JP3106956B2 - 化合物半導体用電極材料 - Google Patents
化合物半導体用電極材料Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外もしくは青色
発光ダイオードまたはレーザーダイオード等に使用され
るｐ型の３−５族化合物半導体の電極材料と電極に関
し、特にオーミック接触を得ることができる電極材料と
電極に関するものである。
発光ダイオードまたはレーザーダイオード等に使用され
るｐ型の３−５族化合物半導体の電極材料と電極に関
し、特にオーミック接触を得ることができる電極材料と
電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】紫外もしくは青色発光ダイオードまたは
レーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一般
式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化ガ
リウム系化合物半導体が知られている。該発光デバイス
を作製するためには、ｐ型およびｎ型の層とコンタクト
をとるための電流注入特性の良好な電極が不可欠であ
る。ｎ型の該化合物半導体に対する電極材料としては、
従来Ａｌ、Ｔｉ−Ａｌ合金が良好な電極材料として知ら
れている。
レーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一般
式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化ガ
リウム系化合物半導体が知られている。該発光デバイス
を作製するためには、ｐ型およびｎ型の層とコンタクト
をとるための電流注入特性の良好な電極が不可欠であ
る。ｎ型の該化合物半導体に対する電極材料としては、
従来Ａｌ、Ｔｉ−Ａｌ合金が良好な電極材料として知ら
れている。
【０００３】しかし、ｐ型の３−５族化合物半導体に対
する電極材料としては、Ａｕ、ＮｉＡｕ合金、ＭｇＡｕ
合金、ＺｎＡｕ合金などが知られているものの、接触抵
抗はｎ型の３−５族化合物半導体に対する電極材料に比
べて大きく、発光素子の駆動電圧を大きくする要因にな
っていた。特に、大電流を注入する半導体レーザーにお
いては、大きな接触抵抗のため駆動電圧が非常に大きく
なる問題があった。
する電極材料としては、Ａｕ、ＮｉＡｕ合金、ＭｇＡｕ
合金、ＺｎＡｕ合金などが知られているものの、接触抵
抗はｎ型の３−５族化合物半導体に対する電極材料に比
べて大きく、発光素子の駆動電圧を大きくする要因にな
っていた。特に、大電流を注入する半導体レーザーにお
いては、大きな接触抵抗のため駆動電圧が非常に大きく
なる問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ｐ型不純物
をドープした３−５族化合物半導体用の良好なオーミッ
ク接触の得られる電極材料およびこれを用いた電極を提
供して、該化合物半導体を用いたデバイスの駆動電圧の
低減を可能とすることにある。
をドープした３−５族化合物半導体用の良好なオーミッ
ク接触の得られる電極材料およびこれを用いた電極を提
供して、該化合物半導体を用いたデバイスの駆動電圧の
低減を可能とすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な問題点をみて鋭意研究した結果、特定の金属の積層構
造または合金がｐ型の３−５族化合物半導体に対して良
好な電流注入特性を示すことを見出し、本発明に至っ
た。即ち、本発明は、〔１〕ｐ型不純物をドープした一
般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−
５族化合物半導体用の電極材料において、該電極材料が
少なくともＣａと貴金属を含む金属であり、Ｃａと貴金
属の重量の合計が電極材料全体の重量の５０％以上１０
０％以下である３−５族化合物半導体用の電極材料に係
るものである。
な問題点をみて鋭意研究した結果、特定の金属の積層構
造または合金がｐ型の３−５族化合物半導体に対して良
好な電流注入特性を示すことを見出し、本発明に至っ
た。即ち、本発明は、〔１〕ｐ型不純物をドープした一
般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−
５族化合物半導体用の電極材料において、該電極材料が
少なくともＣａと貴金属を含む金属であり、Ｃａと貴金
属の重量の合計が電極材料全体の重量の５０％以上１０
０％以下である３−５族化合物半導体用の電極材料に係
るものである。
【０００６】さらに、本発明は、〔２〕ｐ型不純物をド
ープした一般式Ｉｎx Ｇａy ＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表
される３−５族化合物半導体用の電極において、該電極
が該化合物半導体上に〔１〕記載の電極材料を用いて形
成されてなる３−５族化合物半導体用の電極に係るもの
である。
ープした一般式Ｉｎx Ｇａy ＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表
される３−５族化合物半導体用の電極において、該電極
が該化合物半導体上に〔１〕記載の電極材料を用いて形
成されてなる３−５族化合物半導体用の電極に係るもの
である。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に本発明を詳細に説明する。本
発明における３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx
Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合
物半導体である。本発明における、該化合物半導体のｐ
型ドーパントとしては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｈｇが挙げられ、中でもＭｇ、Ｃａ、Ｚｎが好まし
い。
発明における３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx
Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合
物半導体である。本発明における、該化合物半導体のｐ
型ドーパントとしては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｈｇが挙げられ、中でもＭｇ、Ｃａ、Ｚｎが好まし
い。
【０００８】本発明のｐ型化合物半導体に対する電極材
料は、少なくともＣａと貴金属を含むことを特徴とす
る。Ｃａは、電流注入特性を向上させるために有効な電
極材料であるが、Ｃａを単独で電極に使用した場合には
電極が酸化されやすく電極の信頼性が低下する場合があ
る。しかし、貴金属との積層により、または貴金属との
合金化により、酸化を防止し、電極の信頼性を高めるこ
とができる。
料は、少なくともＣａと貴金属を含むことを特徴とす
る。Ｃａは、電流注入特性を向上させるために有効な電
極材料であるが、Ｃａを単独で電極に使用した場合には
電極が酸化されやすく電極の信頼性が低下する場合があ
る。しかし、貴金属との積層により、または貴金属との
合金化により、酸化を防止し、電極の信頼性を高めるこ
とができる。
【０００９】本発明の電極材料において、少なくともＣ
ａと貴金属を含む金属の例としては、少なくともＣａの
層と貴金属の層を含む積層構造からなる金属、または少
なくともＣａと貴金属を含む合金が挙げられる。該貴金
属としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ
ｓ、Ｉｒが挙げられるが、Ａｕ、Ｐｔが好ましく、なか
でもＡｕが更に好ましい。
ａと貴金属を含む金属の例としては、少なくともＣａの
層と貴金属の層を含む積層構造からなる金属、または少
なくともＣａと貴金属を含む合金が挙げられる。該貴金
属としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ
ｓ、Ｉｒが挙げられるが、Ａｕ、Ｐｔが好ましく、なか
でもＡｕが更に好ましい。
【００１０】本発明における、少なくともＣａと貴金属
の層を含む積層構造からなる電極材料の場合、Ｃａがｐ
型の３−５族化合物半導体に直接接触していることが好
ましい。Ｃａがｐ型の該化合物半導体に直接接触してい
ない場合には、本発明の効果が得られないので好ましく
ない。
の層を含む積層構造からなる電極材料の場合、Ｃａがｐ
型の３−５族化合物半導体に直接接触していることが好
ましい。Ｃａがｐ型の該化合物半導体に直接接触してい
ない場合には、本発明の効果が得られないので好ましく
ない。
【００１１】また、本発明における、少なくともＣａと
貴金属を含む合金からなる電極材料の作製方法として
は、少なくともＣａと貴金属の層を含む積層構造を不活
性ガス雰囲気中で熱処理する方法、またはＣａと貴金属
を同時に真空蒸着する方法等が挙げられる。
貴金属を含む合金からなる電極材料の作製方法として
は、少なくともＣａと貴金属の層を含む積層構造を不活
性ガス雰囲気中で熱処理する方法、またはＣａと貴金属
を同時に真空蒸着する方法等が挙げられる。
【００１２】本発明の少なくともＣａと貴金属を含む電
極材料中の好ましいＣａ濃度は、Ｃａと貴金属の合計重
量に対して、Ｃａが０．０１重量％以上３０重量％以下
である。Ｃａ濃度の範囲が上記範囲以外では、本発明の
効果が得られないので好ましくない。
極材料中の好ましいＣａ濃度は、Ｃａと貴金属の合計重
量に対して、Ｃａが０．０１重量％以上３０重量％以下
である。Ｃａ濃度の範囲が上記範囲以外では、本発明の
効果が得られないので好ましくない。
【００１３】本発明の少なくともＣａと貴金属を含む金
属からなる電極材料において、Ｃａと貴金属以外の特定
の第三の金属材料を加えることにより本発明の効果をさ
らに高めることができる場合がある。このような第三の
金属材料の例として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉなどが挙げられ
る。電極材料全体に対する該第三の電極材料の重量割合
は、０重量％以上５０重量％未満であることが好まし
い。５０重量％以上である場合には、電極の信頼性が低
下するので好ましくない。
属からなる電極材料において、Ｃａと貴金属以外の特定
の第三の金属材料を加えることにより本発明の効果をさ
らに高めることができる場合がある。このような第三の
金属材料の例として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉなどが挙げられ
る。電極材料全体に対する該第三の電極材料の重量割合
は、０重量％以上５０重量％未満であることが好まし
い。５０重量％以上である場合には、電極の信頼性が低
下するので好ましくない。
【００１４】本発明の電極材料は、ｐ型の３−５族化合
物半導体上に形成した後で、更にアニール処理を行なう
ことにより電流注入特性を向上させることができる。ア
ニールする雰囲気としては、十分精製された窒素やアル
ゴン等の不活性ガスなどを用いることができる。アニー
ル温度としては、２００℃以上１１００℃以下が好まし
く、さらに好ましくは３００℃以上１０００℃以下であ
る。アニール温度が低すぎると十分な電流注入特性が得
られず、またアニール温度が高すぎると素子を構成する
材料または電極材料の変性を起こし、特性が劣化する場
合があるので好ましくない。好ましいアニール時間は、
アニール温度にもよるが、１秒以上２時間以下であり、
更に好ましくは、２秒以上３０分以下である。アニール
時間が短すぎると十分な効果が得られず、また長すぎる
と素子構成材料が変性をおこし素子特性が劣化したり、
また生産性が悪くなるので好ましくない。
物半導体上に形成した後で、更にアニール処理を行なう
ことにより電流注入特性を向上させることができる。ア
ニールする雰囲気としては、十分精製された窒素やアル
ゴン等の不活性ガスなどを用いることができる。アニー
ル温度としては、２００℃以上１１００℃以下が好まし
く、さらに好ましくは３００℃以上１０００℃以下であ
る。アニール温度が低すぎると十分な電流注入特性が得
られず、またアニール温度が高すぎると素子を構成する
材料または電極材料の変性を起こし、特性が劣化する場
合があるので好ましくない。好ましいアニール時間は、
アニール温度にもよるが、１秒以上２時間以下であり、
更に好ましくは、２秒以上３０分以下である。アニール
時間が短すぎると十分な効果が得られず、また長すぎる
と素子構成材料が変性をおこし素子特性が劣化したり、
また生産性が悪くなるので好ましくない。
【００１５】本発明の電極の膜厚の好ましい範囲は、５
０Å以上５０μｍ以下である。該膜厚が５０Åよりも薄
いと充分な導電性を示さない場合があるので好ましくな
く、また５０μｍよりも厚いと形成に長時間を要するの
で好ましくない。
０Å以上５０μｍ以下である。該膜厚が５０Åよりも薄
いと充分な導電性を示さない場合があるので好ましくな
く、また５０μｍよりも厚いと形成に長時間を要するの
で好ましくない。
【００１６】ＬＥＤ等の発光素子に用いる電極において
は、電極を透光性にすることにより、素子からの発光を
電極を透過させて外部に取り出せるので、発光素子の効
率を高めることができる。電極に透光性を付与させるた
めには電極膜厚を薄くすることが必要になる。本発明の
電極材料に透光性を付与させる場合の好ましい電極の厚
さは、５０Å以上２０００Å以下である。該電極の厚さ
が５０Åより小さいと充分な導電性を示さない場合があ
るので好ましくなく、２０００Åよりも大きいと充分な
透光性が得られないので好ましくない。透光性の電極を
不活性雰囲気でアニールすることにより、透光性がさら
に向上する場合がある。
は、電極を透光性にすることにより、素子からの発光を
電極を透過させて外部に取り出せるので、発光素子の効
率を高めることができる。電極に透光性を付与させるた
めには電極膜厚を薄くすることが必要になる。本発明の
電極材料に透光性を付与させる場合の好ましい電極の厚
さは、５０Å以上２０００Å以下である。該電極の厚さ
が５０Åより小さいと充分な導電性を示さない場合があ
るので好ましくなく、２０００Åよりも大きいと充分な
透光性が得られないので好ましくない。透光性の電極を
不活性雰囲気でアニールすることにより、透光性がさら
に向上する場合がある。
【００１７】なお、該化合物半導体と接触する本発明の
電極上に、本発明の目的を損なわない範囲で、さらにそ
の他の金属を積層して機械的強度等の特性を増すことが
できる。具体的には、そのような例として、図１に示す
ように、該化合物半導体１の上に本発明の電極材料から
形成されてなる第１の電極２の表面と、該化合物半導体
の表面とに、共に第２の電極３が接してなるものが挙げ
られる。該第２の電極に用いる金属としては、Ａｌ、Ｔ
ｉまたはＣｒが挙げられ、特にＡｌはこの中でも密着性
が優れるため好ましい。電極端子は第２の電極金属に接
合されることが好ましい。
電極上に、本発明の目的を損なわない範囲で、さらにそ
の他の金属を積層して機械的強度等の特性を増すことが
できる。具体的には、そのような例として、図１に示す
ように、該化合物半導体１の上に本発明の電極材料から
形成されてなる第１の電極２の表面と、該化合物半導体
の表面とに、共に第２の電極３が接してなるものが挙げ
られる。該第２の電極に用いる金属としては、Ａｌ、Ｔ
ｉまたはＣｒが挙げられ、特にＡｌはこの中でも密着性
が優れるため好ましい。電極端子は第２の電極金属に接
合されることが好ましい。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 常圧ＭＯＣＶＤ法によりＭｇをドープしたＧａＮをサフ
ァイアＣ面基板上に成長した。成長後、試料を窒素中、
８００℃で２０分間アニール処理した。こうして得られ
たＭｇをドープしたＧａＮは、ｐ型の導電性を示し、ア
クセプタ濃度は約１×１０19ｃｍ-3であった。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 常圧ＭＯＣＶＤ法によりＭｇをドープしたＧａＮをサフ
ァイアＣ面基板上に成長した。成長後、試料を窒素中、
８００℃で２０分間アニール処理した。こうして得られ
たＭｇをドープしたＧａＮは、ｐ型の導電性を示し、ア
クセプタ濃度は約１×１０19ｃｍ-3であった。
【００１９】得られたｐ型ＧａＮ膜に、Ｃａ、Ａｕをこ
の順に図２に示すパターンに真空蒸着して電極を得た。
ＣａおよびＡｕの厚さは、その合計の厚さが１５００Å
であり、Ｃａの重量が合計の重量の０．３％となるもの
を作製した。なお、このようにして作製した電極は、図
２のパターンの内側の円形電極がプラスになる場合が順
方向である。本実施例の電極のアニール温度と、順方向
に４Ｖ加えたときに流れる電流との相関を図３に示す。
アニールは窒素中で９０秒間行った。本実施例では、ア
ニール温度が５００℃以下、または７００℃以上９００
℃以下のとき良好な電流注入特性を示すことがわかる。
の順に図２に示すパターンに真空蒸着して電極を得た。
ＣａおよびＡｕの厚さは、その合計の厚さが１５００Å
であり、Ｃａの重量が合計の重量の０．３％となるもの
を作製した。なお、このようにして作製した電極は、図
２のパターンの内側の円形電極がプラスになる場合が順
方向である。本実施例の電極のアニール温度と、順方向
に４Ｖ加えたときに流れる電流との相関を図３に示す。
アニールは窒素中で９０秒間行った。本実施例では、ア
ニール温度が５００℃以下、または７００℃以上９００
℃以下のとき良好な電流注入特性を示すことがわかる。
【００２０】比較例１ Ｃａ、Ａｕを積層するかわりに、従来電極材料であるＮ
ｉ、Ａｕを順に積層したことを除いては、実施例１と同
様にして電極を作製した。ＮｉおよびＡｕの厚さは、そ
の合計の厚さが１５００Åであり、Ｎｉの重量が合計の
重量の１％となるものを作製した。本比較例の電極のア
ニール温度と、順方向に４Ｖ加えたときに流れる電流と
の相関を図３に示す。アニールは窒素中で９０秒間行っ
た。アニール温度は５００℃までは電流注入特性は大き
な変化を示さないが、６００℃以上では電流値は低下し
た。また、電流値は６００℃を除いて実施例１に比べて
小さかった。
ｉ、Ａｕを順に積層したことを除いては、実施例１と同
様にして電極を作製した。ＮｉおよびＡｕの厚さは、そ
の合計の厚さが１５００Åであり、Ｎｉの重量が合計の
重量の１％となるものを作製した。本比較例の電極のア
ニール温度と、順方向に４Ｖ加えたときに流れる電流と
の相関を図３に示す。アニールは窒素中で９０秒間行っ
た。アニール温度は５００℃までは電流注入特性は大き
な変化を示さないが、６００℃以上では電流値は低下し
た。また、電流値は６００℃を除いて実施例１に比べて
小さかった。
【００２１】
【発明の効果】本発明の電極材料を用いて得られる電極
は、ｐ型の窒化物系３−５族化合物半導体との接触抵抗
が小さいので、該電極を用いると、電流注入特性が良好
で、低電圧で駆動できるＬＥＤや半導体レーザー等の発
光素子を作製できるため、重要であり工業的価値が大き
い。
は、ｐ型の窒化物系３−５族化合物半導体との接触抵抗
が小さいので、該電極を用いると、電流注入特性が良好
で、低電圧で駆動できるＬＥＤや半導体レーザー等の発
光素子を作製できるため、重要であり工業的価値が大き
い。
【図１】本発明の電極上にその他の電極を積層した電極
の例を示す断面図。
の例を示す断面図。
【図２】実施例１で作製した電極パターンを示す図。
【図３】実施例１および比較例１の電極のアニール温度
と電流との相関を示す図。
と電流との相関を示す図。
１・・・ｐ型３−５族化合物半導体 ２・・・本発明の電極材料からなる第１の電極 ３・・・第２の電極 ４・・・電極端子 ５・・・電極未蒸着部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乾 勝美 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 平２−39535（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−76758（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−8613（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−203369（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/285 301 H01B 1/16 H01L 33/00 H01S 5/00
Claims (2)
- 【請求項１】ｐ型不純物をドープした一般式Ｉｎx Ｇａ
y Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０
≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導
体用の電極材料において、該電極材料が少なくともＣａ
と貴金属を含む金属であり、Ｃａと貴金属の重量の合計
が電極材料全体の重量の５０％以上１００％以下である
ことを特徴とする３−５族化合物半導体用の電極材料。 - 【請求項２】ｐ型不純物をドープした一般式Ｉｎx Ｇａ
y Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０
≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導
体用の電極において、該電極が該化合物半導体上に請求
項１記載の電極材料を用いて形成されてなることを特徴
とする３−５族化合物半導体用の電極。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12829996A JP3106956B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 化合物半導体用電極材料 |
| TW086106357A TW343355B (en) | 1996-05-23 | 1997-05-13 | Electrode material for compound semiconductor |
| GB9710066A GB2313475B (en) | 1996-05-23 | 1997-05-16 | Electrode material for compound semiconductor |
| SG1997001617A SG52973A1 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-20 | Electrode material for compound semiconductor |
| DE19721458A DE19721458A1 (de) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | Elektrodenmaterial für Halbleiter |
| KR1019970019897A KR100453017B1 (ko) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | 화합물반도체용전극재료 |
| US08/861,820 US6104044A (en) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | Semiconductor compound electrode material containing calcium and a noble metal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12829996A JP3106956B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 化合物半導体用電極材料 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312273A JPH09312273A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3106956B2 true JP3106956B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=14981367
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP12829996A Expired - Lifetime JP3106956B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 化合物半導体用電極材料 |
Country Status (7)
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|---|---|
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| JP (1) | JP3106956B2 (ja) |
| KR (1) | KR100453017B1 (ja) |
| DE (1) | DE19721458A1 (ja) |
| GB (1) | GB2313475B (ja) |
| SG (1) | SG52973A1 (ja) |
| TW (1) | TW343355B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6936859B1 (en) | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
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| JP2704181B2 (ja) * | 1989-02-13 | 1998-01-26 | 日本電信電話株式会社 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 |
| DE69009814T2 (de) * | 1989-03-24 | 1994-11-17 | Mitsubishi Materials Corp | Silberlegierungsblatt zur Verbindung von Sonnenzellen. |
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US5708301A (en) * | 1994-02-28 | 1998-01-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Electrode material and electrode for III-V group compound semiconductor |
| US5656832A (en) * | 1994-03-09 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness |
| JPH0832112A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体発光素子 |
| US5751752A (en) * | 1994-09-14 | 1998-05-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP12829996A patent/JP3106956B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-13 TW TW086106357A patent/TW343355B/zh active
- 1997-05-16 GB GB9710066A patent/GB2313475B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-20 SG SG1997001617A patent/SG52973A1/en unknown
- 1997-05-22 KR KR1019970019897A patent/KR100453017B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-22 DE DE19721458A patent/DE19721458A1/de not_active Ceased
- 1997-05-23 US US08/861,820 patent/US6104044A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2313475A (en) | 1997-11-26 |
| JPH09312273A (ja) | 1997-12-02 |
| US6104044A (en) | 2000-08-15 |
| DE19721458A1 (de) | 1997-11-27 |
| TW343355B (en) | 1998-10-21 |
| GB2313475B (en) | 1998-11-18 |
| KR970077851A (ko) | 1997-12-12 |
| SG52973A1 (en) | 1998-09-28 |
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