RU2006121971A - Устройство и способ считывания изображения излучения и система считывания изображения излучения - Google Patents
Устройство и способ считывания изображения излучения и система считывания изображения излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006121971A RU2006121971A RU2006121971/09A RU2006121971A RU2006121971A RU 2006121971 A RU2006121971 A RU 2006121971A RU 2006121971/09 A RU2006121971/09 A RU 2006121971/09A RU 2006121971 A RU2006121971 A RU 2006121971A RU 2006121971 A RU2006121971 A RU 2006121971A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- signal
- reading
- image reading
- radiation image
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/575—Control of the dynamic range involving a non-linear response with a response composed of multiple slopes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Claims (14)
1. Устройство считывания изображения излучения, содержащее совокупность пикселей, размещенных в виде матрицы, причем каждый из пикселей включает в себя, по меньшей мере, один элемент фотоэлектрического преобразования для преобразования падающего излучения в электрические заряды, и схему вывода сигнала для вывода сигналов из пикселей, отличающееся тем, что совокупность дорожек считывания сигнала, посредством которых пиксель и схема вывода сигнала соединены друг с другом, обеспечены для каждого пикселя, и каждый из пикселей включает в себя полупроводниковые элементы, подключенные к каждой из дорожек считывания сигнала, и каждая из дорожек считывания сигнала выбирается на основании активации полупроводникового элемента.
2. Устройство считывания изображения излучения по п.1, отличающееся тем, что элемент фотоэлектрического преобразования включает в себя элемент преобразования длины волны для осуществления преобразования длины волны падающего излучения.
3. Устройство считывания изображения излучения по п.1, отличающееся тем, что дорожки считывания сигнала свободно выбирается на основании активации полупроводниковых элементов в соответствии с дозой излучения.
4. Устройство считывания изображения излучения по п.3, отличающееся тем, что по меньшей мере, один из полупроводниковых элементов является истоковым повторителем.
5. Устройство считывания изображения излучения по п.1, отличающееся тем, что для каждой из дорожек считывания сигнала обеспечена схема считывания сигнала для считывания сигнала из пикселя.
6. Устройство считывания изображения излучения по п.1, отличающееся тем, что для дорожек считывания сигнала совместно обеспечена схема считывания сигнала для считывания сигнала из пикселя.
7. Устройство считывания изображения излучения по п.1, отличающееся тем, что обеспечены две схемы считывания сигнала.
8. Способ считывания изображения излучения, согласно которому используют устройство, которое включает в себя совокупность пикселей размещенных в виде матрицы, причем каждый из пикселей включает в себя, по меньшей мере, один элемент фотоэлектрического преобразования для преобразования падающего излучения в электрические заряды, и схему вывода сигнала для вывода сигналов из пикселей, отличающийся тем, что устройство включает в себя соответствующий полупроводниковый элемент, подключенный к каждой из дорожек считывания сигналов, полупроводниковое устройство действует так, что любое из совокупности дорожек считывания сигнала, которые предусмотрены для каждого пикселя и через которые соответствующие пиксель и схема вывода сигнала соединены друг с другом, выбираются и используются в соответствии с используемым режимом фотографирования.
9. Способ считывания изображения излучения по п.8, отличающийся тем, что элемент фотоэлектрического преобразования осуществляет преобразование длины волны падающего излучения и преобразует результаты преобразования в электрические заряды.
10. Способ считывания изображения излучения по п.8, отличающийся тем, что полупроводниковое устройство действует так, что любая из совокупности дорожек считывания сигнала выбирается в соответствии с величиной дозы излучения.
11. Способ считывания изображения излучения по п.9, отличающийся тем, что каждый из пикселей включает в себя полупроводниковые элементы, подключенные к совокупности дорожек считывания сигнала, и, по меньшей мере, один из полупроводниковых элементов является истоковым повторителем, и в случае, когда режим фотографирования предусматривает низкую дозу излучения, выбирают дорожку считывания сигнала, имеющую истоковый повторитель.
12. Система считывания изображения излучения, отличающаяся тем, что содержит устройство считывания изображения излучения по п.1, средство генерации излучения для направления излучения, средство выбора для выбора любой из совокупности дорожек считывания сигнала в устройстве считывания изображения излучения в соответствии с величиной дозы излучения и средство управления для управления направлением излучения средством генерации излучения и запуска устройства считывания изображения излучения на основании выбора средством выбора.
13. Система считывания изображения излучения по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит переключатель фотографирования, с помощью которого любая из совокупности дорожек считывания сигнала свободно выбирается на основании ввода оператора, причем средство выбора выбирает любую из дорожек считывания сигнала на основании ввода, произведенного с помощью переключателя фотографирования.
