TWI247016B - Novel polythiophene dispersions - Google Patents

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TWI247016B
TWI247016B TW091104445A TW91104445A TWI247016B TW I247016 B TWI247016 B TW I247016B TW 091104445 A TW091104445 A TW 091104445A TW 91104445 A TW91104445 A TW 91104445A TW I247016 B TWI247016 B TW I247016B
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polythiophene
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dispersant
ion complex
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TW091104445A
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Friedrich Jonas
Stephan Kirchmeyer
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Bayer Ag
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    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Description

1247016 Α7 五、發明說明（/ ) 本發明係有關於製備與使用包含選擇地經取代聚噻吩 於無水或低含水量有機溶劑中之分散劑或溶液。 工業上使用以經取代聚噻吩為基材之導電性聚合物曰 座增加，例如：於電路板之貫穿式電鍍（Ερ_Α 553671)，照 5 相軟片與塑膠模製物之抗靜電加工（ΕΡ-Α 440957)或固態 電解質電容器之電極（ΕΡ-Α 340512)。對於此類用途，以使 用此類的；Γ -共軛聚合化合物之分散劑為較佳。 聚噻吩An離子錯合物之水性分散劑或溶液已證實特 別適合此目的，因為它們皆具有高度安定性，並能使塗覆 10 物具有極佳的導電性。 這些聚噻吩An離子錯合物可包括π—共扼聚噻吩，其 正電移位於整個分子，而且陰離子，如··有機多元酸，可補 償這些正電荷。
5 IX 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ο 2 、、莖取代3,4-伸烷基二羥基噻吩之氧化聚合反應係於聚 苯乙烯磺酸存在下進行，使用過氧二硫酸鉀作為氧化劑， EP-A 440957陳述所形成之聚噻吩+An-離子錯合物為水性 分散劑，其包括3,4_聚伸烧基二羥基噻吩與聚苯乙浠續酸 之陰離子，這些分散劑可直接使用於前述目的。 其伸烷基單元被含有酸基團游離基取代之經取代3,4_ 伸烷基二羥基噻吩，其氧化聚合反應同樣可生成聚噻吩 An離子錯合物之分散劑或溶液，而其中共輛冗_系統之正 電荷同樣可被分子中已存在之酸陰離子所補償。 對於製備此種水性分散劑或溶液，有一種改良性的變 化，即使用離子交換劑以移除或部份移除所含有之無機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) 91· 3· 2,000 -----------^--------^-------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1247016 A7 五、發明說明（Z ) 鹽’此鹽主要來自化學的氧化作用（de_a 19627071)。此除 鹽步驟可防止產生模糊與非均質性，例如：製造抗靜電薄層 時’可形成高度透明而且清澈的薄層。 然而’已發現水性分散劑或溶液除了良好的性能外， 具有不同於水的潤濕能力，以及與有機溶劑相異的乾燥行 為，有利於某些應用，例如：將導電層加至載體材料上。 將前述分散劑或溶液藉蒸餾施以簡單的乾燥或除水 後，所得到·的粉末無法藉添加有機溶劑之簡單方法予以再 分散。 5
ο IX
5 1X 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 ο 2 P-A 203438揭示分散於有機溶劑之經取代噻吩聚合 物但疋所述方法之缺點為由經取代2,5-二鹵素嗟吩製備 聚噻吩時，需於鎳催化劑存在下辅之以鎂，此方法於較大 規模進行反應時不切實際，^由於含有可致癌與引起過 敏的鎳，使在使用溶液前必須進行繁複的純化步驟。 EP-A 253994亦敘述一種方法，於有機溶劑中製備聚噻 吩:An·離子錯合物之溶㈣分散劑，其包含㈣吩與所使 用導電性鹽類之陰離子。在這些案例中，噻吩單體之聚合 經由化學氧化反應於有機溶劑本身中進行，然而，在這些 方法中，所欲產品由反應溶液中沉澱出來，因此無法用以 製造透明膜。 依照EP-A 440957，包含3,4·聚伸烷基二羥基噻吩之 分散劑可直接於有機溶射製備，朗含之無觀類，主要來自化學氧化反應，於此例仍存留於溶液中，在製造塗 覆物時會導致前述之不利影響。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱一 91. 3. 2,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -ϋ n —e n ，f n I ϋ I I n I I - 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 ο 2 1247016 Α7 —----— 只乙 五、發明說明（3 ) + _此南要尋找—種方法可結合完全或部份除鹽之聚喧 =An離子錯合物水性分散劑或溶液的極佳導 電性與塗覆 .、、有機溶劑廣泛變化的潤濕與乾燥性能。 見已毛現種於有機溶劑中製備包含選擇地經取代聚 5 噻吩分散劑或溶液的方法，其特徵為·· 1) 將水溶混之溶劑或水溶混之溶劑混合物加至包含選擇 地經取代聚嗔吩之水性分散劑或溶液中，與 2) 至少將部份的水自得到的混合物中移除，與 3) 右意欲時，可將混合物以有機溶劑加以稀釋。 10 於步驟D中，較佳者為包含聚㈣+An_離子錯合物之 或㈣’其中嗔吩+為—種聚合物’其包含重複單元 A八〇\ 至少其部份為正電荷與 其中 Y 為-(CI^m-CR^R^CHaV或選擇地經取代之1 2 e ^ 環伸烷基游離基，與 5 3 8 R1與R2各自獨立，為氫、羥基甲基、選擇地經取代
Cj-C2〇- 烷基游離基或選擇地經取代CVCm-芳基游離A 與 & 5 m與η可相同或相異，並為0至3之整數， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公31 ) 91. 3. 2,000 ------------ΦΜ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·！！！· 1247016 ---^_ 五、發明說明（+ ) 與其中 An為有機多元酸之陰離子， 或其中 承塞吩An為一種聚合物，其包含重複單元之式⑼
其中至少部份之噻吩環帶有正電荷與 10 其中 z 為 _(CH2)m-CR3R4(CH2V， 5 為氫或-(CH2)s_〇-(CH2)p_s〇3 M+， r4 為-(CH2)s-CKCH2)p_s〇3-M+， M+為陽離子， 15 s 為0至10之整數，與 P 為1至18之整數。 i I i I--I---11 I Μ- · 11 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) tr-- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具式⑴與式（II)之聚噻吩為多…•々哪卞 電何於整個分子移位，因此故未顯示於式中一 式（II)中之M+可不僅為如··金屬離子、質 取代之銨離子，村為如：料吩之陽離子單= 者為鹼金屬離子與銨離子，以及質子。 又 於步驟υ中’最佳者為聚㈣+An_離子錯合 劑或溶液’其w吩、—種聚合物，其包含重複單元: 元陽離子的型態，因
l247〇i6 A7 B7 五、發明說明（f ) (1)，至少其部份帶有正電荷與其中 '為-(C^-CRMcha-或為u•環伸己基游離基， R與R2各自獨立，為氫、經基甲基、Ci_C8_烧基或苯基， m與n可相同或相異，並為〇或i， 與其中
