JP4969120B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
L:半導体発光素子Aの代表長さ
W:n側電極41の代表長さ
T:絶対温度
j0:n側電極41とn−GaN層4との接触部分における電流密度
e:素電荷
γ:ダイオードの理想係数
κB:ボルツマン定数
ρ:n−GaN層4の比抵抗
t1 支持基板の厚さ
1 支持基板(基板)
2 p−GaN層(p型半導体層)
3 活性層
4 n−GaN層(n型半導体層)
21 p側電極
41 n側電極
22 反射層
23 マスク層
24 ZnO電極
50 サファイア基板
Claims (4)
- 基板と、
上記基板に支持されたp型半導体層と、
上記基板に対して上記p型半導体層よりも離間した位置に配置されたn型半導体層と、
上記p型半導体層と上記n型半導体層との間に配置された活性層と、を備える半導体発光素子であって、
上記基板は、その厚さが200μm以上、1000μm以下であり、
上記基板上に形成された反射層、この反射層と上記p型半導体層との間に存在する透明導電層、および上記反射層と上記透明導電層との間に位置し上記反射層と上記透明導電層とを接触させるスルーホールが形成されたマスク層を備えることを特徴とする、半導体発光素子。 - 上記基板は、CuまたはAlNからなる、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 基板と、
上記基板に支持されたp型半導体層と、
上記基板に対して上記p型半導体層よりも離間した位置に配置されたn型半導体層と、
上記p型半導体層と上記n型半導体層との間に配置された活性層と、を備える半導体発光素子であって、
上記基板上に形成された反射層、この反射層と上記p型半導体層との間に存在する透明導電層、および上記反射層と上記透明導電層との間に位置し上記反射層と上記透明導電層とを接触させるスルーホールが形成されたマスク層を備えることを特徴とする、半導体発光素子。 - 上記マスク層は、SiO 2 からなる、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体発光素子。
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