JP2000228537A - ＩｎＸＡｌＹＧａＺＮ発光素子及びその製造方法 - Google Patents
ＩｎＸＡｌＹＧａＺＮ発光素子及びその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 244000182067 Fraxinus ornus Species 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0215—Bonding to the substrate
- H01S5/0216—Bonding to the substrate using an intermediate compound, e.g. a glue or solder
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩｎＡｌＧａＮ発光素子製造の際に、比較的単
純な方法で基板の除去を行う。 【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ発光素子（２０）は、サフ
ァイア等の除去できる成長基板（３０）上に成長され
る。反射性のオーム接触部（１８）はそのｐ型ＩｎＡｌ
ＧａＮ層（２０ａ）上に形成される。その後ＩｎＡｌＧ
ａＮ構造体を、ＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０）とホスト
基板（１２）との間に挟まるボンディング層（１６）の
手段によりホスト基板（２０）へとボンディングする。
ボンディング層は、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられ
る第１のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板（１
２）側に設けられる第２のボンディング層（１６ｂ）と
を含む。ボンディングの後、サファイア成長基板（３
０）は、基板除去技術を使って除去され、その後それら
のＩｎＡｌＧａＮ層がパターニング及びエッチングされ
て電流注入型発光素子が完成する。
純な方法で基板の除去を行う。 【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ発光素子（２０）は、サフ
ァイア等の除去できる成長基板（３０）上に成長され
る。反射性のオーム接触部（１８）はそのｐ型ＩｎＡｌ
ＧａＮ層（２０ａ）上に形成される。その後ＩｎＡｌＧ
ａＮ構造体を、ＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０）とホスト
基板（１２）との間に挟まるボンディング層（１６）の
手段によりホスト基板（２０）へとボンディングする。
ボンディング層は、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられ
る第１のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板（１
２）側に設けられる第２のボンディング層（１６ｂ）と
を含む。ボンディングの後、サファイア成長基板（３
０）は、基板除去技術を使って除去され、その後それら
のＩｎＡｌＧａＮ層がパターニング及びエッチングされ
て電流注入型発光素子が完成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には半導体
発光素子の分野に関し、より具体的には高効率でコスト
効率の良いＩｎＡｌＧａＮ装置及びその製造方法に関す
る。
発光素子の分野に関し、より具体的には高効率でコスト
効率の良いＩｎＡｌＧａＮ装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明の解決すべき課題】サファイア
は、そのエピタキシャル成長工程の高温アンモニア雰囲
気中における安定性の為、高効率のＩｎＡｌＧａＮ発光
素子を成長させる為の基板として望ましいものであるこ
とは実証されている。しかしながら、サファイアは熱伝
導率が悪い絶縁体であり、これにより素子は通常とは異
なる非効率的なデザインとなってしまう。サファイア上
に成長させた代表的なＬＥＤ構造は上面に２つの電気接
触部と、そのｐ型接触部上に電流を広げる為の半透明の
金属層とを有する。これは接触部を半導体装置の上面に
１つ、そして底面に１つ設けた、ＧａＡｓ又はＧａＰの
ような導電体基板上に形成したＬＥＤにおける通常の縦
型構造の電流の流れとは対照的である。サファイアＬＥ
Ｄ上の上面の２つの接触部は装置の有効発光面積を狭め
てしまうのである。
は、そのエピタキシャル成長工程の高温アンモニア雰囲
気中における安定性の為、高効率のＩｎＡｌＧａＮ発光
素子を成長させる為の基板として望ましいものであるこ
とは実証されている。しかしながら、サファイアは熱伝
導率が悪い絶縁体であり、これにより素子は通常とは異
なる非効率的なデザインとなってしまう。サファイア上
に成長させた代表的なＬＥＤ構造は上面に２つの電気接
触部と、そのｐ型接触部上に電流を広げる為の半透明の
金属層とを有する。これは接触部を半導体装置の上面に
１つ、そして底面に１つ設けた、ＧａＡｓ又はＧａＰの
ような導電体基板上に形成したＬＥＤにおける通常の縦
型構造の電流の流れとは対照的である。サファイアＬＥ
Ｄ上の上面の２つの接触部は装置の有効発光面積を狭め
てしまうのである。
【０００３】更に、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層の低い導電率
の為にｐ型半導体層上に電流を拡散する半透明の金属層
を必要とする。サファイアの屈折率（約１．７）も、そ
の上に形成するＩｎＡｌＧａＮ層（屈折率は約２．２乃
至２．６）より低い。結果的に、この屈折率の不一致
（サファイアの方が低い）により、吸収性の半透明ｐ型
側電流拡散メタライゼーション（金属層）とサファイア
との間に光の導波作用が生じる。この結果、市販のＩｎ
ＡｌＧａＮ装置においては、生じた光の１０乃至７０％
が半透明金属層により吸収されてしまうことになる。
の為にｐ型半導体層上に電流を拡散する半透明の金属層
を必要とする。サファイアの屈折率（約１．７）も、そ
の上に形成するＩｎＡｌＧａＮ層（屈折率は約２．２乃
至２．６）より低い。結果的に、この屈折率の不一致
（サファイアの方が低い）により、吸収性の半透明ｐ型
側電流拡散メタライゼーション（金属層）とサファイア
との間に光の導波作用が生じる。この結果、市販のＩｎ
ＡｌＧａＮ装置においては、生じた光の１０乃至７０％
が半透明金属層により吸収されてしまうことになる。
【０００４】ウエハボンディングは、直接ボンディング
及びメタルボンディングの２つの基本的カテゴリーに分
類することが出来る。直接ボンディングにおいては、２
枚のウエハを融解し、ボンディング界面に加わる重量を
利用して接合する。直接ウエハボンディングは半導体、
酸化物及び誘電体材料のいずれの組み合わせであっても
実行可能である。これは通常は高温（＞４００℃）の一
軸圧力下で行われる。好適な直接ウエハボンディング技
術がＫｉｓｈｉ等による米国特許第５，５０２，３１６
号に記述されている。メタルボンディングにおいては、
金属層をボンディングする２枚の基板の間に形成して接
着する。この金属層は能動素子、基板又はその両方のい
ずれかに対するオーム接触として働くようにしても良
い。メタルボンディングの一例が、超小型・光電子産業
において素子を基板へと逆に接着する為に採用されてい
るフリップチップボンディングである。フリップチップ
ボンディングは素子の放熱性を改善する為に採用されて
