JP3262080B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- light emitting
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- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
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- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩｎxＧａyＡｌz
Ｎ（III族窒化物半導体結晶）を用いた半導体発光素子
に関する。
Ｎ（III族窒化物半導体結晶）を用いた半導体発光素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色〜紫外線の光を出射する発光素子材
料として、ＧａＮ等のＩｎxＧａyＡｌzＮ、ＺｎＳｅ薄
膜が近年注目されている。しかしながら、ＺｎＳｅ薄膜
は、発光素子として用いた場合、寿命が短いという致命
的な欠点がある。
料として、ＧａＮ等のＩｎxＧａyＡｌzＮ、ＺｎＳｅ薄
膜が近年注目されている。しかしながら、ＺｎＳｅ薄膜
は、発光素子として用いた場合、寿命が短いという致命
的な欠点がある。
【０００３】また、ＩｎxＧａyＡｌzＮ薄膜は大型の単
結晶を作製することが困難であるため、その結晶膜の製
作にあたっては、異なる材料の基板上に成長させる、い
わゆるヘテロエピタキシャル成長法が用いられており、
一般にはＣ面サファイア基板やＳｉＣ基板の上で成長さ
せられている。
結晶を作製することが困難であるため、その結晶膜の製
作にあたっては、異なる材料の基板上に成長させる、い
わゆるヘテロエピタキシャル成長法が用いられており、
一般にはＣ面サファイア基板やＳｉＣ基板の上で成長さ
せられている。
【０００４】しかし、Ｃ面サファイア基板は基板主面に
対して垂直なへき開面を持たないので、Ｃ面サファイア
基板上に成膜したＩｎxＧａyＡｌzＮ薄膜においては、
Ｃ面サファイア基板のへき開方向とＩｎxＧａyＡｌzＮ
薄膜のへき開方向とが異なり、III−Ｖ族化合物半導体
を用いた半導体レーザーチップのようにへき開法によっ
て良好な端面（共振面）を作成することができない。そ
のため、チップの共振面を化学エッチングやドライエッ
チング、研磨等の方法によって形成する必要があり、へ
き開面を得るのに手間がかかって製作効率が悪かった。
また、Ｃ面サファイア基板は高価でコストが高くつき、
特にＳｉＣ基板は非常に高価であった。
対して垂直なへき開面を持たないので、Ｃ面サファイア
基板上に成膜したＩｎxＧａyＡｌzＮ薄膜においては、
Ｃ面サファイア基板のへき開方向とＩｎxＧａyＡｌzＮ
薄膜のへき開方向とが異なり、III−Ｖ族化合物半導体
を用いた半導体レーザーチップのようにへき開法によっ
て良好な端面（共振面）を作成することができない。そ
のため、チップの共振面を化学エッチングやドライエッ
チング、研磨等の方法によって形成する必要があり、へ
き開面を得るのに手間がかかって製作効率が悪かった。
また、Ｃ面サファイア基板は高価でコストが高くつき、
特にＳｉＣ基板は非常に高価であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の技術的
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、ＩｎxＧａyＡｌzＮ半導体結晶を用い
た半導体発光素子において、共振面をへき開によって容
易に製作できるようにし、さらに安価な基板コストで製
作できるようにすることにある。
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、ＩｎxＧａyＡｌzＮ半導体結晶を用い
た半導体発光素子において、共振面をへき開によって容
易に製作できるようにし、さらに安価な基板コストで製
作できるようにすることにある。
【０００６】
【発明の開示】本発明の半導体発光素子は、基板主面に
対して垂直なへき開面を有する、へき開性の良好なＡ面
サファイア基板の表面を化学エッチング又はドライエッ
チングしてから当該基板の上にｃ軸配向したＺｎＯ膜を
形成し、このＺｎＯ膜の上にＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただ
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ
≦１）で表わされる化合物半導体層を設けることによ
り、前記ＺｎＯ膜と前記化合物半導体層のへき開方向も
前記基板主面と垂直な方向となるようにしたことを特徴
としている。
対して垂直なへき開面を有する、へき開性の良好なＡ面
サファイア基板の表面を化学エッチング又はドライエッ
チングしてから当該基板の上にｃ軸配向したＺｎＯ膜を
形成し、このＺｎＯ膜の上にＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただ
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ
≦１）で表わされる化合物半導体層を設けることによ
り、前記ＺｎＯ膜と前記化合物半導体層のへき開方向も
前記基板主面と垂直な方向となるようにしたことを特徴
としている。
【０００７】本発明の半導体発光素子は、へき開性の良
好な基板の上に半導体層を形成しているので、化学的エ
ッチングを用いることなく、スクライブ等の機械的手段
によって簡単に基板をへき開させ、へき開によって共振
面を形成することができる。
好な基板の上に半導体層を形成しているので、化学的エ
ッチングを用いることなく、スクライブ等の機械的手段
によって簡単に基板をへき開させ、へき開によって共振
面を形成することができる。
【０００８】このようなへき開性の良好な基板としてＡ
面サファイア基板を用いれば、基板コストを安価にする
ことができ、安価に発光素子を製作することができる。
面サファイア基板を用いれば、基板コストを安価にする
ことができ、安価に発光素子を製作することができる。
【０００９】また、ＺｎＯ膜のａ軸方向の格子定数は、
ＩｎxＧａyＡｌzＮのａ軸方向の格子定数に非常に近い
値を有している。従って、上記のような基板を用いて
も、その上にｃ軸配向したＺｎＯ膜を形成することによ
り、ＺｎＯ膜を介して任意の基板の上に結晶性の良好な
ＩｎxＧａyＡｌzＮからなる化合物半導体層を成長させ
ることができる。
ＩｎxＧａyＡｌzＮのａ軸方向の格子定数に非常に近い
値を有している。従って、上記のような基板を用いて
も、その上にｃ軸配向したＺｎＯ膜を形成することによ
り、ＺｎＯ膜を介して任意の基板の上に結晶性の良好な
ＩｎxＧａyＡｌzＮからなる化合物半導体層を成長させ
ることができる。
【００１０】
【００１１】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は本発明
の一実施形態によるレーザーダイオード（半導体レーザ
ー）や端面出射型の発光ダイオード等の端面出射型の発
光素子１を示す斜視図である。この発光素子１は以下の
ようにして製作される。まず、Ａ面サファイア基板２を
化学エッチング又はドライエッチングした後、Ａ面サフ
ァイア基板２の上に低抵抗のＺｎＯ膜３を形成する。Ａ
面サファイア基板２上にはＺｎＯ膜３をｃ軸配向させる
ことは困難であるが、化学エッチング又はドライエッチ
ングした後でＺｎＯ設け、ｐ型ＧａＮクラッド層６の上
面をＳｉＯ2膜７をエピタキシャル成長させる。つい
で、ＳｉＯ2膜７の中央部をエッチングによって開口す
ると共に、ｎ型ＧａＮクラッド層４、ｐ型ＩｎxＧａyＮ
（x+y=1）活性層５、ｐ型ＧａＮクラッド層６及びＳｉ
Ｏ2膜７をエッチングにより部分的に除去してＺｎＯ膜
３を露出させる。この後、ＺｎＯ膜３や発光機構等を形
成されたＡ面サファイア基板２をスクライブすることに
より、発光素子１の共振面を形成する。ついで、ＺｎＯ
膜３の露出部分の上に下部電極８を形成し、ＳｉＯ2膜
７を介してｐ型ＧａＮクラッド層６の上面を上部電極９
で覆う。
の一実施形態によるレーザーダイオード（半導体レーザ
ー）や端面出射型の発光ダイオード等の端面出射型の発
光素子１を示す斜視図である。この発光素子１は以下の
ようにして製作される。まず、Ａ面サファイア基板２を
化学エッチング又はドライエッチングした後、Ａ面サフ
ァイア基板２の上に低抵抗のＺｎＯ膜３を形成する。Ａ
面サファイア基板２上にはＺｎＯ膜３をｃ軸配向させる
ことは困難であるが、化学エッチング又はドライエッチ
ングした後でＺｎＯ設け、ｐ型ＧａＮクラッド層６の上
面をＳｉＯ2膜７をエピタキシャル成長させる。つい
で、ＳｉＯ2膜７の中央部をエッチングによって開口す
ると共に、ｎ型ＧａＮクラッド層４、ｐ型ＩｎxＧａyＮ
（x+y=1）活性層５、ｐ型ＧａＮクラッド層６及びＳｉ
Ｏ2膜７をエッチングにより部分的に除去してＺｎＯ膜
３を露出させる。この後、ＺｎＯ膜３や発光機構等を形
成されたＡ面サファイア基板２をスクライブすることに
より、発光素子１の共振面を形成する。ついで、ＺｎＯ
膜３の露出部分の上に下部電極８を形成し、ＳｉＯ2膜
７を介してｐ型ＧａＮクラッド層６の上面を上部電極９
で覆う。
【００１２】ＺｎＯのａ軸方向の格子定数はＧａＮのａ
軸方向の格子定数に近いので、基板２上にｃ軸配向した
ＺｎＯ膜３を形成し、その上にｎ型ＧａＮクラッド層４
等を形成すれば、良好な結晶性のｎ型ＧａＮクラッド層
４等を得ることができる。しかし、従来は、Ａ面サファ
イア基板２上にＺｎＯ膜３をｃ軸配向させるのは困難で
あると考えられてきた。ところが、本発明のようにＡ面
サファイア基板２の表面を化学エッチングまたはドライ
エッチングしてからＺｎＯ膜３を形成すれば、ｃ軸配向
したＺｎＯ膜３を得ることができる。
軸方向の格子定数に近いので、基板２上にｃ軸配向した
ＺｎＯ膜３を形成し、その上にｎ型ＧａＮクラッド層４
等を形成すれば、良好な結晶性のｎ型ＧａＮクラッド層
４等を得ることができる。しかし、従来は、Ａ面サファ
イア基板２上にＺｎＯ膜３をｃ軸配向させるのは困難で
あると考えられてきた。ところが、本発明のようにＡ面
サファイア基板２の表面を化学エッチングまたはドライ
エッチングしてからＺｎＯ膜３を形成すれば、ｃ軸配向
したＺｎＯ膜３を得ることができる。
【００１３】ＺｎＯ膜とＧａＮ層等はともに六方晶系で
あって、（０００１）面で成長させた場合、ＺｎＯ膜も
ＧａＮ層もともに（１-１００）面［Ｍ面］と（１１-２
０）面［Ａ面］でへき開面を持ち、エピタキシャル成長
していれば、互いにへき開面が一致する。そこで、基板
のへき開方向とＺｎＯ膜及びＧａＮ層のへき開方向を、
成長面に対して垂直に形成することができれば、レーザ
ーを作製する場合、簡便にキャビティを作製することが
できる。一方、サファイアのへき開面は（０１-１２）
面であって、これはＲ面である。そして、サファイアの
Ｒ面が基板主面と垂直になっているサファイア基板は、
Ａ面サファイア基板のみである。
あって、（０００１）面で成長させた場合、ＺｎＯ膜も
ＧａＮ層もともに（１-１００）面［Ｍ面］と（１１-２
０）面［Ａ面］でへき開面を持ち、エピタキシャル成長
していれば、互いにへき開面が一致する。そこで、基板
のへき開方向とＺｎＯ膜及びＧａＮ層のへき開方向を、
成長面に対して垂直に形成することができれば、レーザ
ーを作製する場合、簡便にキャビティを作製することが
できる。一方、サファイアのへき開面は（０１-１２）
面であって、これはＲ面である。そして、サファイアの
Ｒ面が基板主面と垂直になっているサファイア基板は、
Ａ面サファイア基板のみである。
【００１４】従って、Ａ面サファイア基板２を用いれ
ば、基板のへき開面を基板主面に対して垂直にすること
ができ、その上に成長させたｃ軸配向のＺｎＯ膜３やｎ
型ＧａＮクラッド層４等のへき開方向も基板主面と垂直
な方向となる。よって、化学エッチングを用いることな
くスクライブ等の機械的方法によってＡ面サファイア基
板２をへき開させることができ、簡単に共振面を得るこ
とができる。
ば、基板のへき開面を基板主面に対して垂直にすること
ができ、その上に成長させたｃ軸配向のＺｎＯ膜３やｎ
型ＧａＮクラッド層４等のへき開方向も基板主面と垂直
な方向となる。よって、化学エッチングを用いることな
くスクライブ等の機械的方法によってＡ面サファイア基
板２をへき開させることができ、簡単に共振面を得るこ
とができる。
【００１５】この発光素子１では、ＺｎＯ膜３を低抵抗
化しているので、絶縁性の基板２を用いた場合でも、こ
の低抵抗のＺｎＯ膜３を通じて下部電極８と上部電極９
の間に電流を流し、発光素子１を発光させ、端面から青
色〜紫外線の光を出射させることができる。よって、絶
縁性の基板２を用いた場合にも、下部電極８の構造を簡
略にすることができる。
化しているので、絶縁性の基板２を用いた場合でも、こ
の低抵抗のＺｎＯ膜３を通じて下部電極８と上部電極９
の間に電流を流し、発光素子１を発光させ、端面から青
色〜紫外線の光を出射させることができる。よって、絶
縁性の基板２を用いた場合にも、下部電極８の構造を簡
略にすることができる。
【００１６】なお、ＺｎＯ膜３を低抵抗化するために
は、III族又はＶ族の不純物元素をドープすればよい。
例えば、III族元素としては、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃなどをドープすることがで
き、Ｖ族元素では、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａなどをドープすることができる。不純物をドープす
る方法としては、ＺｎＯ膜３を成膜するためのターゲッ
トに不純物をドープしておいてもよい。
は、III族又はＶ族の不純物元素をドープすればよい。
例えば、III族元素としては、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃなどをドープすることがで
き、Ｖ族元素では、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａなどをドープすることができる。不純物をドープす
る方法としては、ＺｎＯ膜３を成膜するためのターゲッ
トに不純物をドープしておいてもよい。
【００１７】（第２の実施形態）図２は本発明の別な実
施形態による面発光型の発光素子１１を示す断面図であ
る。この実施態様にあっては、Ａ面サファイア基板２の
上に低抵抗のｃ軸配向したＺｎＯ膜３を形成し、ＺｎＯ
膜３の上にｐ型ＧａＮ層１２とｎ型ＧａＮ層１３を形成
している。ついで、Ａ面サファイア基板２をへき開させ
た後、ＺｎＯ層を一部露出させ、ｎ型ＧａＮ層１３の上
に上部電極９を設けると共にＺｎＯ膜３の上に下部電極
８を形成している。
施形態による面発光型の発光素子１１を示す断面図であ
る。この実施態様にあっては、Ａ面サファイア基板２の
上に低抵抗のｃ軸配向したＺｎＯ膜３を形成し、ＺｎＯ
膜３の上にｐ型ＧａＮ層１２とｎ型ＧａＮ層１３を形成
している。ついで、Ａ面サファイア基板２をへき開させ
た後、ＺｎＯ層を一部露出させ、ｎ型ＧａＮ層１３の上
に上部電極９を設けると共にＺｎＯ膜３の上に下部電極
８を形成している。
【００１８】この発光素子１１は面発光型であって、上
部電極９と下部電極８の間に電圧を印加すると、ｎ型Ｇ
ａＮ層１３とｐ型ＧａＮ層１２との間で発生した光は、
ｎ型ＧａＮ層１３から外部へ出射される。
部電極９と下部電極８の間に電圧を印加すると、ｎ型Ｇ
ａＮ層１３とｐ型ＧａＮ層１２との間で発生した光は、
ｎ型ＧａＮ層１３から外部へ出射される。
【００１９】なお、Ａ面サファイア基板２は透明である
から、この実施形態においてＡ面サファイア基板２の両
面を鏡面研磨すれば、ｎ型ＧａＮ層１３とｐ型ＧａＮ層
１２の間で発生した光を表裏両面（すなわち、基板２側
とｎ型ＧａＮ層１３側と）から外部へ出射させることが
できる。
から、この実施形態においてＡ面サファイア基板２の両
面を鏡面研磨すれば、ｎ型ＧａＮ層１３とｐ型ＧａＮ層
１２の間で発生した光を表裏両面（すなわち、基板２側
とｎ型ＧａＮ層１３側と）から外部へ出射させることが
できる。
【００２０】（第３の実施形態）図３は本発明の別な実
施形態による面発光型の発光素子１４を示す断面図であ
る。この実施態様にあっては、Ａ面サファイア基板２の
上に金属膜１５を形成し、その上にＺｎＯ膜１６をｃ軸
配向させ、ＺｎＯ膜１６の上にｐ型ＧａＮ層１２とｎ型
ＧａＮ層１３を形成している。ついで、Ａ面サファイア
基板２をへき開させた後、ＺｎＯ膜１６よりも上の層を
エッチングして金属膜１５を一部露出させ、ｎ型ＧａＮ
層１３の上に上部電極９を設けると共に金属膜１５の上
に下部電極８を形成している。
施形態による面発光型の発光素子１４を示す断面図であ
る。この実施態様にあっては、Ａ面サファイア基板２の
上に金属膜１５を形成し、その上にＺｎＯ膜１６をｃ軸
配向させ、ＺｎＯ膜１６の上にｐ型ＧａＮ層１２とｎ型
ＧａＮ層１３を形成している。ついで、Ａ面サファイア
基板２をへき開させた後、ＺｎＯ膜１６よりも上の層を
エッチングして金属膜１５を一部露出させ、ｎ型ＧａＮ
層１３の上に上部電極９を設けると共に金属膜１５の上
に下部電極８を形成している。
【００２１】この発光素子１４のように基板２の上に金
属膜１５を形成し、その上にＺｎＯ膜１６を形成すれ
ば、容易にＺｎＯ膜１６をｃ軸配向させることができ
る。また、この金属膜１５に下部電極８を設けることが
できるので、ＺｎＯ膜１６を低抵抗化する必要がなくな
る。
属膜１５を形成し、その上にＺｎＯ膜１６を形成すれ
ば、容易にＺｎＯ膜１６をｃ軸配向させることができ
る。また、この金属膜１５に下部電極８を設けることが
できるので、ＺｎＯ膜１６を低抵抗化する必要がなくな
る。
【００２２】なお、この実施形態においても、電極膜を
透明なＩＴＯ膜によって形成し、Ａ面サファイア基板２
の両面を鏡面研磨すれば、ｎ型ＧａＮ層１３とｐ型Ｇａ
Ｎ層１２の間で発生した光を表裏両面から外部へ出射さ
せることができる。
透明なＩＴＯ膜によって形成し、Ａ面サファイア基板２
の両面を鏡面研磨すれば、ｎ型ＧａＮ層１３とｐ型Ｇａ
Ｎ層１２の間で発生した光を表裏両面から外部へ出射さ
せることができる。
【００２３】（第４の実施形態）図４は本発明のさらに
別な実施形態による面発光型の発光素子１７を示す側面
図である。この発光素子１７にあっては、ＺｎＳ構造を
有する（１００）方位ＧａＰ基板、（１１１）方位Ｇａ
Ｐ基板、（１１０）方位ＧａＰ基板、（１００）方位Ｇ
ａＡｓ基板、（１１１）方位ＧａＡｓ基板、（１１０）
方位ＧａＡｓ基板、（１００）方位ＩｎＰ基板、（１１
１）方位ＩｎＰ基板、（１１０）方位ＩｎＰ基板等の、
基板主面に垂直なへき開面を有する基板１８の上にｃ軸
配向したＺｎＯ膜１６を成長させ、その上にｐ型ＧａＮ
層１２とｎ型ＧａＮ層１３を形成している。この後、Ｚ
ｎＯ膜１６等を形成された基板１８をスクライブにより
へき開させる。また、これらの基板１８は導電性を有し
ているので、基板１８の下面に下部電極８を設けること
ができ、ｎ型ＧａＮ層１３の上面に形成された上部電極
９と基板１８の下面に形成された下部電極８の間に電圧
を印加すると発光素子１７に電流が注入され、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１２とｎ型ＧａＮ層１３の界面で発光する。
別な実施形態による面発光型の発光素子１７を示す側面
図である。この発光素子１７にあっては、ＺｎＳ構造を
有する（１００）方位ＧａＰ基板、（１１１）方位Ｇａ
Ｐ基板、（１１０）方位ＧａＰ基板、（１００）方位Ｇ
ａＡｓ基板、（１１１）方位ＧａＡｓ基板、（１１０）
方位ＧａＡｓ基板、（１００）方位ＩｎＰ基板、（１１
１）方位ＩｎＰ基板、（１１０）方位ＩｎＰ基板等の、
基板主面に垂直なへき開面を有する基板１８の上にｃ軸
配向したＺｎＯ膜１６を成長させ、その上にｐ型ＧａＮ
層１２とｎ型ＧａＮ層１３を形成している。この後、Ｚ
ｎＯ膜１６等を形成された基板１８をスクライブにより
へき開させる。また、これらの基板１８は導電性を有し
ているので、基板１８の下面に下部電極８を設けること
ができ、ｎ型ＧａＮ層１３の上面に形成された上部電極
９と基板１８の下面に形成された下部電極８の間に電圧
を印加すると発光素子１７に電流が注入され、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１２とｎ型ＧａＮ層１３の界面で発光する。
【００２４】このようにＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等の
基板１８を用いればＺｎＯ膜１６を容易にｃ軸配向させ
ることができる。またこれらの基板１８は、へき開性を
有しているので、化学エッチングによることなく、スク
ライブのような機械的手段によって基板１８をへき開さ
せることにより、発光素子１７の共振面を得ることがで
きる。さらに、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等は安価であ
る。
基板１８を用いればＺｎＯ膜１６を容易にｃ軸配向させ
ることができる。またこれらの基板１８は、へき開性を
有しているので、化学エッチングによることなく、スク
ライブのような機械的手段によって基板１８をへき開さ
せることにより、発光素子１７の共振面を得ることがで
きる。さらに、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等は安価であ
る。
【００２５】また、基板１８が導電性を有しているの
で、下部電極８を基板１８下面に設けることができ、前
記実施形態のようにＺｎＯ膜１６を低抵抗化したり、Ｚ
ｎＯ膜１６の下に金属電極膜を形成したりする必要がな
くなり、半導体発光素子１７の構造を簡単にすることが
できる。
で、下部電極８を基板１８下面に設けることができ、前
記実施形態のようにＺｎＯ膜１６を低抵抗化したり、Ｚ
ｎＯ膜１６の下に金属電極膜を形成したりする必要がな
くなり、半導体発光素子１７の構造を簡単にすることが
できる。
【００２６】なお、図示しないが、ＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＰ等のへき開面を有する基板１８を用いて端面出射
型の発光素子１７を製作することもできる。
ＩｎＰ等のへき開面を有する基板１８を用いて端面出射
型の発光素子１７を製作することもできる。
【図１】本発明の一実施形態による半導体発光素子を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】本発明の別な実施形態による半導体発光素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明のさらに別な実施形態による半導体発光
素子を示す断面図である。
素子を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに別な実施形態による半導体発光
素子を示す断面図である。
素子を示す断面図である。
２ Ａ面サファイア基板 ３ 低抵抗のＺｎＯ膜 ８ 下部電極 ９ 上部電極 １５ 金属膜 １６ ＺｎＯ膜 １８ ＧａＰ、ＧａＡｓまたはＩｎＰからなる基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−275243（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−297495（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−214051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−10280（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−326534（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283436（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263809（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基板主面に対して垂直なへき開面を有す
る、へき開性の良好なＡ面サファイア基板の表面を化学
エッチング又はドライエッチングしてから当該基板の上
にｃ軸配向したＺｎＯ膜を形成し、このＺｎＯ膜の上に
ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ
≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表わされる化合物半
導体層を設けることにより、前記ＺｎＯ膜と前記化合物
半導体層のへき開方向も前記基板主面と垂直な方向とな
るようにしたことを特徴とする半導体発光素子。
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