JP2004532298A5

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Publication number: JP2004532298A5
Application number: JP2002571564A
Authority: JP
Filing date: 2002-02-27
Publication date: 2005-12-22
Anticipated expiration: 2022-02-27

Claims

置換されていてもよいポリチオフェンを含有する分散液または溶液を有機溶剤中で製造する方法において、
ａ）水と混合可能な有機溶剤または水と混合可能な溶剤混合物を、置換されていてもよいポリチオフェンを含有する水性分散液または水溶液に添加し、
ｂ）得られた混合物から水を少なくとも部分的に除去する
ことを特徴とする、置換されていてもよいポリチオフェンを含有する分散液または溶液を有機溶剤中で製造する方法。
イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻を含有する分散液または溶液を有機溶剤中で製造する方法において、
ａ）水と混合可能な有機溶剤または水と混合可能な有機溶剤混合物を、イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の水性分散液または水溶液に添加し、その際、ポリチオフェン^＋はポリマーを表し、このポリマーは少なくとも部分的に正に帯電した式（Ｉ）

［式中、
Ｙは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^１Ｒ^２（ＣＨ_２）_ｎ−または置換されていてもよい１，２−Ｃ_３−Ｃ_８−シクロアルキレン基を表し、
Ｒ^１およびＲ^２は互いに無関係に水素、ヒドロキシメチル、置換されていてもよいＣ_１−Ｃ_２０−アルキル基、または置換されていてもよいＣ_６−Ｃ_１４−アリール基を表し、
ｍ、ｎは同じかまたは異なって０〜３の整数である］
の繰り返し単位を有し、
かつその際、
Ａｎ⁻は有機ポリ酸のアニオンを表すか、
またはその際、
ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻はポリマーを表し、このポリマーは式（ＩＩ）

［式中、
Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^３Ｒ^４（ＣＨ_２）_ｎ−を表し、
Ｒ^３は水素または−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋を表し、
Ｒ^４は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋を表し、
ｍ、ｎは０〜３の整数を表し、
Ｍ^＋はカチオンを表し、
ｓは０〜１０の整数を表し、
ｐは１〜１８の整数を表す］
の繰り返し単位を有し、この繰り返し単位においてチオフェン環は少なくとも部分的に正の電荷を有しており、
ｂ）得られた混合物から水を除去する
ことを特徴とする、イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻を含有する分散液または溶液を有機溶剤中で製造する方法。
水の欠乏した有機溶剤または水不含の有機溶剤中の、イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液において、ポリチオフェン^＋はポリマーを表し、このポリマーは少なくとも部分的に正に帯電した式（Ｉ）

［式中、
Ｙは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^１Ｒ^２（ＣＨ_２）_ｎ−または置換されていてもよい１，２−Ｃ_３−Ｃ_８−シクロアルキレン基を表し、
Ｒ^１およびＲ^２は互いに無関係に水素、ヒドロキシメチル、置換されていてもよいＣ_１−Ｃ_２０−アルキル基、または置換されていてもよいＣ_６−Ｃ_１４−アリール基を表し、
ｍ、ｎは同じかまたは異なって０〜３の整数である］
の繰り返し単位を有し、
かつその際、
Ａｎ⁻は有機ポリ酸のアニオンを表すことを特徴とする、イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液。
水の欠乏した有機溶剤または水不含の有機溶剤中の、イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液において、ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻はポリマーを表し、このポリマーは式（ＩＩ）

［式中、
Ｚは−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＲ^３Ｒ^４（ＣＨ_２）_ｎ−を表し、
Ｒ^３は水素または−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋を表し、
Ｒ^４は−（ＣＨ_２）_ｓ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｐ−ＳＯ_３ ⁻Ｍ^＋を表し、
ｍ、ｎは０〜３の整数を表し、
Ｍ^＋はカチオンを表し、
ｓは０〜１０の整数を表し、
ｐは１〜１８の整数を表す］
の繰り返し単位を有し、この繰り返し単位においてチオフェン環は少なくとも部分的に正の電荷を有していることを特徴とする、イオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液。
支持体の導電性仕上げ加工法において、請求項３及び４記載のイオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液を使用することを特徴とする、支持体の導電性仕上げ加工法。
支持体の帯電防止仕上げ加工法において、請求項３及び４記載のイオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液を使用することを特徴とする、支持体の帯電防止仕上げ加工法。
写真材料の帯電防止仕上げ加工法において、請求項３及び４記載のイオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液を使用することを特徴とする、写真材料の帯電防止仕上げ加工法。
固体コンデンサ中における固体電解質の製造法において、請求項３及び４記載のイオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液を使用することを特徴とする、固体コンデンサ中における固体電解質の製造法。
エレクトロルミネセンス装置の製造法において、請求項３及び４記載のイオン錯体ポリチオフェン^＋Ａｎ⁻の分散液または溶液を使用することを特徴とする、エレクトロルミネセンス装置の製造法。