いる為、基板の除去は素子の構造に依存し、また、メタ
ルボンディング層として従来から条件とされるのは、導
電性と機械的強度のみである。
及びメタルボンディングの２つの基本的カテゴリーに分
類することが出来る。直接ボンディングにおいては、２
枚のウエハを融解し、ボンディング界面に加わる重量を
利用して接合する。直接ウエハボンディングは半導体、
酸化物及び誘電体材料のいずれの組み合わせであっても
実行可能である。これは通常は高温（＞４００℃）の一
軸圧力下で行われる。好適な直接ウエハボンディング技
術がＫｉｓｈｉ等による米国特許第５，５０２，３１６
号に記述されている。メタルボンディングにおいては、
金属層をボンディングする２枚の基板の間に形成して接
着する。この金属層は能動素子、基板又はその両方のい
ずれかに対するオーム接触として働くようにしても良
い。メタルボンディングの一例が、超小型・光電子産業
において素子を基板へと逆に接着する為に採用されてい
るフリップチップボンディングである。フリップチップ
ボンディングは素子の放熱性を改善する為に採用されて
いる為、基板の除去は素子の構造に依存し、また、メタ
ルボンディング層として従来から条件とされるのは、導
電性と機械的強度のみである。
【０００５】垂直共振器型光電素子構造は、ドーピング
されているか、ドーピングされていない、或はｐｎ接合
を含んだ閉じ込め層に挟まれた発光層により形成される
活性領域から構成されるものと定義される。また、この
構造には発光層に対して垂直の方向にファブリ−ペロー
共振器を形成する反射ミラーが少なくとも１つ含まれ
る。ＧａＮ／ＩｎxＡｌyＧａzＮ／ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ
＋ｙ＋ｚ＝０．５）材料系において垂直共振器型光電素
子構造を製作すると、他のＩＩＩ−Ｖ族材料系とは異な
る問題が生じる。高い光学品質を持つＩｎxＡｌyＧａz
Ｎ構造を作ることが難しいのである。ＩｎxＡｌyＧａz
Ｎ素子の主な問題は電流の広がりである。ｐ型材料中に
おける縦の電流の広がりは、ｎ型材料におけるそれより
も最高で３０倍も小さい。更に、基板の低熱伝導率の為
に最適な放熱を行うには素子のｐ型側を下にして取り付
けなければならず、素子のデザインがより複雑になって
しまう。
されているか、ドーピングされていない、或はｐｎ接合
を含んだ閉じ込め層に挟まれた発光層により形成される
活性領域から構成されるものと定義される。また、この
構造には発光層に対して垂直の方向にファブリ−ペロー
共振器を形成する反射ミラーが少なくとも１つ含まれ
る。ＧａＮ／ＩｎxＡｌyＧａzＮ／ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ
＋ｙ＋ｚ＝０．５）材料系において垂直共振器型光電素
子構造を製作すると、他のＩＩＩ−Ｖ族材料系とは異な
る問題が生じる。高い光学品質を持つＩｎxＡｌyＧａz
Ｎ構造を作ることが難しいのである。ＩｎxＡｌyＧａz
Ｎ素子の主な問題は電流の広がりである。ｐ型材料中に
おける縦の電流の広がりは、ｎ型材料におけるそれより
も最高で３０倍も小さい。更に、基板の低熱伝導率の為
に最適な放熱を行うには素子のｐ型側を下にして取り付
けなければならず、素子のデザインがより複雑になって
しまう。
【０００６】垂直共振器型光電素子構造の１つ（例えば
垂直共振器型面発光レーザ又はＶＣＳＥＬ）は、反射率
が例えば９９．５％といった高品質なミラーを必要とす
る。高品質ミラーを実現する為の一手法は、半導体成長
技術を利用したものである。ＶＣＳＥＬに好適な分布反
射器（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）に必要
とされる高い反射率（＞９９％）に到達するには、クラ
ックやドーパントの混入等、半導体ＩｎxＡｌyＧａzＮ
ＤＢＲを成長させる為の材料に関する深刻な問題があ
る。これらのミラーには、インジウム・アルミニウム・
ガリウム窒化物（ＩｎxＡｌyＧａzＮ／Ｉｎx ’Ａｌy ’
Ｇａz ’Ｎ）構成体の交互の周期／層を数多く必要とす
る。誘電体ＤＢＲ（Ｄ−ＤＢＲ）は、半導体ＤＢＲとは
対照的にＩｎxＡｌyＧａzＮ系によるスペクトル領域幅
において９９％を越える反射率を持たせることが比較的
に容易に出来る。これらのミラーは代表的には蒸着又は
スパッタリング技術により形成されるが、分子線エピタ
キシー法（ＭＢＥ）及び有機金属化学気相蒸着法（ＭＯ
ＣＶＤ）を利用しても良い。しかしながら、ホスト基板
を除去しない限りはＤ−ＤＢＲの形成は活性領域の１面
のみにしか行うことが出来ない。もし、Ｄ−ＤＢＲをＩ
ｎxＡｌyＧａzＮ活性領域の両面にボンディング或は堆
積することがかなえば、垂直共振器型光電素子構造体の
作製はかなり容易になるであろう。
垂直共振器型面発光レーザ又はＶＣＳＥＬ）は、反射率
が例えば９９．５％といった高品質なミラーを必要とす
る。高品質ミラーを実現する為の一手法は、半導体成長
技術を利用したものである。ＶＣＳＥＬに好適な分布反
射器（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）に必要
とされる高い反射率（＞９９％）に到達するには、クラ
ックやドーパントの混入等、半導体ＩｎxＡｌyＧａzＮ
ＤＢＲを成長させる為の材料に関する深刻な問題があ
る。これらのミラーには、インジウム・アルミニウム・
ガリウム窒化物（ＩｎxＡｌyＧａzＮ／Ｉｎx ’Ａｌy ’
Ｇａz ’Ｎ）構成体の交互の周期／層を数多く必要とす
る。誘電体ＤＢＲ（Ｄ−ＤＢＲ）は、半導体ＤＢＲとは
対照的にＩｎxＡｌyＧａzＮ系によるスペクトル領域幅
において９９％を越える反射率を持たせることが比較的
に容易に出来る。これらのミラーは代表的には蒸着又は
スパッタリング技術により形成されるが、分子線エピタ
キシー法（ＭＢＥ）及び有機金属化学気相蒸着法（ＭＯ
ＣＶＤ）を利用しても良い。しかしながら、ホスト基板
を除去しない限りはＤ−ＤＢＲの形成は活性領域の１面
のみにしか行うことが出来ない。もし、Ｄ−ＤＢＲをＩ
ｎxＡｌyＧａzＮ活性領域の両面にボンディング或は堆
積することがかなえば、垂直共振器型光電素子構造体の
作製はかなり容易になるであろう。
【０００７】Ｄｕｄｌｅｙ等による「Ｌｏｗ ｔｈｒｅ
ｓｈｏｌｄ，ｗａｆｅｒ ｆｕｓｅｄ ｌｏｎｇ ｗａ
ｖｅｌｅｎｇｔｈ ｖｅｒｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ
ｌａｓｅｒｓ」（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．６４、Ｎｏ．１２、１９９４、
ｐｐ１４６３−１４６５）には、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ半
導体ＤＢＲを垂直共振器型構造の一面に直接ボンディン
グする方法が記述されている。一方で、ＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ間の大きな屈折率差を利用する為にＩｎＧａＡｓＰ
ＶＣＳＥＬの両面に直接ウエハボンディングした半導
体ＤＢＲが、Ｂａｂｉｃ等による「Ｒｏｏｍ−Ｔｅｍｐ
ｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ Ｏ
ｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ １．４３０μｍ Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ Ｌａｓｅｒｓ」（ＩＥＥＥ Ｐ
ｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ、Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．１１、１９９５年１１月）に
示されている。以下にも説明するが、Ｄ−ＤＢＲのＩｎ
xＡｌyＧａzＮへのウエハボンディングは半導体−半導
体ウエハボンディングよりもかなり複雑であり、従来技
術においては知られていなかった。
ｓｈｏｌｄ，ｗａｆｅｒ ｆｕｓｅｄ ｌｏｎｇ ｗａ
ｖｅｌｅｎｇｔｈ ｖｅｒｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ
ｌａｓｅｒｓ」（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．６４、Ｎｏ．１２、１９９４、
ｐｐ１４６３−１４６５）には、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ半
導体ＤＢＲを垂直共振器型構造の一面に直接ボンディン
グする方法が記述されている。一方で、ＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ間の大きな屈折率差を利用する為にＩｎＧａＡｓＰ
ＶＣＳＥＬの両面に直接ウエハボンディングした半導
体ＤＢＲが、Ｂａｂｉｃ等による「Ｒｏｏｍ−Ｔｅｍｐ
ｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ Ｏ
ｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ １．４３０μｍ Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ Ｌａｓｅｒｓ」（ＩＥＥＥ Ｐ
ｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ、Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．１１、１９９５年１１月）に
示されている。以下にも説明するが、Ｄ−ＤＢＲのＩｎ
xＡｌyＧａzＮへのウエハボンディングは半導体−半導
体ウエハボンディングよりもかなり複雑であり、従来技
術においては知られていなかった。
【０００８】Ｃｈｕａ等による「Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌｌｙ−Ｂｏｎｄｅｄ ＬｏｎｇＷａｖｅｌｅｎｇｔ
ｈ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｌａｓｅｒ ｏ
ｎＧａＡｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｓｔ
ｒａｉｎ−Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌｓ」（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔ
ｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ、
Ｖｏｌ．５、Ｎｏ．１２、１９９４年１２月）には、ス
ピンオングラス層の手段によりＩｎＧａＡｓＰレーザに
接着したＡｌＡｓ／ＧａＡｓ半導体ＤＢＲが開示されて
いる。ＶＣＳＥＬにおける活性層とＤＢＲとのボンディ
ング用の材料としては、スピンオングラスは好適ではな
く、これはスピンオングラスの正確な厚さを制御するこ
とが困難である為にＶＣＳＥＬ共振器に必要とされる明
確な層制御が出来ないからである。加えて、スピンオン
グラスの特性が不均質である場合もあり、これにより空
洞中で散乱や他の損失が生じてしまう。
ａｌｌｙ−Ｂｏｎｄｅｄ ＬｏｎｇＷａｖｅｌｅｎｇｔ
ｈ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｌａｓｅｒ ｏ
ｎＧａＡｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｓｔ
ｒａｉｎ−Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌｓ」（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔ
ｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ、
Ｖｏｌ．５、Ｎｏ．１２、１９９４年１２月）には、ス
ピンオングラス層の手段によりＩｎＧａＡｓＰレーザに
接着したＡｌＡｓ／ＧａＡｓ半導体ＤＢＲが開示されて
いる。ＶＣＳＥＬにおける活性層とＤＢＲとのボンディ
ング用の材料としては、スピンオングラスは好適ではな
く、これはスピンオングラスの正確な厚さを制御するこ
とが困難である為にＶＣＳＥＬ共振器に必要とされる明
確な層制御が出来ないからである。加えて、スピンオン
グラスの特性が不均質である場合もあり、これにより空
洞中で散乱や他の損失が生じてしまう。
【０００９】ＶＣＳＥＬに適した反射率（例えば＞９９
％）をＡｌxＧａ1-xＮ／ＧａＮの半導体ＤＢＲミラーの
対に持たせるように光学ミラー成長を図ることは困難で
ある。反射率の理論上の計算では、必要とされる高屈折
率を得るには低屈折率のＡｌ xＧａ1-xＮ層のＡｌ組成比
を増大させること、及び／又はより多くの層周期を含ま
せることによってのみ得ることが出来る高い屈折率コン
トラストが必要であることが示唆されている（材料特性
はＡｍｂａｃｈｅｒ等による「ＭＲＳ Ｉｎｔｅｒｎｅ
ｔ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ」、２（２２）
１９９７から得た）。これらの手法ではいずれも非常な
困難を生じることになる。電流がＤＢＲ層を通じて運ば
れる場合、ＤＢＲは導電性であることが必要である。充
分な導電率を持たせるには、Ａｌ xＧａ1-xＮ層は適切に
ドーピングされていなければならない。Ｓｉ（ｎ型）の
ドーピングの場合はＡｌ組成比を５０％未満にまで、そ
してＭｇ（ｐ型）のドーピングの場合は１７％未満にま
で減じない限りは、ドーパントの混入は不十分なのであ
る。しかしながら、低Ａｌ組成比の層を使って充分な反
射率を得る為に必要な数の層周期にすると、ＡｌxＧａ
1-xＮ材料全体の厚みが大きくならざるを得ず、エピタ
キシャル層のクラックの危険性を増大させ、組成の制御
性を悪くしてしまうのである。実際、図１のＡｌ0.30Ｇ
ａ0.70Ｎ／ＧａＮのスタック構造は既に最高２．５μｍ
もの厚みとなっており、しかもＶＣＳＥＬに充分と言え
る反射率からは程遠いのである。従って、この層の対を
使って高い反射率のＤＢＲを得るには、全体の厚みを
２．５μｍに比べて大幅に越えるものとしなければなら
ず、ＡｌＮ及びＧａＮ成長温度が異なる条件下では信頼
に足る成長を行うことは困難なのである。層がドーピン
グされておらず、クラックが大きな問題にはならない場
合であっても、高反射率を持つＤＢＲの成長には組成制
御及びＡｌＮ／ＧａＮ成長温度がここでも大きな困難の
種となる。従って、ＤＢＲが電流を流す必要が無い場合
においても、ＩｎxＡｌyＧａzＮ材料系における９９％
を越える反射率のミラースタック構造は、未だ実現され
ていないのである。この理由によって誘電体を使用する
ＤＢＲミラーが好まれるのである。
％）をＡｌxＧａ1-xＮ／ＧａＮの半導体ＤＢＲミラーの
対に持たせるように光学ミラー成長を図ることは困難で
