JP2002116541A - ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物

Info

Publication number
JP2002116541A
JP2002116541A JP2000304767A JP2000304767A JP2002116541A JP 2002116541 A JP2002116541 A JP 2002116541A JP 2000304767 A JP2000304767 A JP 2000304767A JP 2000304767 A JP2000304767 A JP 2000304767A JP 2002116541 A JP2002116541 A JP 2002116541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
bis
polyimide resin
organic group
positive photosensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000304767A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4390028B2 (ja
Inventor
Makoto Hatanaka
真 畑中
Hiroharu Nakayama
寛晴 中山
Takayasu Nihei
貴康 仁平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2000304767A priority Critical patent/JP4390028B2/ja
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to PCT/JP2001/008692 priority patent/WO2002029494A1/ja
Priority to EP01972664A priority patent/EP1329769B1/en
Priority to US10/381,736 priority patent/US6875554B2/en
Priority to CNB01816823XA priority patent/CN1223901C/zh
Priority to KR1020037004622A priority patent/KR100824573B1/ko
Priority to DE60144530T priority patent/DE60144530D1/de
Priority to TW090124556A priority patent/TWI245974B/zh
Publication of JP2002116541A publication Critical patent/JP2002116541A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4390028B2 publication Critical patent/JP4390028B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 アルカリ水溶液現像可能かつ感度、現像性に
優れ、表面撥水特性を改良した新規なポジ型感光性樹脂
組成物を提供する。 【解決手段】 ジアミンを構成する2価の有機基の1〜
100モル%がフェノール性水酸基、カルボキシル基、
チオフェノール基、スルホン基の少なくとも一種以上の
基を1個または複数個有し、還元粘度が0.05〜5.
0dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃
度0.5g/dl)である溶媒可溶性ポリイミドと、感
光性オルトキノンジアジド化合物と、ジアミンを構成す
る2価の有機基の1〜100モル%が炭素数6以上の長
鎖アルキルもしくは含フッ素アルキル基の少なくとも一
種以上の基を1個または複数個有し、還元粘度が0.0
5〜5.0dl/gである溶媒可溶性ポリイミドまたは
ポリアミック酸とを含有するポジ型感光性ポリイミド樹
脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はアルカリ水溶液での
現像が可能でかつ感度、現像性に優れたポジ型感光性樹
脂に対して、上記特性を保持したまま、表面における撥
水特性を改良し、更なる機能付与した新規なポジ型感光
性樹脂組成物に関するものである。このポジ型感光性樹
脂組成物は特に液晶ディスプレイやELディスプレイに
おけるインクジェット方式に対応した遮光材料や隔壁材
料として用いるのに好適である。
【0002】
【従来の技術】ポリイミド樹脂に感光性を付与する手法
としては、例えば特開昭54−116216号公報及
び、特開昭54−116217号公報に記載されている
架橋性基を可溶性ポリイミド前駆体に化学的に結合する
方法や、特開昭54−145794号公報及び、特開昭
57−168942号公報に記載されている架橋性単量
体を混合する方法などがある。
【0003】上記の方法は、露光部が光により架橋不溶
化するネガ型であり、現像の際有機溶媒を用いるため安
全性に問題があるほか、現像液により露光部の膨潤が起
こるため、高解像度の微細加工を行うのが困難である。
【0004】それに対し、最近ではアルカリ水溶液によ
る現像が可能なポジ型の感光性樹脂材料が開発され、注
目を集めている。このような感光性樹脂組成物としては
ヒドロキシル基を導入した有機溶媒可溶性のポリイミド
樹脂にオルトキノンジアジド化合物を混合した組成物
(特開昭64−60630号公報)や、極めて透明性に
優れるポリイミドにオルトキノンジアジド化合物を混合
した高解像度の感光性樹脂組成物(特開平3−2094
78号公報)が知られている。
【0005】これらの方法により、アルカリ水溶液での
現像が可能でかつ感度、現像性に優れたポジ型感光性ポ
リイミド樹脂が得られるようになった。
【0006】しかしこれらの塗膜は、表面撥水性という
観点から見ると、ポリイミド樹脂中にフェノール性水酸
基、カルボキシル基、チオフェノール基、スルホン基な
どを含むことから、表面エネルギーが高く、水や有機溶
媒、また染料や顔料を含むインクの塗れ性がよく、その
接触角は低くなることが一般的である。
【0007】一方液晶表示素子や有機EL表示素子を用
いた各種ディスプレイ用の表示装置は、小型軽量、低消
費電力などの優れた特性から目覚ましい発展を遂げてい
る。これに伴い、表示品位をさらに向上させるために、
用いられる部材に対する要求も益々厳しくなっている。
この中でも、インクジェット方式を用いたフルカラー表
示を行うための基板の作製技術が近年活発に検討されて
いる。たとえば液晶表示素子におけるカラーフィルター
作製に関しては、従来の印刷法、電着法、染色法または
顔料分散法に対して、あらかじめパターニングされた画
素を規定する区画(以下バンクという)を光を遮断する
感光性樹脂層で形成し、このバンクに囲まれた開口部内
にインク滴を滴下するカラーフィルターおよびその製造
方法(特開平10−206627号公報、特開平11−
326625号公報、特開平2000−187111号
公報)などが提案されている。また有機EL表示素子に
おいてもあらかじめバンクを作製し、同様に発光層とな
るインクを滴下し、有機EL表示素子を作製する方法
(特開平11−54270号公報)が提案されている。
【0008】しかしインクジェット法でバンクに囲まれ
たインク滴を滴下する場合、バンクを超えて隣の画素に
インク滴が溢れる事態を防ぐため、基板には親インク性
を持たせ、バンク表面には撥インク性を持たせる必要が
ある。
【0009】上記の目的を達成するため、連続的プラズ
マ処理により、基板に親インク性を持たせ、かつバンク
には撥インク性を持たせることができるとされている
が、工程が煩雑である欠点がある。また感光性有機薄膜
にフッ素系界面活性剤やポリイミド以外のフッ素系ポリ
マーを配合した例があるが、相溶性や添加量など、感光
性のみならず塗膜性も含めて考慮すべき点が多く、実用
的とは言い難かった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みなされたものであって、ポジ型感光性ポリイミド
に対し任意かつ少量、相溶性に優れたポリイミドまたは
ポリアミック酸を添加することで、アルカリ水溶液での
現像が可能、かつ感度、現像性に優れ、現像時、ポスト
ベーク時の膜減りが小さいなどの優れた特性を保持した
まま、表面における撥水特性を改良し、更なる機能付与
した新規なポジ型感光性樹脂組成物を提供しようとする
ものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するため鋭意検討を行った結果、本発明を見出すに至
った。
【0012】すなわち本発明は、〔a〕下記式(1)
【0013】
【化4】
【0014】(R1はテトラカルボン酸およびその誘導
体を構成する4価の有機基であり、R2はジアミンを構
成する2価の有機基であり、かつR2の1〜100モル
%がフェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノ
ール基、スルホン基からなる群より選ばれた少なくとも
一種以上の基を1個または複数個有し、Kは整数であ
る。)で表される繰り返し単位を含有し、還元粘度が
0.05〜5.0dl/g(温度30℃のN−メチルピ
ロリドン中、濃度0.5g/dl)である溶媒可溶性ポ
リイミドと、〔b〕感光性オルトキノンジアジド化合物
と、〔c1〕下記式(2)
【0015】
【化5】
【0016】(R3はテトラカルボン酸およびその誘導
体を構成する4価の有機基であり、R4はジアミンを構
成する2価の有機基であり、かつR4の1〜100モル
%が炭素数6以上の長鎖アルキル基もしくは含フッ素ア
ルキル基からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の
基を1個または複数個有し、lは整数である。)で表さ
れる繰り返し単位を含有し、還元粘度が0.05〜5.
0dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃
度0.5g/dl)である溶媒可溶性ポリイミドまた
は、〔c2〕下記式(3)
【0017】
【化6】
【0018】(R5はテトラカルボン酸およびその誘導
体を構成する4価の有機基であり、R6はジアミンを構
成する2価の有機基であり、かつR6の1〜100モル
%が炭素数6以上の長鎖アルキル基もしくは含フッ素ア
ルキル基からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の
基を1個または複数個有し、mは整数である。)で表さ
れる繰り返し単位を含有し、還元粘度が0.05〜5.
0dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃
度0.5g/dl)であるポリアミック酸とを含有し、
成分〔c1〕または成分〔c2〕が全ポリマー重量に対
して0.1〜50重量%であることを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物に関するものである。
【0019】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【0020】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、アル
カリ水溶液によるエッチングが容易であり、所定のパタ
ーンを有するマスクを用いて露光することにより、微細
かつ寸法精度の高いレリーフパターンを有するポリイミ
ド樹脂塗膜を容易に得ることができる。さらに得られた
塗膜は表面撥水性に優れるという特徴を有する。
【0021】上記の特徴のうち、まずアルカリ溶解性と
ポジ型感光性を付与するためには、〔a〕アルカリ溶解
性が付与された溶媒可溶性ポリイミドと〔b〕感光性オ
ルトキノンジアジド化合物が必須成分であり、次に表面
撥水性を付与するためには、〔c1〕撥水性が付与され
た溶媒可溶性ポリイミドまたは〔c2〕撥水性が付与さ
れたポリアミック酸が必須成分である。
【0022】本発明の成分である溶媒可溶性ポリイミド
およびポリアミック酸を得る方法は特に限定されない
が、通常はジアミンと、テトラカルボン酸またはその誘
導体であるテトラカルボン酸二無水物やジカルボン酸ジ
ハロゲン化物などとを反応、重合することによりポリア
ミック酸が得られ、更にポリアミック酸を脱水閉環する
ことによりポリイミドが得られる。
【0023】特にポリアミック酸を得る際、ジアミンと
テトラカルボン酸二無水物(以下、酸無水物と略記す
る)とを、N−メチルピロリドンなどの極性溶媒中で反
応、重合させることが一般的である。
【0024】この場合、ジアミンのモル数と酸無水物の
総モル数との比は0.8から1.2であることが望まし
い。
【0025】通常の重縮合反応同様、このモル比が1に
近いほど生成する重合体の重合度は大きくなる。重合度
が小さすぎると膜の強度が不十分となる。また重合度が
大きすぎるとポリイミド膜作製時の作業性が悪くなる場
合がある。したがって本発明における生成物の重合度は
還元粘度が0.05〜5.0dl/g(温度30℃のN
−メチルピロリドン中、濃度0.5g/dl)とするの
が好ましい。
【0026】ジアミンと酸無水物の反応温度は−20〜
150℃、好ましくは−5〜100℃の任意の温度を選
択することができる。
【0027】ジアミンと酸無水物を反応させる際に使用
できる極性溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリ
ドン、N−ビニルピロリドン、N−メチルカプロラクタ
ム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジ
ン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、m
−クレゾール、γ−ブチロラクトン等を挙げることがで
きる。これらは単独でも、混合して使用しても良い。さ
らに、ポリアミック酸を溶解しない溶媒であっても、重
合反応により生成したポリアミック酸が析出しない範囲
で、上記溶媒に混合して使用してもよい。
【0028】このようにして得られたポリアミック酸は
そのまま用いることもでき、またメタノール、エタノー
ル等の貧溶媒に沈殿単離させて回収して用いることもで
きる。
【0029】また、ポリアミック酸をポリイミドに転化
するには、ポリアミック酸を溶液状態のまま150℃〜
250℃で加熱し、脱水閉環させればよく、脱水閉環で
生成した水を取り除くためトルエン、またはキシレンな
どを添加し共沸脱水すること等も可能である。
【0030】また、ポリアミック酸をポリイミドに転化
する更に簡便な方法として、触媒イミド化がある。
【0031】この場合はポリイミド前駆体溶液に無水酢
酸とトリエチルアミン、ピリジン、イソキノリン、イミ
ダゾール等の三級アミンを添加し、0℃〜200℃の任
意の温度でイミド化を行うことができる。
【0032】この方法は、特に加熱を必要とせず、脱水
閉環で生成した水を取り除くための煩雑な操作も必要と
しないため、ポリアミック酸をポリイミドに転化するの
には有効な方法として知られている。しかし、ヒドロキ
シル基を含有するポリイミド樹脂の場合には、ヒドロキ
シル基が反応性の高い無水酢酸と反応してしまうため、
この方法を採用することはできないという欠点があるこ
とが知られている(特開昭64−33133号公報)。
【0033】本発明の成分〔a〕においては、式(1)
中のR2を構成する2価の有機基中に、カルボキシル
基、スルホン酸基からなる群より選ばれた少なくとも1
種類以上の基を1個または複数個有し、フェノール性水
酸基及びチオフェノール基を有さない場合にのみ、この
方法を採用できる。
【0034】<成分〔a〕溶媒可溶性ポリイミド>式
(1)中のR2を構成するジアミンは、アルカリ溶解性
を付与するために、1〜100モル%がフェノール性水
酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、スルホン酸
基からなる群より選ばれた少なくとも1種類以上の基を
1個または複数個有するジアミンである必要があり、ア
ルカリ溶解性と溶媒可溶性を阻害しない範囲であれば、
0〜99モル%が上記の基を有さないジアミンであって
も構わない。
【0035】以下にフェノール性水酸基、カルボキシル
基、チオフェノール基、スルホン酸基を有するジアミン
及びこれらの基を有さないジアミンの具体例を示すが、
本発明はこれらに限定される物ではなく、またこれらは
1種もしくは複数種同時に用いることができる。
【0036】フェノール性水酸基を有するジアミンとし
ては、2,4−ジアミノフェノール、3,5−ジアミノ
フェノール、2,5−ジアミノフェノール、4,6−ジ
アミノレゾルシノール、2,5−ジアミノハイドロキノ
ン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エ
ーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェ
ニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロ
キシフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒド
ロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5
−ジヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−
アミノ−3,5−ジヒドロキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキ
シビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロ
キシ−5,5'−ジメチルビフェニル、4,4'−ジアミ
ノ−3,3'−ジヒドロキシ−5,5'−ジメトキシビフ
ェニル、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−
アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3
−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベン
ゼン、ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノ
キシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノ−
4−ヒドロキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2,
2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキ
シ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン等が挙げられ
る。
【0037】カルボキシル基を有するジアミンとして
は、2,4−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息
香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、4,6−ジアミノ−
1,3−ベンゼンジカルボン酸、2,5−ジアミノ−
1,4−ベンゼンジカルボン酸、ビス(4−アミノ−3
−カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−
3,5−ジカルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−
アミノ−3−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4
−アミノ−3,5−ジカルボキシフェニル)スルホン、
4,4'−ジアミノ−3,3'−ジカルボキシビフェニ
ル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジカルボキシ−5,
5'−ジメチルビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,
3'−ジカルボキシ−5,5'−ジメトキシビフェニル、
1,4−ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェノキ
シ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−3−カルボ
キシフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(4−アミノ−
3−カルボキシフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス
[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェ
ニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3
−カルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン等が挙げられる。
【0038】チオフェノール基を有するジアミンとして
は、1,3−ジアミノ−4−メルカプトベンゼン、1,
3−ジアミノ−5−メルカプトベンゼン、1,4−ジア
ミノ−2−メルカプトベンゼン、ビス(4−アミノ−3
−メルカプトフェニル)エーテル、2,2−ビス(3−
アミノ−4−メルカプトフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン等が挙げられる。
【0039】スルホン酸基を有するジアミンとしては、
1,3−ジアミノベンゼン−4−スルホン酸、1,3−
ジアミノベンゼン−5−スルホン酸、1,4−ジアミノ
ベンゼン−2−スルホン酸、ビス(4−アミノベンゼン
−3−スルホン酸)エーテル、4,4'−ジアミノビフ
ェニル)3,3'−ジスルホン酸、4,4'−ジアミノ−
3,3'−ジメチルビフェニル−6,6'−ジスルホン酸
等が挙げられる。
【0040】更にこれらの基を複数個有する物として
は、ビス(4−アミノ−4−カルボキシ−5−ヒドロキ
シフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3−カルボ
キシ−5−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ア
ミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)スル
ホン、2,2−ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−
アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン等が挙げられる。
【0041】また、触媒イミド化により容易に製造しう
る溶媒可溶性ポリイミド樹脂を得るには、カルボキシル
基及びスルホン酸基を有するジアミンが好ましい。
【0042】上記のアルカリ溶解性を付与する基を有し
ないジアミンとしては、p−フェニレンジアミン、m−
フェニレンジアミン、4,4−メチレン-ビス(2,6
−エチルアニリン)、4,4'−メチレン-ビス(2−イ
ソプロピル−6−メチルアニリン)4,4'−メチレン-
ビス(2,6−ジイソプロピルアニリン)、2,4,6
−トリメチル−1,3−フェニレンジアミン、2,3,
5,6−テトラメチル−1,4−フェニレンジアミン、
o−トリジン、m−トリジン、3,3’,5,5’−テ
トラメチルベンジジン、ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス
[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジメチル
ジシクロヘキシルメタン、4,4'−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,4−ジアミノジフェニルエーテル、
4,4'−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス
(4−アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス(3−アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス(3−アミノ−4−トルイル)ヘキサフルオロプロ
パン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、
ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホ
ン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパンなどを挙げ
ることができる。
【0043】ポリイミドの溶媒可溶性の点からは4,
4'−メチレン-ビス(2,6−エチルアニリン)、4,
4'−メチレン-ビス(2−イソプロピル−6−メチルア
ニリン)、4,4'−メチレン-ビス(2,6−ジイソプ
ロピルアニリン)、ビス[4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス
[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン等が好ましい。
【0044】また、ポリイミドの密着性の点からはシロ
キサン含有ジアミンを用いることも好ましい。
【0045】シロキサン含有ジアミンとしては、
【0046】
【化7】
【0047】(式中、pは1から10の整数を表す)な
どを挙げることができる。
【0048】式(1)中のR1を構成するテトラカルボ
ン酸およびその誘導体は、溶媒可溶性ポリイミドが得ら
れればその構造は特に限定されず、これらは1種でも複
数種同時に用いても構わない。
【0049】あえて酸無水物の具体例を挙げれば、ピロ
メリット酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'−
ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,
3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二
無水物2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン二無水物、3,3',4,4'−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物の様な芳香
族テトラカルボン酸無水物などを挙げることができる。
【0050】溶解性の観点からは3,3',4,4'−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン二無水物、3,3',4,4'−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物などが好ましい。
【0051】また、1,2,3,4−シクロブタンテト
ラカルボン酸二無水物、1,2−ジメチル−1,2,
3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,3,4−テトラメチル−1,2,3,4−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シク
ロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5
−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,4−
ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナ
フタレンコハク酸二無水物、2,3,5−トリカルボキ
シ−2−シクロペンタン酢酸二無水物、ビシクロ[2.
2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカ
ルボン酸二無水物、2,3,4,5−テトラヒドロフラ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,5,6−トリカルボ
キシ−2−ノルボルナン酢酸二無水物の様な脂環式テト
ラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラ
カルボン酸二無水物の様な脂肪族テトラカルボン酸二無
水物を挙げることができる。
【0052】特に、ポリイミドの溶解性の点からは、
1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、1,2−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−テトラメ
チル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸
二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカル
ボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテト
ラカルボン酸二無水物、3,4−ジカルボキシ−1,
2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二
無水物、2,3,5−トリカルボキシ−2−シクロペン
タン酢酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7
−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、
2,3,4,5−テトラヒドロフランテトラカルボン酸
二無水物、3,5,6−トリカルボキシ−2−ノルボル
ナン酢酸二無水物など、4個のカルボニル基が芳香環に
直接結合しないテトラカルボン酸からなる酸無水物が好
ましい。
【0053】更に、透明性の高いポリイミド樹脂を得る
には、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸
二無水物が好ましい。
【0054】<成分〔b〕感光性オルトキノンジアジド
>オルトキノンジアジド化合物は、本発明の樹脂組成物
にポジ型感光性を付与するのに必須の化合物である。オ
ルトキノンジアジド化合物としては、分子内にオルトキ
ノンジアジド基を含有する化合物であれば良く、特に限
定されない。例えばオルトベンゾキノンジアジド化合
物、オルトナフトキノンジアジド化合物、オルトキノリ
ンキノンジアジド化合物などが挙げられ、中でもオルト
ナフトキノンジアジド化合物を用いるのが一般的であ
る。
【0055】上記オルトキノンジアジド化合物は、通
常、オルトキノンジアジドスルホニル化合物として用い
られる。
【0056】これらのオルトキノンジアジドスルホニル
化合物は、通常オルトキノンジアジドスルホニルクロラ
イドと、フェノール性水酸基もしくはアミノ基を有する
化合物との縮合反応によって得られる。
【0057】オルトキノンジアジドスルホニルクロライ
ドを構成するオルトキノンジアジドスルホニル成分とし
ては、例えば、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−
4−スルホニル、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−5−スルホニル、1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−6−スルホニルなどを挙げることができる。
【0058】また、オルトキノンジアジドスルホニルク
ロライドと反応させる化合物としては、例えば、フェノ
ール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、
フロログルシノール、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2’,4’−ジヒドロキシアセトフェノン、
2’,5’−ジヒドロキシアセトフェノン、2’,6’
−ジヒドロキシアセトフェノン、3’,5’−ジヒドロ
キシアセトフェノン、2’,3’,4’−トリヒドロキ
シアセトフェノン、2’,4’,6’−トリヒドロキシ
アセトフェノン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スル
ホン、4,4’−ビフェニルジオール、2,2−ビス
(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、
4,4’−ジヒドロキシフェニルスルホンなどのフェノ
ール化合物が挙げられる。
【0059】また、アニリン、m−フェニレンジアミ
ン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン
などの芳香族アミンを挙げることができる。
【0060】更に、4−アミノフェノール、3−アミノ
フェノール、1,3−ジアミノ−4−ヒドロキシベンゼ
ン、1,3−ジアミノ−5−ヒドロキシベンゼン、1,
3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼン、2,2
−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンなどのアミノフェノールを挙げること
ができる。
【0061】特に、溶解性の点からオルトキノンジアジ
ド化合物としては、1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノン−
2−ジアジド−5−スルホン酸エステルまたは1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−6−スルホン酸エステル
であることが好ましい。これらの化合物は1種又は2種
以上用いても良い。
【0062】<成分〔c1〕溶媒可溶性ポリイミド>式
(2)のR4を構成するジアミンは、撥水性を付与する
ため、1〜100モル%が炭素数6以上の長鎖アルキル
基もしくは含フッ素アルキル基からなる群より選ばれた
少なくとも1種類以上の基を1個または複数個有する必
要があり、撥水性を損なわない範囲であれば、0〜99
モル%が上記の基を有しない物でも構わず、これらは1
種もしくは複数種同時に用いることができる。
【0063】また所望の撥水性を得るためには、炭素数
6以上が好ましく、さらに好ましくは炭素数12〜20
である。
【0064】炭素数6以上の長鎖アルキル基もしくは含
フッ素アルキル基を有するジアミンは、分子内に長鎖ア
ルキル基もしくは含フッ素アルキル基を有していれば特
に限定されないが、あえて長鎖アルキル基、含フッ素ア
ルキル基を有するジアミンの具体例を挙げれば、4−ヘ
キシルオキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−オクチ
ルオキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−デシルオキ
シ−1,3−ジアミノベンゼン、4−ドデシルオキシ−
1,3−ジアミノベンゼン、4−ヘキサデシルオキシ−
1,3−ジアミノベンゼン、4−オクタデシルオキシ−
1,3−ジアミノベンゼン、4,6−ビスヘキシルオキ
シ−1,3−ジアミノベンゼン、5−(ヘキシルオキシ
メチル)−1,3−ジアミノベンゼン、5−(1−オク
チルオキシメチル)−1,3−ジアミノベンゼン、5−
(1−デシルオキシメチル)−1,3−ジアミノベンゼ
ン、5−(1−ドデシルオキシメチル)−1,3−ジア
ミノベンゼン、5−(1−ヘキサデシルオキシメチル)
−1,3−ジアミノベンゼン、5−(1−オクタデシル
オキシメチル)−1,3−ジアミノベンゼン、4,6−
ビスオクチルオキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4,
6−ビスデシルオキシ−1,3−ジアミノベンゼン、
4,6−ビスドデシルオキシ−1,3−ジアミノベンゼ
ン、4,6−ビスヘキサデシルオキシ−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4,6−ビスオクタデシルオキシ−1,3
−ジアミノベンゼン、ヘキシル−3,5−ジアミノベン
ゾエート、オクチル−3,5−ジアミノベンゾエート、
デシル−3,5−ジアミノベンゾエート、ドデシル−
3,5−ジアミノベンゾエート、ヘキサデシル−3,5
−ジアミノベンゾエート、オクタデシル−3,5−ジア
ミノベンゾエートなどの長鎖アルキル基含有ジアミン、
4−ペルフルオロヘキシル−1,3−ジアミノベンゼ
ン、4−ペルフルオロオクチル−1,3−ジアミノベン
ゼン、4−ペルフルオロデシル−1,3−ジアミノベン
ゼン、5−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロ
ピルー1−オキシメチル)−1,3−ジアミノベンゼ
ン、5−(1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオ
ロデシル−1−オキシメチル)−1,3−ジアミノベン
ゼン、4−ペルフルオロデシル−1,3−ジアミノベン
ゼン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル−
3,5−ジアミノベンゾエート、1H,1H,2H,2
H−ヘプタデカフルオロデシル−3,5−ジアミノベン
ゾエートなどの含フッ素アルキル基含有ジアミンが挙げ
られる。
【0065】本発明の撥水性を損なわない範囲で用いら
れる、長鎖アルキル基もしくは含フッ素アルキル基を有
しないジアミンとして、あえて具体例を挙げれば、p−
フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4
−メチレン-ビス(2,6−エチルアニリン)、4,4'
−メチレン-ビス(2−イソプロピル−6−メチルアニ
リン)4,4'−メチレン-ビス(2,6−ジイソプロピ
ルアニリン)、2,4,6−トリメチル−1,3−フェ
ニレンジアミン、2,3,5,6−テトラメチル−1,
4−フェニレンジアミン、o−トリジン、m−トリジ
ン、3,3’,5,5’−テトラメチルベンジジン、ビ
ス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホ
ン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェ
ニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4'
−ジアミノ−3,3'−ジメチルジシクロヘキシルメタ
ン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、3,4−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフ
ェニルメタン、2,2−ビス(4−アニリノ)ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス(3−アニリノ)ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ト
ルイル)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(4−
アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、、ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2
−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパンなどを挙げることができる。
【0066】ポリイミドの溶解性の観点からは4,4'
−メチレン-ビス(2,6−エチルアニリン)、4,4'
−メチレン-ビス(2−イソプロピル−6−メチルアニ
リン)、4,4'−メチレン-ビス(2,6−ジイソプロ
ピルアニリン)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(3−アミノ
フェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン等が好ましいが、それらに限定されるものではな
く、反応性を考慮し、p−フェニレンジアミン、m−フ
ェニレンジアミン、を用いることは勿論好ましい。
【0067】また、ポリイミドの密着性の点からはシロ
キサン含有ジアミンも好ましい。
【0068】シロキサン含有ジアミン成分としては、
【0069】
【化8】
【0070】(式中、pは1から10の整数を表す)な
どを挙げることができる。
【0071】式(2)中のR3を構成するテトラカルボ
ン酸およびその誘導体は、特に限定されないが、透明性
と溶媒可溶性を考慮し、脂環式または脂肪族が好まし
く、これらは1種でも複数種同時に用いても構わない。
【0072】あえて脂環式または脂肪族の酸無水物の具
体例を挙げれば、1,2,3,4−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物、1,2−ジメチル−1,2,3,
4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−テトラメチル−1,2,3,4−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シ
クロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,4−ジカ
ルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタ
レンコハク酸二無水物、2,3,5−トリカルボキシ−
2−シクロペンタン酢酸二無水物、ビシクロ[2.2.
2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,4,5−テトラヒドロフランテ
トラカルボン酸二無水物、3,5,6−トリカルボキシ
−2−ノルボルナン酢酸二無水物の様な脂環式テトラカ
ルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカル
ボン酸二無水物の様な脂肪族テトラカルボン酸二無水物
を挙げることができる。
【0073】特に透明性と溶媒可溶性の点から1,2,
3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物と3,
4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1
−ナフタレンコハク酸二無水物が好ましい。
【0074】<成分〔c2〕ポリアミック酸>式(3)
中のR5を構成するジアミンは、撥水性を付与するため
1〜100モル%が炭素数6以上の長鎖アルキル基もし
くは含フッ素アルキル基からなる群より選ばれた少なく
とも1種類以上の基を1個または複数個有する必要があ
り、撥水性を損なわない範囲であれば、0〜99モル%
が上記の基を有しない物であっても構わず、これらは1
種もしくは複数種同時に用いることができる。
【0075】また所望の撥水性を得るためには、炭素数
6以上が好ましく、さらに好ましくは炭素数12〜20
である。
【0076】炭素数6以上の長鎖アルキル基もしくは含
フッ素アルキル基を有するジアミンは、分子内に長鎖ア
ルキル基もしくは含フッ素アルキル基を有していれば特
に限定されないが、あえて長鎖アルキル基、含フッ素ア
ルキル基を有するジアミンの具体例を挙げれば、前記、
式(2)のR4を構成するジアミンで例示した長鎖アル
キル基もしくは含フッ素アルキル基を有するジアミンを
挙げることができる。
【0077】また同様に本発明の撥水性を損なわない範
囲で用いられる、長鎖アルキル基もしくは含フッ素アル
キル基を有しないジアミンも、式(2)のR4を構成す
るジアミンで例示した、長鎖アルキル基もしくは含フッ
素アルキル基を有しないジアミンを挙げることができ
る。
【0078】式(3)中のR6を構成するテトラカルボ
ン酸およびその誘導体は特に限定されず、これらは1種
でも複数種同時に用いても構わない。
【0079】あえて酸無水物の具体例を挙げれば、ピロ
メリット酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'−
ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,
3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二
無水物2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3',4,4'−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物の様な芳
香族テトラカルボン酸無水物、1,2,3,4−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2−ジメチル−
1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,3,4−テトラメチル−1,2,3,4−
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,
4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水
物、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒ
ドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物、2,3,5−
トリカルボキシ−2−シクロペンタン酢酸二無水物、ビ
シクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,
6−テトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5−テト
ラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、3,5,6
−トリカルボキシ−2−ノルボルナン酢酸二無水物の様
な脂環式テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−
ブタンテトラカルボン酸二無水物の様な脂肪族テトラカ
ルボン酸二無水物を挙げることができる。
【0080】特に透明性の点から1,2,3,4−シク
ロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2−ジメチル
−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無
水物、1,2,3,4−テトラメチル−1,2,3,4
−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無
水物、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラ
ヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物、2,3,5
−トリカルボキシ−2−シクロペンタン酢酸二無水物、
ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,
5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5−
テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、3,
5,6−トリカルボキシ−2−ノルボルナン酢酸二無水
物などが好ましい。
【0081】<本発明の組成物>本発明のポジ型感光性
ポリイミド樹脂組成物を得るためには、〔a〕式(1)
で表される溶媒可溶性ポリイミドと、〔b〕感光性オル
トキノンジアジド化合物と、〔c1〕式(2)で表され
る溶媒可溶性ポリイミドまたは〔c2〕式(3)で表さ
れるポリアミック酸とを混合もしくは添加すればよく、
その方法としては特に限定されない。
【0082】この際、成分〔c1〕または成分〔c2〕
の配合量は、塗膜の撥水性を調整する上で、任意に調整
することができるが、好ましくは全ポリマー重量に対し
て0.1〜50重量%であり、より好ましくは0.1〜
20重量%である。この配合量が多くなるとアルカリ現
像性が低下するなど、本発明の効果を充分に得られない
ことがある。
【0083】また、成分〔b〕の配合量は、成分〔a〕
100重量部に対して1〜100重量部であることが好
ましく、配合量が1重量部より少ないと、得られる組成
物の露光時の感度が著しく低くなり、パターン形成がで
きず、また、100重量部より多いと、得られる組成物
より形成される膜の機械的性質、電気的特性などが低下
する。
【0084】本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物は、液晶表示素子やEL表示素子などに用いられる場
合、有機溶媒に溶解された溶液として用いられる。
【0085】この有機溶媒は、〔a〕、〔b〕、〔c
1〕または〔c2〕の成分を均一に溶解するものであれ
ば、特に限定されない。
【0086】その具体例としては、例えば、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、N−メ
チルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメ
チル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチル
スルホキシド、m−クレゾール、γ−ブチロラクトンな
どが挙げられる。
【0087】その他、基板への塗布性や印刷性、さらに
は保存安定性など目的に応じ本組成物の溶解性を阻害し
ない限りは、他の有機溶媒を混合して使用してもよい。
そのような有機溶媒の具体例としては、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカ
ルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチルカ
ルビトールアセテート、エチレングリコール、乳酸エチ
ル、乳酸ブチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン
などが挙げられる。
【0088】上記のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
溶液の濃度は、各成分が有機溶媒に均一に溶解している
限りは、特に限定されない。加工面の容易さから、1〜
50重量%の範囲が一般的である。
【0089】本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物は、ITO膜付きガラス基板、SiO2付きガラス基
板、Cr膜付きガラス基板などの基材上に回転塗布した
後、50〜130℃で予備乾燥して膜を形成することが
できる。この際、シラン系のカップリング剤などを処理
した基板を用いることはもちろん好ましい。
【0090】上記の膜上に所定のパターンを有するマス
クを装着し、光を照射し、アルカリ現像液で現像するこ
とにより、露光部が洗い出されて端面のシャープなレリ
ーフパターンが得られる。
【0091】光源には超高圧水銀ランプが使用されるの
が一般的であり、光源とマスクの間に分光フィルターを
挟むことで、i−線(365nm)、h−線(405n
m)やg−線(436nm)などを分光照射することが
可能であるが、本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組
成物はこれらいずれの波長の光を用いてもパターン形成
が可能である。
【0092】さらに、マスクパターンを本発明の感光性
ポリイミド樹脂組成物に転写する方法はコンタクトアラ
イナーを用いた密着露光やプロキシミティ露光、ステッ
パを用いた縮小投影露光が可能である。
【0093】現像の際使用される現像液はアルカリ水溶
液であればどのようなものでもよく、苛性カリウム、苛
性ソーダなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化
テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモ
ニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶
液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジア
ミンなどのアミン水溶液を例として挙げることができ
る。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加える
こともできる。
【0094】これらの現像液は5〜50℃で使用可能で
あるが、本組成物は、露光部の溶解性が高く、汎用の
2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムを用
いて室温で容易に現像を行うことができる。
【0095】かくして得られたレリーフパターンを有す
る基板を200〜400℃で熱処理を行うことにより、
耐熱性、耐薬品性、電気特性に優れ、良好なレリーフパ
ターンを有するポリイミド塗膜を得ることができる。
【0096】本発明の組成物は、高感度、高解像度のポ
ジ型感光特性を有し、しかもアルカリ水溶液によるエッ
チングが容易であり、所定パターンを有するマスクを用
いて露光することにより、微細形状かつ寸法精度の高い
レリーフパターンを有するポリイミド樹脂塗膜を容易に
得ることができ、さらに表面撥水性に優れた塗膜を得る
ことができる。
【0097】本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物は、特に液晶ディスプレイやELディスプレイにおけ
るインクジェット方式に対応した遮光材料や隔壁材料と
して用いるのに好適である。
【0098】以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【0099】
【実施例】実施例1 (ポリイミド樹脂組成物の合成)1,3−ジアミノ−5
−安息香酸2.74g、ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル]スルホン18.16g、1,2,3,
4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物11.53
gをN−メチルピロリドン(以下、NMPと略記する)
183.80g中室温で6時間反応した。NMPで固形
分6.0重量%に希釈後、無水酢酸、ピリジンを加え4
0℃で2時間、脱水閉環反応を行った。この溶液をメタ
ノール中に投入後、ろ別乾燥して、数平均分子量が3
8,000(繰り返し単位換算でk=70)のポリイミ
ド粉末〔A〕を得た。還元粘度は1.0dl/g(温度
30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g/d
l)であった。
【0100】またp−フェニレンジアミン5.52g、
4−オクタデシルオキシ−1,3−ジアミノベンゼン
3.39g、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−
テトラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物18.
02gをNMP152.60g中室温で6時間反応し
た。NMPで固形分6.0重量%に希釈後、無水酢酸、
ピリジンを加え40℃で2時間、脱水閉環反応を行っ
た。この溶液をメタノール中に投入後、ろ別乾燥して、
数平均分子量が17,000(繰り返し単位換算でl=
38)のポリイミド粉末〔C〕を得た。還元粘度は0.
6dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃
度0.5g/dl)であった。
【0101】上記ポリイミド粉末〔A〕をγ−ブチロラ
クトンに溶解させ樹脂濃度15%とした溶液20gに、
感光性オルトキノンジアジド化合物〔B〕(2,3,
4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルに対
して1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホ
ン酸が3モル置換したエステル化合物)0.90gを加
え、室温で1時間攪拌し均一な溶液が得られた。
【0102】次いでポリイミド粉末〔C〕をγ−ブチロ
ラクトンに溶解させ樹脂濃度15%とした溶液を0.2
0g(全ポリマー重量に対しポリイミド粉末〔C〕が1
重量%)添加し、さらに室温で6時間攪拌し、1μmの
フィルタによりろ過し、本発明のポジ型感光性ポリイミ
ド樹脂組成物の溶液を得た。
【0103】(感光特性の評価)この感光性ポリイミド
樹脂溶液をSiO2付きガラス基板上にスピンコーター
を用いて直接塗布し、ホットプレート上80℃で10分
間加熱することで膜厚1.60μmの塗膜を得た。この
塗膜にテストマスクを通して紫外線照射装置(キャノン
社製 PLA−501)により、紫外光(フィルターを
用いて取り出した365nm光)を1000mJ/cm
2の範囲で照射した。露光後、23℃のアルカリ現像液
(東京応化社製、NMD-3)に120秒間浸漬するこ
とにより現像を行った後、純水で20秒間リンスした。
その結果、露光量を340mJ/cm2以上照射した部
分でパターン形成が確認された。現像後の膜厚は1.6
0μmであった。パターン解像度は、ライン/スペース
で4μmまでパターン剥離なく形成された。得られたフ
ィルムを170℃、30分、250℃1時間間循環乾燥
炉で加熱し、膜厚1.39μmポリイミドパターンを得
た。
【0104】(撥水性の評価)本発明のポジ型感光性樹
脂組成物溶液を、SiO2付きガラス基板上にスピンコ
ーターを用いて直接塗布し、ホットプレート上80℃で
10分間加熱することで膜厚1.60μmの塗膜を得
た。この塗膜にマスクを通して紫外線照射装置により、
紫外光(フィルターを用いて取り出した365nm光)
を1000mJ/cm2の範囲で照射した。露光後、2
3℃のアルカリ現像液に120秒間浸漬することにより
現像を行った後、純水で20秒間リンスした。現像後の
膜厚は1.39μmであった。得られたフィルムを17
0℃、30分、250℃1時間循環乾燥炉で加熱し、膜
厚1.65μmの均一なポリイミド塗膜を得た。この塗
膜上の水とヨウ化メチレンの接触角を測定したところ、
それぞれ63.1°、30.8°であった。また、下記
計算により塗膜の表面エネルギーを算出した。
【0105】
【数1】
【0106】
【数2】
【0107】θ;塗膜上の液体の接触角 γL;液体の表面エネルギー γL d;液体の表面エネルギー分散項 γL p;液体の表面エネルギー極性項 γS;塗膜の表面エネルギー γS d;塗膜の表面エネルギー分散項 γS p;塗膜の表面エネルギー極性項 ここで、水の接触角をθ1、ヨウ化メチレンの接触角を
θ2とし、水の表面エネルギー(γL= 72.8 、γL d= 29.
1 、γL p= 43.7 ){dyn/cm}、ヨウ化メチレンの表面
エネルギー(γL= 50.8 、γL d= 46.8 、γL p= 4.0 )
{dyn/cm}を代入すると
【0108】
【数3】
【0109】となり、θ1、θ2にそれぞれ測定値を代入
し、上記式を連立させてγS d、γS pを求める。
【0110】その結果、塗膜の表面エネルギーは、4
5.6dyn/cmであった。また露光部のSiO2基
板の水とヨウ化メチレンの接触角は、それぞれ40.7
°、6.9°であり、表面エネルギーは、58.9dy
n/cmであった。
【0111】実施例2 実施例1で、ポリイミド粉末〔C〕をγ−ブチロラクト
ンに溶解させ樹脂濃度15%とした溶液0.20gを
1.05g(全ポリマー重量に対しポリイミド粉末
〔C〕が5重量%)に変更した以外は実施例1に従って
ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物の溶液を得た。
【0112】調製したポジ型感光性樹脂組成物の溶液を
用いて、実施例1に準拠して膜厚1.65μmの塗膜を
得た。その結果、露光量を400mJ/cm2以上照射
した部分でパターン形成が確認された。現像後の膜厚は
約1.65μmであった。パターン解像度は、ライン/
スペースで5μmまでパターン剥離なく形成された。得
られたフィルムを170℃30分間、250℃60分間
循環乾燥炉で加熱し、膜厚1.42μmポリイミドパタ
ーンを得た。実施例1に準拠して求めた水とヨウ化メチ
レンの接触角は、それぞれ73.1°、38.0°であ
り、表面エネルギーは、40.8dyn/cmであっ
た。また露光部のSiO2基板の水とヨウ化メチレンの
接触角は、それぞれ43.1°、14.8°であり、表
面エネルギーは、57.2dyn/cmであった。
【0113】比較例1 実施例1でポリイミド粉末〔C〕を添加しなかった以外
は、実施例1に従ってポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物の溶液を得た。
【0114】調製したポジ型感光性樹脂組成物の溶液を
用いて、実施例1に準拠して膜厚1.52μmの塗膜を
得た。その結果、露光量を400mJ/cm2以上照射
した部分でパターン形成が確認された。現像後の膜厚は
約1.49μmであった。パターン解像度は、ライン/
スペースで5μmまでパターン剥離なく形成された。得
られたフィルムを170℃30分間、250℃60分間
循環乾燥炉で加熱し、膜厚1.32μmポリイミドパタ
ーンを得た。実施例1に準拠して求めた水とヨウ化メチ
レンの接触角は、それぞれ43.6°、12.5°であ
り、表面エネルギーは、57.1dyn/cmであっ
た。また露光部のSiO2基板の水とヨウ化メチレンの
接触角は、それぞれ43.5°、6.3°であり、表面
エネルギーは、57.6dyn/cmであった。
【0115】
【発明の効果】本発明によるポジ型感光性樹脂組成物を
用いることにより、アルカリ水溶液での現像が可能かつ
感度、現像性に優れたポジ型感光性樹脂に対して、上記
特性を保持したまま、表面における撥水特性を改良した
均一な塗膜を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA01 AA04 AB14 AB17 AB20 AD03 BE01 CB25 CB41 CB42 CB43 CB45 CB52 CB57 CC20 FA17 4J002 CM041 CM042 EQ036 GP03 4J043 PA02 PA19 PC065 PC066 PC185 PC186 QB31 RA05 RA34 SA54 SA62 SA71 SA81 SA82 SA83 SB01 TA14 TB01 UA022 UA121 UA262 VA021 XA19 YA25 ZA23 ZB22

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 〔a〕下記式(1) 【化1】 (R1はテトラカルボン酸およびその誘導体を構成する
    4価の有機基であり、R2はジアミンを構成する2価の
    有機基であり、かつR2の1〜100モル%がフェノー
    ル性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、スル
    ホン基からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の基
    を1個または複数個有し、Kは整数である。)で表され
    る繰り返し単位を含有し、還元粘度が0.05〜5.0
    dl/g(温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度
    0.5g/dl)である溶媒可溶性ポリイミドと、
    〔b〕感光性オルトキノンジアジド化合物と、〔c1〕
    下記式(2) 【化2】 (R3はテトラカルボン酸およびその誘導体を構成する
    4価の有機基であり、R4はジアミンを構成する2価の
    有機基であり、かつR4の1〜100モル%が炭素数6
    以上の長鎖アルキル基もしくは含フッ素アルキル基から
    なる群より選ばれた少なくとも一種以上の基を1個また
    は複数個有し、lは整数である。)で表される繰り返し
    単位を含有し、還元粘度が0.05〜5.0dl/g
    (温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g
    /dl)である溶媒可溶性ポリイミドまたは、〔c2〕
    下記式(3) 【化3】 (R5はテトラカルボン酸およびその誘導体を構成する
    4価の有機基であり、R6はジアミンを構成する2価の
    有機基であり、かつR6の1〜100モル%が炭素数6
    以上の長鎖アルキル基もしくは含フッ素アルキル基から
    なる群より選ばれた少なくとも一種以上の基を1個また
    は複数個有し、mは整数である。)で表される繰り返し
    単位を含有し、還元粘度が0.05〜5.0dl/g
    (温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g
    /dl)であるポリアミック酸とを含有し、成分〔c
    1〕または成分〔c2〕が全ポリマー重量に対して0.
    1〜50重量%であることを特徴とするポジ型感光性ポ
    リイミド樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 成分〔b〕が成分〔a〕100重量部に
    対して1〜100重量部である請求項1に記載のポジ型
    感光性ポリイミド樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 成分〔b〕が1,2−ナフトキノンジア
    ジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノン
    ジアジド−5−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフ
    トキノンジアジド−6−スルホン酸エステルの中から選
    ばれた少なくとも1種の化合物である請求項1または請
    求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 式(1)のR1が1,2,3,4−シク
    ロブタンテトラカルボン酸およびその誘導体を構成する
    4価の有機基を含有する請求項1乃至3のいずれかに記
    載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 式(2)のR3または式(3)のR5が脂
    環式または脂肪族のテトラカルボン酸およびその誘導体
    を構成する4価の有機基を含有する請求項1乃至4のい
    ずれかに記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
  6. 【請求項6】 式(2)のR3が3,4−ジカルボキシ
    −1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンコハク酸お
    よびその誘導体を構成する4価の有機基を含有する請求
    項1乃至5のいずれかに記載のポジ型感光性ポリイミド
    樹脂組成物。
  7. 【請求項7】 式(2)のR4がp-フェニレンジアミン
    を構成する2価の有機基を含有する請求項1乃至6のい
    ずれかに記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
  8. 【請求項8】 式(3)のR5が1,2,3,4−シク
    ロブタンテトラカルボン酸およびその誘導体を構成する
    4価の有機基を含有する請求項1乃至7のいずれかに記
    載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
JP2000304767A 2000-10-04 2000-10-04 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 Expired - Lifetime JP4390028B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000304767A JP4390028B2 (ja) 2000-10-04 2000-10-04 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
EP01972664A EP1329769B1 (en) 2000-10-04 2001-10-03 Positive photosensitive polyimide resin composition
US10/381,736 US6875554B2 (en) 2000-10-04 2001-10-03 Positive photosensitive polyimide resin composition
CNB01816823XA CN1223901C (zh) 2000-10-04 2001-10-03 正感光性聚酰亚胺树脂组合物
PCT/JP2001/008692 WO2002029494A1 (fr) 2000-10-04 2001-10-03 Composition de resine de polyimide photosensible positive
KR1020037004622A KR100824573B1 (ko) 2000-10-04 2001-10-03 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
DE60144530T DE60144530D1 (de) 2000-10-04 2001-10-03 Positiv lichtempfindliche polyimidharzzusammensetzung
TW090124556A TWI245974B (en) 2000-10-04 2001-10-04 Positive photosensitive polyimide resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000304767A JP4390028B2 (ja) 2000-10-04 2000-10-04 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002116541A true JP2002116541A (ja) 2002-04-19
JP4390028B2 JP4390028B2 (ja) 2009-12-24

Family

ID=18785754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000304767A Expired - Lifetime JP4390028B2 (ja) 2000-10-04 2000-10-04 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6875554B2 (ja)
EP (1) EP1329769B1 (ja)
JP (1) JP4390028B2 (ja)
KR (1) KR100824573B1 (ja)
CN (1) CN1223901C (ja)
DE (1) DE60144530D1 (ja)
TW (1) TWI245974B (ja)
WO (1) WO2002029494A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003100522A1 (fr) * 2002-05-29 2003-12-04 Toray Industries, Inc. Composition de resine photosensible et procede de preparation d'une couche mince de resine thermoresistante
KR100822679B1 (ko) 2006-12-05 2008-04-17 전남대학교산학협력단 광염기 발생제를 함유한 포지티브형 감광성 폴리이미드조성물
KR100905682B1 (ko) 2001-09-26 2009-07-03 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
WO2010047271A1 (ja) * 2008-10-20 2010-04-29 日本化薬株式会社 ポリイミド樹脂及びその組成物
WO2010110221A1 (ja) * 2009-03-23 2010-09-30 日産化学工業株式会社 熱硬化膜形成用ポリエステル組成物
WO2010119868A1 (ja) * 2009-04-14 2010-10-21 日産化学工業株式会社 熱硬化膜形成用感光性ポリエステル組成物
JP2012053394A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN102731975A (zh) * 2007-10-19 2012-10-17 日产化学工业株式会社 热固化膜形成用聚酯组合物
CN102985876A (zh) * 2010-07-14 2013-03-20 株式会社Lg化学 正型光敏树脂组合物及包含其的有机发光装置遮屏
JP2014167643A (ja) * 2014-04-25 2014-09-11 Japan Display Inc 液晶用配向膜材料
JP2014220509A (ja) * 2007-12-04 2014-11-20 日立化成株式会社 半導体装置及びその製造方法

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003011974A1 (fr) 2001-07-26 2003-02-13 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition de resine d'acide polyamique
TWI287028B (en) * 2002-05-17 2007-09-21 Hitachi Chem Dupont Microsys Photosensitive polymer composition, method of forming relief patterns, and electronic equipment
JP2005236062A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nec Electronics Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
CN1930522B (zh) * 2004-03-12 2013-06-12 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物、使用该组合物的浮雕图形以及固体成象元件
JP4771412B2 (ja) * 2005-02-14 2011-09-14 信越化学工業株式会社 感光性樹脂及びその製造方法
JP5217435B2 (ja) * 2005-06-20 2013-06-19 日産化学工業株式会社 ポリアミド酸又はポリイミドを含有する電極パターニング層、及びこれを用いた電子デバイス
US7435989B2 (en) * 2005-09-06 2008-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound
JP4870436B2 (ja) * 2006-01-10 2012-02-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2009019105A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Nitto Denko Corp ポリイミドからなる光半導体素子封止用樹脂
US9005785B2 (en) * 2007-09-24 2015-04-14 GM Global Technology Operations LLC Open-loop system and method for fuel cell stack start-up with low-voltage source
KR101113063B1 (ko) * 2008-05-22 2012-02-15 주식회사 엘지화학 폴리이미드와 노볼락 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물
MY156318A (en) 2008-10-20 2016-02-15 Sumitomo Bakelite Co Positive photosensitive resin composition for spray coating and method for producing through electrode using the same
US8257901B2 (en) 2009-03-10 2012-09-04 Lg Chem, Ltd. Polyimide-based polymers, copolymers thereof and positive type photoresist compositions comprising the same
US20110144297A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Rapid thermal conversion of a polyamic acid fiber to a polyimide fiber
KR20130035779A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 코오롱인더스트리 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물,이로부터 형성된 절연막 및 유기발광소자
WO2014007544A1 (ko) * 2012-07-03 2014-01-09 주식회사 엘지화학 폴리아믹산 고분자 복합체 및 이의 제조방법
KR101382170B1 (ko) 2012-07-03 2014-04-07 주식회사 엘지화학 폴리아믹산 고분자 복합체 및 이의 제조방법
TWI583773B (zh) 2012-12-18 2017-05-21 財團法人工業技術研究院 有機發光二極體
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
KR101685743B1 (ko) * 2013-06-11 2016-12-12 주식회사 엘지화학 고감도 및 고잔막율 특성을 가지는 감광성 수지 조성물
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
KR102144328B1 (ko) * 2014-09-26 2020-08-13 도레이 카부시키가이샤 유기 el 표시 장치
EP3225647A4 (en) * 2014-11-27 2018-08-01 Toray Industries, Inc. Resin and photosensitive resin composition
JP6808714B2 (ja) 2015-08-03 2021-01-06 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 洗浄組成物
CN106750292A (zh) * 2016-12-28 2017-05-31 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种用于印刷电子的聚酰亚胺
CN109517172B (zh) * 2017-09-18 2023-08-29 嘉兴山蒲照明电器有限公司 一种有机硅改性聚酰亚胺树脂组合物及其应用
WO2019146611A1 (ja) * 2018-01-29 2019-08-01 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、樹脂、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス
US20220382154A1 (en) * 2019-10-03 2022-12-01 Taiyo Holdings Co., Ltd. Photosensitive resin composition, dry film, cured material and electronic component
CN111303420A (zh) * 2019-11-19 2020-06-19 上海极紫科技有限公司 一种可碱显影的正性聚酰亚胺光敏树脂及其制备方法
CN111303421A (zh) * 2019-11-20 2020-06-19 上海极紫科技有限公司 一种可用作正性光刻胶的聚酰亚胺树脂及其制备方法
CN111303422A (zh) * 2019-11-21 2020-06-19 上海极紫科技有限公司 一种可正性光刻胶用聚酰亚胺树脂及其制备方法
CN111393643A (zh) * 2019-11-28 2020-07-10 艾森半导体材料(南通)有限公司 一种正性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法
CN111333837B (zh) * 2020-01-07 2022-11-25 上海极紫科技有限公司 一种正性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法
CN111423582B (zh) * 2020-01-09 2023-04-18 上海极紫科技有限公司 正性光刻胶用聚酰亚胺树脂及其制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952823B2 (ja) 1978-03-01 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS6046421B2 (ja) 1978-03-01 1985-10-16 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS5952822B2 (ja) 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS57168942A (en) 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Photosensitive polymer composition
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
JPS6433133A (en) 1987-07-30 1989-02-03 Nippon Telegraph & Telephone Reactive polyamic acid and its production
US4925915A (en) * 1987-11-24 1990-05-15 Hoechst Celanese Corp. Polymers prepared from 4,4'-bis(2-(amino(halo) phenoxyphenyl) hexafluoroisopropyl) diphenyl ether
US4931540A (en) 1987-11-24 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Polymers prepared from 4,4'-bis[2-(3,4-(dicarboxyphenyl)hexafluoroisopropyl] diphenyl ether dianhydride
JP2906637B2 (ja) * 1989-10-27 1999-06-21 日産化学工業株式会社 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
US5288588A (en) * 1989-10-27 1994-02-22 Nissan Chemical Industries Ltd. Positive photosensitive polyimide resin composition comprising an o-quinone diazide as a photosensitive compound
JPH10206627A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Seiko Epson Corp カラーフィルタ及びその製造方法
KR19980079775A (ko) * 1997-03-03 1998-11-25 이사오 우치가사키 내열성 감광성 중합체조성물, 패턴의 제조법 및 반도체 장치
JP3911775B2 (ja) 1997-07-30 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機el素子の製造方法
JPH11326625A (ja) 1998-05-13 1999-11-26 Seiko Epson Corp カラーフィルタ、カラー液晶ディスプレイ及びこれらの製造方法
JP4138117B2 (ja) 1998-12-21 2008-08-20 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法
CN1208683C (zh) 1999-11-30 2005-06-29 日产化学工业株式会社 正型感光性聚酰亚胺树脂组合物
JP4450136B2 (ja) * 1999-11-30 2010-04-14 日産化学工業株式会社 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905682B1 (ko) 2001-09-26 2009-07-03 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
US7214455B2 (en) 2002-05-29 2007-05-08 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition and process for producing heat-resistant resin film
WO2003100522A1 (fr) * 2002-05-29 2003-12-04 Toray Industries, Inc. Composition de resine photosensible et procede de preparation d'une couche mince de resine thermoresistante
KR100822679B1 (ko) 2006-12-05 2008-04-17 전남대학교산학협력단 광염기 발생제를 함유한 포지티브형 감광성 폴리이미드조성물
CN102731975A (zh) * 2007-10-19 2012-10-17 日产化学工业株式会社 热固化膜形成用聚酯组合物
JP2014220509A (ja) * 2007-12-04 2014-11-20 日立化成株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPWO2010047271A1 (ja) * 2008-10-20 2012-03-22 日本化薬株式会社 ポリイミド樹脂及びその組成物
JP5649118B2 (ja) * 2008-10-20 2015-01-07 日本化薬株式会社 ポリイミド樹脂及びその組成物
WO2010047271A1 (ja) * 2008-10-20 2010-04-29 日本化薬株式会社 ポリイミド樹脂及びその組成物
CN102361932A (zh) * 2009-03-23 2012-02-22 日产化学工业株式会社 热固化膜形成用聚酯组合物
WO2010110221A1 (ja) * 2009-03-23 2010-09-30 日産化学工業株式会社 熱硬化膜形成用ポリエステル組成物
JP5574122B2 (ja) * 2009-03-23 2014-08-20 日産化学工業株式会社 熱硬化膜形成用ポリエステル組成物
JP5626536B2 (ja) * 2009-04-14 2014-11-19 日産化学工業株式会社 熱硬化膜形成用感光性ポリエステル組成物
WO2010119868A1 (ja) * 2009-04-14 2010-10-21 日産化学工業株式会社 熱硬化膜形成用感光性ポリエステル組成物
JP2013533508A (ja) * 2010-07-14 2013-08-22 エルジー・ケム・リミテッド ポジティブ型感光性樹脂組成物およびこれを含む有機発光素子ブラックバンク
CN102985876A (zh) * 2010-07-14 2013-03-20 株式会社Lg化学 正型光敏树脂组合物及包含其的有机发光装置遮屏
US8993209B2 (en) 2010-07-14 2015-03-31 Lg Chem, Ltd. Positive-type photosensitive resin composition and black bank of an organic light-emitting device including same
JP2012053394A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2014167643A (ja) * 2014-04-25 2014-09-11 Japan Display Inc 液晶用配向膜材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP1329769A4 (en) 2007-11-21
US6875554B2 (en) 2005-04-05
KR20040004387A (ko) 2004-01-13
WO2002029494A1 (fr) 2002-04-11
DE60144530D1 (de) 2011-06-09
CN1468391A (zh) 2004-01-14
EP1329769A1 (en) 2003-07-23
JP4390028B2 (ja) 2009-12-24
EP1329769B1 (en) 2011-04-27
CN1223901C (zh) 2005-10-19
KR100824573B1 (ko) 2008-04-23
TWI245974B (en) 2005-12-21
US20040048188A1 (en) 2004-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4390028B2 (ja) ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
KR100905682B1 (ko) 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
JP4120584B2 (ja) ポリアミック酸樹脂組成物
TWI448512B (zh) 聚亞醯胺及光阻樹脂組成物
KR100944135B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
EP0424940B1 (en) Positive photosensitive polyimide resin composition
CN102099741A (zh) 含有聚酰亚胺树脂和酚醛清漆树脂的光敏性树脂组合物
WO2011080992A1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
US6890626B1 (en) Imide-benzoxazole polycondensate and process for producing the same
EP1241527A1 (en) Positive type photosensitive polyimide resin composition
KR100605414B1 (ko) 포지형 감광성 수지 전구체 조성물 및 그의 제조 방법
KR101249605B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 경화 릴리프 패턴의 제조 방법 및 반도체 장치
JP4450136B2 (ja) ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
JP4942552B2 (ja) ポリアミド及びポジ型感光性樹脂組成物
JP5129598B2 (ja) 重縮合化合物及びポジ型感光性樹脂組成物
CN112876679A (zh) 一种正型感光性聚酰胺类化合物及其应用
TW561181B (en) Positive type photosensitive polyimide resin composition
JPH04168441A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2001343747A (ja) ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
JP2001337453A (ja) 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品
JP2018095721A (ja) 樹脂組成物、樹脂シートおよび硬化膜
JP4918312B2 (ja) 感光性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090624

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090821

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090916

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4390028

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090929

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350