JP2002100716A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および半導体装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】パワー素子用多ピンパッケージの内部接続の簡
略化された構成および製造方法を提供する。 【解決手段】主電極とこの主電極より面積が小さい副電
極を有する半導体チップを、接続材を介してリードフレ
ームのダイパッドに搭載し、半導体チップの主電極及び
副電極とリードフレームの対応する外部リードとの間
に、それぞれの内部リードがタイバーにより接続された
内部リードフレームを接続材を介して搭載し、接続材を
加熱して半導体チップとダイパッドとの間、内部リード
と半導体チップ及び外部リードとの間を導電的に同時に
固着し、その後タイバーをカットして、内部リードフレ
ームを各内部リードに分離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多ピンを有する半
導体装置の製造方法と、それにより得られた半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年携帯型電子機器の普及に伴い、半導
体パッケージの小型薄型化、軽量化、高性能化が特に要
求されてきている。従来、半導体チップの上部電極は、
ワイヤボンディングで外部リードに接続されていた。ま
た、ダイオード等の２端子製品では、半田付けで内部リ
ードを介して外部リードに接続されていた。
【０００３】また、パワーＭＯＳＦＥＴ等の３端子製品
では、比較的大電流を取り扱うので半田付けリードが好
ましいが、チップ上面に設けられたゲート電極がソース
電極に比べて非常に小さいため、内部リードを半田付け
しようとしても位置精度が出せない。このため、ゲート
電極は単線のボンディングワイヤ、ソース電極は電流容
量を確保するため複数のボンディングワイヤを用いて接
続していた。
【０００４】ゲート電極は細線の接続が可能なワイヤボ
ンディングで、ソース電極は放熱とオン抵抗に有利な内
部リードの半田付けでと、それぞれ異なる接続を行う方
法もあるが、ゲート電極はワイヤボンディング用の電極
（例えばＡｌ）、ソース電極は半田付け用の電極（例え
ばＶＮｉＡｕ）と、電極の表面処理を変える必要があ
り、製造設備コストと製造コストの増大を招いていた。
【０００５】また、パワーＭＯＳＦＥＴは２個直列に接
続されて使用される場合が多いが、従来はこの直列接続
をプリント基板の配線で行っていた。この方法では、配
線による寄生インダクタンスと配線抵抗が生じ、性能の
低下を招いていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情を
考慮して為されたもので、半導体装置の内部配線におい
て、作業性に優れ、信頼性の高い外部リードへの接続方
法を提供するものである。また、上記の製造方法で得ら
れる半導体装置、および２個の半導体チップを上記の接
続方法を応用した半導体パッケージ内で直列接続できる
構成を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置の製造方法（請求項１）は、主
電極とこの主電極より面積が小さい副電極を上面に有す
る半導体チップを、接続材を介して外部リードフレーム
のダイパッドに搭載する工程と、前記半導体チップの主
電極及び副電極と前記外部リードフレームの対応する外
部リードの接続用パッドとの間をそれぞれ接続する内部
リードがタイバーにより接続された内部リードフレーム
を、所定の位置に接続材を介して搭載する工程と、前記
接続材を加熱して、前記半導体チップと前記ダイパッド
との間、前記内部リードと前記半導体チップの電極及び
前記外部リードの接続パッドとの間を同時に導電的に固
着する工程と、前記タイバーをカットして、前記内部リ
ードフレームを各内部リードに分離する工程とを有する
ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明の半導体装置（請求項２）
は、リードフレームのダイパッド上に搭載され、主電極
とこの主電極より面積が小さい副電極を有する半導体チ
ップと、前記半導体チップの主電極及び副電極と前記リ
ードフレームの対応する外部リードの接続パッドとの間
に接続され、それぞれの内部リードの間にカットされた
タイバーを有する内部リードフレームとを具備すること
を特徴とする。
【０００９】上記の半導体装置は、下記のように構成さ
れることが望ましい。 （１）タイバーは、内部リードフレームの他の部分の厚
さよりも薄いこと。
【００１０】（２）タイバーは、外部リードフレームの
隣接する外部リードの中央付近に設けられていること。
【００１１】（３）ダイパッドは、タイバーに隣接する
部分に、このタイバーから距離を設けるように後退した
切り欠き部分を有すること。
【００１２】（４）内部リードフレームは、タイバー部
分が半導体チップの上面より高く形成されていること。
【００１３】また、本発明の半導体装置（請求項７）
は、外部リードフレームの隣接する第１及び第２のダイ
パッド上に搭載され、それぞれが主電極とこの主電極よ
り面積が小さい副電極を有する第１及び第２の半導体チ
ップと、前記第１及び第２の半導体チップのそれぞれの
主電極及び副電極と前記外部リードフレームの対応する
外部リードとの間に接続された内部リードを有し、それ
ぞれの内部リードの間にカットされたタイバーを有する
内部リードフレームと、前記第１及び第２のダイパッド
の対向する辺において、前記第１のダイパッドに垂直に
形成された突起リード部と、前記第２のダイパッドに搭
載された第２の半導体チップの主電極に接続される内部
リードと一体に形成され、前記突起リード部と嵌合する
切り欠き部を有し、前記突起リード部と導電的に連結す
る連結リード部とを具備する。
【００１４】上記の半導体装置は、下記のように構成さ
れることが望ましい。 （１）突起リード部の上端に、上端面から後退して連結
リード部を支える平坦部分を有すること。
【００１５】（２）第１及び第２の半導体装置はＭＯＳ
ＦＥＴのチップであり、第１の半導体装置は、ＭＯＳＦ
ＥＴに並列に接続されたショットキーダイオードを内蔵
するチップであること。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。
【００１７】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するため
の図で、図１（ａ）はリードフレーム上に半導体チップ
がマウントされ、半導体チップの上面電極とリードフレ
ームの外部リードが内部リードにより接続された状態を
示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿っ
た断面図である。
【００１８】図１において、１はリードフレームにおけ
るダイパッド、３はリードフレームの外部リード、５は
外部リード３と一体に形成された内部リード接続用パッ
ド、７はリードフレームのタイバーであり、よく知られ
た樹脂封止用リードフレームを構成している。後述の内
部リードフレームと区別するために、以後外部リードフ
レームと称することにする。
【００１９】外部リードフレームのダイパッド１には、
半導体チップ９が接続材２１ａを介してマウントされて
いる。接続材２１ａとしては半田あるいは導電性接着剤
が使用される。半導体チップ９は、例えばＭＯＳＦＥＴ
であり、チップ上面に電極面積の大きいソース電極（主
電極）１１、電極面積の小さいゲート電極（副電極）１
３を有し、チップ下面のドレイン電極は前述のようにダ
イパッド９に接続材を介して接続されている。
【００２０】第１の実施形態の特徴は、ソース電極１１
とゲート電極１３の外部リードフレームへの取り出しリ
ード（内部リード）が、板状金属からなる内部リードフ
レームで接続されていることである。内部リードフレー
ムはソース電極リード１５とゲート電極リード１７とか
ら構成されており、さらに両者を結ぶタイバー１９を有
している。タイバー１９は内部リードフレームの取り付
け後、カッターなどで切り離される。この切り離しが容
易なように、タイバーは隣接する外部リードの間のほぼ
中央に位置するように設けられている。
【００２１】また、内部リードフレームは、例えば銅ま
たは銅合金の板からプレス加工等により形成され、図１
（ａ）に示すように、チップ上面と外部リード上面のレ
ベルに合わせて折り曲げ加工されている。この時タイバ
ー１９を含む部分は、チップ上面より高くなるようにフ
ォーミングされており、これによりタイバーのカットを
容易にしている。
【００２２】内部リードフレームは、図２に示すように
複数の内部リードのセット（ソース電極リード１５とゲ
ート電極リード１７のセット）がフレーム２３により連
結された形態で供給され、チップと外部リードフレーム
に接続される直前に、吊りピン２５のリード側の根元で
切り離されるようになっている。個々の内部リードフレ
ーム（内部リードセット）は、チップの上面電極（ソー
ス電極１１およびゲート電極１３）に接続されるチップ
パッド部１５ａ，１７ａと外部リードに接続されるリー
ドパッド部１５ｂ、１７ｂを有する。チップパッド部１
５ａ、１７ａ、リードパッド部１５ｂ、１７ｂは、それ
ぞれ接続材２１ｂ、２１ｃによりチップ電極１１，１３
と外部リード接続パッド５に接続される。接続材２１
ｂ、２１ｃは半田または導電性接着剤が使用され、ダイ
マウントに使用される接続材２１ａと同じ材料とするこ
とが好ましいが、要求に応じて異なるものを使用しても
よい。
【００２３】次に、図１のリード付け構成の製造工程を
説明する。先ず、リードフレームのダイパッド１および
内部リードが接続される外部リードの接続パッド５に、
例えばクリーム状の半田（半田ペースト）をディスペン
サーにより適量供給する。ディスペンサ方式の代わりに
印刷法を用いてもよい。
【００２４】次に、半導体チップ９をリードフレームの
ダイパッド１１上に、ダイマウンター等を使用してマウ
ントする。その後、チップのソース電極１１、ゲート電
極１３の上に半田ペーストをディスペンサ等を使用して
適量供給する。ダイマウントに使用される半田ペースト
とリード付けに使用される半田ペーストは同じものを使
用することができる。
【００２５】次に、内部リードフレームをフレームに連
結された状態からソース電極リード１５とゲート電極リ
ード１７の１セット分を切り離して、半導体チップおよ
び外部リードフレーム上に位置合わせしてマウントす
る。
【００２６】内部リード用の半田ペーストの供給は、上
記の方法の他に、内部リードフレームのチップパッド部
１５ａ、１７ａとリードパッド部１５ｂ、１７ｂに半田
ペーストを予め印刷しておいて（図２の点線部）、半導
体チップおよび外部リードフレーム上の所定の位置に合
わせしてマウントするようにしてもよい。
【００２７】次に、マウント済みのリードフレームを半
田リフロー炉を通して、半田のリフローを実施する。リ
フロー炉はベルトコンベヤー式の連続炉でもよいし、静
止型のリフロー炉でもよい。これにより、ダイマウント
用の半田２１ａ、内部リード用のの半田２１ｂ、２１ｃ
が同時にリフローされる。
【００２８】上記は半田リフローの場合であるが、導電
性接着剤を使用した場合でも、ディスペンサや印刷法に
よる供給が可能であり、リフローと同様の加熱工程（熱
処理）により、固着させることができる。
【００２９】次に、内部リードフレームのタイバー１９
をカッターでカットして、ソース電極リード１５とゲー
ト電極リード１７を分離する。内部リードフレームのタ
イバー１９は半導体チップ１９の上面より高くなってい
るので、チップに接触しないようにカッターをタイバー
１９に当てるのは容易である。
【００３０】その後は、よく知られた樹脂モールド工程
にリードフレームを供し、モールド後外部リード３のタ
イバー７をカットすることにより、封止済みの半導体装
置が完成する。
【００３１】本発明の内部リードフレームは、支持点が
４点あるため、マウント時に安定し、かつ位置精度を向
上させることができる。従来方法では、チップのダイマ
ウント後、ワイヤボンディングが必要であったが、本発
明ではチップのダイマウント後、内部リードフレームの
マウントを行い、チップおよび内部リードフレームの半
田リフローを同時に行えばよいので、工程を短縮するこ
とができる。また、高価な金線を使用しないのでコスト
ダウンが可能である。
【００３２】（第２の実施形態）第２の実施形態は、基
本的には第１の実施形態と同じであるが、ダイパッドの
形状が第１の実施形態と異なる。
【００３３】図３は、本発明の第２の実施形態に係る半
導体装置の内部接続状態を示す平面図である。第１の実
施形態と同一部分には同一番号を付して重複する説明を
省略する。以後の実施形態においても同様とする。
【００３４】第２の実施形態の特徴は、図３に示すよう
に、ダイパッド１ａのタイバー１９に近い部分が切り込
み２６により後退しており、タイバーカットが容易なよ
うにされていることである。
【００３５】（第３の実施形態）図４は、本発明の第２
の実施形態に係る内部リードの平面図およびタイバー１
９ａの部分（Ｂ部）のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図であ
る。第２の実施形態では、図４（ｂ）に示すように、タ
イバー１９ａのカット部２７の厚さを内部リードの厚さ
（例えば０．３ｍｍ）よりも薄くし（例えば０．１５ｍ
ｍ）、カットが容易なようにしている。
【００３６】（第４の実施形態）第４の実施形態は、内
部リードフレームをさらに変形した例である。図５は、
本発明の第４の実施形態に係る内部リードの平面図であ
り、タイバー部分は２本のタイバー１９ｂ、１９ｂ′で
構成されている。これにより、タイバー部分の剛性を高
めており、ソース電極リード１５とゲート電極リード１
７の捻れ等の相対的な変形を防止できる。
【００３７】なお、タイバー１９ｂ、１９ｂ′に対し、
図４（ｂ）のように部分的に薄い場所を設けて、カット
が容易なようにしてもよい。
【００３８】（第５の実施形態）第５の実施形態は、内
部リードフレームをさらに変形した例である。図６は、
本発明の第５の実施形態に係る内部リードの平面図であ
り、タイバー部分が２本のタイバー１９ｃ、１９ｃ′で
構成されている。第４の実施例と異なる点は、１本のタ
イバー１９ｃは外部リードフレームの内部リード接続用
パッド５付近に設けられていることである。第４の実施
形態同様に内部リードフレームの剛性を高めることがで
きる。また、タイバー１９ｃ、１９ｃ′に対し、図４
（ｂ）のように部分的に薄い場所を設けて、カットが容
易なようにしてもよい。
【００３９】（第６の実施形態）図７（ａ）は本発明の
第６の実施形態に係る半導体装置のリード接続方法を示
す平面図で、そのＣ−Ｃ線に沿った断面図を図７（ｂ）
に示す。本実施形態では２個の半導体チップが隣接して
リードフレームにマウントされ、内部リード接続が行わ
れた後、１パッケージとしてモールドされる。なお、Ａ
−Ａ線に沿った断面図は、図１（ｂ）と同様になる。ま
た、図１（ｂ）のＤ―Ｄ線に沿った断面図を図８に示
す。
【００４０】図７に示された２つの半導体チップ１１
1 、１１2 はダイマウントされた後、第１〜第５の実施
形態で説明した内部リードフレームを用いる接続方法
で、夫々外部リードフレームに接続されるが、図の右側
に示す第１の内部リードフレームの形状と、図の左側に
示す第２の内部リードフレームの形状が異なる。第１の
内部リードフレームは第１の実施形態の内部リードフレ
ームが例示されているが、第３若しくは第４の実施形態
の内部リードフレームを用いてもよい。
【００４１】また、図の左側に示す第２のダイパッド１
2 と、図の右側に示す第１のダイパッド１1 の形状が異
なる。第２のダイパッド１2 は第１の実施形態のダイパ
ッドが例示されているが、第２の実施形態のダイパッド
を用いてもよい。
【００４２】第１のダイパッド１1 は、第２のダイパッ
ド１2 に隣接する部分の１部がダイパッドのほぼ辺の中
央まで切り込まれ、直立するように加工されている。こ
の直立部分が突起リード部３３となる。
【００４３】一方左側の第２の内部リードフレームのソ
ース電極（主電極）リードの一部は第１のチップ方向に
延在する連結リード部２９を有し、その先端に設けられ
た切り込み部３１に、第１のチップが搭載されるダイパ
ッドの突起リード部３３が嵌合している。このとき、突
起リード部３３の上端面より後退した位置に、第２のチ
ップの内部リードの連結リード部２９を支える段差（平
坦部）３５を設けておく。このようにすることにより、
第２の内部リードフレームを安定に保持することが可能
になる。第２の内部リードフレームの連結リード部２９
と第１のダイパッドの突起リード部３３との嵌合部は、
半田２１ｄにより接合される。
【００４４】次に、第６の実施形態のの半導体装置の製
造工程を説明する。先ず、リードフレームのダイパッド
１1 および１2 、内部リードが接続される外部リードの
パッド５に、例えば半田ペーストをディスペンサーによ
り適量供給する。ディスペンサ方式の代わりに印刷法を
用いてもよい。
【００４５】次に、半導体チップ９1 、９2をリードフ
レームのダイパッド１1 、１2上に、ダイマウンター等
を使用してそれぞれマウントする。その後、チップのソ
ース電極１１1 、１１2 ゲート電極１３1 、１３2 の上
に半田ペーストをディスペンサ等を使用して適量供給す
る。ダイマウントに使用される半田ペーストとリード付
けに使用される半田ペーストは同じものを使用すること
ができる。
【００４６】次に、内部リードフレームをフレームに連
結された状態から、第１のチップ用のソース電極リード
１５1 とゲート電極リード１７1 の１セット分を切り離
して、半導体チップの電極および外部リードフレームの
接続パッド上に位置合わせしてマウントする。続いて、
第２のチップ用のソース電極リード１５2 とゲート電極
リード１７2 の１セット分を切り離して、半導体チップ
および外部リードフレーム上に位置合わせしてマウント
する。このとき、第２の内部リードフレームの連結リー
ド部３７の切り欠き部３１は、第１の内部リードフレー
ムの突起リード部３３と嵌合し、突起リード部３３に設
けられた段差３５に載置されるようにする。さらに、連
結リード部２９と突起リード部３３の嵌合部に半田ペー
スト２１ｄをディスペンサにより供給する。
【００４７】次に、チップおよび内部リードフレームを
マウント済みの外部リードフレームを半田リフロー炉に
通して、半田のリフローを実施する。リフロー炉はベル
トコンベヤー式の連続炉でもよいし、静止型のリフロー
炉でもよい。これにより、ダイマウント用の半田２１
ａ、内部リード用の半田２１ｂ、２１ｃ、連結部用の半