An·為聚丙烯酸、聚磺酸、聚笨乙烯磺酸之陰離子，其 混合物或母體單體之共聚物或是與無酸單體之共聚 物， 〇或者其聚嘆吩An為-種聚合物，其包含重複單元之式 (II)，其中至少部份之噻吩環上帶有正電荷且其中 z 為-(0112)111-€111尺2((：112)11， K3為氫， R4 為-(CH2)s-0-(CH2)p-S03 m+， m與η可相同或相異，並為〇至3之整數， M+ 為陽離子， s 為0，1或2， P 為4或5。 極佳者為聚噻吩+ΑιΓ離子錯合物之分散劑或溶液，其 聚噻吩為一種聚合物，其包含重複單元之式（〗），至少其 部份帶有正電荷且其中 、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格C210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝 訂 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247〇16 A7 ----------B7_ 五、發明說明（厶） 、 為1，2-乙稀游離基， 與其中 ΑίΓ 為聚苯乙烯磺酸之陰離子， 或者其中聚噻吩+ΑιΓ為一種聚合物，其包含重複單元 5 之式（Π)，其中至少部份之噻吩環上帶有正電荷且其 中 Z 為-(CH2)m-CR3R4(CH2)n， R3 為氫， 0 R4 為-(ch2)s-o-(ch2)p-so3m+， m 為0或1， η 為0或1， Μ+ 為陽離子， s 為0或1，與 5 p 為4 〇 於此第一步驟中，水溶混溶劑或水溶混有機溶劑混合 物之添加量，以所使用水性離子錯合物分散劑或溶液為基 準，為例如：5至1000重量％。 適用於此之溶劑如下，但非完全囊括： 醯胺類溶劑，如：甲醯胺、N-甲基乙醯胺、n，N-二甲基乙醢 胺、N-甲基吡咯烧酮、N-甲基己内醯胺與N-甲基甲醯胺。 醇類與醚類，諸如：乙二醇、甘油、乙二醇二甲基醚、 乙二醇單甲基醚、乙二醇單丁基醚或二嚼烧。 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格C210 X 297公釐） c請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝 tT. 麟· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247016
五、發明說明（7) 水溶性溶劑混合物，包括水溶混溶劑與非水溶混溶 劑，皆同樣涵蓋於其中。 溶劑之添加可個別、或以混合物形態、或以混合物形 悲連同糖醇類，例如··花楸醇或甘露糖醇。 較佳者為醯胺類溶劑與大氣壓力下沸點高於1〇〇。。之 溶劑，以及水溶混溶劑或可與水形成共沸之水溶混溶劑的 混合物。 -2-Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 步驟2)可藉如：薄膜法，例如：超過濾，或藉蒸餾進行， 此處以蒸餾為較佳，並可於如··溫度〇至2〇〇t下進行，以 20至1GGC為較佳。蒸館選用之壓力可為大氣壓力或較低 壓力，此處之較低壓力以低至〇 〇〇1毫巴為較佳。 右意欲時可進行步驟3)，用以稀釋之溶劑可為步驟U 中敘述之溶劑或溶劑混合物。 此外，如下述者亦為適合： 脂肪族醇類，如··甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、 異丁醇、第三丁醇、戊醇、異戊醇與新戊醇， 脂肪族_類，如：丙_、甲基乙基酮、甲基異丁基酮與甲基 第三丁基酮， 醚類，如：四氫呋喃與甲基第三丁基醚， 脂肪族與芳族羧酸酯，如：乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙二 醇單甲基醚酯與酞酸丁酯。 脂肪族與芳族之碳氫化合物，如：戊烷、己烷、環己烷、辛 烧、異辛烷、癸烷、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯盘對二 苯C /、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）---- (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) ί裝 ·. 7線· 1247016 Α7 經濟部智慧財產局貝X消f合作社印製 五、發明說明（2 ) 於稀釋時，溶劑可單獨或以混合物形離使用。 依曰，明獲得之離子錯合物分散劑，；含水量為。 重1%，以〇至5重量❶為較佳。 分散劑中離子錯合物之含量可自001至2〇重 〇·2至5重量％為較佳。 依本發明製得之離子錯合物分散劑可用於如〔製造 充電式電池、二極發光體、感應器、電絡窗、影印機鼓之 塗覆物、陰極射線管、於塑膠膜、塑膠模製品或於照 料上之導電性與抗靜電塗覆物。 依本發明之分散劑或溶劑可進一步使用於如：資料儲 存、光學信號轉換、抑制電磁干擾（EMI)與太陽能之轉換。 此外，亦可用於如：製造固體電路電容器之固體電解 質、電光顯示器與透明電極，如：於觸摸螢幕。 塗覆物可使用習知方法製造，例如：喷霧、凹版印刷、 平版印刷、帘流塗覆、旋轉塗覆、輥塗、刷塗與浸潰。 若意欲時，可另外將黏結劑與/或交聯劑，如：聚胺基 甲酸酯或其分散劑、聚丙烯酸酯、聚烯烴分散劑與環氧石夕 烧例如·3-ί哀氧丙烧丙基二烧氧基碎烧’添加至依本發明 製備之分散劑中。 為了增進塗覆物之抗刮傷性，可進一步將矽烷水解產 物’如：以四乙氧基矽烷為基底者，添加至依本發明製備之 分散劑中（參見特別是ΕΡ-Α 825219)。 至 5 以 10 15 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 91. 3. 2,000 1247016 A7 --- - B7 _ _五、發明說明（1 ) 實例 實例1 製備水性聚噻吩+ArT離子錯合物懸浮液 將20公克純聚苯乙烯磺酸（約含錳4〇,〇〇〇)、21·4公克 5 過氧二硫酸舒與50毫克硫酸鐵（ΠΙ)於攪拌下加至2000毫 升的水中，再於攪拌下加入8·〇公克3,各乙烯二氧基噻吩， 將此溶液於室溫下攪拌24小時。隨後加入1 〇〇公克陰離子 交換劑（Lewatit ΜΡ 62，Bayer AG公司之商品）與i 〇〇公克 陽離子交換劑（Lewatit S 1〇〇，Bayer· AG公司之商品），二 10 者皆以水潤濕，並將混合物攪拌8小時。藉過濾移除離子交換劑後，得到固體含量約12重量 %之可即時使用的溶液。 實例2 將丨υυ公見依貫例 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
5 1X 表侍之溶液加至一具備攪拌器$ 絰濟部智慧財產局員工消費合作社印« ο 2 内部溫度計之500毫升三頸瓶中，並於攪拌下，以15分^ 的時間加入200公克二甲基乙醯胺，隨後於4(TC與⑴ 巴壓力下’蒸㈣122公克水與二甲基乙酿胺之混合物 此溶液之含水量為3.9%(藉Karl Fischer法測定）與〇 體含量為0.8%(藉於14(rc下乾燥12 |時測定）。 為了製備塗覆物，於每個案例中將1〇公克溶液以表t 所示之乙醇量加以_ ’而後使⑽旋形醫用刀將 ^醋膜上至M厚度為24微米，並於崎乾燥⑴ 鐘’且敎表面電阻值，所測得值顯示於表中。於所有营 例中，皆獲得具導電性、透明與清澈的 塗覆物。 , 11
91. 3. 2,000 1247016 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 A7 B7 實例號 一_6醇[公克] 表面電阻[Ω /□] I _ 5 4200 2 10 68* 1〇3 3 — 50 895 氺 1〇3 4 100 — 3.6氺 1〇7 5
ο 1X
5 1A 實例3 將7〇公克依實例丨製得之溶液加至一具備攪拌器與内 部溫度計之500毫升三頸瓶中，並於攪拌下，以1〇分鐘的 時間加入130公克甲基吡咯烷酮，隨後於⑼它與8毫 巴壓力下，蒸餾出67公克水與N-甲基吡咯烷酮之混合物。 為了製備塗覆物’使用螺旋形醫用刀將溶液加諸聚酯 膜上至濕膜尽度為24微米，並於40°C或100乾燥12小 時，且測定表面電阻值，所測得值顯示於表中。於此二案 例中，皆獲得具導電性、透明與清澈的塗覆物。 實例號 乾燥溫度[°c ] [ Ω /□] I 40 — ΐ·8* l〇3 2 100 ι〇3 ' 本紙張尺度剌中S g家標事（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 91. 3. 2,000 (請先閲讀背vB之注意事項^填寫本頁) 裝 訂-

Claims (1)

1247016 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 專利申請案第91104445號 ROC Patent Application No.91104445 修正後無劃線之申請專利範圍中文本-附件（一） Amended Claims in Chinese - Encl.d) (民國94年8月U日送呈） (Submitted on August ^ ? 2005) 10 1. 一種於有機溶劑中製備包含選擇地經取代聚噻吩之 分散劑或溶液之方法，其特徵在於： a) 將水溶混的有機溶劑或水溶混的溶劑混合物 加至一種包含選擇地經取代聚噻吩之水性分 散劑或溶液中，該聚噻吩包括重複單元之式(I) γ 15
20 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25 至少其部份為正電荷與 其中 Y為V或選擇地經取代 之1，2-〇3-〇8_壤伸烧基游離基’與 R1與R2各自獨立，為氫、羥基甲基、選擇 地經取代之Ci-Cf烷基游離基或選擇地 經取代C6-C14-芳基游離基， 與 m與η可相同或相異，並為0至3之整數， -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91063範圍-接
申請專利範 或 包含重複單元之式（II)
其中至少部份之噻吩環帶有正電荷與 其中 z 4-(CH2)m-CR3R4(CH2V， r3 為氫或-(CH2)s-〇-(Ch2)p-S〇3 M+， R4 為-(CH2)s-〇-(CH2)p-SCV]vr， m與n為〇至3之整數， Μ為陽離子， s 為〇至10之整數，與 P 為1至18之整數， 與 b)至少將所得到混合物中部份的水移除 2·根據巾請專利範圍第丨狀方法，其於有機溶劑中 製備包含聚嗔吩+Αη·離子錯合物之分散劑或溶液， 其特徵在於： a)將水溶混的有機溶劑或水溶混的有機溶劑混 合物加至一種聚嗔吩+Αη·離子錯合物之水性 分散劑或溶液中，該聚噻吩+為一種聚合物， -14 - 1247016 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 其包括重複單元之式（I) γ
10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 至少其部份為正電荷與 其中 Y為-(CH2)m-CR1R2(CH2)I/或選擇地經取代 之1，2-C3-C8•環伸烷基游離基，與 R1與R2各自獨立，為氫、羥基甲基、選擇 地經取代之Ci-Cf烷基游離基或選擇地 經取代C6-Ci4-芳基游離基’ 與 m與η可相同或相異，並為0至3之整數， 與其中 Αη_為有機多元酸之陰離子， 或其中 聚噻吩+Αη_為一種聚合物，其包含重複單元 之式（II) 7
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本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247016 其中至少部份之嗔吩環帶有正電荷與 其中 Z 為-(CH2)m-CR3R4(CH2)n-， R3 為氫或-(CH2)s_〇-(CH2)p_S03 M+， 5 R4 為-(ch2)s-o-(ch2)p-so3 m+， m與η為0至3之整數， Μ+為陽離子， S 為0至10之整數，與 Ρ 為1至18之整數， 10 與 b) 將所得到混合物中的水移除。 3 ·根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於 步驟b)之後，將得到之分散劑或溶液以有機溶劑或 有機溶劑混合物加以稀釋。 15 4·根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於 步驟a)所使用之水性分散劑或溶液包含聚噻吩+Αη· 離子錯合物，該聚噻吩+為一種聚合物，其包含重 複單元之式（I)，至少其部份帶有正電荷與其中 Y 為-(CHJm-CRiYCHA•或為1，2-環伸己基游 20 離基，與 R1與R2各自獨立，為氫、羥基曱基、CrC8•烷基 或苯基，與 m與η可相同或相異，並為〇或1， -16 -
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） Α8 Β8 C8 D8 1247016 六、申請專利範圍 與其中 An" 為聚丙烯酸、聚乙烯基磺酸、聚苯乙烯磺酸 之陰離子，其混合物或母體單體之共聚物或 是與無酸單體之共聚物。 5 5·根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於 步驟a)所使用之水性分散劑或溶液包含聚噻吩+An_ 錯合物，該聚噻吩+ArT為一種聚合物，其包含重複 單元之式（II)，其中至少部份之噻吩環上帶有正電 荷且其中 ίο z 為， R3 為氫， R4 為-(CH2)s-0-(CH2)p-S03-M+， m與η為0至3之整數， Μ+ 為陽離子， 15 S 為 0，1 或 2， ρ 為4或5 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6·根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於 步驟a)所使用之水性分散劑或溶液包含聚噻吩+Αη-離子錯合物，該聚嗔吩+為一種聚合物，其包含重 20 複單元之式（I)，至少其部份帶有正電荷與 其中 Υ 為1，2·乙稀游離基， 與其中 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1247016 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 An'為聚苯乙烯磺酸之陰離子。 