JP3106956B2 - 化合物半導体用電極材料 - Google Patents
化合物半導体用電極材料Info
- Publication number
- JP3106956B2 JP3106956B2 JP12829996A JP12829996A JP3106956B2 JP 3106956 B2 JP3106956 B2 JP 3106956B2 JP 12829996 A JP12829996 A JP 12829996A JP 12829996 A JP12829996 A JP 12829996A JP 3106956 B2 JP3106956 B2 JP 3106956B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- present
- compound semiconductor
- electrode material
- noble metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 26
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004349 Ti-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004692 Ti—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
発光ダイオードまたはレーザーダイオード等に使用され
るp型の3−5族化合物半導体の電極材料と電極に関
し、特にオーミック接触を得ることができる電極材料と
電極に関するものである。
レーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一般
式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0
≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化ガ
リウム系化合物半導体が知られている。該発光デバイス
を作製するためには、p型およびn型の層とコンタクト
をとるための電流注入特性の良好な電極が不可欠であ
る。n型の該化合物半導体に対する電極材料としては、
従来Al、Ti−Al合金が良好な電極材料として知ら
れている。
する電極材料としては、Au、NiAu合金、MgAu
合金、ZnAu合金などが知られているものの、接触抵
抗はn型の3−5族化合物半導体に対する電極材料に比
べて大きく、発光素子の駆動電圧を大きくする要因にな
っていた。特に、大電流を注入する半導体レーザーにお
いては、大きな接触抵抗のため駆動電圧が非常に大きく
なる問題があった。
をドープした3−5族化合物半導体用の良好なオーミッ
ク接触の得られる電極材料およびこれを用いた電極を提
供して、該化合物半導体を用いたデバイスの駆動電圧の
低減を可能とすることにある。
な問題点をみて鋭意研究した結果、特定の金属の積層構
造または合金がp型の3−5族化合物半導体に対して良
好な電流注入特性を示すことを見出し、本発明に至っ
た。即ち、本発明は、〔1〕p型不純物をドープした一
般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、
0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3−
5族化合物半導体用の電極材料において、該電極材料が
少なくともCaと貴金属を含む金属であり、Caと貴金
属の重量の合計が電極材料全体の重量の50%以上10
0%以下である3−5族化合物半導体用の電極材料に係
るものである。
ープした一般式Inx Gay AlzN(ただし、x+y
+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表
される3−5族化合物半導体用の電極において、該電極
が該化合物半導体上に〔1〕記載の電極材料を用いて形
成されてなる3−5族化合物半導体用の電極に係るもの
である。
発明における3−5族化合物半導体とは、一般式Inx
Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦
1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3−5族化合
物半導体である。本発明における、該化合物半導体のp
型ドーパントとしては、Mg、Zn、Cd、Be、C
a、Hgが挙げられ、中でもMg、Ca、Znが好まし
い。
料は、少なくともCaと貴金属を含むことを特徴とす
る。Caは、電流注入特性を向上させるために有効な電
極材料であるが、Caを単独で電極に使用した場合には
電極が酸化されやすく電極の信頼性が低下する場合があ
る。しかし、貴金属との積層により、または貴金属との
合金化により、酸化を防止し、電極の信頼性を高めるこ
とができる。
aと貴金属を含む金属の例としては、少なくともCaの
層と貴金属の層を含む積層構造からなる金属、または少
なくともCaと貴金属を含む合金が挙げられる。該貴金
属としては、Au、Pt、Ag、Ru、Rh、Pd、O
s、Irが挙げられるが、Au、Ptが好ましく、なか
でもAuが更に好ましい。
の層を含む積層構造からなる電極材料の場合、Caがp
型の3−5族化合物半導体に直接接触していることが好
ましい。Caがp型の該化合物半導体に直接接触してい
ない場合には、本発明の効果が得られないので好ましく
ない。
貴金属を含む合金からなる電極材料の作製方法として
は、少なくともCaと貴金属の層を含む積層構造を不活
性ガス雰囲気中で熱処理する方法、またはCaと貴金属
を同時に真空蒸着する方法等が挙げられる。
極材料中の好ましいCa濃度は、Caと貴金属の合計重
量に対して、Caが0.01重量%以上30重量%以下
である。Ca濃度の範囲が上記範囲以外では、本発明の
効果が得られないので好ましくない。
属からなる電極材料において、Caと貴金属以外の特定
の第三の金属材料を加えることにより本発明の効果をさ
らに高めることができる場合がある。このような第三の
金属材料の例として、Mg、Zn、Niなどが挙げられ
る。電極材料全体に対する該第三の電極材料の重量割合
は、0重量%以上50重量%未満であることが好まし
い。50重量%以上である場合には、電極の信頼性が低
下するので好ましくない。
物半導体上に形成した後で、更にアニール処理を行なう
ことにより電流注入特性を向上させることができる。ア
ニールする雰囲気としては、十分精製された窒素やアル
ゴン等の不活性ガスなどを用いることができる。アニー
ル温度としては、200℃以上1100℃以下が好まし
く、さらに好ましくは300℃以上1000℃以下であ
る。アニール温度が低すぎると十分な電流注入特性が得
られず、またアニール温度が高すぎると素子を構成する
材料または電極材料の変性を起こし、特性が劣化する場
合があるので好ましくない。好ましいアニール時間は、
アニール温度にもよるが、1秒以上2時間以下であり、
更に好ましくは、2秒以上30分以下である。アニール
時間が短すぎると十分な効果が得られず、また長すぎる
と素子構成材料が変性をおこし素子特性が劣化したり、
また生産性が悪くなるので好ましくない。
0Å以上50μm以下である。該膜厚が50Åよりも薄
いと充分な導電性を示さない場合があるので好ましくな
く、また50μmよりも厚いと形成に長時間を要するの
で好ましくない。
は、電極を透光性にすることにより、素子からの発光を
電極を透過させて外部に取り出せるので、発光素子の効
率を高めることができる。電極に透光性を付与させるた
めには電極膜厚を薄くすることが必要になる。本発明の
電極材料に透光性を付与させる場合の好ましい電極の厚
さは、50Å以上2000Å以下である。該電極の厚さ
が50Åより小さいと充分な導電性を示さない場合があ
るので好ましくなく、2000Åよりも大きいと充分な
透光性が得られないので好ましくない。透光性の電極を
不活性雰囲気でアニールすることにより、透光性がさら
に向上する場合がある。
電極上に、本発明の目的を損なわない範囲で、さらにそ
の他の金属を積層して機械的強度等の特性を増すことが
できる。具体的には、そのような例として、図1に示す
ように、該化合物半導体1の上に本発明の電極材料から
形成されてなる第1の電極2の表面と、該化合物半導体
の表面とに、共に第2の電極3が接してなるものが挙げ
られる。該第2の電極に用いる金属としては、Al、T
iまたはCrが挙げられ、特にAlはこの中でも密着性
が優れるため好ましい。電極端子は第2の電極金属に接
合されることが好ましい。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1 常圧MOCVD法によりMgをドープしたGaNをサフ
ァイアC面基板上に成長した。成長後、試料を窒素中、
800℃で20分間アニール処理した。こうして得られ
たMgをドープしたGaNは、p型の導電性を示し、ア
クセプタ濃度は約1×1019cm-3であった。
の順に図2に示すパターンに真空蒸着して電極を得た。
CaおよびAuの厚さは、その合計の厚さが1500Å
であり、Caの重量が合計の重量の0.3%となるもの
を作製した。なお、このようにして作製した電極は、図
2のパターンの内側の円形電極がプラスになる場合が順
方向である。本実施例の電極のアニール温度と、順方向
に4V加えたときに流れる電流との相関を図3に示す。
アニールは窒素中で90秒間行った。本実施例では、ア
ニール温度が500℃以下、または700℃以上900
℃以下のとき良好な電流注入特性を示すことがわかる。
i、Auを順に積層したことを除いては、実施例1と同
様にして電極を作製した。NiおよびAuの厚さは、そ
の合計の厚さが1500Åであり、Niの重量が合計の
重量の1%となるものを作製した。本比較例の電極のア
ニール温度と、順方向に4V加えたときに流れる電流と
の相関を図3に示す。アニールは窒素中で90秒間行っ
た。アニール温度は500℃までは電流注入特性は大き
な変化を示さないが、600℃以上では電流値は低下し
た。また、電流値は600℃を除いて実施例1に比べて
小さかった。
は、p型の窒化物系3−5族化合物半導体との接触抵抗
が小さいので、該電極を用いると、電流注入特性が良好
で、低電圧で駆動できるLEDや半導体レーザー等の発
光素子を作製できるため、重要であり工業的価値が大き
い。
の例を示す断面図。
と電流との相関を示す図。
Claims (2)
- 【請求項1】p型不純物をドープした一般式Inx Ga
y Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0
≦y≦1、0≦z≦1)で表される3−5族化合物半導
体用の電極材料において、該電極材料が少なくともCa
と貴金属を含む金属であり、Caと貴金属の重量の合計
が電極材料全体の重量の50%以上100%以下である
ことを特徴とする3−5族化合物半導体用の電極材料。 - 【請求項2】p型不純物をドープした一般式Inx Ga
y Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0
≦y≦1、0≦z≦1)で表される3−5族化合物半導
体用の電極において、該電極が該化合物半導体上に請求
項1記載の電極材料を用いて形成されてなることを特徴
とする3−5族化合物半導体用の電極。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12829996A JP3106956B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 化合物半導体用電極材料 |
TW086106357A TW343355B (en) | 1996-05-23 | 1997-05-13 | Electrode material for compound semiconductor |
GB9710066A GB2313475B (en) | 1996-05-23 | 1997-05-16 | Electrode material for compound semiconductor |
SG1997001617A SG52973A1 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-20 | Electrode material for compound semiconductor |
KR1019970019897A KR100453017B1 (ko) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | 화합물반도체용전극재료 |
DE19721458A DE19721458A1 (de) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | Elektrodenmaterial für Halbleiter |
US08/861,820 US6104044A (en) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | Semiconductor compound electrode material containing calcium and a noble metal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12829996A JP3106956B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 化合物半導体用電極材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09312273A JPH09312273A (ja) | 1997-12-02 |
JP3106956B2 true JP3106956B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=14981367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12829996A Expired - Lifetime JP3106956B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 化合物半導体用電極材料 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6104044A (ja) |
JP (1) | JP3106956B2 (ja) |
KR (1) | KR100453017B1 (ja) |
DE (1) | DE19721458A1 (ja) |
GB (1) | GB2313475B (ja) |
SG (1) | SG52973A1 (ja) |
TW (1) | TW343355B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3693142B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2005-09-07 | 株式会社リコー | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US6936859B1 (en) | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0656883B2 (ja) * | 1986-03-03 | 1994-07-27 | 鐘淵化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2704181B2 (ja) * | 1989-02-13 | 1998-01-26 | 日本電信電話株式会社 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 |