田２１ｄが同時にリフローされる。
【００４８】その後は、第１の実施例と同様な工程を経
ることにより、封止済みの半導体装置が完成する。上記
の実施形態では接続材に半田ペーストを使用したが、導
電性接着剤を使用できることは言うまでもない。
【００４９】連結リード部２９の第１のダイパッド１1
への接続方法として、連結リード部２９の先端を下方に
フォーミングして、第１のダイパッド１1 へ直接半田付
けすることも考えられるが、この接続のための半田がチ
ップのマウント用の半田と融合し、マウント半田の厚
み、チップの平行度に悪影響を及ぼすおそれがある。こ
れに対し、本発明では突起リード部３３を用いて半田付
け部をチップより遠ざけているので、上記のような悪影
響の心配がない。
【００５０】第６の実施形態のパッケージは、図９に示
すような同期整流回路の１部に適用すると効果的であ
る。図９において、Ｑ１はパワーＭＯＳＦＥＴでトラン
ジスタ記号に並列に書かれたダイオードは寄生ダイオー
ドである。Ｑ１に直列に接続されたＱ２は、同一チップ
内に寄生ダイオード以外にショットキーバリアダイオー
ドＳＢＤが並列接続されたパワーＭＯＳＦＥＴである。
Ｑ１のソースＳ１とＱ２のドレインＤ２の接続ノードに
はインダクターＬとキャパシタＣの直列回路が負荷とし
て接続されている。ショットキバリアダイオードＳＢＤ
は、Ｑ１のトランジスタがオフ時の電流路用に設けられ
ている。
【００５１】上記の回路のＱ２を第１の半導体チップ、
Ｑ１を第２の半導体チップとして、第６の実施形態のパ
ッケージに適用すれば、同期整流回路の１部を１パッケ
ージ化した半導体装置を実現できる。このように半導体
装置回路を１パッケージ化すれば、配線基板で配線した
場合に比べて、寄生インダクタンスと配線抵抗を減らす
ことができ、素子性能と実装効率を向上させることがで
きる。
【００５２】以上、本発明を実施形態に基づき説明した
が、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、種
々の変形が可能である。例えば、第６の実施形態では２
チップの場合を説明したが、３チップ以上のマルチチッ
プに適用することができる。
【００５３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、内
部リードフレームを用いることにより、ダイマウントの
半田付け工程と同時に、ゲート電極のような小電極にも
内部リードの半田付けを行うことが可能になり、工程が
簡略化される。高価な金線を使用するワイヤボンディン
グ工程が不用になり、設備も簡略化される。
【００５４】また、本発明を２チップ以上をモールドす
るマルチチップパッケージに応用すれば、プリント配線
基板による寄生インダクタンスと配線抵抗が減少し、素
子性能を向上させることができ、プリント基板の実装面
積を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の内
部接続方法を説明するための平面図およびＡ−Ａ線に沿
った断面図。
【図２】本発明の内部リードフレームの平面図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の平
面図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の内
部リードフレームの平面図およびＢ−Ｂ線に沿った断面
図。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の内
部リードフレームの平面図。
【図６】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の内
部リードフレームの平面図。
【図７】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の内
部接続方法を説明するための平面図およびＣ−Ｃ線に沿
った断面図。
【図８】図７のＤ−Ｄ線に沿った断面図。
【図９】第６の実施形態の応用に適した同期整流回路の
回路図。
【符号の説明】
１，１ａ … ダイパッド ３ … 外部リード ５ … 内部リード接続用パッド ７ … （外部リードフレーム用）タイバー ９ … 半導体チップ １１ … ソース電極（主電極） １３ … ゲート電極（副電極） １５ … ソース電極リード １５ａ、１５ｂ … ソース電極リード接続部 １７ … ゲート電極リード １７ａ、１７ｂ … ゲート電極リード接続部 １９，１９ａ、１９ｂ、１９ｂ′、１９ｃ、１９ｃ′
… （内部リードフレーム用）タイバー ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ … 半田（接続材） ２３ … 内部リードフレーム用フレーム ２５ … 吊りピン ２６ … ダイパッド切り込み（後退部） ２７ … タイバー薄肉箇所 ２９ … 連結リード部 ３１ … 切り欠き部 ３３ … 突起リード部 ３５ … 段差 Ｑ１，Ｑ２ … パワーＭＯＳＦＥＴ ＳＢＤ … ショットキーバリアダイオード Ｌ … インダクター Ｃ … キャパシタ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主電極とこの主電極より面積が小さい副
    電極を上面に有する半導体チップを、接続材を介して外
    部リードフレームのダイパッドに搭載する工程と、 前記半導体チップの主電極及び副電極と前記外部リード
    フレームの対応する外部リードの接続用パッドとの間を
    それぞれ接続する内部リードがタイバーにより接続され
    た内部リードフレームを、所定の位置に接続材を介して
    搭載する工程と、 前記接続材を加熱して、前記半導体チップと前記ダイパ
    ッドとの間、前記内部リードと前記半導体チップの電極
    及び前記外部リードの接続パッドとの間を同時に導電的
    に固着する工程と、 前記タイバーをカットして、前記内部リードフレームを
    各内部リードに分離する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 リードフレームのダイパッド上に搭載さ
    れ、主電極とこの主電極より面積が小さい副電極を有す
    る半導体チップと、 前記半導体チップの主電極及び副電極と前記リードフレ
    ームの対応する外部リードの接続パッドとの間に接続さ
    れ、それぞれの内部リードの間にカットされたタイバー
    を有する内部リードフレームと、 を具備することを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記タイバーは、前記内部リードフレー
    ムの他の部分の厚さよりも薄くされていることを特徴と
    する請求項２に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記タイバーは、前記外部リードフレー
    ムの隣接する外部リードの中央付近に設けられているこ
    とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記ダイパッドは、前記タイバーに隣接
    する部分に、このタイバーから距離を設けるように後退
    した切り欠き部分を有することを特徴とする請求項２に
    記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記内部リードフレームは、タイバー部
    分が前記半導体チップの上面より高く形成されているこ
    とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 外部リードフレームの隣接する第１及び
    第２のダイパッド上に搭載され、それぞれが主電極とこ
    の主電極より面積が小さい副電極を有する第１及び第２
    の半導体チップと、 前記第１及び第２の半導体チップのそれぞれの主電極及
    び副電極と前記外部リードフレームの対応する外部リー
    ドとの間に接続された内部リードを有し、それぞれの内
    部リードの間にカットされたタイバーを有する内部リー
    ドフレームと、前記第１及び第２のダイパッドの対向す
    る辺において、前記第１のダイパッドに垂直に形成され
    た突起リード部と、 前記第２のダイパッドに搭載された第２の半導体チップ
    の主電極に接続される内部リードと一体に形成され、前
    記突起リード部と嵌合する切り欠き部を有し、前記突起
    リード部と導電的に連結された連結リード部と、を具備
    することを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 前記突起リード部の上端に、上端面から
    後退して前記連結リード部を支える平坦部分を有するこ
    とを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】 前記第１及び第２の半導体装置はＭＯＳ
    ＦＥＴのチップであり、前記第１の半導体装置は、ＭＯ
    ＳＦＥＴに並列に接続されたショットキーダイオードを
    内蔵するチップであることを特徴とした請求項７に記載
    の半導体装置。
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