 |
JP2010056541A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI450399B (zh) | 2008-07-31 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2010018707A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 出光興産株式会社 | 酸化ガリウム-酸化スズ系酸化物焼結体及び酸化物膜 |
KR101516050B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2015-05-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 전계 효과형 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟 |
TWI501319B (zh) | 2008-12-26 | 2015-09-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US20100224878A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5724157B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2015-05-27 | 日立金属株式会社 | 酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法 |
KR102290831B1 (ko) | 2009-10-16 | 2021-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
CN102598280B (zh) | 2009-10-21 | 2016-05-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备 |
KR20180110212A (ko) * | 2010-02-19 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치 |
DE112011100840T5 (de) * | 2010-03-08 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
US9697788B2 (en) | 2010-04-28 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR101879570B1 (ko) | 2010-04-28 | 2018-07-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제작 방법 |
JP5923248B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8605059B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and driving method thereof |
JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
US8685787B2 (en) * | 2010-08-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9553201B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-01-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor |
KR20130111874A (ko) | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR20130129674A (ko) | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 |
KR102201963B1 (ko) | 2012-09-24 | 2021-01-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 정보 처리 장치의 구동 방법 및 프로그램 |
KR102046996B1 (ko) | 2012-10-16 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
PL2953915T3 (pl) * | 2013-02-05 | 2017-07-31 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Tarcze z tlenku (Ga) Zn Sn do rozpylania jonowego |
KR102166272B1 (ko) | 2013-05-23 | 2020-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR102111021B1 (ko) | 2013-06-21 | 2020-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체, 이를 이용한 박막 및 박막 트랜지스터 |
JP5613805B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2014-10-29 | 学校法人金沢工業大学 | 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器 |
TWI535034B (zh) * | 2014-01-29 | 2016-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製作方法 |
WO2017115208A1 (en) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device, television system, and electronic device |
KR20180121892A (ko) * | 2016-03-02 | 2018-11-09 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 산화물 반도체 화합물, 산화물 반도체 화합물의 층을 구비하는 반도체 소자, 및 적층체 |
WO2020241168A1 (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、無機酸化物半導体材料 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05251705A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003202588A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
WO2005088726A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3314509B2 (ja) | 1994-02-04 | 2002-08-12 | 株式会社豊田中央研究所 | NOxガス検知半導体およびその製造方法 |
JP2000067657A (ja) | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 赤外線透過に優れた透明導電膜及びその製造方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US20050017244A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-27 | Randy Hoffman | Semiconductor device |
JP4428698B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-03-10 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
JP2006165530A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2007218460A (ja) | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 冷凍サイクル装置および保冷庫 |
JP5244331B2 (ja) | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
-
2005
- 2005-11-18 JP JP2005334502A patent/JP5395994B2/ja active Active
-
2006
- 2006-11-16 CN CN2006800429947A patent/CN101312912B/zh active Active
- 2006-11-16 KR KR1020087011742A patent/KR101312774B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-16 WO PCT/JP2006/322809 patent/WO2007058232A1/ja active Application Filing
- 2006-11-16 KR KR1020137019876A patent/KR101398332B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-16 US US12/093,827 patent/US7906777B2/en active Active
- 2006-11-17 TW TW095142630A patent/TWI400806B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05251705A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003202588A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
WO2005088726A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
H.Q.CHIANG: "High mobility transparent thin-film transistors with amorphous zinc tin oxide channel layer", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. Vol.86(2005), JPN7012003976, 23 December 2004 (2004-12-23), pages 013503, ISSN: 0002344135 * |
T.MINAMI: "Properties of transparent zinc-stannate conducting films prepared by radio frequency magnetron sputt", J.VAC.SCI.TECHNOL.A, vol. 13(3) May/Jun 1995, JPN7012003977, 26 December 1994 (1994-12-26), pages 1095 - 1099, ISSN: 0002344136 * |
TOSHIHIRO MORIGA ETC.: "Transparent conducting amorphous Zn-Sn-O films deposited by simultaneous dc sputtering", J.VAC.SCI.TECHNOL.A, vol. 2004, Vol22, No.4, JPN6011062325, 22 July 2004 (2004-07-22), pages 1705 - 1710, ISSN: 0002082316 * |
Cited By (128)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4614148B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2011-01-19 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 酸化物半導体及び薄膜トランジスタの製造方法 |
US7807515B2 (en) | 2006-05-25 | 2010-10-05 | Fuji Electric Holding Co., Ltd. | Oxide semiconductor, thin-film transistor and method for producing the same |
JPWO2007139009A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2009-10-08 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 酸化物半導体、薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
WO2007139009A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 酸化物半導体、薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
JP2021165839A (ja) * | 2007-06-29 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2009099953A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-05-07 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US8723175B2 (en) | 2007-12-08 | 2014-05-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
JP2014030040A (ja) * | 2007-12-25 | 2014-02-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
WO2009081885A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US8791457B2 (en) | 2007-12-25 | 2014-07-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
JP2013080929A (ja) * | 2007-12-25 | 2013-05-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US8461583B2 (en) | 2007-12-25 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
JPWO2009081885A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2011-05-06 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5372776B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2013-12-18 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
TWI460862B (zh) * | 2007-12-25 | 2014-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing the same |
JP2009176864A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
US8017045B2 (en) | 2008-04-16 | 2011-09-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Composition for oxide semiconductor thin film and field effect transistor using the composition |
JP2009260254A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Korea Electronics Telecommun | 酸化物半導体薄膜用組成物、これを採用した電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
KR100974884B1 (ko) | 2008-05-26 | 2010-08-11 | 한국전자통신연구원 | 접촉 저항을 개선한 무인듐 투명 전도막을 포함한 다층전자 소자 및 그의 제조방법 |
US7951619B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-05-31 | Micron Technology, Inc. | Diodes, and methods of forming diodes |
US8323995B2 (en) | 2008-05-28 | 2012-12-04 | Micron Technology, Inc. | Diodes, and methods of forming diodes |
US7811840B2 (en) | 2008-05-28 | 2010-10-12 | Micron Technology, Inc. | Diodes, and methods of forming diodes |
US7824957B2 (en) | 2008-05-30 | 2010-11-02 | Fujifilm Corporation | Method for producing semiconductor device |
US8278136B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-10-02 | Fujifilm Corporation | Semiconductor device, method for producing the same, sensor and electro-optical device |
JP2010021264A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
CN102105988A (zh) * | 2008-07-30 | 2011-06-22 | 住友化学株式会社 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
JP2010034343A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2010013621A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 住友化学株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2015005775A (ja) * | 2008-07-31 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10930792B2 (en) | 2008-07-31 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10559695B2 (en) | 2008-07-31 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11296121B2 (en) | 2008-07-31 | 2022-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9666719B2 (en) | 2008-07-31 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016131250A (ja) * | 2008-07-31 | 2016-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2010037161A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜 |
JP2014135495A (ja) * | 2008-10-10 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010123913A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Korea Electronics Telecommun | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2017188691A (ja) * | 2009-03-05 | 2017-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021167962A (ja) * | 2009-03-05 | 2021-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11955537B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10326008B2 (en) | 2009-03-05 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019159339A (ja) * | 2009-03-05 | 2019-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10686061B2 (en) | 2009-03-05 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9190528B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8853690B2 (en) | 2009-04-16 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor layer |
JP2010267955A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP7217371B2 (ja) | 2009-06-30 | 2023-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020102640A (ja) * | 2009-06-30 | 2020-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022063270A (ja) * | 2009-06-30 | 2022-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2011054942A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011100991A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US9209310B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
JP2011141522A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
KR20180064549A (ko) * | 2009-10-16 | 2018-06-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
US10770597B2 (en) | 2009-10-16 | 2020-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
US10565946B2 (en) | 2009-10-16 | 2020-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
WO2011046010A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
JP2013061672A (ja) * | 2009-10-16 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR101962603B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
KR20120094927A (ko) * | 2009-10-16 | 2012-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
US10490671B2 (en) | 2009-10-16 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
US8854286B2 (en) | 2009-10-16 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
KR101717460B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
US9368082B2 (en) | 2009-10-16 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
US11302824B2 (en) | 2009-10-16 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
US11742432B2 (en) | 2009-10-16 | 2023-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
JP2017028304A (ja) * | 2009-10-16 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20170129970A (ko) * | 2009-10-16 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
US9959822B2 (en) | 2009-10-16 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
KR101865546B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2018-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
US10211344B2 (en) | 2009-10-16 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
JP2018180562A (ja) * | 2009-10-16 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10593810B2 (en) | 2009-10-16 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
US9207511B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same |
JP2014209250A (ja) * | 2009-10-30 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2011141525A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置の駆動方法、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
WO2011055644A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9384976B2 (en) | 2009-11-06 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8927351B2 (en) | 2009-11-06 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10332912B2 (en) | 2009-11-13 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
