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  1. 入射した放射線を電荷に変換する少なくとも1つの光電変換素子を含み構成される画素が、マトリクス状に複数配置されてなるとともに、前記画素からの信号を出力するための信号出力回路を備えた放射線撮像装置であって、
    前記画素と前記信号出力回路とを接続する信号読出用配線が、1つの前記画素に対応して複数本配置されており、
    前記各画素は、前記各信号読出用配線と接続された半導体素子をそれぞれ有しており、前記各信号読出用配線は、前記半導体素子の作動により選択自在であることを特徴とする放射線撮像装置。
  2. 前記光電変換素子は、入射した放射線を波長変換する波長変換体を有することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
  3. 前記各信号読出用配線は、放射線量に応じて前記半導体素子の作動により選択自在とされてなることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線撮像装置。
  4. 前記各半導体素子のうちの少なくとも1つは、ソースフォロワであることを特徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。
  5. 前記各信号読出用配線には、前記画素からの信号を読み出すための信号読出回路がそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  6. 複数の前記信号読出用配線には、前記画素からの信号を読み出すための信号読出回路が共通に配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  7. 前記信号出力回路を2つ備えてなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  8. 入射した放射線を電荷に変換する少なくとも1つの光電変換素子を含み構成される画素が、マトリクス状に複数配置されてなるとともに、前記画素からの信号を出力するための信号出力回路を備えた装置を用いた放射線撮像方法であって、
    前記装置は、前記各信号読出用配線と接続された半導体素子をそれぞれ有しており、
    1つの前記画素について当該画素と前記信号出力回路とを接続する複数の信号読出用配線のうち、撮影形態に応じて1つの前記信号読出用配線を選択して使用するように前記半導体素子を作動させることを特徴とする放射線撮像方法。
  9. 前記光電変換素子は、入射した放射線を波長変換した後、電荷に変換することを特徴とする請求項8に記載の放射線撮像方法。
  10. 放射線量の多少に応じて前記半導体素子を作動させて前記信号読出用配線を選択することを特徴とする請求項8又は9に記載の放射線撮像方法。
  11. 前記各画素は、前記各信号読出用配線と接続された半導体素子をそれぞれ有しており、前記各半導体素子のうちの少なくとも1つがソースフォロワであり、
    放射線量が少ない前記撮影形態の場合に、前記ソースフォロワを有する前記各信号読出用配線を選択することを特徴とする請求項9に記載の放射線撮像方法。
  12. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
    放射線を照射する放射線発生手段と、
    放射線量の多少に応じて、前記放射線撮像装置における前記複数の信号読出用配線のうちの1つを選択する選択手段と、
    前記選択手段による選択に基づいて、前記放射線発生手段による放射線の照射及び前記放射線撮像装置の駆動を制御する制御手段と
    を含むことを特徴とする放射線撮像システム。
  13. 操作者の入力に基づき前記各信号読出用配線をそれぞれ選択自在とされた撮像スイッチを含み、
    前記撮像スイッチの入力により、前記選択手段が前記信号読出用配線を選択することを特徴とする請求項12に記載の放射線撮像システム。
  14. 前記撮像スイッチは、前記信号読出用配線の数に応じた複数の段階に押下するように構成されており、前記各段階が昇順で放射線量の増加に対応していることを特徴とする請求項13に記載の放射線撮像システム。
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