JPH11297916A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11297916A JPH11297916A JP9421798A JP9421798A JPH11297916A JP H11297916 A JPH11297916 A JP H11297916A JP 9421798 A JP9421798 A JP 9421798A JP 9421798 A JP9421798 A JP 9421798A JP H11297916 A JPH11297916 A JP H11297916A
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- die pad
- semiconductor device
- lead
- leads
- suspension lead
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性が向上されて高い信頼性を有し、か
つ、樹脂封止工程における成形異常が抑制されて高い歩
留りを有する半導体装置を実現する。 【解決手段】 半導体装置に、半導体チップ１７が載置
されるダイパッド１０と、中心線Ｃに沿ってダイパッド
１０と一体的に形成され封止樹脂１８から断面が露出す
るダイパッド吊りリード１２と、中心線Ｃに交わるよう
ダイパッド１０と一体的に形成され封止樹脂１８から断
面が露出する放熱吊りリード１６と、ダイパッド１０の
周辺に配置されたインナーリード１３と、インナーリー
ド１３から延びて形成されたアウターリード１４とを備
える。これにより、半導体チップ１７で発生した熱が放
熱吊りリード１６とダイパッド吊りリード１２とを介し
て半導体装置の外部へ効果的に放出され、かつ、半導体
チップ１７が樹脂封止される際の変形異常が抑制され
る。
つ、樹脂封止工程における成形異常が抑制されて高い歩
留りを有する半導体装置を実現する。 【解決手段】 半導体装置に、半導体チップ１７が載置
されるダイパッド１０と、中心線Ｃに沿ってダイパッド
１０と一体的に形成され封止樹脂１８から断面が露出す
るダイパッド吊りリード１２と、中心線Ｃに交わるよう
ダイパッド１０と一体的に形成され封止樹脂１８から断
面が露出する放熱吊りリード１６と、ダイパッド１０の
周辺に配置されたインナーリード１３と、インナーリー
ド１３から延びて形成されたアウターリード１４とを備
える。これにより、半導体チップ１７で発生した熱が放
熱吊りリード１６とダイパッド吊りリード１２とを介し
て半導体装置の外部へ効果的に放出され、かつ、半導体
チップ１７が樹脂封止される際の変形異常が抑制され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ等の
半導体素子を内蔵した半導体チップをリードフレームに
搭載してなる半導体装置、特に高い信頼性と歩留りとを
有する半導体装置に関するものである。
半導体素子を内蔵した半導体チップをリードフレームに
搭載してなる半導体装置、特に高い信頼性と歩留りとを
有する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレーム、例えば意匠公報
第６８６９２４号に示されているようなリードフレーム
を用いた半導体装置について、図２を参照しながら説明
する。図２は、リードフレームから分離される前の状態
における従来の半導体装置を示す平面図である。図２に
おいて、１００は半導体チップ１７０が載置される四角
形のダイパッド、１１０Ａ，１１０Ｂはそれぞれリード
フレームの外枠、１２０はリードフレームの中心線Ｃに
沿って形成されダイパッド１００を外枠１１０Ａに接続
し支持するためのダイパッド吊りリード、１３０は金属
細線等を介して半導体チップ１７０の電極と電気的に接
続されるインナーリード、１４０は各インナーリード１
３０から延びるように形成され半導体装置の外部端子と
して機能するアウターリード、１５０はリードフレーム
と一体的に形成されアウターリード１４０をそれぞれ連
結し外枠１１０Ｂとダイパッド吊りリード１２０とに固
定するためのダムバー、１６０は外枠１１０Ｂからダイ
パッド１００の方へ延びて形成され、樹脂封止後にパッ
ケージ状態の半導体装置を外枠１１０Ｂに接続し支持す
るためのパッケージ吊りリード、１７０は半導体チッ
プ、１８０は半導体チップ１７０を封止するための封止
樹脂である。
第６８６９２４号に示されているようなリードフレーム
を用いた半導体装置について、図２を参照しながら説明