JP2015097275A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015092603A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015018271A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015111736A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2015130510A (ja) * | 2009-12-11 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2011142316A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
US9142683B2 (en) | 2009-12-11 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11170726B2 (en) | 2009-12-18 | 2021-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
JP2018081313A (ja) * | 2009-12-18 | 2018-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2011170328A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法、及び液晶表示装置 |
JP2015045872A (ja) * | 2010-01-20 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8866984B2 (en) | 2010-01-24 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US9117732B2 (en) | 2010-01-24 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US11935896B2 (en) | 2010-01-24 | 2024-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US11362112B2 (en) | 2010-01-24 | 2022-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2011187952A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US10032422B2 (en) | 2010-02-12 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method |
US10157584B2 (en) | 2010-02-12 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method |
JP2015165311A (ja) * | 2010-02-12 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9704446B2 (en) | 2010-02-12 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method |
JP2015135989A (ja) * | 2010-03-08 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8907334B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-12-09 | Kobe Steel, Ltd. | Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor |
US9490368B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2013065864A (ja) * | 2010-05-20 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US10468531B2 (en) | 2010-05-20 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2016001340A (ja) * | 2010-07-01 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10008169B2 (en) | 2010-07-01 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
JP2013101404A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2017126070A (ja) * | 2010-07-01 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法 |
US9734780B2 (en) | 2010-07-01 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
US9293597B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-03-22 | Hitachi, Ltd. | Oxide semiconductor device |
KR101355236B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2014-01-27 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 산화물 반도체 타깃 및 산화물 반도체막의 제조 방법 |
US9005489B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-04-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Sputtering target of oxide semiconductors and the manufacturing methods of oxide semiconductor layers |
US9299474B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor |
JP2012033699A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物半導体ターゲットおよび酸化物半導体膜の製造方法 |
JP7395702B2 (ja) | 2010-08-06 | 2023-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2023018068A (ja) * | 2010-08-06 | 2023-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101115074B1 (ko) | 2010-11-09 | 2012-03-13 | 박제기 | Zto 박막의 패턴화 방법, 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101578590B1 (ko) | 2011-03-14 | 2015-12-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 산화물 반도체 박막의 제조 방법 |
US9379248B2 (en) | 2011-04-22 | 2016-06-28 | Kobe Steel, Ltd. | Thin-film transistor structure, as well as thin-film transistor and display device each having said structure |
JP2012235105A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタ構造、ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP2014520396A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-08-21 | シーブライト・インコーポレイテッド | 改善されたソース/ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
JP2013053350A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Taiheiyo Cement Corp | ターゲット及びその製造方法 |
US9190523B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor, thin film transistor including the same, and thin film transistor array panel including the same |
US8743307B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-06-03 | Samsung Display Co, Ltd. | Display device |
WO2016043231A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 国立大学法人東京工業大学 | 発光素子、表示装置および照明装置 |
US10446783B2 (en) | 2014-09-18 | 2019-10-15 | Japan Science And Technology Agency | Light-emitting device, display apparatus and lighting apparatus |
JPWO2016043231A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2017-07-06 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 発光素子、表示装置および照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101312774B1 (ko) | 2013-09-27 |
CN101312912B (zh) | 2011-05-04 |
CN101312912A (zh) | 2008-11-26 |
TW200731543A (en) | 2007-08-16 |
US20090267064A1 (en) | 2009-10-29 |
JP5395994B2 (ja) | 2014-01-22 |
TWI400806B (zh) | 2013-07-01 |
US7906777B2 (en) | 2011-03-15 |
KR20080074889A (ko) | 2008-08-13 |
KR101398332B1 (ko) | 2014-05-22 |
KR20130092628A (ko) | 2013-08-20 |
WO2007058232A1 (ja) | 2007-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5395994B2 (ja) | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ | |
JP5376750B2 (ja) | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル | |
TWI442570B (zh) | Semiconductor thin film and its manufacturing method and thin film transistor | |
US7998372B2 (en) | Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel | |
JP5510767B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5372776B2 (ja) | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5466939B2 (ja) | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 | |
TWI478347B (zh) | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device | |
TWI525205B (zh) | Film forming method | |
JP2009253204A (ja) | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2009231664A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2014056945A (ja) | アモルファス酸化物薄膜及びその製造方法、並びにそれを用いた薄膜トランジスタ | |
JP5702447B2 (ja) | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ | |
JP5678149B2 (ja) | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130829 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5395994 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |