JPH11121676A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH11121676A JPH11121676A JP28832997A JP28832997A JPH11121676A JP H11121676 A JPH11121676 A JP H11121676A JP 28832997 A JP28832997 A JP 28832997A JP 28832997 A JP28832997 A JP 28832997A JP H11121676 A JPH11121676 A JP H11121676A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- island
- lead frame
- cross
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
ムを提供すること。 【解決手段】 半導体素子が搭載されるアイランド等の
素子搭載部12と、前記素子搭載部を支持する少なくと
も1本のリード13とを備えたリードフレームにおける
前記リードの一部あるいは全部を、断面係数の大きい断
面形状で形成する。
Description
られるリードフレームに関するものである。
示す部分平面図である。このリードフレーム1は、平坦
に形成されたアイランド2、アイランド2を支持するリ
ード3、アイランド2の周囲に配置されるインナーリー
ド4及びリード3とインナーリード4を連結するタイバ
ー5で構成されている。
成されており、半導体素子が搭載され固定される部分で
ある。リード3は、平面形状が略I字状に形成されてお
り、一端がアイランド2に接続され、他端がタイバー5
に接続されている。インナーリード4は、平面形状が略
T字状に形成されており、一端は自由端に形成され、他
端がタイバー5に接続されている。
えばアルミニウム板を打ち抜き加工することにより作製
される。そして、半導体素子が、アイランド2上に搭載
されて例えばダイボンディングによって固定され、この
半導体素子の電極部が、対応するインナーリード4の一
端に例えばワイヤボンディングによって電気的に接続さ
れる。
ーリード4及びボンディングワイヤを含む半導体素子全
体が、モールド樹脂により覆われて封止される。その
後、リード3やインナーリード4をそれぞれ分離するた
めにタイバー5が切断され、必要に応じてリード3やイ
ンナーリード4が折り曲げされて半導体装置が構成され
る。
フレーム1によると、アイランド2は形状が大きいにも
かかわらず、棒状の1本のリード3のみで支持されてい
るため、半導体素子をアイランド2上に搭載する際に、
リード3が折れ曲がり(シフト)易く、アイランド2が
移動してしまうおそれがあった。そして、アイランド2
上に搭載された半導体素子の電極部が、対応していない
インナーリード4と接触してしまい、半導体装置として
構成した後に所望の機能が得られない場合があるという
恐れがあった。従って、本発明の目的は、折れ曲がり難
いリードを有するリードフレームを提供することにあ
る。
現するため、半導体素子が搭載されるアイランド等の素
子搭載部と、前記素子搭載部を支持する少なくとも1本
のリードとを備えたリードフレームにおいて、前記リー
ドの一部あるいは全部が、断面係数の大きい断面形状で
形成されていることを特徴とするリードフレームを提供
する。
リードの一部あるいは全部の断面形状が、断面係数の大
きい形状で形成されているので、リードのシフトを防止
することができる。
ームの実施形態を示す部分平面図である。このリードフ
レーム11は、平坦に形成されたアイランド12、アイ
ランド12を支持するリード13、アイランド12の周
囲に配置されるインナーリード14及びリード13とイ
ンナーリード14を連結するタイバー15で構成されて
いる。
形成されており、半導体素子が搭載され固定される部分
である。リード13は、平面形状が略I字状に形成され
ており、一端がアイランド12に接続され、他端がタイ
バー15に接続されている。インナーリード14は、平
面形状が略T字状に形成されており、一端は自由端に形
成され、他端がタイバー15に接続されている。
一構成であるが、以下の点で異なる構成となっている。
即ち、従来のリードフレーム1は、例えばアルミニウム
板を打ち抜き加工した状態のままで半導体装置の製造に
使用される。従って、リード3の断面形状は図2(A)
に示すように角部が潰れてR形状となった略円形状ある
いは略菱形状になっている。
ーム11は、例えばアルミニウム板を打ち抜き加工した
後に、リード13の部分をプレス加工し、その状態で半
導体装置の製造に使用される。従って、リード13の断
面形状は図2(B)に示すように矩形状になっている。
すことができ、この曲げ剛性は、部材の材質で定まる縦
弾性係数(ヤング率)と部材の断面形状で定まる断面二
次モーメントの積で表される。例えば部材の材質をアル
ミニウムとした場合、部材の断面形状が菱形の曲げ剛性
は0.02、部材の断面形状が円形の曲げ剛性は0.0
5、部材の断面形状が矩形の曲げ剛性は0.083とな
る。
レーム11の矩形状の断面形状を有するリード13は、
従来のリードフレーム1の略円形状あるいは略菱形状の
断面形状を有するリード3に比べ、曲げ強さが大きくな
る。従って、半導体素子をアイランド12上に搭載する
際に、リード13が折れ曲がってアイランド12が移動
してしまうようなことはなくなる。
例えばアルミニウム板をリードフレーム11の外形状に
打ち抜き加工した後、図3(A)〜(C)に示すように
リード13の部分を平坦度が出ているパンチ20により
プレス加工することにより作製される。
は、上述したように角部が潰れてR形状となった略円形
状あるいは略菱形状になっているが、その後のプレス加
工によりリード13の断面形状は、角部が整形されて矩
形状となる。従って、加工工程としては、最初に打ち抜
き加工を行い、次にプレス加工を行う必要がある。そし
て、半導体素子がアイランド12上に搭載されて例えば
ダイボンディングによって固定され、この半導体素子の
電極部が対応するインナーリード14の一端に例えばワ
イヤボンディングによって電気的に接続される。
ンナーリード14及びボンディングワイヤを含む半導体
素子全体が、モールド樹脂により覆われて封止される。
その後、リード13やインナーリード14をそれぞれ分
離するためにタイバー15が切除され、必要に応じてリ
ード13やインナーリード14が折り曲げされて半導体
装置が構成される。
部分あるいは全部が曲げに対して強化されたので、アイ
ランド12の移動による半導体素子の電極部と対応して
いないインナーリード14との接触を無くすことがで
き、半導体装置として構成する際の生産トラブルを減少
させ、生産効率を向上させることができると共に、半導
体装置として構成した場合の歩留りを向上させ、信頼性
を高めることができる。
ム11のリード13に適用する場合について説明した
が、特にこれに限定されるものではなく、曲がりやすい
部分であれば、例えばインナーリード、タブ吊りリー
ド、アウターリード、V溝加工部等、あるいはIC、T
RS、コンデンサの曲がりやすい部分にも適用可能であ
る。
ードを断面係数の大きい形状にしたため、折れ曲がり難
いリードを有するリードフレームを提供することができ
る。
部分平面図である。
フレームの実施形態のリードの断面形状を示す図であ
る。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体素子が搭載されるアイランド等の
素子搭載部と、 前記素子搭載部を支持する少なくとも1本のリードとを
備えたリードフレームにおいて、 前記リードの一部あるいは全部が、断面係数の大きい断
面形状で形成されていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項2】 前記断面形状が、矩形状である請求項1
に記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 前記矩形状のリードが、打ち抜き後にプ
レス加工によって形成される請求項2に記載のリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28832997A JPH11121676A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28832997A JPH11121676A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11121676A true JPH11121676A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17728785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28832997A Pending JPH11121676A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11121676A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100483142B1 (ko) * | 2000-09-21 | 2005-04-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 및 반도체장치 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP28832997A patent/JPH11121676A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100483142B1 (ko) * | 2000-09-21 | 2005-04-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 및 반도체장치 |
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A977 | Report on retrieval |
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