する。図２は、リードフレームから分離される前の状態
における従来の半導体装置を示す平面図である。図２に
おいて、１００は半導体チップ１７０が載置される四角
形のダイパッド、１１０Ａ，１１０Ｂはそれぞれリード
フレームの外枠、１２０はリードフレームの中心線Ｃに
沿って形成されダイパッド１００を外枠１１０Ａに接続
し支持するためのダイパッド吊りリード、１３０は金属
細線等を介して半導体チップ１７０の電極と電気的に接
続されるインナーリード、１４０は各インナーリード１
３０から延びるように形成され半導体装置の外部端子と
して機能するアウターリード、１５０はリードフレーム
と一体的に形成されアウターリード１４０をそれぞれ連
結し外枠１１０Ｂとダイパッド吊りリード１２０とに固
定するためのダムバー、１６０は外枠１１０Ｂからダイ
パッド１００の方へ延びて形成され、樹脂封止後にパッ
ケージ状態の半導体装置を外枠１１０Ｂに接続し支持す
るためのパッケージ吊りリード、１７０は半導体チッ
プ、１８０は半導体チップ１７０を封止するための封止
樹脂である。
【０００３】上述の構造によって、樹脂封止後におい
て、ダムバー１５０が各アウターリード１４０同士の
間、外枠１１０Ｂとの間、及びダイパッド吊りリード１
２０との間でそれぞれ切断され、かつ、各アウターリー
ド１４０及びダイパッド吊りリード１２０と外枠１１０
Ａとの間がそれぞれ切断された後も、パッケージ状態の
半導体装置はパッケージ吊りリード１６０によって外枠
１１０Ｂに支持される。そして、ダイパッド部１００と
ダイパッド吊りリード１２０とが一体的に構成されてい
ることにより、半導体装置の完成後に半導体チップ１７
０において発生した熱は、ダイパッド部１００とダイパ
ッド吊りリード１２０とを順次経由して半導体装置の外
部へと放出される。これにより、半導体装置の温度上昇
を抑制して、半導体装置を安定して動作させようとする
ものである。
て、ダムバー１５０が各アウターリード１４０同士の
間、外枠１１０Ｂとの間、及びダイパッド吊りリード１
２０との間でそれぞれ切断され、かつ、各アウターリー
ド１４０及びダイパッド吊りリード１２０と外枠１１０
Ａとの間がそれぞれ切断された後も、パッケージ状態の
半導体装置はパッケージ吊りリード１６０によって外枠
１１０Ｂに支持される。そして、ダイパッド部１００と
ダイパッド吊りリード１２０とが一体的に構成されてい
ることにより、半導体装置の完成後に半導体チップ１７
０において発生した熱は、ダイパッド部１００とダイパ
ッド吊りリード１２０とを順次経由して半導体装置の外
部へと放出される。これにより、半導体装置の温度上昇
を抑制して、半導体装置を安定して動作させようとする
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置によれば、近年、半導体装置の高機能化
に伴い消費電力が上昇し、これにより放熱性が高い半導
体パッケージが求められていることに十分対応できな
い。すなわち、ダイパッド吊りリード１２０による放熱
効果を更に向上させるためには、ダイパッド吊りリード
１２０の幅を広くする必要があるが、半導体装置の外
形、アウターリード１４０のピッチ等の制約があるので
放熱効果を十分に向上させることができない。
来の半導体装置によれば、近年、半導体装置の高機能化
に伴い消費電力が上昇し、これにより放熱性が高い半導
体パッケージが求められていることに十分対応できな
い。すなわち、ダイパッド吊りリード１２０による放熱
効果を更に向上させるためには、ダイパッド吊りリード
１２０の幅を広くする必要があるが、半導体装置の外
形、アウターリード１４０のピッチ等の制約があるので
放熱効果を十分に向上させることができない。
【０００５】また、樹脂封止される際に、リードフレー
ムの中心線Ｃに沿って外枠１１０Ａと一体的に形成され
ているダイパッド吊りリード１２０が、中心線Ｃを中心
に回転して成形異常が発生するおそれがある。加えて、
近年、半導体装置に対する薄型化の要求から封止樹脂厚
が薄くなる傾向にあるので、封止樹脂１８０が注入され
る間にダイパッドが上下に移動して成形異常が発生しや
すくなっている。これらの成形異常は、いずれも半導体
装置の歩留りを低下させている。
ムの中心線Ｃに沿って外枠１１０Ａと一体的に形成され
ているダイパッド吊りリード１２０が、中心線Ｃを中心
に回転して成形異常が発生するおそれがある。加えて、
近年、半導体装置に対する薄型化の要求から封止樹脂厚
が薄くなる傾向にあるので、封止樹脂１８０が注入され
る間にダイパッドが上下に移動して成形異常が発生しや