14. Система считывания изображения излучения по п.13, отличающаяся тем, что переключатель фотографирования способен включаться в совокупность положений, соответствующих количеству дорожек считывания сигнала, и соответствующие положения соответствуют увеличению дозы излучения в восходящем порядке.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003392725 | 2003-11-21 | ||
| JP2003-392725 | 2003-11-21 | ||
| JP2004-207273 | 2004-07-14 | ||
| JP2004207273A JP4418720B2 (ja) | 2003-11-21 | 2004-07-14 | 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006121971A true RU2006121971A (ru) | 2007-12-27 |
| RU2325780C2 RU2325780C2 (ru) | 2008-05-27 |
Family
ID=34622206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006121971/09A RU2325780C2 (ru) | 2003-11-21 | 2004-11-10 | Устройство и способ считывания изображения излучения и система считывания изображения излучения |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7488948B2 (ru) |
| EP (1) | EP1687971B1 (ru) |
| JP (1) | JP4418720B2 (ru) |
| RU (1) | RU2325780C2 (ru) |
| TW (1) | TWI283989B (ru) |
| WO (1) | WO2005050981A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2494565C2 (ru) * | 2008-12-08 | 2013-09-27 | Сони Корпорейшн | Схема пиксела, полупроводниковое устройство формирования изображения и система камеры |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8243876B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-08-14 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanners |
| US7557355B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| JP5043374B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
| JP5043380B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
| JP5159065B2 (ja) | 2005-08-31 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP2007155662A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Canon Inc | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| JP4579894B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP2007201246A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Canon Inc | 光電変換装置及び放射線撮像装置 |
| JP4683436B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-05-18 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 光検出装置 |
| JP5089195B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法 |
| JP5173234B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| US7638772B2 (en) * | 2007-02-28 | 2009-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus and radiation imaging system |
| JP5004848B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP4110193B1 (ja) | 2007-05-02 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5096946B2 (ja) | 2008-01-30 | 2012-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4551936B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2010-09-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP4551935B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2010-09-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| FR2929055B1 (fr) * | 2008-03-19 | 2010-05-28 | Commissariat Energie Atomique | Systeme de conversion de charges en tension et procede de pilotage d'un tel systeme |
| JP2010003752A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Epson Imaging Devices Corp | 光電変換装置及び放射線検出装置 |
| CN102257532B (zh) * | 2008-10-13 | 2013-12-04 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 组合的装置和解剖结构更新 |
| JP5439837B2 (ja) | 2009-02-10 | 2014-03-12 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP5400507B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
| US8860166B2 (en) * | 2010-03-23 | 2014-10-14 | Stmicroelectronics S.R.L. | Photo detector array of geiger mode avalanche photodiodes for computed tomography systems |
| WO2011150553A1 (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | 博立码杰通讯(深圳)有限公司 | 一种感光器件及其读取方法、读取电路 |
| JP5694882B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2015-04-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出素子及び放射線画像撮影装置 |
| JP5804780B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2015-11-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5848047B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2016-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出素子、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム |
| JP2013069864A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Canon Inc | 検出装置及び検出システム |
| JP5554313B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム |
| JP5954983B2 (ja) | 2011-12-21 | 2016-07-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の製造方法 |
| JP6057511B2 (ja) | 2011-12-21 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP5430642B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2014-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器、放射線画像撮像装置、及び放射線画像撮像システム |
| US9918017B2 (en) | 2012-09-04 | 2018-03-13 | Duelight Llc | Image sensor apparatus and method for obtaining multiple exposures with zero interframe time |
| JP5904957B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-04-20 | キヤノン株式会社 | 電子部品および電子機器。 |
| JP6463136B2 (ja) | 2014-02-14 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP6585910B2 (ja) | 2014-05-01 | 2019-10-02 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP6378573B2 (ja) | 2014-08-06 | 2018-08-22 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP6570315B2 (ja) | 2015-05-22 | 2019-09-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| CN106295477A (zh) * | 2015-06-03 | 2017-01-04 | 小米科技有限责任公司 | 一种进行指纹识别的终端 |
| JP6711692B2 (ja) | 2016-05-24 | 2020-06-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び画像読み取り装置 |
| JP6415488B2 (ja) | 2016-07-08 | 2018-10-31 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム |
| JP6778118B2 (ja) | 2017-01-13 | 2020-10-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP6929104B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
| JP6990986B2 (ja) | 2017-04-27 | 2022-01-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
| JP6853729B2 (ja) | 2017-05-08 | 2021-03-31 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
| JP6788547B2 (ja) | 2017-05-09 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法、制御装置、及び、放射線撮像システム |
| WO2019012846A1 (ja) | 2017-07-10 | 2019-01-17 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP6877289B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法 |
| JP7045834B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-04-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム |
| JP7079113B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-06-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP7198003B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法およびプログラム |
| JP6659182B2 (ja) | 2018-07-23 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| US10757355B2 (en) * | 2018-07-30 | 2020-08-25 | Tower Semiconductors Ltd. | Image sensor module and a method for sensing |
| EP3661190B1 (en) | 2018-11-27 | 2024-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system |
| JP7344769B2 (ja) | 2019-11-22 | 2023-09-14 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び出力方法 |
| JP7397635B2 (ja) | 2019-11-22 | 2023-12-13 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、制御方法及びプログラム |
| US11683602B1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-06-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Nine cell pixel image sensor with phase detection autofocus |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2012156C1 (ru) | 1990-07-25 | 1994-04-30 | Шаевич Владимир Евгеньевич | Датчик видеосигнала на приборе с зарядовой связью |
| JP3066944B2 (ja) | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
| JPH08256293A (ja) | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像ユニット並びに撮像カメラ |
| US5528043A (en) * | 1995-04-21 | 1996-06-18 | Thermotrex Corporation | X-ray image sensor |
| JPH09246516A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
| FR2753278B1 (fr) * | 1996-09-11 | 1998-10-09 | Commissariat Energie Atomique | Dosimetre x-gamma sensible aux basses energies |
| JPH1093868A (ja) | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| US5973311A (en) * | 1997-02-12 | 1999-10-26 | Imation Corp | Pixel array with high and low resolution mode |
| JP3667058B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3667220B2 (ja) * | 1999-10-05 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法 |
| JP2001177776A (ja) | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Victor Co Of Japan Ltd | コンテンツ制作方法及びコンテンツ制作装置 |
| JP3840050B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 電磁波変換装置 |
| US7193197B2 (en) * | 2001-12-05 | 2007-03-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detection device, imaging device and distant image acquisition device |
| EP1341375B1 (en) * | 2002-03-01 | 2013-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image sensing apparatus and its driving method |
| US6906302B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-06-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Photodetector circuit device and method thereof |
| JP4323827B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| JP4266656B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| CA2535490A1 (en) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Simon Fraser University | Multi-mode digital imaging apparatus and system |
| JP4845352B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| US7557355B2 (en) | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| JP5159065B2 (ja) | 2005-08-31 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP2007155662A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Canon Inc | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| JP5089195B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-07-14 JP JP2004207273A patent/JP4418720B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-10 WO PCT/JP2004/017039 patent/WO2005050981A1/en active Application Filing
- 2004-11-10 EP EP04799716A patent/EP1687971B1/en not_active Not-in-force
- 2004-11-10 RU RU2006121971/09A patent/RU2325780C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-11-10 US US10/576,349 patent/US7488948B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-12 TW TW093134734A patent/TWI283989B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-01-07 US US12/349,733 patent/US7923695B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2494565C2 (ru) * | 2008-12-08 | 2013-09-27 | Сони Корпорейшн | Схема пиксела, полупроводниковое устройство формирования изображения и система камеры |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2325780C2 (ru) | 2008-05-27 |
| JP4418720B2 (ja) | 2010-02-24 |
| TWI283989B (en) | 2007-07-11 |
| EP1687971A1 (en) | 2006-08-09 |
| JP2005176297A (ja) | 2005-06-30 |
| US7488948B2 (en) | 2009-02-10 |
| US20070069107A1 (en) | 2007-03-29 |
| EP1687971B1 (en) | 2012-10-10 |
| US20090185659A1 (en) | 2009-07-23 |
| EP1687971A4 (en) | 2010-04-21 |
| WO2005050981A1 (en) | 2005-06-02 |
| US7923695B2 (en) | 2011-04-12 |
| TW200527908A (en) | 2005-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006121971A (ru) | Устройство и способ считывания изображения излучения и система считывания изображения излучения | |
| JP2005176297A5 (ru) | ||
| US8482644B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| CN101262565B (zh) | 摄像方法及摄像装置以及驱动装置 | |
| JP2017183658A (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および電子機器 | |
| TW200849986A (en) | Solid-state imaging device, method of driving the same, signal processing method for the same, and imaging apparatus | |
| JP2009510976A (ja) | 複数露光光学撮像装置 | |
| JP2013172210A5 (ru) | ||
| CN104253953A (zh) | 摄像元件、摄像设备及其控制方法 | |
| JP4719201B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20170187936A1 (en) | Image sensor configuration | |
| CN103038666A (zh) | 具有增益范围选择的电磁辐射检测器 | |
| JP2015142254A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法並びにそれを用いた撮像システム | |
| JP5094530B2 (ja) | Ｘ線検査システム | |
| JP2009130575A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像素子、及び撮像装置 | |
| JP6461429B2 (ja) | 画像センサ、制御方法及び電子機器 | |
| JP2003189181A5 (ru) | ||
| WO2009131150A1 (ja) | 固体撮像装置およびｘ線検査システム | |
| US11056528B2 (en) | Image sensor with phase-sensitive pixels | |
| JP2004023654A5 (ru) | ||
| JP2004264034A (ja) | 光検出装置 | |
| US9040894B2 (en) | Imager with column readout | |
| JP7361514B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
| CN113014835A (zh) | 用于在环境光条件下生成图像数据的成像系统和方法 | |
| JP2006171393A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TZ4A | Amendments of patent specification | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141111 |