JP2000164967A - 半導体装置およびパッケージならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ショートを防止しつつ高い放熱効果を得るこ
とができる半導体装置およびパッケージならびに半導体
装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 パッケージ２０の内部に導電性配設基板
２１に配設された半導体レーザ１０が収納されている。
半導体レーザ１０はＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体
よりなる積層された複数の半導体層を有しており、積層
方向の同一側にｐ側電極およびｎ側電極が設けられてい
る。半導体レーザ１０のｐ側電極は導電性配設基板２１
に固定され、ｎ側電極は導電性配設基板２１から突出し
た状態となっている。これにより、ショートを防止しつ
つ導電性配設基板２１による高い放熱効果を得ることが
できる。導電性配設基板２１の側面２１ｂは配設面２１
ａ側から反対側に向かってｐ側電極の側に傾斜してお
り、ｎ側電極にワイヤ２７を容易に接続することができ
るようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配設基板に対して
半導体素子が配設された半導体装置およびその配設基板
を備えたパッケージならびにそれらの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、各種産業分野において、半導体発
光装置が用いられている。この半導体発光装置は、一般
に、パッケージの内部に半導体発光素子を収納してい
る。パッケージは、取り扱いを簡便にし素子を保護する
と共に、動作時において素子から発生する熱を効率よく
放散させる役割を有している。特に、近年においては、
高出力化の要求およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用い
た緑色帯の半導体発光装置あるいはＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体を用いた青色帯の半導体発光装置の開発
に対する要求が高まっており、素子への投入電力が大き
くなる傾向にある。その結果、素子の発熱量はますます
大きくなり、パッケージによる更に高い放熱効果が期待
されている。

【０００３】例えば、従来の半導体発光装置としては、
図９に示したように、金属よりなる導電性配設基板１２
１の上に絶縁体よりなるサブマウント１２９を介して半
導体発光素子１１０を配設したものが知られている（特
開平８−３２１６５５号公報）。このような半導体発光
装置では、サブマウント１２９に適当な配線を設けるこ
とにより半導体発光素子に対する電気的な接続を容易に
行うことができるという利点がある。すなわち、この方
法は、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いた半導
体発光素子など、絶縁性の基板の上に形成され、基板と
反対側にｐ側電極とｎ側電極との両極が設けられるもの
において、特に有効である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、絶縁体
は金属に比べて熱伝導率および電気伝導性ともに低いの
で、このように絶縁体よりなるサブマウント１２９を用
いた半導体発光装置では、基板の同一側に設けられたｐ
側電極とｎ側電極との短絡を有効に防止することはでき
るが、その一方で、放熱性の効果は低減してしまう。よ
って、半導体発光素子の温度が上昇することを抑制する
効果が低く、長時間に渡っての安定動作および信頼性が
妨げられてしまうという問題があった。

【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、ショートを防止しつつ高い放熱効果
を得ることができる半導体装置およびパッケージならび
に半導体装置の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、積層された複数の半導体層を有しかつ積層方向の同
一側に第１の電極および第２の電極がそれぞれ設けられ
た半導体素子と、この半導体素子の第１の電極および第
２の電極のうちの一方が固定されることにより半導体素
子を支持する導電性配設基板とを備えたものである。

【０００７】本発明によるパッケージは、半導体素子が
配設される配設面を有する導電性配設基板と、配設面と
垂直の支持面を有すると共にこの支持面により導電性配
設基板を支持する支持体とを備えたものであって、導電
性配設基板は、配設面を上向きとすると支持面の左右ど
ちらかに片寄って位置し、かつ配設面および支持面に対
して平行な方向における前記支持体の中心よりの端部に
側面を有すると共に、この側面は配設面の側から反対側
に向かって配設面の反対側の端部側に傾斜する傾斜面を
有するものである。

【０００８】本発明による半導体装置の製造方法は、複
数の半導体層を積層すると共に積層方向の同一側に第１
の電極および第２の電極をそれぞれ設けて半導体素子を
形成する工程と、半導体素子の第１の電極および第２の
電極のうちの一方を導電性配設基板に固定することによ
り半導体素子を導電性配設基板に配設する工程とを含む
ものである。

【０００９】本発明による半導体装置では、半導体素子
の第１の電極および第２の電極のうちの一方が導電性配
設基板に対して固定されるので、第１の電極と第２の電
極とのショートが防止されると共に、半導体素子におい
て発生した熱は導電性配設基板により放散される。

【００１０】本発明によるパッケージでは、導電性配設
基板が配設面を上向きとすると支持面の左右どちらかに
片寄って位置しているので、例えば、同一側に第１の電
極および第２の電極を有する半導体素子を配設する場合
には、第１の電極および第２の電極のうちの一方を固定
することが容易で、それによりショートを防止しかつ放
熱性を確保できるようになっている。また、側面が配設
面の側から反対側に向かって配設面の反対側の端部側に
傾斜する傾斜面を有しているので、第１の電極および第
２の電極のうちの他方の近傍における空間が広くなって
おり、他方に対する電源の電気的接続が容易となってい
る。

【００１１】本発明による半導体装置の製造方法では、
まず、複数の半導体層が積層されると共に、積層方向の
同一側に第１の電極および第２の電極がそれぞれ設けら
れることにより、半導体素子が形成される。次いで、半
導体素子の第１の電極および第２の電極のうちの一方が
導電性配設基板に固定されることにより、半導体素子が
導電性配設基板に配設される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の半導
体装置は本発明のパッケージを備えているので、以下の
実施の形態では、半導体装置の説明において、パッケー
ジについても併せて説明する。

【００１３】図１は本発明の一実施の形態に係る半導体
装置である半導体発光装置の全体構成をそれぞれ表すも
のである。この半導体発光装置は、半導体素子である半
導体レーザ１０と、この半導体レーザ１０を内部に収納
するパッケージ２０とを備えている。

【００１４】図２は半導体レーザ１０の部分断面構造を
表すものである。この半導体レーザ１０は、対向する一
対の面を有する基板１１の一面に、バッファ層１２ａ，
下地層１２ｂ，マスク層１３および被覆成長層１４を介
して、複数の半導体層が積層されている。これら複数の
半導体層は、基板１１の側から順に積層された第１導電
型半導体層であるｎ型半導体層１５，活性層１６および
第２導電型半導体層であるｐ型半導体層１７により構成
されている。基板１１は、例えば、積層方向の厚さ（以
下、単に厚さと言う）が３００μｍのサファイアにより
構成されており、バッファ層１２ａなどは基板１１のＣ
面に形成されている。

【００１５】バッファ層１２ａは、例えば、厚さが３０
ｎｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮにより
構成されている。下地層１２ｂは、例えば、厚さが２μ
ｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮの結晶に
より構成されている。マスク層１３は、例えば、厚さが
０．１μｍであり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）により構
成されている。このマスク層１３は、また、図２におい
て紙面に対して垂直な方向において帯状に延長された複
数の開口部１３ａと、各開口部１３ａの間に形成され同
様に帯状に延長された複数のマスク部１３ｂとを有して
おり、このマスク層１３の上に被覆成長層１４を横方向
に成長させることにより、下地層１２ｂから貫通転位が
伝わるのを遮断するようになっている。被覆成長層１４
は、例えば、厚さが１０μｍであり、不純物を添加しな
いundope−ＧａＮにより構成されている。

【００１６】ｎ型半導体層１５は、被覆成長層１４の側
から順に積層されたｎ側コンタクト層１５ａ，ｎ型クラ
ッド層１５ｂおよび第１のガイド層１５ｃをそれぞれ有
している。ｎ側コンタクト層１５ａは、例えば、厚さが
３μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加
したｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層
１５ｂは、例えば、厚さが１μｍであり、ケイ素などの
ｎ型不純物を添加したｎ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶によ
り構成されている。第１のガイド層１５ｃは、例えば、
厚さが０．１μｍであり、ケイ素などのｎ型不純物を添
加したｎ型ＧａＮにより構成されている。

【００１７】活性層１６は、例えば、不純物を添加しな
いundope−ＩｎＧａＮ混晶により構成されており、厚さ
が３ｎｍのＩｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ混晶よりなる井戸層と、
厚さが７ｎｍのＩｎ_0.02Ｇａ_0.98Ｎ混晶よりなるバリア
層との多重量子井戸構造を有している。この活性層１６
は発光層として機能するものであり、その発光波長はレ
ーザ発振において約４０５ｎｍとなっている。

【００１８】ｐ型半導体層１７は、活性層１６の側から
順に積層された劣化防止層１７ａ，第２のガイド層１７
ｂ，ｐ型クラッド層１７ｃおよびｐ側コンタクト層１７
ｄをそれぞれ有している。劣化防止層１７ａは、例え
ば、厚さが２０ｎｍであり、マグネシウム（Ｍｇ）など
のｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎ混晶に
より構成されている。第２のガイド層１７ｂは、例え
ば、厚さが０．１μｍであり、マグネシウムなどのｐ型
不純物を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。ｐ
型クラッド層１７ｃは、例えば、厚さが０．８μｍであ
り、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ
_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶により構成されている。ｐ側コンタ
クト層１７ｄは、例えば、厚さが０．１μｍであり、マ
グネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＮ混晶
により構成されている。

【００１９】ｎ側コンタクト層１５ａには、積層方向に
おけるｐ型半導体層１７の側に、第１の電極としてのｎ
側電極１８ａが設けられている。また、ｐ側コンタクト
層１７ｄには、積層方向におけるｎ型半導体層１５の反
対側に、二酸化ケイ素などよりなる絶縁層１８ｂと共
に、この絶縁層１８ｂに形成された開口を介して第２の
電極としてのｐ側電極１８ｃが設けられている。すなわ
ち、この半導体レーザ１０は、積層方向における同一側
にｎ型電極１８ａおよびｐ側電極１８ｃを共に有してい
る。

【００２０】ｎ側電極１８ａは、ｎ側コンタクト層１５
ａの側から順にチタン（Ｔｉ）層，アルミニウム（Ａ
ｌ）層，白金（Ｐｔ）層および金（Ａｕ）層を積層して
加熱処理により合金化した構造を有しており、ｎ側コン
タクト層１５ａと電気的に接続されている。ｐ側電極１
８ｃは、ｐ側コンタクト層１７ｄの側からニッケル（Ｎ
ｉ）層，白金層および金層を順次積層して加熱処理によ
り合金化された構造を有しており、ｐ側コンタクト層１
７ｄと電気的に接続されている。なお、ｐ側電極１８ｃ
は、また、電流狭窄をするように図２では紙面に対して
垂直な方向において帯状に延長されており、ｐ側電極１
８ｃに対応する活性層１６の領域が発光領域となるよう
になっている。

【００２１】この半導体レーザ１０は、また、図２にお
いては一方しか示していないが、ｐ側電極１８ｃの長さ
方向の端部に一対の反射鏡膜１９がそれぞれ形成されて
いる。各反射鏡膜１９は、例えば、二酸化ケイ素膜と酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ₂ ）膜とを交互に積層してそれ
ぞれ構成されており、一方の反射鏡膜１９の反射率は低
くなるように、他方の図示しない反射鏡膜の反射率は高
くなるようにそれぞれ調整されている。これにより、活
性層１６において発生した光は一対の反射鏡膜１９の間
を往復して増幅され、反射鏡膜１９からレーザビームと
して射出されるようになっている。すなわち、ｐ側電極
１８ｃの長さ方向が共振器方向となっている。

【００２２】図３はパッケージ２０の一部を分解して表
すものである。このパッケージ２０は、例えば、半導体
レーザ１０を支持すると共に半導体レーザ１０において
発生した熱を放散する導電性配設基板２１と、この導電
性配設基板２１を支持面２２ａにより支持する円形リン
グ状の支持体２２とを備えている。

【００２３】導電性配設基板２１は半導体レーザ１０が
配設される配設面２１ａを有しており、この配設面２１
ａは支持面２２ａに対して垂直の位置関係となってい
る。この配設面２１ａには、図１に示したように、半導
体レーザ１０のｎ側電極１８ａおよびｐ側電極１８ｃの
うちのｐ側電極１８ｃおよび絶縁層１８ｂがそれぞれ固
定されている。すなわち、この導電性配設基板２１は、
ｎ側電極１８ａを導電性配設基板２１から配設面２１ａ
および支持面２２ａに対して平行方向に突出させた状態
で半導体レーザ１０を支持している。ここで、ｐ側電極
１８ｃの方を導電性配設基板２１に当接させているの
は、ｐ側電極１８ｃと基板１１との間に主な発熱源であ
る活性層１６が含まれているからである。すなわち、活
性層１６と放熱効果の高い導電性配設基板２１との間の
距離を短くすることにより、高い放熱効果を得ることが
できるようになっている。

【００２４】導電性配設基板２１は、また、配設面２１
ａを水平に上向きとすると支持面２２ａに向かい右下に
片寄って位置している。これは、ｎ側電極１８ａを突出
させた状態で半導体レーザ１０を導電性配設基板２１に
配設しても、半導体レーザ１０が支持体２２の中心部に
位置するようにするためである。導電性配設基板２１
は、更に、配設面２１ａおよび支持面２２ａに対して平
行な方向における支持体２２の中心よりの端部に側面２
１ｂを有している。すなわち、半導体レーザ１０のｎ側
電極１８ａが突出している側に側面を有している。この
側面２１ｂは、配設面２１ａの側から反対側に向かって
配設面２１ａの反対側の端部側すなわちｐ側電極１８ｃ
側に傾斜する傾斜面となっている。これは、後述する製
造工程において説明するように、半導体レーザ１０のｎ
側電極１８ａにワイヤ２７を容易に接続させることがで
きるようにするためである。

【００２５】なお、図４に示したように、配設面２１ａ
の側面２１ｂ側の端部は、配設面２１ａを上向きとした
ときの支持体２２の中心垂線ｌよりも左側まで延長され
ていることが好ましい。これは、半導体レーザ１０の活
性層１６における発光領域が、支持体２２の中心に位置
するようにするためである。また、配設面２１ａの側面
２１ｂ側の端部とｎ側電極１８ａの側面２１ｂに対して
反対側の端部との間の幅ｗは、後述する製造工程におい
てワイヤ２７を接続する際に用いる図示しないキャピラ
リの大きさにより制限される。ちなみに、ここでは、例
えば、配設面２１ａを上向きとしたときの支持体２２の
中心垂線ｌから配設面２１ａの側面２１ｂ側の端部まで
の距離ｔが約５０μｍ、幅ｗが約３００μｍとされてい
る。

【００２６】支持体２２は、図３に示したように、対向
する一対の側面のうちの一方が支持面２２ａとなってい
る。支持体２２の外周面には、複数の固定溝２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄ，２２ｅが形成されている。このうち固定
溝２２ｂは、後述する製造工程において、導電性配設基
板２１の配設面２１ａを下向きの状態に固定するための
ものである。固定溝２２ｃは、逆に、導電性配設基板２
１の配設面２１ａを上向きの状態に固定するためのもの
である。また、固定溝２２ｄ，２２ｅは、パッケージ２
０を配設する際に用いられるものである。

【００２７】なお、これら導電性配設基板２１および支
持体２２は、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属により一体
として成形されており、ニッケルなどよりなる薄膜が表
面に被着されている。また、導電性配設基板２１の配設
面２１ａには、半田材料よりなる例えば厚さ４〜６μｍ
の図示しない半田膜が表面に被着されている。半田材料
としては、例えば、スズ（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ），スズと
鉛との合金，金とスズとの合金，インジウム（Ｉｎ）と
スズとの合金あるいはインジウムと鉛との合金が用いら
れる。

【００２８】支持体２２の内周面には、円板部材２３が
配設されている。この円板部材２３には、対向する一対
の側面のうちの導電性配設基板２１と反対側にピン２４
が形成されている。このピン２４は、図示しない電源に
対して電気的に接続されると共に、導電性配設基板２１
と電気的に接続されている。すなわち、半導体レーザ１
０のｐ側電極１８ｃは、導電性配設基板２１を介してピ
ン２４により図示しない電源に対して電気的に接続され
るようになっている。なお、円板部材２３およびピン２
４は、鉄（Ｆｅ）などの金属により一体として成形され
ている。また、このように円板部材２３を支持体２２と
別体としているのは、導電性配設基板２１の配設面２１
ａに半田膜を形成する際の作業が容易となり、生産効率
を向上させることができるからである。

【００２９】円板部材２３には、また、図示しない電源
に対して電気的に接続される他の一対のピン２５，２６
が一方の側面から他方の側面に貫通してそれぞれ設けら
れている。各ピン２５，２６は、銅などの金属により構
成されており、表面には金などよりなる薄膜が被着され
ている。円板部材２３と各ピン２５，２６との間には、
ガラスなどよりなる絶縁リング２５ａ，２６ａがそれぞ
れ配設されており、円板部材２３と各ピン２５，２６と
は電気的にそれぞれ絶縁されている。すなわち、導電性
配設基板２１と各ピン２５，２６とは電気的にそれぞれ
絶縁されている。

【００３０】ピン２５には、例えば、太さが３０μｍの
金よりなるワイヤ２７の一端部が接続されている。この
ワイヤ２７の他端部は半導体レーザ１０のｎ側電極１８
ａに接続されている。すなわち、ｎ側電極１８ａは、ワ
イヤ２７を介してピン２５により図示しない電源に対し
て電気的に接続されるようになっている。

【００３１】支持体２２の支持面２２ａには、また、図
１に示したように、半導体レーザ１０および導電性配設
基板２１を内部に収納する中空円筒状の蓋体２８が配設
されている。この蓋体２８は、半導体レーザ１０の汚染
および大気による酸化を防止すると共に、導電性配設基
板２１の配設面２１ａにおける半田のホイスカー成長を
防止するためのものである。蓋体２８は、例えば、銅ま
たは鉄などの金属により構成されている。蓋体２８の一
端部は開放されており、支持体２２の支持面２２ａに当
接されている。蓋体２８の他端部は閉鎖されており、内
部に収納された半導体レーザ１０から射出されたレーザ
ビームをパッケージ２０の外部に取り出す取り出し窓２
８ａが設けられている。取り出し窓２８ａは、半導体レ
ーザ１０から射出されるレーザビームを透過することが
できる材料、例えば、ガラスあるいはプラスチックによ
り構成されている。なお、この取り出し窓２８ａには、
半導体レーザ１０から射出されるレーザビームの反射を
防止する反射防止膜が配設されることが好ましい。特性
の低下および迷光の発生を防止するためである。

【００３２】このような構成を有する半導体装置は、次
のようにして製造することができる。

【００３３】まず、次のようにして半導体レーザ１０を
形成する。すなわち、まず、例えば、複数の半導体レー
ザ形成領域を有するサファイアよりなる基板１１を用意
し、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depos
ition ）法により、基板１１の一面（Ｃ面）にundope−
ＧａＮよりなるバッファ層１２ａおよびundope−ＧａＮ
よりなる下地層１２ｂを順次成長させる。次いで、下地
層１２ｂの上に、例えば、Ｅ−ガン蒸着法により二酸化
ケイ素層を形成し、リソグラフィ技術を用いて帯状に延
長された複数のマスク部１３ｂを有するマスク層１３を
選択的に形成する。続いて、マスク層１３の上に、例え
ば、ＭＯＣＶＤ法により、undope−ＧａＮよりなる被覆
成長層１４を開口部１３ａより選択的に横方向に成長さ
せる。

【００３４】被覆成長層１４を形成したのち、その上
に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮよりなる
ｎ側コンタクト層１５ａ，ｎ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶
よりなるｎ型クラッド層１５ｂ，ｎ型ＧａＮよりなる第
１のガイド層１５ｃ，undope−ＧａＩｎＮ混晶よりなる
活性層１６，ｐ型Ａｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎ混晶よりなる劣化
防止層１７ａ，ｐ型ＧａＮよりなる第２のガイド層１７
ｂ，ｐ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶よりなるｐ型クラッド
層１７ｃおよびｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層１
７ｄを順次成長させる。

【００３５】ｎ側コンタクト層１５ａからｐ側コンタク
ト層１７ｄまでの各層を成長させたのち、必要に応じ
て、例えば窒素（Ｎ₂ ）雰囲気中において８００〜９０
０℃の加熱処理を行い、キャリアを活性化させることが
好ましい。必要に応じて加熱処理をしたのち、ｐ側コン
タクト層１７ｄの上に、例えば、Ｅ−ガン蒸着法によ
り、二酸化ケイ素よりなる絶縁層１８ｂを形成する。絶
縁層１８ｂを形成したのち、例えば、リソグラフィ技術
を用い、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etchi
ng；ＲＩＥ）法により、ｎ側電極１８ａの形成位置に対
応して絶縁層１８ｂ，ｐ側コンタクト層１７ｄ，ｐ型ク
ラッド層１７ｃ，第２のガイド層１７ｂ，劣化防止層１
７ａ，活性層１６，第１のガイド層１５ｃおよびｎ型ク
ラッド層１５ｂを順次選択的に除去し、ｎ側コンタクト
層１５ａを露出させる。

【００３６】ｎ側コンタクト層１５ａを露出させたの
ち、例えば、リフトオフ法を用い、Ｅ−ガン蒸着法によ
り、ｎ側コンタクト層１５ａの上にｎ側電極１８ａを選
択的に形成する。ｎ側コンタクト層１５ａを形成したの
ち、リソグラフィ技術を用い、ｐ側電極１８ｃの形成位
置に対応して絶縁層１８ｂを選択的に除去する。そのの
ち、例えば、リフトオフ法を用い、Ｅ−ガン蒸着法によ
り、ｐ側コンタクト層１７ｄの上にｐ側電極１８ｃを選
択的に形成する。ｎ側電極１８ａおよびｐ側電極１８ｃ
をそれぞれ形成したのち、加熱処理を行いｎ側電極１８
ａおよびｐ側電極１８ｃをそれぞれ合金化させる。

【００３７】加熱処理をしたのち、例えば、ラッピング
により基板１１の厚さを薄くし、基板１１を各半導体レ
ーザ形成領域に対応させてｐ側電極１８ｃの長さ方向に
対して垂直に所定の幅で分割する。そののち、分割した
一対の側面に、例えば、Ｅガン蒸着法により一対の反射
鏡膜１９をそれぞれ形成する。各反射鏡膜１９をそれぞ
れ形成したのち、基板１１を各半導体レーザ形成領域に
対応させてｐ側電極１８ｃの長さ方向と平行に所定の幅
で分割する。これにより、半導体レーザ１０が形成され
る。

【００３８】次いで、導電性配設基板２１と支持体２２
とを一体成形し、例えばメッキによりニッケルよりなる
薄膜を表面に被着する。続いて、図５に示したように、
この支持体２２および導電性配設基板２１とを、配設面
２１ａを上向きとして保持具３１の配設孔３１ａ内に挿
入する。その際、支持体２２の固定溝２２ｃを保持具３
１の固定突部３１ｂに嵌合させる。これにより、支持体
２２および導電性配設基板２１が保持具３１に固定され
る。そののち、導電性配設基板２１の上に、配設面２１
ａに対応して開口３２ａが形成された金型３２を載置
し、例えば抵抗加熱型の蒸着器により配設面２１ａの表
面にスズよりなる半田膜を蒸着する。

【００３９】また、これとは別に、円板部材２３とピン
２４とを一体成形すると共に、ピン２５，２６をそれぞ
れ形成する。次いで、各ピン２５，２６を各絶縁リング
２５ａ，２６ａを介して円板部材２３にそれぞれ配設す
る。続いて、図６に示したように、各ピン２５，２６を
それぞれ配設した円板部材２３を、別途形成した支持体
２２に対して配設する。そののち、別途形成した半導体
レーザ１０のｎ側電極１８ａを導電性配設基板２１から
配設面２１ａおよび支持面２２ａに対して平行方向に突
出させ、ｐ側電極１８ｃおよび絶縁層１８ｂを配設面２
１ａにそれぞれ当接させる。すなわち、ｎ側電極１８ａ
およびｐ側電極１８ｃのうちのｐ側電極１８ｃと絶縁層
１８ｂとを配設面２１ａにそれぞれ当接させる。

【００４０】ｐ側電極１８ｃおよび絶縁層１８ｂを配設
面２１ａにそれぞれ当接させたのち、例えば、２３５℃
以上の温度において１０〜３０秒間加熱して半田膜を溶
融させ、ｐ側電極１８ｃおよび絶縁層１８ｂを導電性配
設基板２１に対して半田付けにより固定する。なお、こ
の加熱は、半田材料の酸化を防止するために、窒素ガス
あるいは水素ガス（Ｈ₂ ）またはそれらの混合ガスの雰
囲気中において行うことが好ましい。例えば、半田材料
にスズを用いる場合には、窒素ガスと水素ガスとを１
６：１の割合で混合した混合ガスを用いることが好まし
い。また、これらのガスは絶えず流れた状態とすること
が好ましい。更に、半田材料の表面張力により半導体レ
ーザ１０の位置がずれないように、半導体レーザ１０の
上から荷重をかけるなどして押さえておくことが好まし
い。

【００４１】半導体レーザ１０を導電性配設基板２１に
配設したのち、図７に示したように、配設面２１ａを上
向きとして、支持体２２を保持具３３の配設孔３３ａ内
に挿入する。すなわち、半導体レーザ１０を下側とし、
導電性配設基板２１を上側とする。その際、支持体２２
の固定溝２２ｂを保持具３３の固定突部３３ｂに嵌合さ
せる。これにより、支持体２２などが保持具３３に固定
される。また、その際、半導体レーザ１０の基板１１側
が保持具３３の上面３３ｃにより支持されるようにす
る。

【００４２】そののち、支持体１１などを１００℃に加
熱し、キャピラリ３４により半導体レーザ１０のｎ側電
極１８ａとピン２５との間にワイヤ２７を接続する。な
お、ここでは、導電性配設基板２１の側面２１ｂが配設
面２１ａの側から反対側に向かって配設面２１ａの反対
側の端部側に傾斜されているので、ｎ側電極１８ａの近
傍における空間が広くなっており、キャピラリ３４をｎ
側電極１８ａに容易に接近させることができるようにな
っている。ワイヤ２７を接続したのち、例えば、乾燥窒
素雰囲気中において、別途形成した蓋体２８を支持体２
２に配設する。これにより、図１に示した半導体発光装
置が形成される。

【００４３】このようにして形成される半導体発光装置
は、次のように作用する。

【００４４】この半導体発光装置では、パッケージ２０
のピン２５およびピン２４を介して、半導体レーザ１０
のｎ側電極１８ａとｐ側電極１８ｃとの間に所定の電圧
が印加されると、活性層１６に電流が注入され、電子−
正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射
鏡膜１９の間を往復して増幅され、反射鏡膜１９からレ
ーザビームとして射出される。この半導体レーザ１０か
ら射出されたレーザビームは、パッケージ２０の取り出
し窓２８ａを介してパッケージ２０の外部に取り出され
る。

【００４５】また、その際、半導体レーザ１０では主と
して活性層１６において発熱が起こる。ここでは、ｐ側
電極１８ｃが導電性配設基板２１に直接固定されてお
り、活性層１６と導電性配設基板２１との間の距離が短
くなっているので、活性層１６において発生した熱は導
電性配設基板２１を介して積極的に放散される。よっ
て、半導体レーザ１０における温度の上昇は抑制され、
半導体レーザ１０は長時間に渡って安定して動作する。

【００４６】更に、ここでは、半導体レーザ１０のｎ側
電極１８ａおよびｐ側電極１８ｃのうちのｐ側電極１８
ｃが導電性配設基板２１に固定され、ｎ側電極１８ａは
導電性配設基板２１から突出した状態となっているの
で、ｎ側電極１８ａとｐ側電極１８ｃとの短絡が防止さ
れる。

【００４７】このように本実施の形態に係る半導体発光
装置によれば、ｎ側電極１８ａおよびｐ側電極１８ｃの
うちのｐ側電極１８ｃを導電性配設基板２１に固定し、
ｎ側電極１８ａを導電性配設基板２１から突出させるよ
うにしたので、ｎ側電極１８ａとｐ側電極１８ｃとの短
絡を防止することができると共に、半導体レーザ１０に
おいて発生した熱を導電性配設基板２１を介して積極的
に放散することができる。よって、半導体レーザ１０に
おける温度の上昇を抑制することができ、長時間に渡り
安定して動作させることができる。従って、信頼性を向
上させることができる。

【００４８】特に、ｐ側電極１８ｃを導電性配設基板２
１に固定するようにしたので、活性層１６と導電性配設
基板２１との間の距離を短くすることができ、活性層１
６において発生した熱を効果的に放散することができ
る。

【００４９】また、導電性配設基板２１の側面２１ｂを
配設面２１ａの側から反対側に向かってｐ側電極１８ｃ
側に傾斜する傾斜面とするようにしたので、ｎ側電極１
８ａの近傍における空間を広くすることができ、ｎ側電
極１８ａに対するワイヤの接続を容易とすることができ
る。よって、ｎ側電極１８ａの電源に対する電気的接続
を容易とすることができる。

【００５０】更に、導電性配設基板２１を配設面２１ａ
を上向きとして支持面２２ａに向かい右に片寄って位置
させるようにしたので、ｎ側電極１８ａを導電性配設基
板２１から配設面２１ａおよび支持面２２ａに対して平
行方向に突出させた状態で容易にｐ側電極１８ｃを導電
性配設基板２１に固定することができ、半導体レーザ１
０を支持体２２の中心部に位置させることができる。

【００５１】加えて、配設面２１ａを下向きの状態に固
定する固定溝２２ｂを有するようにしたので、ｎ側電極
１８ａとピン２５との間にワイヤ２７を接続する際に、
ｎ側電極１８ａおよびピン２５を保持具３３に固定する
ことができる。よって、ワイヤ２７を接続する作業を容
易に行うことができ、ｎ側電極１８ａの電源に対する電
気的接続を容易とすることができる。

【００５２】更にまた、本実施の形態に係る半導体発光
装置の製造方法によれば、半導体レーザ１０を形成した
のち、ｎ側電極１８ａを導電性配設基板２１から突出さ
せた状態でｐ側電極１８ｃを導電性配設基板２１に固定
するようにしたので、本実施の形態に係る半導体発光装
置を容易に製造することができる。加えてまた、半導体
レーザ１０を下側とし導電性配設基板２１を上側とし
て、ｎ側電極１８ａとピン２４とをワイヤ２７により接
続するようにしたので、ワイヤ２７を容易に接続するこ
とができる。よって、ｎ側電極１８ａの電源に対する電
気的接続を容易とすることができる。

【００５３】なお、本実施の形態に係る半導体発光装置
の放熱効果を確認するために、次のような比較実験を行
った。まず、図１に示した本実施の形態に係る半導体発
光装置を用意した。また、比較例として、図８に示した
半導体発光装置を用意した。この比較例では、本実施例
と同一の半導体レーザ１０を用い、この半導体レーザ１
０を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）よりなるサブマウント
２２９を介して導電性配設基板２２１に配設するように
した。ｐ側電極１８ｃはサブマウント２２９に配設され
た配線２２９ａに接続し、配線２２９ａはワイヤ２２７
ａを介して導電性配設基板２２１に接続するようにし
た。ｎ側電極１８ａはサブマウント２２９に配設された
配線２２９ｂに接続し、配線２２９ｂはワイヤ２２７ｂ
を介してピン２２５に接続するようにした。

【００５４】次いで、各半導体発光装置を２０℃に設定
した図示しない恒温器に設置し、駆動させて半導体レー
ザ１０および導電性配設基板２１，２２１の温度変化を
観察した。なお、各半導体レーザ１０には３００ｍＡの
直流電流をそれぞれ流した。その際の各半導体レーザ１
０の動作電圧はそれぞれ約８Ｖであった。また、温度
は、各半導体レーザ１０の各基板１１および導電性配設
基板２１，２２１にそれぞれ取り付けた熱電対により測
定した。

【００５５】その結果、各半導体発光装置とも電圧印加
後約１０秒程度で温度が安定した。本実施の形態に係る
半導体発光装置では、半導体レーザ１０が３０℃、導電
性配設基板２１が２４℃となり、半導体レーザ１０にお
いて１０℃の温度上昇、導電性配設基板２１において４
℃の温度上昇が見られた。一方、比較例の半導体発光装
置では、半導体レーザ１０が３５℃、導電性配設基板２
２１が２５℃となり、半導体レーザ１０において１５℃
の温度上昇、導電性配設基板２２１において５℃の温度
上昇が見られた。すなわち、本実施の形態によれば、高
い放熱効果が得られ、半導体レーザ１０の温度上昇を効
果的に抑制することができることが分かった。

【００５６】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
においては、導電性配設基板２１の側面２１ｂを全面に
渡り傾斜面とするようにしたが、側面の一部のみを傾斜
面とするようにしてもよい。

【００５７】また、上記実施の形態においては、導電性
配設基板２１が配設面２１ａを上向きとすると支持面２
２ａに向かい右に片寄って位置するようにしたが、左に
片寄って位置していてもよい。すなわち、左右どちらか
に片寄って位置しており、ｎ側電極１８ａおよびｐ側電
極１８ｃのうちの一方を固定することができればよい。
但し、ＪＩＳ規格に基づきｎ側電極１８ａまたはｐ側電
極１８ｃの一方をピン２５に接続する場合には、ピン２
５とは反対側である右に片寄らせた方がワイヤの接続が
容易となるので好ましい。

【００５８】更に、上記実施の形態においては、導電性
配設基板２１などを金属により構成する場合について説
明したが、他の導電性材料により構成するようにしても
よい。

【００５９】加えて、上記実施の形態においては、導電
性配設基板２１にｐ側電極１８ｃを固定しかつｎ側電極
１８ａを突出させるようにしたが、ｎ側電極を導電性配
設基板に固定しかつｐ側電極を突出させるようにしても
よい。

【００６０】更にまた、上記実施の形態においては、第
１導電型半導体層をｎ型半導体層１５とし、第２導電型
半導体層をｐ型半導体層１７とする場合についてのみ説
明したが、第１導電型半導体層をｐ型半導体層とし、第
２導電型半導体層をｎ型半導体層とするようにしてもよ
い。但し、ｐ型半導体層に比べてｎ型半導体層の方が優
れた結晶性を得ることができる場合には、基板にｎ型半
導体層，活性層およびｐ型半導体層を順次成長させた方
が良好な半導体発光素子が得られるので好ましい。例え
ば、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体などはこの場合
に該当する。

【００６１】加えてまた、上記実施の形態においては、
半導体レーザ１０（例えば、ｎ型半導体層１５，活性層
１６およびｐ型半導体層１７）を構成するＩＩＩ族ナイ
トライド化合物半導体について具体的な例を挙げて説明
したが、本発明は、他の適宜なＩＩＩ族ナイトライド化
合物半導体（すなわち、ガリウム（Ｇａ），アルミニウ
ム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）か
らなる群より選ばれた少なくとも１種のＩＩＩ族元素
と、窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半
導体）によりそれらを構成するようにしてもよい。

【００６２】更にまた、上記実施の形態においては、半
導体レーザ１０（例えば、ｎ型半導体層１５，活性層１
６およびｐ型半導体層１７）をＩＩＩ族ナイトライド化
合物半導体について構成する場合について説明したが、
本発明は、それらが他の半導体により構成される場合で
あっても広く適用することができる。但し、本発明は、
上記実施の形態において説明したように、第１の電極お
よび第２の電極が積層方向における同一側に位置する半
導体素子を配設する場合において特に有効である。

【００６３】加えてまた、上記実施の形態においては、
半導体レーザ１０の構成について具体的に説明したが、
本発明は、他の構成を有するものであっても広く適用す
ることができる。例えば、劣化防止層１７ａを備えなく
てもよく、第１のガイド層１５ｃおよび第２のガイド層
１７ｂが不純物を添加しない半導体によりそれぞれ構成
されてもよい。また、他の方法により電流狭窄をするよ
うにしてもよい。

【００６４】更にまた、上記各実施の形態においては、
半導体装置として半導体レーザ１０を備えた半導体発光
装置についてのみ説明したが、本発明は、発光ダイオー
ドなどの他の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に
ついても同様に適用することができる。更にまた、半導
体発光装置に限らず、他の半導体素子を備えた半導体装
置についても同様に適用することができる。

【００６５】加えてまた、上記各実施の形態において
は、半導体レーザ１０（例えば、第１導電型半導体層１
５，活性層１６および第２導電型半導体層１７）をＭＯ
ＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＢ
Ｅ法やハライド法などの他の気相成長法により形成する
ようにしてもよい。なお、ハライド気相成長法とは、ハ
ロゲンが輸送もしくは反応に寄与する気相成長法のこと
であり、ハイドライド気相成長法とも言う。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至９のい
ずれか１に記載の半導体装置によれば、第１の電極およ
び第２の電極のうちの一方を導電性配設基板に配設する
ようにしたので、第１の電極と第２の電極との短絡を防
止することができると共に、半導体素子において発生し
た熱を導電性配設基板により積極的に放散することがで
きる。よって、半導体素子における温度の上昇を抑制す
ることができ、長時間に渡り安定して動作させることが
できる。従って、信頼性を向上させることができるとい
う効果を奏する。

【００６７】特に、請求項２または３に記載の半導体装
置によれば、第１の電極を第１導電型半導体層の第２導
電型半導体層の側に設け、第２の電極を第２導電型半導
体層の第１導電型半導体層と反対側にかつ導電性配設基
板に固定するようにしたので、活性層と導電性配設基板
との間の距離を短くすることができ、活性層において発
生した熱をより効果的に導電性配設基板により放散する
ことができるという効果を奏する。

【００６８】また、請求項６記載の半導体装置によれ
ば、導電性配設基板の側面が配設面の側から反対側に向
かって第１の電極および第２の電極のうちの一方側に傾
斜する傾斜面を有するようにしたので、他方の電極の近
傍における空間を広くすることができ、他方の電極の電
源に対する電気的接続を容易とすることができるという
効果を奏する。

【００６９】更に、請求項８記載の半導体装置によれ
ば、導電性配設基板が配設面を上向きとすると支持面に
向かい右に片寄って位置するようにしたので、第１の電
極および第２の電極のうちの一方を容易に導電性配設基
板に固定することができるという効果を奏する。また、
ＪＩＳ規格に基づき、他方の電極を電源に対して容易に
接続することができるという効果も奏する。

【００７０】加えて、請求項９記載の半導体装置によれ
ば、配設面を下向きの状態に固定する固定溝を有するよ
うにしたので、第１の電極および第２の電極のうちの他
方の電源に対する電気的接続を容易とすることができる
という効果を奏する。

【００７１】更にまた、請求項１０乃至１２のいずれか
１に記載のパッケージによれば、導電性配設基板が配設
面を上向きとすると左右どちらかに片寄って位置するよ
うにしたので、例えば、同一側に第１の電極および第２
の電極を有する半導体素子を配設する場合など、第１の
電極および第２の電極のうちの一方を容易に導電性配設
基板に固定することができる。よって、半導体素子のシ
ョートを防止することができると共に、半導体素子にお
いて発生した熱を導電性配設基板により積極的に放散す
ることができるという効果を奏する。また、導電性配設
基板の側面が配設面の側から反対側に向かって配設面の
反対側の端部側に傾斜する傾斜面を有するようにしたの
で、例えば、他方の電極の近傍における空間を広くする
ことができ、他方の電極の電源に対する電気的接続を容
易とすることができるという効果も奏する。

【００７２】加えてまた、請求項１２乃至１８のいずれ
か１に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１の電
極および第２の電極のうちの一方を導電性配設基板に固
定することにより半導体素子を導電性配設基板に配設す
るようにしたので、本発明の半導体装置を容易に製造す
ることができ、本発明の半導体装置を容易に実現するこ
とができるという効果を奏する。

【００７３】特に、請求項１８記載の半導体装置の製造
方法によれば、半導体素子を下側とし導電性配設基板を
上側として、他方の電極をピンに対してワイヤにより接
続するようにしたので、ワイヤを容易に接続することが
できる。よって、他方の電極の電源に対する電気的接続
を容易とすることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体発光装置の
構成を表す部分分解斜視図である。

【図２】図１に示した半導体発光装置の半導体レーザを
取り出して表す部分断面図である。

【図３】図１に示した半導体発光装置のパッケージの一
部を取り出して表す部分分解斜視図である。

【図４】導電性配設基板と半導体レーザとの位置関係を
説明するための正面図である。

【図５】図１に示した半導体発光装置の一製造工程を表
す斜視図である。

【図６】図５に続く一製造工程を表す斜視図である。

【図７】図６に続く一製造工程を表す正面図である。

【図８】図１に示した半導体発光装置の比較例の構成を
表す正面図である。

【図９】従来の半導体発光装置の構成を表す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１０，１１０…半導体レーザ（半導体素子）、１１…基
板、１２ａ…バッファ層、１２ｂ…下地層、１３…マス
ク層、１４…被覆成長層、１５…ｎ型半導体層（第１導
電型半導体層）、１５ａ…ｎ側コンタクト層、１５ｂ…
ｎ型クラッド層、１５ｃ…第１のガイド層、１６…活性
層、１７…ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）、１７
ａ…劣化防止層、１７ｂ…第２のガイド層、１７ｃ…ｐ
型クラッド層、１７ｄ…ｐ側コンタクト層、１８ａ…ｎ
側電極（第１の電極）、１８ｂ…絶縁層、１８ｃ…ｐ側
電極（第２の電極）、１９…反射鏡膜、２０…パッケー
ジ、２１，１２１，２２１…導電性配設基板、２１ａ…
配設面、２１ｂ…側面、２２…支持体、２２ａ…支持
面、２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ…固定溝、２３…
円板部材、２４，２５，２６，２２５…ピン、２５ａ，
２６ａ…絶縁リング、２７，２２７ａ，２２７ｂ…ワイ
ヤ、２８…蓋体、２８ａ…取り出し窓、３１，３３…保
持具、３１ａ，３３ａ…配設孔、３１ｂ，３３ｂ…固定
突部、３２…金型、３２ａ…開口、３３ｃ…上面、３４
…キャピラリ、１２９，２２９…サブマウント、２２９
ａ，２２９ｂ…配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA33 CA04 CA05 CA14 CA34 CA40 CA46 DA35 5F073 AA51 AA61 AA74 CA07 CB05 CB10 EA29 FA16 FA21 FA24 FA28

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 積層された複数の半導体層を有しかつ積
   層方向の同一側に第１の電極および第２の電極がそれぞ
   れ設けられた半導体素子と、 この半導体素子の第１の電極および第２の電極のうちの
   一方が固定されることにより前記半導体素子を支持する
   導電性配設基板とを備えたことを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 前記半導体素子は半導体層として順次積
   層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型
   半導体層を有すると共に、第１の電極は第１導電型半導
   体層に対して第２導電型半導体層側に設けられ、第２の
   電極は第２導電型半導体層に対して第１導電型半導体層
   と反対側に設けられかつ前記導電性配設基板に固定され
   たことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記半導体素子における第１導電型半導
   体層はｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層はｐ型
   半導体層であると共に、第１の電極はｎ側電極であり、
   第２の電極はｐ側電極であることを特徴とするとする請
   求項２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記半導体素子の第１導電型半導体層，
   活性層および第２導電型半導体層は、ガリウム（Ｇ
   ａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびイン
   ジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩ
   ＩＩ族元素と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド
   化合物半導体よりそれぞれなることを特徴とする請求項
   ２記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記導電性配設基板は前記半導体素子が
   配設される配設面を有すると共に、前記半導体素子は、
   第１の電極および第２の電極のうちの一方が前記導電性
   配設基板の配設面に対して固定され、かつ他方が前記導
   電性配設基板から配設面に対して平行方向に突出した状
   態で前記導電性配設基板に配設されたことを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記導電性配設基板は前記半導体素子の
   第１の電極および第２の電極のうちの他方が突出してい
   る側に側面を有すると共に、この側面は配設面の側から
   反対側に向かって第１の電極および第２の電極のうちの
   一方側に傾斜する傾斜面を有することを特徴とする請求
   項５記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 更に、前記導電性配設基板と電気的に絶
   縁されたピンを備えると共に、前記半導体素子の第１の
   電極および第２の電極のうちの他方はワイヤを介して前
   記ピンと電気的に接続されたことを特徴とする請求項１
   記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 更に、前記導電性配設基板を支持面によ
   り支持する支持体を備えると共に、前記導電性配設基板
   は前記半導体素子が配設される配設面を前記支持面に対
   して垂直に有しており、かつこの配設面を上向きとする
   と前記支持面に向かい右に片寄って位置することを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 更に、前記導電性配設基板を支持面によ
   り支持する支持体を備えると共に、前記導電性配設基板
   は前記半導体素子が配設される配設面を前記支持面に対
   して垂直に有しており、かつ前記支持体は前記配設面を
   下向きの状態に固定する固定溝を有することを特徴とす
   る請求項１記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 半導体素子が配設される配設面を有す
    る導電性配設基板と、配設面と垂直の支持面を有すると
    共にこの支持面により導電性配設基板を支持する支持体
    とを備えたパッケージであって、 前記導電性配設基板は、配設面を上向きとすると支持面
    の左右どちらかに片寄って位置し、かつ配設面および支
    持面に対して平行な方向における前記支持体の中心より
    の端部に側面を有すると共に、この側面は配設面の側か
    ら反対側に向かって配設面の反対側の端部側に傾斜する
    傾斜面を有することを特徴とするパッケージ。
11. 【請求項１１】 前記導電性配設基板は、配設面を上向
    きとすると支持面に向かい右に片寄って位置することを
    特徴とする請求項１０記載のパッケージ。
12. 【請求項１２】 前記支持体は前記導電性配設基板の配
    設面を下向きの状態に固定する固定溝を有することを特
    徴とする請求項１０記載のパッケージ。
13. 【請求項１３】 複数の半導体層を積層すると共に積層
    方向の同一側に第１の電極および第２の電極をそれぞれ
    設けて半導体素子を形成する工程と、 半導体素子の第１の電極および第２の電極のうちの一方
    を導電性配設基板に固定することにより半導体素子を導
    電性配設基板に配設する工程とを含むことを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 半導体層として第１導電型半導体層，
    活性層および第２導電型半導体層を順次積層すると共
    に、第１導電型半導体層に対して第２導電型半導体層の
    側に第１の電極を設けかつ第２導電型半導体層に対して
    第１導電型半導体層の反対側に第２の電極を設けること
    を特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 第１導電型半導体層をｎ型半導体層に
    より形成し、第２導電型半導体層をｐ型半導体層により
    形成することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置
    の製造方法。
16. 【請求項１６】 第１導電型半導体層，活性層および第
    ２導電型半導体層を、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム
    （Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）から
    なる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と窒素
    （Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体によ
    りそれぞれ形成することを特徴とする請求項１４記載の
    半導体装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 半導体素子の第１の電極および第２の
    電極のうちの一方を導電性配設基板の配設面に固定する
    と共に、他方を導電性配設基板から配設面に対して平行
    方向に突出させることを特徴とする請求項１３記載の半
    導体装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 更に、半導体素子を導電性配設基板に
    配設したのち、半導体素子を下側とし導電性配設基板を
    上側として、第１の電極および第２の電極のうちの他方
    を、導電性配設基板と電気的に絶縁されたピンに対して
    ワイヤにより接続する工程を備えたことを特徴とする請
    求項１３記載の半導体装置の製造方法。