KR20000057891A - 발광 소자 제조 장치 및 방법 - Google Patents

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마리 오 휴버
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Abstract

사파이어 성장 기판으로부터 발광층을 제거하여, InAlGaN 발광 장치를 제조하는 장치 및 방법이 서술된다. 다수의 실시 예에 있어서, 수직의 InAlGaN 발광 다이오드 구조를 제조하는 기법으로 인해, 성능이 개선되고 및/또는 비용 절감 효과를 가져오는 것이 서술된다. 또한, 금속 접착, 기판 리프트오프, 및 신규한 RIE 장치 분리 기법이 이용되어, 그 열적 전도율 및 제조의 용이성을 위해 선택된 기판상에 수직 GaN LED를 효율적으로 생성한다.

Description

발광 소자 제조 장치 및 방법{INALGAN OPTICAL EMITTERS FABRICATED VIA SUBSTRATE REMOVAL}
본 발명은 반도체 광 방출 장치에 관한 것으로, 특히 고 효율 및 원가 절감 효과가 있는 InAlGaN 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
사파이어는, 에픽텍셜 성장 프로세스의 고온 암모니아 분위기에서의 안정성 때문에, 고 효율의 InAlGaN 광 방출 장치를 성장시키기 위한 바람직한 기판으로 알려져 있다. 그러나, 사파이어는 낮은 열 전도성을 갖는 전기적 절연체이기 때문에, 비정상 및 비효율적인 장치를 고안하게 된다. 사파이어상에 성장되는 전형적인 LED 구조는, p콘택에 전류를 확산시키기 위해 2개의 상부의 전기적 콘택과 반투명 금속층을 갖는다. 이것은, 하나의 전기적 콘택이 반도체 장치의 상부에 있고, 다른 하나의 전기적 콘택이 하부에 있는 GaAs 또는 GaP와 같은 도전 기판상에 성장되는 LED에서의 전기적 흐름 측면에 있어서 표준 수직 구조와 대조를 이룬다. 사파이어 기반 LED상의 두 개의 상부 콘택은 장치의 사용 가능한 광 방출 영역을 줄인다.
또한 p형 InAlGaN층의 낮은 전도성으로 인해, p형 반도체층에 전류를 확산하기 위한 반투명 금속층이 필요하게 된다. 사파이어의 굴절율(n∼1.7)은 그 위에 성장되는 InAlGaN층의 굴절율(n∼2.2-2.6)보다 낮다. 결과적으로, 이러한 굴절율의 부정합(mismatch)으로 인해(사파이어가 보다 낮음), 흡수 반 투명 p측 전류 확산 금속화물과 사파이어 사이로 광이 유도된다. 이로 인해, 시판의 InAlGaN 장치에서는 반투명 금속층에 의한 10-70%의 광 흡수가 발생된다.
웨이퍼 접착은 두 개의 기본적인 카테고리, 즉 직접 웨이퍼 접착 및 금속 웨이퍼 접착으로 나뉠 수 있다. 직접 웨이퍼 접착에 있어서, 두 개의 웨이퍼는 접착 인터페이스의 대량 전송을 통해 서로 융합된다. 집적 웨이퍼 접착은 반도체 결합체, 산화물, 및 절연 물질간에 실행될 수 있다. 그것은 일반적으로 고온(400℃ 초과) 및 단일축(uniaxial) 압력하에 실행된다. 적당한 직접 웨이퍼 접착 기술중의 하나가 키쉬(Kish)등에게 허여된 U.S.P.N 특허 제 5,502,316호에 개시되어 있다. 금속 웨이퍼 접착에 있어서, 금속층은 두 개의 접착 기판 사이에 침착되어 그들을 접착시킨다. 금속층은 활성 장치나 기판, 또는 활성 장치 및 기판에 대한 오믹 콘택(ohmic contact)으로 제공될 수 있다. 금속 접착 예로는, 장치의 윗면을 기판의 아래측에 접착하는 마이크로 및 광전자 산업에서 이용되는 기술인 플립 칩 접착이 있다. 플립-칩 접착은 장치의 열적 감쇄를 개선하는데 이용되기 때문에, 기판의 제거는 장치 구조에 의해 좌우되며, 일반적으로 금속 접착층에서 유일하게 필요한 것은 전기적으로 도전형이고 기계적으로 튼튼해야 한다는 것이다.