7·根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於 步驟a)所使用之水性分散劑或溶液包含聚噻吩 錯合物，該聚噻吩+Αη·為一種聚合物，其包含重複 5 單元之式（Π)，其中至少部份之噻吩環上帶有正電 荷且其中 Ζ 為-(CH2)m-CR3R4(CH2V， R3為氫， R 為-(CH2)s-〇-(CH2)p-S03_M+， 10 μ 為卜 η 為0或1， Μ+ 為陽離子， s 為0或1， Ρ 為4 〇 15 8·根據申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於 使用之起始材料為聚噻吩+Αη-離子錯合物之水性分 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 散劑或溶液，其無機鹽類含量已全部或部份地去 除。 9·根據申請專利範圍第丨或2項之方法，其特徵在於 20 步驟b)中之除水係藉蒸餾進行。 10·—種聚噻吩+Αη·離子錯合物之分散劑或溶液，該聚 噻吩+為一種聚合物，其包含重複單元之式G) -18 -
1247016 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍
S
10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 至少其部份為正電荷與 其中 γ 為-(CHJ^CRiR'CHA•或選擇地經取代之1，: €3<8_環伸烷基游離基，與 R與R2各自獨立，為氫、羥基甲基、選擇地經写 代之烧基游離基或選擇地經取代^ C6_C14-芳基游離基， 與 m與η可相同或相異，並為〇至3之整數， 與其中 An 為有機多元酸之陰離子， 於低含水量或無水之有機溶劑中。 u. 一種料吩+Αη·離子錯合物之分散劑或溶液，該; 噻吩+Αη-為一種聚合物，其包含重複 ⑻’其中至少部份之喧吩環帶有正電荷就中:
-19 - 1247016 六、申請專利範圍 Z 4-(CH2)m-CR3R4(CH2)n" J R 為氫或_(ch2)s-0-(ch2)p-scvm+，r4 為-(ch2)s-o-(ch2)p-so3 m+， ㈤與！！為〇至3之整數， M+ 為陽離子， S 為0至10之整數，P 為1至18之整數， 於低含水量或無水之有機溶劑中。 12.根據申請專利範圍第1〇或u項之聚噻吩+An-離子 錯合物之分散劑或溶液，其特徵在於無機鹽類含量 低於單體氧化聚合反應起始用量之40%。 13·根據申請專利範圍第10或u項之聚噻吩+An•離子 錯合物之分散劑或溶液，其特徵在於含水量為〇至 5重量％。 14· 一種提供導電性基質之方法，其特徵在於使用根據 申請專利範圍第10至13項之聚噻吩+An•離子錯合 物之分散劑或溶液。 15· —種基質抗靜電加工之方法，其特徵在於使用根據 申請專利範圍第10至13項之聚噻吩+An-離子錯合 物之分散劑或溶液。 16· —種相片材料抗靜電加工之方法，其特徵在於使用 根據申請專利範圍第1〇至13項之聚噻吩+An_離子 錯合物之分散劑或溶液。 20 - --------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210X297公麓） 5 4 10 15 20 訂 線 1247016
17· —種製造固態電容器之固態電 I方法，盆特料 在於使用根據申請專利範圍第1() ^ + _ 王13項之聚喧吩 八11_離子錯合物之分散劑或溶液。 18. —種製造電光裝置之方法，其特徵在於使用根據申 請專利範圍第10至13項之聚噻吩+Αη·離子錯合物 之分散劑或溶液。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
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