US5023144A (en) * | 1989-03-24 | 1991-06-11 | Mitsubishi Metal Corporation | Silver alloy foil for interconnector for solar cell |
US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
US5708301A (en) * | 1994-02-28 | 1998-01-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Electrode material and electrode for III-V group compound semiconductor |
US5656832A (en) * | 1994-03-09 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness |
JPH0832112A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
US5751752A (en) * | 1994-09-14 | 1998-05-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP12829996A patent/JP3106956B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-13 TW TW086106357A patent/TW343355B/zh active
- 1997-05-16 GB GB9710066A patent/GB2313475B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-20 SG SG1997001617A patent/SG52973A1/en unknown
- 1997-05-22 DE DE19721458A patent/DE19721458A1/de not_active Ceased
- 1997-05-22 KR KR1019970019897A patent/KR100453017B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-23 US US08/861,820 patent/US6104044A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09312273A (ja) | 1997-12-02 |
GB2313475B (en) | 1998-11-18 |
US6104044A (en) | 2000-08-15 |
KR970077851A (ko) | 1997-12-12 |
GB9710066D0 (en) | 1997-07-09 |
DE19721458A1 (de) | 1997-11-27 |
KR100453017B1 (ko) | 2005-01-13 |
GB2313475A (en) | 1997-11-26 |
SG52973A1 (en) | 1998-09-28 |
TW343355B (en) | 1998-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7964889B2 (en) | Nitride-based light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP3344257B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 | |
JP5220409B2 (ja) | トップエミット型窒化物系発光素子の製造方法 | |
JP3494478B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
US8012783B2 (en) | Semiconductor element and method for manufacturing same | |
JP2002368271A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
CN1306560C (zh) | 用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极 | |
KR20050063293A (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP5130436B2 (ja) | GaN系半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2005354040A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
JPH10335705A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
KR100538199B1 (ko) | Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 장치를 제조하는 방법 | |
JP3106956B2 (ja) | 化合物半導体用電極材料 | |
JP3239350B2 (ja) | n型窒化物半導体層の電極 | |
JP4312504B2 (ja) | 発光ダイオード素子の電極及び発光ダイオード素子 | |
JPH10190056A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
JPH10270758A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
JP3144534B2 (ja) | n型窒化物半導体層の電極 | |
JP3187284B2 (ja) | n型窒化物半導体層の電極 | |
KR100611640B1 (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100574104B1 (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100574103B1 (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100574102B1 (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2006032863A (ja) | n型窒化物半導体層用の電極、その製造方法およびそれを有する発光素子 | |
JP2007311375A (ja) | p型III−V族化合物半導体の作製方法及び発光素子の作製方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908 Year of fee payment: 8 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |