CN1306560C - 用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极 - Google Patents
用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1306560C CN1306560C CNB028028309A CN02802830A CN1306560C CN 1306560 C CN1306560 C CN 1306560C CN B028028309 A CNB028028309 A CN B028028309A CN 02802830 A CN02802830 A CN 02802830A CN 1306560 C CN1306560 C CN 1306560C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode material
- electrode
- layer
- compound semiconductor
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 37
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明的目的在于使n-电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n-型层之间的电阻极大地减少。根据本发明,n-电极是由下列电极材料形成的:第一电极材料,由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成;第二电极材料,由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成;和第三电极材料,由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极。
背景技术
迄今,对在第III族氮化物化合物半导体器件如发射蓝光的二极管的n-型层上形成的n-电极已经进行了各种各样的改进,以确保n-电极和n-型层之问的欧姆接触。JP-A-11-8410中介绍的n-电极包括:由至少一种选自钛、锆和钨的金属制成的第一电极材料,由至少一种选自铝、硅和锗中的金属制成的第二电极材料,以及由铑制成的第三电极材料。
当前,对发光器件的输出和效率要求作很大的改进。从这个观点出发,就需要极大地减少n-电极和第III族氮化物化合物半导体的n-型层之间的电阻。
当第III族氮化物化合物半导体被用于发光器件之外的器件时,n-型第III族氮化物化合物半导体和电极之间的电阻也要足够的低。例如一种n-AlGaN/GaN型HFET(异型结场效应晶体管)被认为是下一代高频电力器件。为使这种器件适合于实用,需要一种在和n-AlxGa1-xN(x>0.2)接触时显示足够低的接触电阻值并且对热稳定的低电阻欧姆接触材料。目前在Ti/Al型接触材料被用于n-GaN的情况下,接触材料的接触电阻值随着n-AlGaN的Al含量的增加而增加。
发明内容
本发明人积极研究解决上述问题,结果取得了如下的发明,这就是:
一种用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极,包括:
第一电极材料,由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)和钨(W)的金属制成;
第二电极材料,由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属制成;
第三电极材料,由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属制成。
根据本发明的n-电极,其中上述电极材料的组合,特别是第二电极材料的使用,使第III族氮化物化合物半导体的n-型层和电极之间的接触电阻低于传统例子中的接触电阻。
在上述的描述中,从热稳定性的观点出发,优选使用钒或钛作为第一电极材料;从获得低接触电阻的观点出发优选使用钯(参见图1)作为第二电极材料;从材料费用的观点出发优选使用铝作为第三电极材料。
根据本发明的n-电极可包含第四电极材料。例如,可使用金(Au),铑(Rh)等作为第四种金属成份。
举例来说,根据本发明的n-电极是通过在n-型层上叠加第一至第三电极材料层并对这些层进行热处理而形成的。备选地,由选自第一至第三电极材料的多个电极材料所预先形成的合金可以叠加在n-型层上。每种电极材料层都可以以多层进行叠加。例如,各电极材料层可以被叠加在一起,使第一电极材料层、第二电极材料层、第三电极材料层和第一电极材料层按这样的顺序排列。
大多数金属材料可以用做第一、第二或者第三电极材料本身。在这种情况下,一种电极材料层可以由多种金属材料的合金或者多种金属材料的叠层制成。在后一种情况中,例如可以制成构成第一电极材料的两种金属层,使第二电极材料层夹在两种金属层之间。
在n-型层上叠加不同的电极材料的方法不受特别的限制。例如可以使用如气相淀积、溅射等方法。
叠加各电极材料层的顺序不受特别限制,但从热稳定性等出发,优选第一电极材料层、第二电极材料层、第三电极材料层从n-型层一侧按次序形成。
进行加热处理以在电极材料和n-型层之间形成欧姆接触。各电极材料通过加热和谐完整地熔合。
加热优选在大气压和惰性气体气氛中进行。氮气、氦气、氩气等可以做为惰性气体使用,这是考虑到安全的情形。从电极特性的观点来看,也可使用氢气等。
根据形成n-型层的材料、使用的电极材料、以及其膜厚度等,可适当地选择加热温度和加热时间。
顺便提及,在本说明书中,每一个第III族氮化物化合物半导体用下面的通式表示:
AlXGaYIn1-X-YN(0≤X≤1,0≤Y≤1,0≤X+Y≤1)其包括所谓的二元化合物如AlN、GaN、InN,和所谓的三元化合物如AlXGa1-XN、AlXIn1-XN、GaXIn1-XN(0<x<1,每个)。
第III族元素可以至少部分地被硼(B)、铊(Tl)等替换。氮(N)可以至少部分地被磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)等替换。每种第III族氮化物化合物半导体层可以包含一种任选的掺杂剂。Si、Ge、Se、Te、C等可用作n-型杂质。Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等可用作p-型杂质。顺便提及,掺杂p-型杂质后,第III族氮化物化合物半导体可进行电子束辐射、等离子体辐射、或者在加热炉中加热,但是这种处理不是必须的。形成各第III族氮化物化合物半导体层的方法不受特别限制。除了金属有机化学气相淀积方法(MOCVD法)外,第III族氮化物化合物半导体层可以用已知的方法形成,如通过分子束外延法(MBE法)、卤化物气相外延法(HVPE法)、溅射法、离子镀层法、电子簇射法等制成。
顺便提及,同质结构或者单一或双异质结构可以用作发光器件的结构。也可以使用量子势阱结构(单一的量子势阱结构或多样的量子势阱结构)。
附图简述
图1是表示根据本发明实施例的n-电极(Ti/Pa/Al)的接触电阻的曲线图。
图2是表示根据本发明另一个实施例的n-电极(Ti/Pt/Al)的接触电阻的曲线图,以及
图3是显示根据实施例的发光器件的构型剖面图。
本发明的最佳实施模式
本发明的实验实施例将在下面描述。
实施例1
通过MOCVD方法,使AlN缓冲层(0.02μm)、GaN层(2.0μm)和掺杂Si的n-Al0.2Ga0.8N(Nd=2×1018cm-3)在蓝宝石基片上连续生长,这样HEMT结构被使用。Ti/Pd/Al(膜厚度nm:20/3、5、10/200)和Ti/Pt/Al(膜厚度nm:20/5/200)从半导体接触面被分别淀积在HEMT结构上以制备两种样品,其中每个样品都用RTA(快速热退火)装置在氮气气氛中加热30秒。然后用Marlow-Das型TLM法测定这两种样品的接触电阻值。结果表示在图1和图2中。顺便提及,在图1和图2中表示的结果是用各加热温度下测定结果的算术平均值表示的。
在图1所示的结果中用黑点表示的比较例是使用Ti/Al电极(膜厚度nm:16/200)的情景。Ti/Al的接触电阻值是ρc=5.9×10-5(Ω-cm2),与这个接触电阻值相比,在向Ti/Al中添加Pd的所有样品中,Ti/Pd/Al的接触电阻值可以降低约一个数量级。特别是当Pd膜的厚度为5nm时,可以显示最低的ρc=4.1×10-6(Ω-cm2)。
从上述描述中很明显可以看出,在n-型AlGaN/GaN异型结构的GaN层上形成的优选电极是Ti/Pd/Al,其膜厚度比值优选为Ti∶Pd∶Al=10∶1-10∶100,更优选为10∶2-3∶100。同样很明显的是加热温度优选在500℃-700℃范围内,更优选在550℃-650℃范围内。
在图2所示的结果中,在添加Pt的实施例中Ti/Pt/Al的接触电阻值低于用黑点表示的比较例中Ti/Al(膜厚nm:16/200)的接触电阻值,即,Ti/Pt/Al的接触电阻值ρc=3.8×10-5(Ω-cm2)。
很明显从以上描述中可看出,在n-型AlGaN/GaN异型结构的AlGaN层上形成的优选电极为Ti/Pt/Al,其膜厚度比值优选为Ti∶Pt∶Al=10∶1-10∶100,更优选为10∶1-2∶100。同样很明显的是加热温度优选在500℃-700℃范围内,更优选550℃-650℃范围内。
从这些结果可以预见存在一种Pd-Ga化合物。从以上结果中下列事实是可以预见的:首先,一种对Ga高度活泼的金属如Pd与n-型层中的Ga发生化学结合,这样在n-型层中产生Ga-空穴。不活泼的Si进入Ga-空穴,起到给体的作用。结果,给体浓度增加,使接触电阻减少。除此之外,当Si不进入Ga-空穴的时候,可以预见因为Ga-空穴本身有加速形成n-型半导体的功能,所以也能获得接触电阻减少的结果。
关于老化作用,把Ti/Pd/Al电极在室温下放置4000小时或以上,用上述同样的方法测量Ti/Pd/Al电极的接触电阻。得到的结果基本上和图1所示的结果相同。
当然,如果可以获得n-型AlGaN/GaN的HEMT结构,基片和缓冲层的材料就不受限制。除了n-型AlGaN/GaN之外,也可以使用n-型AlGaN/AlGaN、n-型GaN/InGaN和n-型InGaN/InGaN。即使在Ti/Pa/Al或Ti/Pt/Al电极被用到n-型GaN或n-型InGaN的情况下,以及Ti/Pa/Al或Ti/Pt/Al电极被用到n-型AlGaN上的情况下,也可以获得良好的结果。
Zr和W以及Ti也可被用作第一金属材料的事实已经在JP-A-11-8410中进行了描述。Si和Ge以及Al也可被用作第三金属材料的事实也已经在JP-A-11-8410中进行了描述。
实施例2
如在实施例1中一样,形成一种HEMT结构,但其中的Ti用钒(V)代替。这种电极是通过气相淀积方法形成的。热处理是在如实施例1同样的条件下的RTA。
尽管当使用V/Al时,接触电阻是6×10-6(Ω-cm2),但在V/Pd/Al(膜厚度nm:20/5/100)和V/Pt/Al(膜厚度nm:20/3/200)中获得的接触电阻值分别是5×10-6(Ω-cm2)和5.5×10-6(Ω-cm2)。
在这种情况下,热处理温度优选在500℃-700℃范围内。
实施例3
本发明的实施例将在下面描述。
首先,叠加半导体层形成如图3的构型。
层 :组成
p型层5 :p-GaN:Mg
含发光层的层4 :含InGaN层的层
n-型层3 :n-GaN:Si
缓冲层2 :AlN
基片1 :蓝宝石
搀杂Si作为n-型杂质的GaN的n-型层3是通过缓冲层2在基片1上形成的。尽管上面示出使用蓝宝石作为基片1的情形,但基片1并不局限于此。可以使用蓝宝石、尖晶石、硅、碳化硅、氧化锌、磷化镓、砷化镓、氧化镁、氧化锰、第III族氮化物化合物半导体单晶等。尽管缓冲层是利用MOCVD方法由AlN制成的,但缓冲层并不局限于此。GaN、InN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等也可以用作缓冲层的材料。分子束外延法(MBE法)、卤化物气相外延法(HVPE法)、溅射法、离子镀层法、电子簇射法等可以作为形成缓冲层的方法。例如,当GaN被用作基片时,缓冲层可以省却。
在需要时,可以在半导体器件形成后,去除基片和缓冲层。
尽管在上面示出由GaN制成的n-型层,但也可以使用AlGaN、InGaN、或AlInGaN。
尽管上面示出了掺杂Si作为n-型杂质的n-型层的情况,但也可以使用其它n-型杂质,如Ge、Se、Te、C等。
n-型层3可以是两层结构,其在含发光层的层4一侧上具有低电子浓度的n-层,在缓冲层2一侧具有高电子浓度的n+层。
含发光层的层4可以含有量子势阱结构的发光层。发光器件的结构可以是单异质型、双异质型或等同质连接型。
含发光层的层4可以包含在p型层5一侧的第III族氮化物化合物半导体层,其中掺杂受体如镁并具有宽的带隙。这样制造是为了有效阻止注入到含发光层的层4的电子扩散进入p型层5。
GaN的p型层5,其中掺杂Mg作为p型杂质,是在含有发光层的层4上形成的。作为p型层的材料,可以交替使用AlGaN、InGaN或InAlGaN。
此外,p型层5可以是双层结构,其中在含发光层的层4一侧具有低空穴浓度的p-层和在电极一侧具有高空穴浓度的p+层。
在如上所述构造的发光二极管中,每个第III族氮化物化合物半导体层都可以通过在常规条件下进行MOCVD形成,或者通过其它方法如分子束外延法(MBE法)、卤化物气相外延法(HVPE法)、溅射法、离子镀层法、电子簇射法等形成。
然后,形成一个掩模,通过反应性离子蚀刻法部分去除p型层5、含有发光层的层4、和n-型层3,露出形成n-电极的表面11,在其上面将形成n-电极9。然后,利用蒸发装置把作为形成半透明电极6的Co层(1.5nm)和Au层(60nm)连续地层叠在晶片的整个表面上。此后,通过蒸汽淀积Cr层(30nm)、Au层(1.5μm)和Al层(10nm),并利用剥离法层叠成形成p-座电极7的叠层。
然后,Ti层(20nm)、Pd层(5nm)和Al层(200nm)通过剥离法连续叠加成形成n-电极9的层。
通过前述方式获得的样品在大气压和氮气气氛下,在600℃加热30秒。然后,晶片用切割法切割成小片。按照这种方式,获得根据该实施例的发光二极管10。在发光二极管10中,在20mA时可获得不高于3.2V的电压,因而这种发光二极管10是优良的。甚至在Ti/Pd/Al被Ti/Pt/Al、V/Pd/Al或V/Pt/Al替换的情况下,也可以获得一个良好的结果。
尽管本发明已经参照特定的实施例进行了详细的描述,但对本领域的技术人员来说,很显然可以在不脱离本发明的精神和范围下进行各种变换和修改。
本申请是以2001年9月6日提交的日本专利申请(日本专利申请2001-270960)为基础的,其全文通过参考结合在此。
工业实用性
本发明完全不局限于本发明实施例中的描述。本领域技术人员可以很容易预见到的各种改进也可以包含在本发明中,而不背离权利要求范围的描述。自然本发明也适用于激光二极管、接收器件、电子器件、和除发光器件外的另一种第III族氮化物化合物半导体器件。
下述各项被公开。
11、一种n-电极,其是通过加热层叠在n-型层上的下列电极获得的:至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成的第一电极材料层,至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、和铜(Cu)的金属构成的第二电极材料层,和至少一种选自铝(Al)、硅(Si)、和锗(Ge)的金属构成的第三电极材料层。
12、如11项所述的n-电极,其特征在于第一电极材料层是在n-型层上形成的,第二电极材料层是在第一电极材料层上形成的,第三电极材料层是在第二电极材料层上形成的。
13、如11或12项所述的n-电极,其特征在于加热是在惰性气体气氛下,在500℃-700℃的加热温度下进行的。
14、如13项所述的n-电极,其特征在于惰性气体是氮气,加热温度为550℃-650℃。
15、如11-14项中的任意一项所述的n-电极,其特征在于第一电极材料层、第二电极材料层和第三电极材料层的膜厚度比值是10∶1-10∶100。
16、一种第III族氮化物化合物半导体器件,其特征在于该器件具有11-15项中任何一项所述的n-电极。
Claims (6)
1.一种用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极,其包含:
第一电极材料,由钛构成;
第二电极材料,由至少一种选自钯和铂的金属构成;
第三电极材料,由铝构成;
其中第二电极材料设置到第一电极材料上,第三电极材料设置到第二电极材料上,所述的第一电极材料层、所述的第二电极材料层和所述的第三电极材料层的膜厚度比值是10∶1-10∶100;
并且所述n-电极是通过在500℃-700℃的温度下加热形成的。
2.一种第III族氮化物化合物半导体器件,其中在n-型层上形成根据权利要求1的n-电极。
3.如权利要求3所述的第III族氮化物化合物半导体器件,其中所述的n-型层是由GaN、GaInN或AlGaN制成的。
4.一种制造用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极的方法,包括如下步骤:
在n-型层上形成由钛构成的第一电极材料层;
在第一电极材料层上形成由至少一种选自钯和铂的金属构成的第二电极材料层;
在第二电极材料层上形成由铝构成的第三电极材料层;其中所述的第一电极材料层、所述的第二电极材料层和所述的第三电极材料层的膜厚度比值是10∶1-10∶100;以及
在500℃-700℃的温度下加热所述的n-型层和所述的第一、第二和第三电极材料层。
5.如权利要求4所述的制造n-电极的方法,其中所述的惰性气体是氮气,所述的加热温度为550℃-650℃。
6.一种制造具有n-电极的第III族氮化物化合物半导体器件的方法,其包括根据权利要求4的制造所述n-电极的步骤。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP270960/01 | 2001-09-06 | ||
JP270960/2001 | 2001-09-06 | ||
JP2001270960A JP4023121B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | n型電極、III族窒化物系化合物半導体素子、n型電極の製造方法、及びIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1473356A CN1473356A (zh) | 2004-02-04 |
CN1306560C true CN1306560C (zh) | 2007-03-21 |
Family
ID=19096537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB028028309A Expired - Lifetime CN1306560C (zh) | 2001-09-06 | 2002-09-02 | 用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7872274B2 (zh) |
EP (1) | EP1424726B1 (zh) |
JP (1) | JP4023121B2 (zh) |
KR (1) | KR100507401B1 (zh) |
CN (1) | CN1306560C (zh) |
TW (1) | TW563207B (zh) |
WO (1) | WO2003023838A1 (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040079947A1 (en) * | 2002-10-26 | 2004-04-29 | Wen-How Lan | Light-emitting diode with low resistance layer |
JP2004235649A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電気コンタクト領域を備えたモジュールの製造方法および半導体層列および活性ゾーンを有するモジュール |
DE102004004780B9 (de) * | 2003-01-31 | 2019-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich |
US20090029353A1 (en) | 2003-12-08 | 2009-01-29 | Maki Wusi C | Molecular detector |
JPWO2005083761A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2007-08-09 | 日本電気株式会社 | 窒化物半導体装置のオーム性電極構造 |
JP4393938B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法 |
JP4733371B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2011-07-27 | 三菱化学株式会社 | n型窒化物半導体用のオーミック電極およびその製造方法 |
KR100923034B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2009-10-22 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP5138873B2 (ja) | 2005-05-19 | 2013-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US7420227B2 (en) * | 2005-06-22 | 2008-09-02 | National Chiao Tung University | Cu-metalized compound semiconductor device |
KR101041843B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2011-06-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP4908381B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-04-04 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体層の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
GB2446611B (en) * | 2007-02-14 | 2011-08-17 | Bookham Technology Plc | Low creep metallization for optoelectronic applications |
US20100207137A1 (en) * | 2007-07-24 | 2010-08-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, high carrier mobility transistor and light emitting device |
JP2013514662A (ja) * | 2009-12-16 | 2013-04-25 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースのパワーデバイスのためのゲルマニウムを含む低オーミックコンタクト |
EP2881982B1 (en) | 2013-12-05 | 2019-09-04 | IMEC vzw | Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices |
JP6206159B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2017169364A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | スタンレー電気株式会社 | n型電極、該n型電極の製造方法、及び該n型電極をn型III族窒化物単結晶層上に備えたn型積層構造体 |
JP6805674B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-12-23 | 豊田合成株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
JP2018049958A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
CN115693391A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-02-03 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 应用于芯片的n电极及制备方法和vcsel芯片 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07221103A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法 |
JPH0969623A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化物半導体の電極 |
CN1289152A (zh) * | 1999-09-20 | 2001-03-28 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5145438B1 (zh) * | 1971-06-25 | 1976-12-03 | ||
JPS62287675A (ja) | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオ−ド素子およびその製造方法 |
JPH03183173A (ja) | 1989-12-13 | 1991-08-09 | Canon Inc | 光学素子 |
JP2658009B2 (ja) | 1991-07-23 | 1997-09-30 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2666228B2 (ja) | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US5397904A (en) * | 1992-07-02 | 1995-03-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Transistor microstructure |
EP0952617B1 (en) * | 1993-04-28 | 2004-07-28 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
WO1995002900A1 (en) * | 1993-07-15 | 1995-01-26 | Astarix, Inc. | Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating |
WO1996003776A1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci |
US5679965A (en) * | 1995-03-29 | 1997-10-21 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
US6072818A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor light emission device |
JPH1022494A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Sony Corp | オーミック電極およびその形成方法 |
JP2967743B2 (ja) * | 1997-01-14 | 1999-10-25 | 日本電気株式会社 | n型窒化ガリウム系半導体のコンタクト電極及びその形成方法 |
KR100244208B1 (ko) * | 1997-02-12 | 2000-02-01 | 구자홍 | 발광다이오드및그제조방법 |
JP3303718B2 (ja) | 1997-03-05 | 2002-07-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
KR100434242B1 (ko) * | 1997-03-19 | 2004-06-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 |
JP3807020B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2006-08-09 | 昭和電工株式会社 | 発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法 |
US6268618B1 (en) | 1997-05-08 | 2001-07-31 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
JPH118410A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化物半導体の電極 |
US6657300B2 (en) * | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
TW451535B (en) * | 1998-09-04 | 2001-08-21 | Sony Corp | Semiconductor device and package, and fabrication method thereof |
JP2000164967A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Sony Corp | 半導体装置およびパッケージならびに半導体装置の製造方法 |
JP4296644B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2009-07-15 | 豊田合成株式会社 | 発光ダイオード |
JP4577460B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2010-11-10 | ソニー株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP3460638B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2003-10-27 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光チップの製造方法 |
JP4897133B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2012-03-14 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法および配設基板 |
JP4494567B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2010-06-30 | 古河電気工業株式会社 | n型窒化ガリウム系化合物半導体層への電極形成方法 |
JP2001284466A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4581198B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
US6248608B1 (en) * | 2000-08-31 | 2001-06-19 | Formosa Epitaxy Incorporation | Manufacturing method of a gallium nitride-based blue light emitting diode (LED) ohmic electrodes |
US20020173062A1 (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-21 | Lung-Chien Chen | Method for manufacturing GaN-based LED |
US6740906B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270960A patent/JP4023121B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-02 EP EP02760800.9A patent/EP1424726B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-02 KR KR10-2003-7006093A patent/KR100507401B1/ko active IP Right Grant
- 2002-09-02 CN CNB028028309A patent/CN1306560C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-02 WO PCT/JP2002/008884 patent/WO2003023838A1/ja active IP Right Grant
- 2002-09-02 US US10/415,915 patent/US7872274B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-05 TW TW091120273A patent/TW563207B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07221103A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法 |
JPH0969623A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化物半導体の電極 |
CN1289152A (zh) * | 1999-09-20 | 2001-03-28 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW563207B (en) | 2003-11-21 |
CN1473356A (zh) | 2004-02-04 |
EP1424726A4 (en) | 2005-11-09 |
KR20040015019A (ko) | 2004-02-18 |
US20040026701A1 (en) | 2004-02-12 |
US7872274B2 (en) | 2011-01-18 |
JP4023121B2 (ja) | 2007-12-19 |
EP1424726A1 (en) | 2004-06-02 |
EP1424726B1 (en) | 2016-04-20 |
JP2003077862A (ja) | 2003-03-14 |
WO2003023838A1 (fr) | 2003-03-20 |
KR100507401B1 (ko) | 2005-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1306560C (zh) | 用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极 | |
EP1810351B1 (en) | Gan compound semiconductor light emitting element | |
US6531383B1 (en) | Method for manufacturing a compound semiconductor device | |
JP2783349B2 (ja) | n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法 | |
EP2273573A1 (en) | Nitride semiconductor element and method for manufacturing same | |
JPH11177134A (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子 | |
US20040000670A1 (en) | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device | |
CN1263172C (zh) | 生产第ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法 | |
JPH10335705A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
CN1894807A (zh) | 半导体发光元件及其制造方法 | |
CN1918719A (zh) | 基于氮化镓的化合物半导体发光器件 | |
CN1198341C (zh) | 第ⅲ族元素氮化物半导体元件的生产方法 | |
CN1379483A (zh) | 氮化物半导体器件 | |
US6774025B2 (en) | Method for producing group III nitride compound semiconductor light-emitting element | |
CN1316782A (zh) | 一种氮化物半导体器件 | |
JP2006179618A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2004247323A (ja) | p型III族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 | |
JP3106956B2 (ja) | 化合物半導体用電極材料 | |
US20230215985A1 (en) | Light-emitting device and method for producing the same | |
CN1343015A (zh) | 基于氮化镓的ⅲ-ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法 | |
JPH1084135A (ja) | n型窒化ガリウム系化合物半導体の電極及びその形成方法 | |
JP2001313420A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP2007311375A (ja) | p型III−V族化合物半導体の作製方法及び発光素子の作製方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20070321 |