ある。反射率の理論上の計算では、必要とされる高屈折
率を得るには低屈折率のＡｌ xＧａ1-xＮ層のＡｌ組成比
を増大させること、及び／又はより多くの層周期を含ま
せることによってのみ得ることが出来る高い屈折率コン
トラストが必要であることが示唆されている（材料特性
はＡｍｂａｃｈｅｒ等による「ＭＲＳ Ｉｎｔｅｒｎｅ
ｔ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ」、２（２２）
１９９７から得た）。これらの手法ではいずれも非常な
困難を生じることになる。電流がＤＢＲ層を通じて運ば
れる場合、ＤＢＲは導電性であることが必要である。充
分な導電率を持たせるには、Ａｌ xＧａ1-xＮ層は適切に
ドーピングされていなければならない。Ｓｉ（ｎ型）の
ドーピングの場合はＡｌ組成比を５０％未満にまで、そ
してＭｇ（ｐ型）のドーピングの場合は１７％未満にま
で減じない限りは、ドーパントの混入は不十分なのであ
る。しかしながら、低Ａｌ組成比の層を使って充分な反
射率を得る為に必要な数の層周期にすると、ＡｌxＧａ
1-xＮ材料全体の厚みが大きくならざるを得ず、エピタ
キシャル層のクラックの危険性を増大させ、組成の制御
性を悪くしてしまうのである。実際、図１のＡｌ0.30Ｇ
ａ0.70Ｎ／ＧａＮのスタック構造は既に最高２．５μｍ
もの厚みとなっており、しかもＶＣＳＥＬに充分と言え
る反射率からは程遠いのである。従って、この層の対を
使って高い反射率のＤＢＲを得るには、全体の厚みを
２．５μｍに比べて大幅に越えるものとしなければなら
ず、ＡｌＮ及びＧａＮ成長温度が異なる条件下では信頼
に足る成長を行うことは困難なのである。層がドーピン
グされておらず、クラックが大きな問題にはならない場
合であっても、高反射率を持つＤＢＲの成長には組成制
御及びＡｌＮ／ＧａＮ成長温度がここでも大きな困難の
種となる。従って、ＤＢＲが電流を流す必要が無い場合
においても、ＩｎxＡｌyＧａzＮ材料系における９９％
を越える反射率のミラースタック構造は、未だ実現され
ていないのである。この理由によって誘電体を使用する
ＤＢＲミラーが好まれるのである。
【００１０】半導体素子は、一度に数千〜数万個単位で
ウエハ上に作製される。パッケージングを行う前に、ウ
エハを独立したダイにダイシングしなければならない。
サファイアが成長基板として使われた場合、サファイア
基板を削ったりダイシングしなければならない。サファ
イアの持つ硬度及び六角形の結晶構造により、ダイシン
グ処理は難しく、費用もかさむ。
ウエハ上に作製される。パッケージングを行う前に、ウ
エハを独立したダイにダイシングしなければならない。
サファイアが成長基板として使われた場合、サファイア
基板を削ったりダイシングしなければならない。サファ
イアの持つ硬度及び六角形の結晶構造により、ダイシン
グ処理は難しく、費用もかさむ。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明において、ＩｎＡ
ｌＧａＮ発光素子を製造する為の装置及び技術を開示す
るが、これはサファイア成長基板から発光層を取り除く
ことにより得られるものである。幾つかの実施形態にお
いては、改善されたパフォーマンスとコスト効率を提供
する垂直型ＩｎＡｌＧａＮ発光ダイオード構造について
説明する。更に、熱伝導率及び製造の容易性を基準に選
択した基板上に垂直共振器型ＧａＮ系ＬＥＤ又は垂直共
振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を効率良く作製する
為に、メタルボンディング、基板リフトオフ技術及び新
規のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）素子分離技術を
採用している。
ｌＧａＮ発光素子を製造する為の装置及び技術を開示す
るが、これはサファイア成長基板から発光層を取り除く
ことにより得られるものである。幾つかの実施形態にお
いては、改善されたパフォーマンスとコスト効率を提供
する垂直型ＩｎＡｌＧａＮ発光ダイオード構造について
説明する。更に、熱伝導率及び製造の容易性を基準に選
択した基板上に垂直共振器型ＧａＮ系ＬＥＤ又は垂直共
振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を効率良く作製する
為に、メタルボンディング、基板リフトオフ技術及び新
規のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）素子分離技術を
採用している。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、ＩｎＡｌＧａＮ発光素
子層へのオーム接触が、ＩｎＡｌＧａＮ素子層の両面
（頂面及び底面）に設けられることを特徴とする素子と
して形成される、垂直導電型ＩｎＡｌＧａＮ発光素子、
及びその製造方法に関する。
子層へのオーム接触が、ＩｎＡｌＧａＮ素子層の両面
（頂面及び底面）に設けられることを特徴とする素子と
して形成される、垂直導電型ＩｎＡｌＧａＮ発光素子、
及びその製造方法に関する。
【００１３】本発明に基づく１つの好適な構造を図１に
示す。まず、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子（２０）を、サフ
ァイア等の除去できる成長基板（３０）上に成長させ
る。この構造はｐ型層（２０ａ）が露出するように成長
させる。反射性のオーム接触部（１８）はそのｐ型Ｉｎ
ＡｌＧａＮ層（２０ａ）上に形成される。その後ＩｎＡ
ｌＧａＮ構造体を、ＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０）とホ
スト基板（１２）との間に挟まるボンディング層（１
６）の手段によりホスト基板（２０）へとボンディング
する。ボンディング層（１６）の材料は機械的に強い接
着性と導電性を持つものを選択する。一般的にボンディ
ング層には、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられる第１
のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板側に設けら
れる第２のボンディング層（１６ｂ）とを含む複数の層
が含まれる。ボンディング層（１６）の形成には、電子
ビーム蒸着やスパッタリング、電気めっき法等の従来よ
り周知のいずれの手段を利用しても良い。ボンディング
の後、除去用サファイア成長基板（３０）は、従来技術
において既知の数ある基板除去技術のうちの１つ（除去
用基板をレーザ融解、機械的研磨、又は化学エッチング
する等）を使って除去される。その後それらのＩｎＡｌ
ＧａＮ層をパターニング及びエッチングし、接続構造を
設けて電流注入型発光素子が完成する。ボンディング層
は、低抵抗の電流拡散層、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層へのオ
ーム接触部、そしてホスト基板への接着層としての役割
を果たす。
示す。まず、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子（２０）を、サフ
ァイア等の除去できる成長基板（３０）上に成長させ
る。この構造はｐ型層（２０ａ）が露出するように成長
させる。反射性のオーム接触部（１８）はそのｐ型Ｉｎ
ＡｌＧａＮ層（２０ａ）上に形成される。その後ＩｎＡ
ｌＧａＮ構造体を、ＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０）とホ
スト基板（１２）との間に挟まるボンディング層（１
６）の手段によりホスト基板（２０）へとボンディング
する。ボンディング層（１６）の材料は機械的に強い接
着性と導電性を持つものを選択する。一般的にボンディ
ング層には、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられる第１
のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板側に設けら
れる第２のボンディング層（１６ｂ）とを含む複数の層
が含まれる。ボンディング層（１６）の形成には、電子
ビーム蒸着やスパッタリング、電気めっき法等の従来よ
り周知のいずれの手段を利用しても良い。ボンディング
の後、除去用サファイア成長基板（３０）は、従来技術
において既知の数ある基板除去技術のうちの１つ（除去
用基板をレーザ融解、機械的研磨、又は化学エッチング
する等）を使って除去される。その後それらのＩｎＡｌ
ＧａＮ層をパターニング及びエッチングし、接続構造を
設けて電流注入型発光素子が完成する。ボンディング層
は、低抵抗の電流拡散層、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層へのオ
ーム接触部、そしてホスト基板への接着層としての役割
を果たす。
【００１４】他の実施形態を図２に示す。図１と同様
に、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子層を除去用基板（３０）上
に成長させ、反射性のオーム接触部（１８）を露出した
ｐ型層（２０ａ）上に形成する。次に、ＩｎＡｌＧａＮ
構造体（２０及び１８）をボンディング層（１６）を介
して導電性のホスト基板（１２）へとボンディングす
る。この基板は半導体、誘電体又は金属でも良い。これ
が半導体基板である場合、ボンディング層は基板のオー
ム接触層（２４ａ）に隣接して、或はそのオーム接触層
から構成することが必要である。他方のオーム接触層
（２４ｂ）は、基板のボンディングされた界面（１４）
とは反対側に設ける。ホスト基板（１２）をボンディン
グした後、除去用成長基板を取り去り、ｎ型のオーム接
触部（２２）をｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層に設ける。この結
果、垂直方向に導電性を有するＩｎＡｌＧａＮ発光素子
が完成する。この素子は、半導体又は金属ホスト基板の
低抵抗率により優れた電流拡散を示し、これにより低い
順電圧及び高い光電変換効率が得られるものである。加
えて、素子の頂面にはオーム接触が１つしか無い為、そ
して素子への他方のオーム接触部を製造する過程におい
て素子の活性領域は全く除去されることがない為、その
有効な活性部分の面積は、現在市場に流通する素子で４
０％未満であるのに対して７５％を越え、その活性領域
部分が遮断されずに発光するように維持されている。
に、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子層を除去用基板（３０）上
に成長させ、反射性のオーム接触部（１８）を露出した
ｐ型層（２０ａ）上に形成する。次に、ＩｎＡｌＧａＮ
構造体（２０及び１８）をボンディング層（１６）を介
して導電性のホスト基板（１２）へとボンディングす
る。この基板は半導体、誘電体又は金属でも良い。これ
が半導体基板である場合、ボンディング層は基板のオー
ム接触層（２４ａ）に隣接して、或はそのオーム接触層
から構成することが必要である。他方のオーム接触層
（２４ｂ）は、基板のボンディングされた界面（１４）
とは反対側に設ける。ホスト基板（１２）をボンディン
グした後、除去用成長基板を取り去り、ｎ型のオーム接
触部（２２）をｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層に設ける。この結
果、垂直方向に導電性を有するＩｎＡｌＧａＮ発光素子
が完成する。この素子は、半導体又は金属ホスト基板の
低抵抗率により優れた電流拡散を示し、これにより低い
順電圧及び高い光電変換効率が得られるものである。加
えて、素子の頂面にはオーム接触が１つしか無い為、そ
して素子への他方のオーム接触部を製造する過程におい
て素子の活性領域は全く除去されることがない為、その
有効な活性部分の面積は、現在市場に流通する素子で４
０％未満であるのに対して７５％を越え、その活性領域
部分が遮断されずに発光するように維持されている。
【００１５】他の実施形態を図３に示す。この場合、ｐ
型ＩｎＡｌＧａＮ層（２０ａ）に対してｐ型側のオーム
接触部（１８）に加えてＤＢＲミラースタック構造（２
６ａ）が形成されている。ミラースタック構造は、誘電
体、半導体及び金属のうちの１つ以上の材料から構成さ
れたもので良い。この構造体は、ボンディング層（１
６）を介してホスト基板（１２）へとボンディングされ
るが、ボンディング層（１６）はホスト基板（１２）へ
の接着と、そしてｐ型側のオーム接触部（１８）金属へ
の電気接続を提供する。ボンディング層（１６）の材料
及び厚みは、ホスト基板への接着処理の間にＤＢＲミラ
ースタック構造の反射率を損なわないように選択されな
ければならない。除去用成長基板（３０）を除去した
後、第２のＤＢＲミラースタック構造（２６ｂ）が、Ｉ
ｎＡｌＧａＮ垂直共振器型光電素子構造体の第１のミラ
ースタック構造（２６ａ）とは反対側に形成される。こ
の任意選択により設ける第２のミラースタック構造（２
６ｂ）はパターン化され及びエッチングされてｎ型オー
ム接触部（２２）用の面積を作る。垂直共振器型面発光
レーザのためには、ミラーには非常に高い反射率（＞９
９％）を持たせなければならない。共振器キャビティＬ
ＥＤでは、ミラーの反射率条件は＞６０％と緩和され
る。垂直導電性を有する素子には、第１及び第２の基板
オーム接触部（２４ａ、２４ｂ）が設けられる。
型ＩｎＡｌＧａＮ層（２０ａ）に対してｐ型側のオーム
接触部（１８）に加えてＤＢＲミラースタック構造（２
６ａ）が形成されている。ミラースタック構造は、誘電
体、半導体及び金属のうちの１つ以上の材料から構成さ
れたもので良い。この構造体は、ボンディング層（１
６）を介してホスト基板（１２）へとボンディングされ
るが、ボンディング層（１６）はホスト基板（１２）へ
の接着と、そしてｐ型側のオーム接触部（１８）金属へ
の電気接続を提供する。ボンディング層（１６）の材料
及び厚みは、ホスト基板への接着処理の間にＤＢＲミラ
ースタック構造の反射率を損なわないように選択されな
ければならない。除去用成長基板（３０）を除去した
後、第２のＤＢＲミラースタック構造（２６ｂ）が、Ｉ
ｎＡｌＧａＮ垂直共振器型光電素子構造体の第１のミラ
ースタック構造（２６ａ）とは反対側に形成される。こ
の任意選択により設ける第２のミラースタック構造（２
６ｂ）はパターン化され及びエッチングされてｎ型オー
ム接触部（２２）用の面積を作る。垂直共振器型面発光
レーザのためには、ミラーには非常に高い反射率（＞９
９％）を持たせなければならない。共振器キャビティＬ
ＥＤでは、ミラーの反射率条件は＞６０％と緩和され
る。垂直導電性を有する素子には、第１及び第２の基板
オーム接触部（２４ａ、２４ｂ）が設けられる。
【００１６】好適なＩｎＡｌＧａＮ発光素子製造方法を
図４に示す。図４（ａ）は、成長基板（３０）上に成長
したＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０ａ、２０ｂ）を示し、
ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層の頂面には反射性の銀のオーム接
触部（１８）が設けられている。ｐ型のオーム接触部に
は銀が好ましく、これは銀がＩｎＡｌＧａｎ発光素子か
ら放射される代表的な光の波長に対する高い反射率を有
し、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮに対する低い接触抵抗を持つ為
である。他の例示によれば、ＩｎＡｌＧａＮ層を、サフ
ァイア成長基板から最も遠い層がｎ型となるように形成
した素子の場合、オーム性金属としてはアルミニウムが
優れた選択肢であるが、これはアルミニウムがＩｎＡｌ
ＧａＮ素子から放射される典型的な光の可視波長領域に
おける高い反射率を持ち、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮに対して
優れたオーム接触部を作る為である。素子構造体上に示
されているのは、垂直方向の導電性を助長する為に第１
及び第２のオーム接触部を設けた低抵抗のホスト基板
（１２）である。ボンディング層（１６ａ）は第１の基
板オーム接触上に設けても良い。第２のボンディング層
（１６）は任意選択によりｐ型側のオーム接触部（１
８）上に設けられ、後の工程で機械的強度の高い金属ウ
エハボンディングが促進されるようにしても良い。図４
（ｂ）においては、ホスト基板がボンディング層を介し
てＩｎＡｌＧａＮ層にウエハボンディングされている。
図４（ｃ）においては、成長基板（３０）は除去されて
おり、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層に対するオーム接触部（２
２）が設けられている。その後ＩｎＡｌＧａＮ層を通し
てエッチングしてメサ構造（３２）が形成され、個々の
素子の活性領域が画定される。図４（ｄ）においては、
ホスト基板をダイシングして個々のＩｎＡｌＧａＮ発光
素子に分割する。シリコンは非常に小さなチップに削っ
たり切断したりすることが容易であり、また他の一般的
な基板と比較して電気抵抗が低く、熱伝導率が良い為、
ホスト基板として推奨される。この方法により、ＩｎＡ
ｌＧａＮ素子を容易にダイシングすることが出来、サフ
ァイアをダイシングする場合に生じる問題を回避するこ
とが出来るのである。また更に、成長基板を除去した後
ではなく、ホスト基板に接着する前にメサ部をエッチン
グすることが可能である。
図４に示す。図４（ａ）は、成長基板（３０）上に成長
したＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０ａ、２０ｂ）を示し、
ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層の頂面には反射性の銀のオーム接
触部（１８）が設けられている。ｐ型のオーム接触部に
は銀が好ましく、これは銀がＩｎＡｌＧａｎ発光素子か
ら放射される代表的な光の波長に対する高い反射率を有
し、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮに対する低い接触抵抗を持つ為
である。他の例示によれば、ＩｎＡｌＧａＮ層を、サフ
ァイア成長基板から最も遠い層がｎ型となるように形成
した素子の場合、オーム性金属としてはアルミニウムが
優れた選択肢であるが、これはアルミニウムがＩｎＡｌ
ＧａＮ素子から放射される典型的な光の可視波長領域に
おける高い反射率を持ち、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮに対して
優れたオーム接触部を作る為である。素子構造体上に示
されているのは、垂直方向の導電性を助長する為に第１
及び第２のオーム接触部を設けた低抵抗のホスト基板
（１２）である。ボンディング層（１６ａ）は第１の基
板オーム接触上に設けても良い。第２のボンディング層
（１６）は任意選択によりｐ型側のオーム接触部（１
８）上に設けられ、後の工程で機械的強度の高い金属ウ
エハボンディングが促進されるようにしても良い。図４
（ｂ）においては、ホスト基板がボンディング層を介し
てＩｎＡｌＧａＮ層にウエハボンディングされている。
図４（ｃ）においては、成長基板（３０）は除去されて
おり、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層に対するオーム接触部（２
２）が設けられている。その後ＩｎＡｌＧａＮ層を通し
てエッチングしてメサ構造（３２）が形成され、個々の
素子の活性領域が画定される。図４（ｄ）においては、
ホスト基板をダイシングして個々のＩｎＡｌＧａＮ発光
素子に分割する。シリコンは非常に小さなチップに削っ
たり切断したりすることが容易であり、また他の一般的
な基板と比較して電気抵抗が低く、熱伝導率が良い為、
ホスト基板として推奨される。この方法により、ＩｎＡ
ｌＧａＮ素子を容易にダイシングすることが出来、サフ
ァイアをダイシングする場合に生じる問題を回避するこ
とが出来るのである。また更に、成長基板を除去した後
ではなく、ホスト基板に接着する前にメサ部をエッチン
グすることが可能である。
【００１７】本発明を上述した実施形態に即して説明す
ると、本発明は、ホスト基板（１２）と、該ホスト基板
（１２）に近接して第１及び第２の極性の素子層を含む
前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）と、該ＩｎＡｌ
ＧａＮ発光構造体（２０）の上面の第１の素子接触部
（２２）と、前記ホスト基板（１２）と前記ＩｎＡｌＧ
ａＮ発光構造体（２０）との間に挟まるウエハボンディ
ング層（１６）と、そして前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造
体（２０）の底面に電気的に接続され、前記ウエハボン
ディング層中に位置する第２の素子接触部（１８）とを
含むＩｎＡｌＧａＮ発光素子を提供する。
ると、本発明は、ホスト基板（１２）と、該ホスト基板
（１２）に近接して第１及び第２の極性の素子層を含む
前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）と、該ＩｎＡｌ
ＧａＮ発光構造体（２０）の上面の第１の素子接触部
（２２）と、前記ホスト基板（１２）と前記ＩｎＡｌＧ
ａＮ発光構造体（２０）との間に挟まるウエハボンディ
ング層（１６）と、そして前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造
体（２０）の底面に電気的に接続され、前記ウエハボン
ディング層中に位置する第２の素子接触部（１８）とを
含むＩｎＡｌＧａＮ発光素子を提供する。
【００１８】好ましくは、前記第２の素子接触部（１
８）が、銀を５０％以上含有する。
８）が、銀を５０％以上含有する。
【００１９】好ましくは、前記第２の素子接触部（１
８）が、アルミニウムを５０％以上含有する。
８）が、アルミニウムを５０％以上含有する。
【００２０】好ましくは、前記ホスト基板（１２）が、
金属及び半導体を含む群から選択される。
金属及び半導体を含む群から選択される。
【００２１】好ましくは、前記ホスト基板（１２）が、
シリコン、ゲルマニウム、ガラス、銅及びヒ化ガリウム
を含む群から選択されることを特徴とする請求項４に記
載の発光素子。
シリコン、ゲルマニウム、ガラス、銅及びヒ化ガリウム
を含む群から選択されることを特徴とする請求項４に記
載の発光素子。
【００２２】好ましくは、前記ホスト基板（１２）が半
導体であり、前記ホスト基板（１２）の上面に第１の基