수직 공동 광전자 구조는 활성 영역을 포함하도록 정의된다. 이 활성 영역은 도핑되는, 도핑되지 않는, 또는 p-n접합을 포함하는 감금층들 사이에 삽입된 발광층에 의해 형성된다. 또한, 그 구조는 발광층과 직각인 방향으로 페브리-페롯(Fabry-Perot) 공동을 형성하는 적어도 하나의 반사 미러(mirror)를 포함한다. GaN/InxAlyGazN/AlxGa1-xN(여기에서 x+y+z=0.5) 물질 시스템에 있어서 수직 공동 광전자 구조를 제조하는 경우, 그것을 다른 Ⅲ-Ⅴ족 물질과 분리시키는 문제가 제기된다. 고도의 광학 품질을 갖는 InxAlyGazN 구조를 성장시키기가 어렵다. 전류 확산은 InxAlyGazN 장치와 밀접한 관계가 있다. p형 물질에 있어서 측면 전류 확산은 n형 물질의 측면 전류 확산보다 30배 정도 낮다. 또한, 장치가 최적 열적 감쇄를 위해 p측 아래로 설치되기 때문에, 기판의 낮은 열 전도성으로 인해 장치를 고안하기가 복잡해진다.
하나의 수직 공동 광전자 구조, 예를들어 수직 공동 표면 방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser : VCSEL)는 예를들어 99.5%의 반사도를 갖는 고품질의 미러를 필요로 한다. 고 품질의 미러를 이루는 한가지 방법은 반도체 성장 기술을 이용하는 것이다. VCSEL(99%초과)에 적합한 분산형 브레그 반사기(Distributed Bragg Reflector : DBR)가 필요로 하는 높은 반사도를 얻기 위해서는, 크랙킹(cracking) 및 도펀트(dopant) 혼합물을 포함하는 반도체 InxAlyGazN DBR의 성장을 위한 심각한 물질 문제가 제기된다. 이러한 미러들에게는 교번하는 인듐 알루미늄 갈륨 질화물 조성물(InxAlyGazN/Inx,Aly,Gaz,N)의 많은 피리어드(period)/층이 필요하다. 반도체 DBR과 대조되는 유전체 DBR은 비교적 직진성이므로, InxAlyGazN에 의해 측정된 스펙트럼 범위에서의 반사도가 99%를 초과한다. 전형적으로 이러한 미러는 증발 및 스퍼터링(sputtering) 기법에 의해 침착되나, MBE(Molecular Beam Epitaxal) 및 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)가 이용될 수도 있다. 그러나, 호스트 기판을 제거하지 않고도 활성 영역의 일측면만을 D-DBR 침작에 억세스할 수 있다. 더들리(Dudley)등에 의한, 1994년에 발행된 응용 물리 레터(Letters)의 Vol. 64, No1.11, pp1463-1465의 "저 임계, 웨이퍼 융합형 장파장 수직 공동 레이져"에는 수직 공동 구조의 일측에 대한 AlAs/GaAs 반도체 DBR의 직접 웨이퍼 접착이 개시되어 있으며, 베빅(Babic)등에 의한, 1995년 11월에 발행된 IEEE 포토닉스 테크놀로지 레터(Photonics Technology Letters))의 Vol.7, No1.11, "1.430㎛ 수직-공동 레이져의 실온 연속파 작동"에는 AlAs/GaAs 간의 큰 반사율 변화를 이용하여 InGaAsP VCSEL의 양측에 직접 웨이퍼 접착된 반도체 DBR이 개시되어 있다. 설명되겠지만, InxAlyGazN에 대한 D-DBR의 웨이퍼 접착은 반도체에 대한 반도체 웨이퍼 접착보다 훨씬 더 복잡하며, 종래에는 알려져 있지 않는 기술이다. 츄아등에 의한, 1994년 12월에 발행된 IEEE 포토닉스 테크놀로지 레터의 Vol.5, No.12의 "스트레인(strain)-보상된 다수의 양자 우물을 사용한 유전 접착형 장파 수직 공동 레이저"에는 스핀-온 글래스층(spin-on glass layer)에 의해 InGaAsP 레이저에 접착된 AlAs/GaAs 반도체 DBR이 개시되어 있다. 스핀 온 글래스는 활성층과 DBR 사이에 VCSEL을 접착하기에 적합한 물질이 아닌데, 이는 스핀 온 글래스의 두께를 정밀하게 조절하기가 어렵고, 이에 따라 VCSEL 공동에 필요한 중요한 층 제어가 상실되기 때문이다. 또한, 스핀 온 글래스의 특성들은 서로 이질적이기 때문에, 공동에서 산란 및 다른 손실을 가져온다.
VCSEL에 알맞는 반사도, 예를들어 99% 초과의 반사도를 갖는 AlxGa1-xN/GaN 쌍의 반도체 DBR의 광 미러 성장이 어렵다. 이론적으로 산출되는 반사율에 따르면, 필요한 높은 반사율을 얻기 위해서는, 저 비율의 AlxGa1-xN층의 Al 조성물을 증가시키고 및/또는 보다 많은 층 피리어드를 포함함에 의해서만 제공될 수 있는 고 비율의 콘트라스트(costrast)가 필요하다(MRS 인터넷 저널의 질화물 반도체 리서치에 개시된, 암바쳐(Ambacher)등에 의해 밝혀진 물질 특성). 이러한 방법들은 중요한 문제를 제기한다. 전류가 DBR층을 통해 전도될 경우, DBR이 전도되는 것이 중요하다. 충분히 전도되기 위해서는, AlxGa1-xN층이 적절하게 도핑되어야 한다. Al 조성물이 Si(n형)도핑에 대해서는 50%미만, Mg(p형) 도핑에 대해서는 17%미만으로 줄어들지 않는다면, 도펀트 합성은 불충분 하게 된다. 그러나, Al 조성물층을 이용하여 충분한 반사율을 이루는데 필요한 층 피리어드의 수효(number)는 전체적인 두께가 큰 AlxGa1-xN 물질을 필요로 하고, 이에 따라 조성물 제어를 크랙킹(cracking)하고 줄이는 에픽텍셜층의 위험을 증가시킨다. 사실상, 도 1의 Al.30Ga.07N/GaN 스택은 이미 그 두께가 ∼2.5㎛이고, VCSEL에 대한 반사율이 충분하지 못하다. 따라서, 이 층 쌍에 기초한 높은 반사율의 DBR은 2.5㎛보다 훨씬 큰 전체 두께를 필요로 하며, AlN 및 GaN 성장 온도 사이의 부정합이 확실하면 성장이 어렵다. 층들이 도핑되지 않을 경우 크랙킹이 큰 문제인 것은 아니나, 복합적인 제어 및 AlN/GaN 성장 온도는 여전히 높은 반사율의 DBR을 성장시키는 문제를 여전히 안고있다. 따라서, DBR이 전류를 유도하지 않아야 하는 응용에서도, InxAlyGazN 물질 시스템에 있어서 99%초과의 반사율을 갖는 미러 스택이 입증되지 않았다. 이러한 이유 때문에, 유전체 기반 DBR 미러가 바람직하다.
반도체 장치는 웨이퍼 상에 한번에 수천 내지 수만개가 제조된다. 웨이퍼는 패키징 전에 각 다이(die)로 격자형 절단된다. 사파이어가 성장 기판으로 이용될 경우, 사파이어 기판을 얇게해야 하고 격자 절단해야만 한다. 사파이어의 견고성과 육면체 크리스탈 구조로 인해 격자 절단 작용이 어려워지고, 비싸진다.
본 발명에 있어서, 사파이어 성장 기판으로부터 발광층을 제거하여, InAlGaN 발광 장치를 제조하는 장치 및 기법이 서술된다. 다수의 실시 예에 있어서, 개선된 성능 및 비용 절감 효과를 갖는 수직 InAlGaN 발광 다이오드 구조를 제조하는 기법이 서술된다. 또한, 금속 접착, 기판 리프트오프(liftoff), 및 신규한 RIE 장치 분리 기법이 이용되어, 그 열적 전도율 및 제조의 용이성을 위해 선택된 기판상에 수직 GaN LED 및 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)를 효율적으로 생성한다.
도 1은 InAlGaN 헤테로 구조에 대한 오믹 콘택층 및 호스트 기판에 대한 접착층으로 구성된 접착층을 갖는 InAlGaN 발광 장치의 바람직한 실시 예를 나타낸 도면,
도 2는 InAlGaN 헤테로 구조에 대한 오믹 콘택층과 전기적 전도 호스트 기판에 대한 오믹 콘택층으로 구성된 접착층을 갖는 InAlGaN 발광 장치의 바람직한 실시 예를 나타낸 도면,
도 3은 수직 공동 장치를 형성하기 위해, 발광층의 어느 한측면상에 대립되게 분산된 브레그 반사기(DBR) 미러 스택을 갖는 InAlGaN 발광 장치의 바람직한 실시 예를 나타낸 도면,
도 4a 내지 도 4d는 InAlGaN 발광 장치를 다이스하기 위한 바람직한 방법으로서, 도 4a는 사파이어 기판위에 성장된 InAlGaN 층이 오믹 콘택과 접착층으로 코팅되는 것을 나타내고, 도 4b는 호스트 기판이 사파이어 기판의 제거 이전에 InAlGaN층에 접착되는 것을 나타내며, 도 4c는 InAlGaN 장치가 InAlGaN 장치를 통한 메사 식각에 의해 정의되는 것을 나타내고, 도 4d는 장치가 호스트 기판을 다이싱함에 이해 최종적으로 단일화되는 것을 나타낸 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
12 : 호스트 기판 14 : 접착된 인터페이스
16 : 접착층 18,221 : p 콘택
20 : 활성 영역
본 발명은, InAlGaN 장치 층에 대한 오믹 콘택이 InAlGaN 장치층의 반대면, 상면, 하면에 있는 장치로서 정의되는 수직 전도 InAlGaN 발광 장치의 빌딩에 관한 것이다.
도 1 에는 본 발명에 따른 바람직한 구조가 도시된다. 초기에, InAlGaN 발광 장치(20)는 사파이어와 같은 희생 성장 기판(30)상에 성장된다. 그 구조는 노출된 p형 층(20a)에 의해 성장된다. 반사 오믹 콘택(18)은 p형 InAlGaN 층(20a)의 상면에 침착된다. InAlGaN 구조는 InAlGaN 발광층(20)과 호스트 기판(12)에 간삽되는 접착층(16)에 의해 호스트 기판(12)과 접착된다. 접착층(16) 물질은 강한 기계적 접착을 제공하도록 및 전기적으로 도전형이 되도록 선택된다. 일반적으로, 접착층은 다수의 층을 포함하며, 제 1 접착층(16a)은 InAlGaN 장치층상에 침착되고, 제 2 접착층(16b)은 호스트 기판상에 침착된다. 접착층(16)은 공지된 임의수의 수단, 예를들어 전자 빔 증발, 스퍼터링, 및 전기 도금과 같은 수단에 의해 침착된다. 접착후에, 희생 사파이어 성장 기판(30)은, 레이저 용융, 기계적 연마, 희생층의 화학적 식각과 같은 공지의 많은 기판 제거 기술중의 하나를 통해 제거된다. 그러면, InAlGaN층이 패터닝되고, 식각되며, 콘택되어 전기적 주입 발광 장치를 제공한다. 접착층은 저 저항 전류 확산, p-InAlGaN 층에 대한 오믹 콘택 및 호스트 기판에 대한 접착층으로 이용된다.