すくなっている。これらの成形異常は、いずれも半導体
装置の歩留りを低下させている。
【０００６】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、コストを増大させることなく、放熱性が向上されて
高い信頼性を有し、かつ、歩留りが向上した半導体装置
を提供することを目的とする。
で、コストを増大させることなく、放熱性が向上されて
高い信頼性を有し、かつ、歩留りが向上した半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置は、請求項１に記載されてい
るように、半導体チップと、半導体チップが載置される
ダイパッドと、ダイパッドの周囲にそれぞれ形成され、
内方側端部で半導体チップの電極と電気的に接続され、
外方側端部が外部電極として機能する信号リードからな
る信号リード群と、ダイパッドを支持するためのダイパ
ッド吊りリードと、ダイパッドから延びる放熱吊りリー
ドと、信号リードの外方側端部を除く部分と半導体チッ
プとダイパッドとダイパッド吊りリードと放熱吊りリー
ドとを封止する封止樹脂とを備え、ダイパッド吊りリー
ドと放熱吊りリードとは外方側端部において封止樹脂の
側面に露出していることとしている。
めに、本発明の半導体装置は、請求項１に記載されてい
るように、半導体チップと、半導体チップが載置される
ダイパッドと、ダイパッドの周囲にそれぞれ形成され、
内方側端部で半導体チップの電極と電気的に接続され、
外方側端部が外部電極として機能する信号リードからな
る信号リード群と、ダイパッドを支持するためのダイパ
ッド吊りリードと、ダイパッドから延びる放熱吊りリー
ドと、信号リードの外方側端部を除く部分と半導体チッ
プとダイパッドとダイパッド吊りリードと放熱吊りリー
ドとを封止する封止樹脂とを備え、ダイパッド吊りリー
ドと放熱吊りリードとは外方側端部において封止樹脂の
側面に露出していることとしている。
【０００８】これにより、半導体チップにおいて発生し
た熱がそれぞれ放熱吊りリードとダイパッド吊りリード
とを経由して半導体装置の外部へと効果的に放出される
ので、放熱性が向上して高い信頼性を有する半導体装置
が実現される。また、機械的強度が増大するので、樹脂
封止される際に成形異常が抑制されて歩留りが高い半導
体装置が実現される。
た熱がそれぞれ放熱吊りリードとダイパッド吊りリード
とを経由して半導体装置の外部へと効果的に放出される
ので、放熱性が向上して高い信頼性を有する半導体装置
が実現される。また、機械的強度が増大するので、樹脂
封止される際に成形異常が抑制されて歩留りが高い半導
体装置が実現される。
【０００９】請求項２に記載されているように、請求項
１の半導体装置において、信号リード同士の間及び信号
リード群と少なくともダイパッド吊りリードとの間を連
結するダムバーが封止後に除去されていることが好まし
い。
１の半導体装置において、信号リード同士の間及び信号
リード群と少なくともダイパッド吊りリードとの間を連
結するダムバーが封止後に除去されていることが好まし
い。
【００１０】これにより、樹脂封止される際にダムバー
によって信号リード同士が連結されているので、信号リ
ードの変形が抑制されて歩留りが高い半導体装置が実現
される。
によって信号リード同士が連結されているので、信号リ
ードの変形が抑制されて歩留りが高い半導体装置が実現
される。
【００１１】請求項３に記載されているように、請求項
２の半導体装置において、ダムバーは絶縁性物質からな
ることとすることができる。
２の半導体装置において、ダムバーは絶縁性物質からな
ることとすることができる。
【００１２】これにより、ダムバーが絶縁性樹脂からな
ることによって、非接触で容易にダムバーが分離される
ので、間隔が狭い信号リードを有する半導体装置が実現
される。
ることによって、非接触で容易にダムバーが分離される
ので、間隔が狭い信号リードを有する半導体装置が実現
される。
【００１３】請求項４に記載されているように、請求項
１の半導体装置において、放熱吊りリードは、信号リー
ドよりも幅が広いことが好ましい。
１の半導体装置において、放熱吊りリードは、信号リー
ドよりも幅が広いことが好ましい。
【００１４】これにより、半導体チップにおいて発生し
た熱が、広幅の放熱吊りリードを経由して半導体装置の
外部へといっそう効果的に放出されるので、放熱性が更
に向上してより高い信頼性を有する半導体装置が実現さ
れる。
た熱が、広幅の放熱吊りリードを経由して半導体装置の
外部へといっそう効果的に放出されるので、放熱性が更
に向上してより高い信頼性を有する半導体装置が実現さ
れる。
【００１５】請求項５に記載されているように、請求項
４の半導体装置において、放熱吊りリードは、外方側端
部において両端を残して中央部が除去されていることが
好ましい。
４の半導体装置において、放熱吊りリードは、外方側端
部において両端を残して中央部が除去されていることが
好ましい。
【００１６】これにより、封止樹脂から露出する放熱吊
りリードの断面において、バリ等がない滑らかな形状を
有する半導体装置が実現される。
りリードの断面において、バリ等がない滑らかな形状を
有する半導体装置が実現される。
【００１７】請求項６に記載されているように、請求項
１の半導体装置において、ダイパッドは矩形であり、ダ
イパッド吊りリードはダイパッドの長辺側の中央部に形
成され、放熱吊りリードはダイパッドの短辺側の中央部
に形成されたこととすることが好ましい。
１の半導体装置において、ダイパッドは矩形であり、ダ
イパッド吊りリードはダイパッドの長辺側の中央部に形
成され、放熱吊りリードはダイパッドの短辺側の中央部
に形成されたこととすることが好ましい。
【００１８】これにより、ダイパッドの長辺側の中央部
に形成されたダイパッド吊りリードと、短辺側の中央部
に形成された放熱吊りリードとの機械的強度が増大す
る。したがって、樹脂封止される際に、ダイパッドの回
転運動と上下への移動とが抑制されるので、成形異常が
抑制されて歩留りが高い半導体装置が実現される。
に形成されたダイパッド吊りリードと、短辺側の中央部
に形成された放熱吊りリードとの機械的強度が増大す
る。したがって、樹脂封止される際に、ダイパッドの回
転運動と上下への移動とが抑制されるので、成形異常が
抑制されて歩留りが高い半導体装置が実現される。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置につい
て、図１を参照しながら説明する。図１は、リードフレ
ームから分離される前の状態における本発明に係る半導
体装置を示す平面図である。図１において、１０は半導
体チップ１７が載置される四角形のダイパッド、１１
Ａ，１１Ｂはそれぞれリードフレームの外枠、１２はリ
ードフレームの中心線Ｃに沿って形成されダイパッド１
０を外枠１１Ａに接続し支持するためのダイパッド吊り
リード、１３は金属細線等を介して半導体チップ１７の
電極と電気的に接続されるインナーリード、１４は各イ
ンナーリード１３から延びるように形成され半導体装置
の外部端子として機能するアウターリード、１５はリー
ドフレームと一体的に形成されアウターリード１４をそ
れぞれ連結し外枠１１Ｂとダイパッド吊りリード１２と
に固定するためのダムバー、１６はダイパッド１０から
外枠１１Ｂの方へ延び外枠１１Ｂと一体的に形成され、
樹脂封止後にパッケージ状態の半導体装置を外枠１１Ｂ
に接続し支持するとともに、半導体チップ１７において
発生した熱を半導体装置の外部へと放出するための放熱
吊りリード、１７は半導体チップ、１８は半導体チップ
１７を封止するための封止樹脂である。インナーリード
１３とアウターリード１４とは、併せて信号リードを構
成する。
て、図１を参照しながら説明する。図１は、リードフレ
ームから分離される前の状態における本発明に係る半導
体装置を示す平面図である。図１において、１０は半導
体チップ１７が載置される四角形のダイパッド、１１
Ａ，１１Ｂはそれぞれリードフレームの外枠、１２はリ
ードフレームの中心線Ｃに沿って形成されダイパッド１
０を外枠１１Ａに接続し支持するためのダイパッド吊り
リード、１３は金属細線等を介して半導体チップ１７の
電極と電気的に接続されるインナーリード、１４は各イ
ンナーリード１３から延びるように形成され半導体装置
の外部端子として機能するアウターリード、１５はリー
ドフレームと一体的に形成されアウターリード１４をそ
れぞれ連結し外枠１１Ｂとダイパッド吊りリード１２と
に固定するためのダムバー、１６はダイパッド１０から
外枠１１Ｂの方へ延び外枠１１Ｂと一体的に形成され、
樹脂封止後にパッケージ状態の半導体装置を外枠１１Ｂ
に接続し支持するとともに、半導体チップ１７において
発生した熱を半導体装置の外部へと放出するための放熱
吊りリード、１７は半導体チップ、１８は半導体チップ
１７を封止するための封止樹脂である。インナーリード
１３とアウターリード１４とは、併せて信号リードを構
成する。
【００２０】上述の構造によって、樹脂封止後におい
て、ダムバー１５が各アウターリード１４同士の間、外
枠１１Ｂとの間、及びダイパッド吊りリード１２との間
でそれぞれ切断され、かつ、各アウターリード１４及び
ダイパッド吊りリード１２と外枠１１Ａとの間がそれぞ
れ切断された後も、パッケージ状態の半導体装置はパッ
ケージ吊りリード１６によって外枠１１Ｂに支持され
る。
て、ダムバー１５が各アウターリード１４同士の間、外
枠１１Ｂとの間、及びダイパッド吊りリード１２との間
でそれぞれ切断され、かつ、各アウターリード１４及び
ダイパッド吊りリード１２と外枠１１Ａとの間がそれぞ
れ切断された後も、パッケージ状態の半導体装置はパッ
ケージ吊りリード１６によって外枠１１Ｂに支持され
る。
【００２１】ここで、本発明に係る半導体装置の特徴
は、ダイパッド１０から延びる放熱吊りリード１６が封
止樹脂１８から露出している点である。すなわち、従来
はダイパッド吊りリード１２を介して半導体装置の外部
へ熱を放出していただけのダイパッド１０が、放熱吊り
リード１６をも介して熱を放出する。このことによっ
て、完成後の半導体装置の半導体チップ１７において発
生した熱が、ダイパッド吊りリード１２だけでなく放熱
吊りリード１６をも介して、いっそう効果的に半導体装
置の外部へと放出される。
は、ダイパッド１０から延びる放熱吊りリード１６が封
止樹脂１８から露出している点である。すなわち、従来
はダイパッド吊りリード１２を介して半導体装置の外部
へ熱を放出していただけのダイパッド１０が、放熱吊り
リード１６をも介して熱を放出する。このことによっ
て、完成後の半導体装置の半導体チップ１７において発
生した熱が、ダイパッド吊りリード１２だけでなく放熱
吊りリード１６をも介して、いっそう効果的に半導体装
置の外部へと放出される。
【００２２】本発明に係る半導体装置についてプリント
基板実装後における熱抵抗を測定したところ、従来の半
導体装置に比べて５％程度低下していた。これは、半導
体チップ１７において発生する熱が放熱吊りリード１６
を介してパッケージ表面へ伝導するという新たな放熱経
路が形成されたために、半導体装置全体の放熱性が向上
したことによるものである。
基板実装後における熱抵抗を測定したところ、従来の半
導体装置に比べて５％程度低下していた。これは、半導
体チップ１７において発生する熱が放熱吊りリード１６
を介してパッケージ表面へ伝導するという新たな放熱経
路が形成されたために、半導体装置全体の放熱性が向上
したことによるものである。
【００２３】以上説明したように、本発明によれば、ダ
イパッド１０に一体的に設けられた放熱吊りリード１６
により、半導体チップ１７において発生する熱が効果的
に半導体装置の外部へ放出され放熱性が向上するので、
高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
イパッド１０に一体的に設けられた放熱吊りリード１６
により、半導体チップ１７において発生する熱が効果的
に半導体装置の外部へ放出され放熱性が向上するので、
高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
【００２４】また、ダイパッド１０に載置された半導体
チップ１７が樹脂封止される際に、放熱吊りリード１６
により、ダイパッド１０の上下運動と中心線Ｃを中心と
した回転運動とが抑制される。したがって、機械的強度
が向上することにより、封止樹脂厚が薄い場合であって
も樹脂封止工程における成形異常の発生が抑制されるの
で、半導体装置の歩留りを向上できる。
チップ１７が樹脂封止される際に、放熱吊りリード１６
により、ダイパッド１０の上下運動と中心線Ｃを中心と
した回転運動とが抑制される。したがって、機械的強度
が向上することにより、封止樹脂厚が薄い場合であって
も樹脂封止工程における成形異常の発生が抑制されるの
で、半導体装置の歩留りを向上できる。
【００２５】また、アウターリード１５同士と外枠１１
Ｂとダイパッド吊りリード１２とが、ダムバー１５によ
って互いに連結されているので、樹脂封止される際のア
ウターリード１５の変形が抑制されて半導体装置の歩留
りを向上できる。
Ｂとダイパッド吊りリード１２とが、ダムバー１５によ
って互いに連結されているので、樹脂封止される際のア
ウターリード１５の変形が抑制されて半導体装置の歩留
りを向上できる。
【００２６】また、本発明によれば、従来の製造工程を
そのまま利用して製造できる半導体装置が実現される。
そのまま利用して製造できる半導体装置が実現される。
【００２７】また、半導体装置の形状、寸法や外部端子
の端子間ピッチ等が従来と同一なので、プリント基板に
実装する場合に従来と同様に取扱える半導体装置が実現
される。
の端子間ピッチ等が従来と同一なので、プリント基板に
実装する場合に従来と同様に取扱える半導体装置が実現
される。
【００２８】なお、放熱吊りリード１６の幅をインナー
リード１３，アウターリード１４の幅より広くして形成
することにより、半導体装置の放熱性が向上される効果
と樹脂封止工程における成形異常が抑制される効果とを
いっそう高めることができる。
リード１３，アウターリード１４の幅より広くして形成
することにより、半導体装置の放熱性が向上される効果
と樹脂封止工程における成形異常が抑制される効果とを
いっそう高めることができる。
【００２９】また、図１に示すように、放熱吊りリード
１６が外枠１１Ｂに接続される部分において、放熱吊り
リード１６の両端部を残し中央部を除去しておくことが
好ましい。このことにより、アウターリード１４が切断
されフォーミングされた後に、パッケージ状態の半導体
装置が外枠１１Ｂから容易に分離されるので、封止樹脂
１８から露出する放熱吊りリードの断面において、バリ
等がない滑らかな形状が形成される。
１６が外枠１１Ｂに接続される部分において、放熱吊り
リード１６の両端部を残し中央部を除去しておくことが
好ましい。このことにより、アウターリード１４が切断
されフォーミングされた後に、パッケージ状態の半導体
装置が外枠１１Ｂから容易に分離されるので、封止樹脂
１８から露出する放熱吊りリードの断面において、バリ
等がない滑らかな形状が形成される。
【００３０】また、図１に示すように、放熱吊りリード
１６をリードフレームの中心線Ｃに直交して形成するこ
とが好ましい。このことにより、放熱吊りリード１６と
中心線Ｃに沿って形成されたダイパッド吊りリード１２
とが直交して機械的強度がいっそう向上されるので、樹
脂封止工程における成形異常が抑制されて歩留りが更に
向上した半導体装置が実現される。
１６をリードフレームの中心線Ｃに直交して形成するこ
とが好ましい。このことにより、放熱吊りリード１６と
中心線Ｃに沿って形成されたダイパッド吊りリード１２
とが直交して機械的強度がいっそう向上されるので、樹
脂封止工程における成形異常が抑制されて歩留りが更に
向上した半導体装置が実現される。
【００３１】また、ダムバー１５がリードフレームと一
体的に形成された場合について説明したが、これに限ら
ず、例えばノズルによる吐出又はスクリーン印刷により
ポリイミド等の絶縁性樹脂を用いてダムバーを形成し、
樹脂封止後に薬液やレーザー等を用いてダムバーを分離
する構成としてもよい。これにより、非接触でダムバー
が容易に分離されるので、ダムバーが機械的に切断され
る場合と比較して、信号リードの間隔が小さい、つまり
信号リードの狭ピッチ化に対応する半導体装置が実現さ
れる。
体的に形成された場合について説明したが、これに限ら
ず、例えばノズルによる吐出又はスクリーン印刷により
ポリイミド等の絶縁性樹脂を用いてダムバーを形成し、
樹脂封止後に薬液やレーザー等を用いてダムバーを分離
する構成としてもよい。これにより、非接触でダムバー
が容易に分離されるので、ダムバーが機械的に切断され
る場合と比較して、信号リードの間隔が小さい、つまり
信号リードの狭ピッチ化に対応する半導体装置が実現さ
れる。
【００３２】また、半導体装置の相対する２辺にアウタ
ーリード、つまり外部電極が配置された半導体装置につ
いて説明したが、半導体装置のすべての辺に外部電極が
配置された構成も実現可能である。
ーリード、つまり外部電極が配置された半導体装置につ
いて説明したが、半導体装置のすべての辺に外部電極が
配置された構成も実現可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップにおいて
発生した熱がそれぞれ放熱吊りリードとダイパッド吊り
リードとを経由して半導体装置の外部へと効果的に放出
されるので、放熱性が向上して高い信頼性を有する半導
体装置が実現される。また、機械的強度が増大するの
で、樹脂封止される際に成形異常が抑制されて歩留りが
高い半導体装置が実現される。
発生した熱がそれぞれ放熱吊りリードとダイパッド吊り
リードとを経由して半導体装置の外部へと効果的に放出
されるので、放熱性が向上して高い信頼性を有する半導
体装置が実現される。また、機械的強度が増大するの
で、樹脂封止される際に成形異常が抑制されて歩留りが
高い半導体装置が実現される。
【図１】リードフレームから分離される前の状態におけ
る本発明に係る半導体装置を示す平面図である。
る本発明に係る半導体装置を示す平面図である。
【図２】リードフレームから分離される前の状態におけ
る従来の半導体装置を示す平面図である。
る従来の半導体装置を示す平面図である。
１０ ダイパッド １１Ａ，１１Ｂ 外枠 １２ ダイパッド吊りリード １３ インナーリード １４ アウターリード １５ ダムバー １６ 放熱吊りリード １７ 半導体チップ １８ 封止樹脂 Ｃ 中心線
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップと、 前記半導体チップが載置されるダイパッドと、 前記ダイパッドの周囲にそれぞれ形成され、内方側端部
で前記半導体チップの電極と電気的に接続され、外方側
端部が外部電極として機能する信号リードからなる信号
リード群と、 前記ダイパッドを支持するためのダイパッド吊りリード
と、 前記ダイパッドから延びる放熱吊りリードと、 前記信号リードの外方側端部を除く部分と前記半導体チ
ップとダイパッドとダイパッド吊りリードと放熱吊りリ
ードとを封止する封止樹脂とを備え、 前記ダイパッド吊りリードと放熱吊りリードとは外方側
端部において前記封止樹脂の側面に露出していることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記信号リード同士の間及び前記信号リード群と少なく
とも前記ダイパッド吊りリードとの間を連結するダムバ
ーが前記封止後に除去されていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、 前記ダムバーは絶縁性物質からなることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、 前記放熱吊りリードは、前記信号リードよりも幅が広い
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置において、 前記放熱吊りリードは、外方側端部において両端を残し
て中央部が除去されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置において、 前記ダイパッドは矩形であり、 前記ダイパッド吊りリードは前記ダイパッドの長辺側の
中央部に形成され、 前記放熱吊りリードは前記ダイパッドの短辺側の中央部
に形成されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9421798A JPH11297916A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9421798A JPH11297916A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297916A true JPH11297916A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14104158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9421798A Pending JPH11297916A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919644B2 (en) | 2000-09-21 | 2005-07-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby |
| US10658275B2 (en) | 2016-02-02 | 2020-05-19 | Ablic Inc. | Resin-encapsulated semiconductor device |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP9421798A patent/JPH11297916A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919644B2 (en) | 2000-09-21 | 2005-07-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby |
| US10658275B2 (en) | 2016-02-02 | 2020-05-19 | Ablic Inc. | Resin-encapsulated semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030408 |