板オーム接触部（２４ａ）が設けられる。
導体であり、前記ホスト基板（１２）の上面に第１の基
板オーム接触部（２４ａ）が設けられる。
【００２３】好ましくは、前記ホスト基板の底面に電気
的に接続する第２の基板オーム接触部（２４ｂ）を更に
含む。
的に接続する第２の基板オーム接触部（２４ｂ）を更に
含む。
【００２４】好ましくは、前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造
体の２つの反対側の側面に配した一対の研磨ミラーを更
に含み、端発光レーザを形成する。
体の２つの反対側の側面に配した一対の研磨ミラーを更
に含み、端発光レーザを形成する。
【００２５】好ましくは、前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造
体の上面に設けた第１の誘電ブラグリフレクタミラー
（２６ａ）と、そしてＩｎＡｌＧａｎ発光構造体の底面
に隣接してウエハボンディング層中に設けた第２の誘電
体ブラグリフレクタミラー（２６ｂ）とを更に含む。
体の上面に設けた第１の誘電ブラグリフレクタミラー
（２６ａ）と、そしてＩｎＡｌＧａｎ発光構造体の底面
に隣接してウエハボンディング層中に設けた第２の誘電
体ブラグリフレクタミラー（２６ｂ）とを更に含む。
【００２６】更に本発明は、第１及び第２の極性の素子
層を持つＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を成長基板上に成長
させる工程と、第１のオーム金属層をＩｎＡｌＧａＮ発
光構造体の露出面に形成する工程と、第２のオーム金属
層をホスト基板上に形成する工程と、そして第１及び第
２のオーム金属層をウエハボンディングして第１の電気
接触をウエハボンディング界面中に形成する工程とを含
むことを特徴とする垂直導電性ＩｎＡｌＧａＮ発光素子
製造方法を提供する。
層を持つＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を成長基板上に成長
させる工程と、第１のオーム金属層をＩｎＡｌＧａＮ発
光構造体の露出面に形成する工程と、第２のオーム金属
層をホスト基板上に形成する工程と、そして第１及び第
２のオーム金属層をウエハボンディングして第１の電気
接触をウエハボンディング界面中に形成する工程とを含
むことを特徴とする垂直導電性ＩｎＡｌＧａＮ発光素子
製造方法を提供する。
【００２７】好ましくは、第１のオーム金属層が銀、ニ
ッケル、アルミニウム、金及びコバルトを含む群から選
択される。
ッケル、アルミニウム、金及びコバルトを含む群から選
択される。
【００２８】好ましくは、成長基板を除去する工程と、
そしてＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の新たに露出した面に
第２の電気接触を作る工程とを更に含む。
そしてＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の新たに露出した面に
第２の電気接触を作る工程とを更に含む。
【００２９】好ましくは、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を
通して、所望の素子サイズに対応するメサをエッチング
する工程を更に含む。
通して、所望の素子サイズに対応するメサをエッチング
する工程を更に含む。
【００３０】好ましくは、ホスト基板を分割する工程を
更に含む。
更に含む。
【００３１】好ましくは、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を
成長させる工程が、成長基板上に５０ミクロンを越える
厚みを持つＩｎＡｌＧａＮ膜を成長させる工程を含む。
成長させる工程が、成長基板上に５０ミクロンを越える
厚みを持つＩｎＡｌＧａＮ膜を成長させる工程を含む。
【００３２】好ましくは、ホスト基板が、金属及び半導
体を含む群から選択される。
体を含む群から選択される。
【図１】ボンディング層がＩｎＡｌＧａＮヘテロ構造体
のオーム接触層でもありホスト基板への接着層でもある
層から成ることを特徴とするＩｎＡｌＧａＮ発光素子の
実施形態を示す図である。
のオーム接触層でもありホスト基板への接着層でもある
層から成ることを特徴とするＩｎＡｌＧａＮ発光素子の
実施形態を示す図である。
【図２】ボンディング層がＩｎＡｌＧａＮヘテロ構造体
のオーム接触層でもあり導電性ホスト基板のオーム接触
層でもある層から成ることを特徴とするＩｎＡｌＧａＮ
発光素子の実施形態を示す図である。
のオーム接触層でもあり導電性ホスト基板のオーム接触
層でもある層から成ることを特徴とするＩｎＡｌＧａＮ
発光素子の実施形態を示す図である。
【図３】垂直共振器型素子を形成する為に分布型反射器
（ＤＢＲ）ミラースタック構造を発光層の反対面に設け
たＩｎＡｌＧａＮ発光素子の実施例を示す図であり、ボ
ンディング層はＩｎＡｌＧａＮヘテロ構造体のオーム接
触層でもあり導電性ホスト基板のオーム接触層でもある
層から成るよう示される。
（ＤＢＲ）ミラースタック構造を発光層の反対面に設け
たＩｎＡｌＧａＮ発光素子の実施例を示す図であり、ボ
ンディング層はＩｎＡｌＧａＮヘテロ構造体のオーム接
触層でもあり導電性ホスト基板のオーム接触層でもある
層から成るよう示される。
【図４】ＩｎＡｌＧａＮ発光素子の推奨されるダイシン
グ方法の実施形態を示す図であり、図４（ａ）において
は、ＩｎＡｌＧａＮ層がサファイア基板上に形成され、
オーム接触及びボンディング層でコーティングされてい
る。図４（ｂ）においては、サファイア基板を除去する
前にホスト基板がＩｎＡｌＧａＮ層にボンディングされ
る。図４（ｃ）においては、ＩｎＡｌＧａＮ素子がＩｎ
ＡｌＧａＮ素子を通してのエッチングで形成されたメサ
部により画定される。図４（ｄ）においては、ホスト基
板をダイシングすることにより素子が最終的に分割され
る。
グ方法の実施形態を示す図であり、図４（ａ）において
は、ＩｎＡｌＧａＮ層がサファイア基板上に形成され、
オーム接触及びボンディング層でコーティングされてい
る。図４（ｂ）においては、サファイア基板を除去する
前にホスト基板がＩｎＡｌＧａＮ層にボンディングされ
る。図４（ｃ）においては、ＩｎＡｌＧａＮ素子がＩｎ
ＡｌＧａＮ素子を通してのエッチングで形成されたメサ
部により画定される。図４（ｄ）においては、ホスト基
板をダイシングすることにより素子が最終的に分割され
る。
１２ ホスト基板 １６ａ、１６ｂ ウエハボンディング層 １８ 素子接触部 ２０ ＡｌＩｎＧａＮ発光構造体 ２２ 素子接触部
フロントページの続き (71)出願人 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐ ａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 フレッド・エイ・キッシュ，ジュニア アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼ ニューゲイト・コート 5815 (72)発明者 マイケル・アール・クレイムス アメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテ ンビュウ フロント・レイン 550 (72)発明者 ポール・エス・マーティン アメリカ合衆国カリフォルニア州プリーザ ントン フェアオークス・ドライブ 7665
Claims (16)
- 【請求項１】ホスト基板と；該ホスト基板に近接して第
１及び第２の極性の素子層を含む前記ＩｎＡｌＧａＮ発
光構造体と；該ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の一面の第１
の素子接触部と；前記ホスト基板と前記ＩｎＡｌＧａＮ
発光構造体との間に挟まるウエハボンディング層と；そ
して前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の他面に電気的に接
続され、前記ウエハボンディング層中に位置する第２の
素子接触部とを含むＩｎＡｌＧａＮ発光素子。 - 【請求項２】前記第２の素子接触部が、銀を５０％以上
含有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項３】前記第２の素子接触部が、アルミニウムを
５０％以上含有することを特徴とする請求項１に記載の
発光素子。 - 【請求項４】前記ホスト基板が、金属及び半導体を含む
群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の発
光素子。 - 【請求項５】前記ホスト基板が、シリコン、ゲルマニウ
ム、ガラス、銅及びヒ化ガリウムを含む群から選択され
ることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。 - 【請求項６】前記ホスト基板が半導体であり、前記ホス
ト基板の上面に第１の基板オーム接触部が設けられたこ
とを特徴とする請求項４に記載の発光素子。 - 【請求項７】前記ホスト基板の底面に電気的に接続する
第２の基板オーム接触部を更に含むことを特徴とする請
求項６に記載の発光素子。 - 【請求項８】前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の２つの反
対側の側面に配した一対の研磨ミラーを更に含み、端発
光レーザを形成したことを特徴とする請求項１に記載の
発光素子。 - 【請求項９】前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の上面に設
けた第１の誘電ブラグリフレクタミラーと；そしてＩｎ
ＡｌＧａｎ発光構造体の底面に隣接してウエハボンディ
ング層中に設けた第２の誘電体ブラグリフレクタミラー
とを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素
子。 - 【請求項１０】第１及び第２の極性の素子層を持つＩｎ
ＡｌＧａＮ発光構造体を成長基板上に成長させる工程
と；第１のオーム金属層をＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の
露出面に形成する工程と；第２のオーム金属層をホスト
基板上に形成する工程と；そして第１及び第２のオーム
金属層をウエハボンディングして第１の電気接触をウエ
ハボンディング界面中に形成する工程とを含むことを特
徴とする垂直導電性ＩｎＡｌＧａＮ発光素子製造方法。 - 【請求項１１】第１のオーム金属層が銀、ニッケル、ア
ルミニウム、金及びコバルトを含む群から選択されるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】成長基板を除去する工程と；そしてＩｎ
ＡｌＧａＮ発光構造体の新たに露出した面に第２の電気
接触を作る工程とを更に含むことを特徴とする請求項１
０に記載の製造方法。 - 【請求項１３】ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を通して、所
望の素子サイズに対応するメサをエッチングする工程を
更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の製造方
法。 - 【請求項１４】ホスト基板を分割する工程を更に含むこ
とを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。 - 【請求項１５】ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を成長させる
工程が、成長基板上に５０ミクロンを越える厚みを持つ
ＩｎＡｌＧａＮ膜を成長させる工程を含むことを特徴と
する請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１６】ホスト基板が、金属及び半導体を含む群
から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US245503 | 1999-02-05 | ||
| US09/245,503 US20010042866A1 (en) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228537A true JP2000228537A (ja) | 2000-08-15 |
| JP4860024B2 JP4860024B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=22926939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000023885A Expired - Lifetime JP4860024B2 (ja) | 1999-02-05 | 2000-02-01 | ＩｎＸＡｌＹＧａＺＮ発光素子及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4860024B2 (ja) |
| KR (1) | KR100649777B1 (ja) |
| CN (1) | CN1262528A (ja) |
| DE (1) | DE10000088A1 (ja) |
| GB (1) | GB2346478A (ja) |
| TW (1) | TW441137B (ja) |
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| US20060121702A1 (en) | 2006-06-08 |
| US6800500B2 (en) | 2004-10-05 |
| TW441137B (en) | 2001-06-16 |
| CN1262528A (zh) | 2000-08-09 |
| GB0002753D0 (en) | 2000-03-29 |
| US20010042866A1 (en) | 2001-11-22 |
| GB2346478A (en) | 2000-08-09 |
| KR100649777B1 (ko) | 2006-11-24 |
| US7491565B2 (en) | 2009-02-17 |
| DE10000088A1 (de) | 2000-08-17 |
| JP4860024B2 (ja) | 2012-01-25 |
| KR20000057891A (ko) | 2000-09-25 |
| US20040077114A1 (en) | 2004-04-22 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
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| A02 | Decision of refusal |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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