도 2에는 다른 바람직한 실시 예가 도시된다. 도 1에서 처럼, InAlGaN 발광장치층은 희생 기판(30)의 상측에 성장되며, 반사 오믹 콘택(18)은 노출된 p형 층(20a)의 상측에 침착된다. InAlGaN 구조(20+18)는 접착층(16)을 통해 전기적으로 전도되는 호스트 기판에 접착된다. 이 기판은 반도체, 유전체, 또는 금속일 수 있다. 반도체 기판인 경우에, 접착층은 기판(24a)에 인접하거나, 기판(24a)에 대한 오믹 콘택층으로 구성되어야 하며, 제 2 오믹 콘택이 접착된 인터페이스(24b)와 반대되는 기판의 측면에 적용된다. 호스트 기판을 접착한 후에, 희생 성장 기판이 제거되고, n형 오믹 콘택(22)이 n-InAlGaN 층에 제공된다. 결과적으로, 수직 전도 InAlGaN 발광 장치가 이루어진다. 이 장치는 저 저항성의 반도체 또는 금속 호스트 기판에 기인한 탁월한 전류 확산을 제공하여, 광 전환 효율에 대한 낮은 순방향 전압 및 높은 전기/광 변환 효율을 갖게된다. 또한, 장치의 상측에 단일의 오믹 콘택만이 있고, 장치에 대한 제 2 오믹 콘택의 제조 동안에 장치의 활성 영역중 어느것도 제거되지 않기 때문에, 40% 미만의 상업적으로 이용 가능한 장치에 비해, 75%을 초과하는 이용 가능 활성 영역이 차단되지 않은 광 방출을 위해 보존된다.
도 3에는 또 다른 바람직한 실시 예가 도시된다. 이 경우에 있어서, DBR 미러 스택(26a)은 p측 오믹 콘택(18)에 부가된 p-InAlGaN층(20a)에 침착된다. 미러 스택은 하나 이상의 물질, 즉 유전체, 반도체 및 금속으로 구성될 수 있다. 그 구조는 호스트 기판(12)에 대한 접착제 및 p측 오믹(18) 콘택 금속에 대한 전기적 콘택을 제공하는 접착층(16)을 통해 호스트 기판(12)에 접착된다. 접착층(16)의 물질 및 두께는, 호스트 기판의 접착 동안에 DBR 미러 스택 반사율을 손상시키는 것을 피하도록 선택된다. 희생 성장 기판(30)의 제거후에, 제 2 DBR 미러 스택(26b)은, 제 1 미러 스택(26a)의 반대측상의 InAlGaN 수직 공동 광전자 구조상에 침착된다. 선택적인 제 1 미러 스택(26b)은 패터닝되고 식각되어, n형 오믹 콘택(22)에 영역을 제공한다. 수직 공동 표면 방출 레이저에 있어서, 미러는 99%초과의 매우 높은 반사율을 가져야만 한다. 공진 공동 LED에 있어서, 미러에 요구되는 반사율은 60% 초과로 완화된다. 제 1 및 제 2 기판 오믹 콘택(24a,26b)이 수직의 전도 장치에 제공된다.
도 4 에는 InAlGaN 발광 장치를 제조하는 바람직한 방법이 도시된다. 도 4a에는 p형 InAlGaN층의 상측에 침착된 반사 오믹 은 콘택(18)과 함께 성장 기판(30)상에 성장된 InAlGaN 발광층(20a,20b)이 도시된다. 은(silver)은 InAlGaN 발광 장치로부터 전형적으로 방출되는 광 파장에 대해 고도의 반사율을 갖기 때문에 p형 오믹 콘택용으로 은이 바람직하며, 또한 p형 InAlGaN에 대한 낮은 콘택 저항용으로 은이 바람직하다. 대안적으로, InAlGaN 층이 사파이아 성장 기판에서 가장 먼 n형 층으로 성장되는 장치에 있어서, 알루미늄은 InAlGaN 장치에 의해 전형적으로 방출된 광의 가시 파장영역에서 높은 반사율을 가지고, n형 InAlGaN에 대한 탁월한 오믹 컨택을 이루기 때문에, 알루미늄을 오믹 금속용으로 선택하는 것이 바람직하다. 장치 구조 위에는 수직 도전을 촉진하기 위해 제 1(24a) 및 제 2 (24b) 오믹 콘택을 구비한 저 저항율의 호스트 기판이 도시된다. 접착층(16a)은 제 1 기판 오믹 콘택의 상측에 침착된다. 제 2 접착층(16)이 p측 오믹 콘택(18)의 상측에 선택적으로 침착되어, 나중 단계에서 기계적으로 강한 금속 웨이퍼 접착을 촉진한다. 도 4b에 있어서, 접착층을 통해 InAlGaN층에 접착된 호스트 기판이 도시된다. 도 4c에 있어서, 성장 기판(30)이 제거되고, n-InAlGaN층에 대한 오믹 콘택이 제공된다. 그러면, 각 장치의 활성 영역을 정의하기 위해 InAlGaN층을 통해 메사(32)가 식각된다. 도 4d에 있어서, 호스트 기판은 각 InAlGaN 발광 장치를 단일화하도록 격자 절단된다. 실리콘은 얇고, 매우 작은 칩으로 절단하기 쉽기 때문에 호스트 기판용으로 바람직하며, 다른 일반적인 기판에 비해, 낮은 전기적 저항성 및 높은 열적 전도성을 가질 수 있다. 이 방법으로 InAlGaN장치를 간단하게 격자 절단할 수 있으며, 사파이어 격자 절단과 관련되는 문제를 피할 수 있다. 성장 기판의 제거후보다 오히려 호스트 기판의 접착전에 메사를 식각할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 기판상에 수직 GaN LED 및 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)를 효율적으로 생성한다.

Claims (16)

  1. InAlGaN 발광 장치에 있어서,
    호스트 기판(12),
    상기 호스트 기판의 상측에 인접하여, 제 1 및 제 2 극성의 장치층을 포함하는 AlInGaN 발광 구조(20),
    상기 AlInGaN 발광 구조의 상측에 대한 제 1 장치 콘택(18),
    상기 호스트 기판과 AlInGaN 구조에 삽입되는 웨이퍼 접착층(16),
    상기 AlInGaN 발광 구조의 아래측에 전기적으로 연결된, 상기 웨이퍼 접착층내에 배치된 제 2 장치 콘택(22)을 포함하는 InAlGaN 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 장치 콘택(22)은 적어도 50%의 은을 포함하는 InAlGaN 발광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 장치 콘택(22)은 적어도 50%의 알루미늄을 포함하는 InAlGaN 발광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 호스트 기판(12)은 금속 및 반도체를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 InAlGaN 발광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 호스트 기판(12)은 실리콘, 게르마늄, 글래스, 구리, 및 갈륨 악세나이드를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 InAlGaN 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 호스트 기판(12)은 상기 호스트 기판의 상측에 배치된 제 1 기판 오믹 콘택(24a)을 더 포함하는 반도체인 InAlGaN 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 호스트 기판의 아래측에 전기적으로 연결된 제 2 기판 오믹 콘택(24b)을 더 포함하는 InAlGaN 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    에지 방출 레이저를 형성하는 InAlGaN 발광 구조의 두 개의 대립측면에 배치된 한쌍의 연마 미러를 더 포함하는 InAlGaN 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 InAlGaN 발광 구조의 상측에 배치된 제 1 유전체 브레그(Bragg) 반사 미러(26A)와,
    상기 InAlGaN 발광 구조의 하측에 인접한, 웨이퍼 접착층내에 배치된 제 2 유전체 브레그 반사 미러(26B)를 더 포함하는 InAlGaN 발광 장치.
  10. 수직 전도 AlInGaN 발광 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    성장 기판상에 제 1 및 제 2 극성의 장치층을 갖는 AlInGaN 발광 구조를 성장시키는 단계와,
    상기 InAlGaN 발광 구조의 노출측상에 제 1 오믹 금속층을 침착시키는 단계와,
    호스트 기판상에 제 2 오믹 금속층을 침착시키는 단계와,
    상기 제 1 및 제 2 오믹 금속층을 웨이퍼 접착하여, 상기 웨이퍼 접착 인터페이스에 제 1 전기적 콘택을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 오믹 금속층은 은, 니켈, 알루미늄, 금, 및 코발트를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 성장 기판을 제거하는 단계와,
    InAlGaN 발광 구조의 새로운 노출측에 제 2 전기적 콘택을 제조하는 단계를 더 포함하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    원하는 장치 크기에 대응하여 AlInGaN 발광 구조를 통해 메사를 식각하는 단계를 더 포함하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 호스트 기판을 단일화하는 단계를 더 포함하는 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 InAlGaN 발광 구조를 성장시키는 단계는, 성장 기판에 50미크론보다 큰 두께를 갖는 AlInGaN막을 성장시키는 단계를 포함하는 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 호스트 기판은 금속 및 반도체를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 방법.
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