JP2007036297A - 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007036297A JP2007036297A JP2006303089A JP2006303089A JP2007036297A JP 2007036297 A JP2007036297 A JP 2007036297A JP 2006303089 A JP2006303089 A JP 2006303089A JP 2006303089 A JP2006303089 A JP 2006303089A JP 2007036297 A JP2007036297 A JP 2007036297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light
- substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の窒化物系化合物半導体発光素子は、p型用電極と、p型半導体層と、発光層と、n型半導体層と、n型用電極とを台座基板上に有し、n型用電極側が主たる光取出し面である発光素子において、p型半導体層は、p型用電極と接する表面に電流阻止領域を有し、電流阻止領域においてp型半導体層の表面はドライエッチングされている。
【選択図】図1
Description
本発明の窒化物系化合物半導体発光素子は、n型用電極側が主たる光取出し面であり、p型半導体層とp型用電極との間の一部に電流阻止層が設けられていることを特徴とする。n型用電極側を光取出し面とすることによって、半透明の金属薄膜による電極を用いる必要がないため、光出力の低下が少なく、また、電流阻止層を設けることによって、無駄な発光をなくし、光取り出し効率を大幅に上げることができる。
本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法は、基板上に、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層とを順次形成する工程と、p型半導体層上の一部に電流阻止層を形成した後、p型用電極を形成する工程と、p型用電極上に、台座基板を形成する工程と、基板の一部または全部を除去し、n型半導体層の一部または全部を露出させる工程とを含むことを特徴とする。かかる方法により、無駄な発光が無く、光取出し効率の良好な窒化物系化合物半導体発光素子を製造することができる。
図1は、台座基板が厚膜Niである発光素子の断面図で、図1(a)は、製造の途中の段階での断面図であり、図1(b)は、完成した段階での断面図である。Si基板10上に、SiドープAlNからなるバッファ層11、SiドープGaNからなるn型半導体層12を形成し、その上にGaNからなるバリア層と、InGaNからなる井戸層で構成された多重量子井戸の発光層13を形成した。発光層13の上にはp型AlGaNからなるp型クラッド層14を形成し、p型クラッド層14の上にはp型GaNからなるp型コンタクト層15を形成した。つぎに、p型コンタクト層15の表面上に電流阻止層16として厚さ10nmのSiO2層をリフトオフ法により形成した。
図3は、Si基板330上に、選択的に結晶成長するためのSiO2マスク331を設置したときの平面図である。マスク331は300nmの厚さであり、開口部は200μm角で、300μmピッチで並んでいる。また、図4は、台座基板40が厚膜Niである発光素子を製造するために、Si基板30を用いて形成した発光素子の断面図であり、(a)は台座基板40を形成した段階での断面図であり、(b)は基板を分割する前の段階での断面図であり、(c)は完成した段階での断面図である。
図5(a)は、台座基板59上に電極を形成した状態を表す断面図であり、図5(b)は、Si基板50上にn型半導体層52などを形成した状態を示す断面図である。また、図5(c)は、熱圧接後の状態を表す断面図である。図5(b)に示すように、Si基板50上に、SiドープAlNバッファ層51、SiドープGaNからなるn型半導体層52を形成し、その上にGaNバリア層と、InGaNからなる井戸層で構成された多重量子井戸の発光層53を形成した。発光層53の上にはp型AlGaNクラッド層54を形成し、p型クラッド層54の上にp型GaNコンタクト層55を形成した。つぎに、p型コンタクト層55の表面に電流阻止領域56を形成するために、その部分にフォトレジストによるマスクを形成し、その上にp型用電極57として、厚さ1.5nmのPd密着層57aと、厚さ150nmのAg高反射層57bとを蒸着した後、リフトオフ法で電流阻止領域56を形成した。
Claims (14)
- p型用電極と、p型半導体層と、発光層と、n型半導体層と、n型用電極とを台座基板上に有し、n型用電極側が主たる光取出し面である発光素子において、前記p型半導体層は、p型用電極と接する表面に電流阻止領域を有し、該電流阻止領域においてp型半導体層の表面はドライエッチングされていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記n型用電極の一部がボンディング用パッド電極として機能するか、または前記n型用電極上にボンディング用パッド電極が形成され、該ボンディング用パッド電極は、発光層から放射される光に対して不透明であり、かつ、ボンディング用パッド電極は、n型用電極の上方から見て、前記電流阻止領域の内側に納まるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記n型用電極が、透明導電膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記台座基板は、発光層から放射される光に対して不透明であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記p型用電極は、発光層から放射される光の波長における反射率が60%以上である高反射層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記p型用電極における高反射層は、Agを含むことを特徴とする請求項5に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記台座基板は、金属または合金からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記台座基板は、Si基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
- 基板上に、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層とを順次形成する工程と、
前記p型半導体層の表面をドライエッチングすることにより電流阻止領域を形成した後、p型用電極を形成する工程と、
前記p型用電極上に、台座基板を形成する工程と、
前記基板の一部または全部を除去し、前記n型半導体層の一部または全部を露出させる工程と
を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記p型用電極を形成した後、300℃〜700℃で熱処理を行なう工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板は、Si基板であることを特徴とする請求項9または10に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記Si基板の一部または全部を、フッ化水素酸と硝酸とを含むエッチング液により除去し、前記Si基板上に形成された前記n型半導体層がエッチングストップ層として機能することを特徴とする請求項11に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記台座基板は、メッキ法によりp型用電極上に形成することを特徴とする請求項9〜12のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記台座基板は、Si基板であり、熱圧着によりp型用電極上に形成することを特徴とする請求項9〜12のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303089A JP4985930B2 (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303089A JP4985930B2 (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002359511A Division JP4159865B2 (ja) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007036297A true JP2007036297A (ja) | 2007-02-08 |
JP4985930B2 JP4985930B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=37795063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006303089A Expired - Fee Related JP4985930B2 (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4985930B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014090197A (ja) * | 2009-12-21 | 2014-05-15 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム |
EP2365541A3 (en) * | 2010-03-10 | 2015-08-19 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303502A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2000228537A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Agilent Technol Inc | InXAlYGaZN発光素子及びその製造方法 |
JP2001122693A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Nec Corp | 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法 |
JP2001244503A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-09-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2001313422A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2002151733A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-11-08 JP JP2006303089A patent/JP4985930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303502A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2000228537A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Agilent Technol Inc | InXAlYGaZN発光素子及びその製造方法 |
JP2001122693A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Nec Corp | 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法 |
JP2001244503A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-09-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2001313422A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2002151733A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014090197A (ja) * | 2009-12-21 | 2014-05-15 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム |
EP2365541A3 (en) * | 2010-03-10 | 2015-08-19 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4985930B2 (ja) | 2012-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4159865B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP4183299B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
US6740906B2 (en) | Light emitting diodes including modifications for submount bonding | |
US8907366B2 (en) | Light emitting diodes including current spreading layer and barrier sublayers | |
JP5334158B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
US8835938B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same | |
JP4602079B2 (ja) | バリア層を含む発光ダイオードおよびその製造方法 | |
TWI300277B (en) | Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices | |
JP4597796B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2004260178A (ja) | 光電子半導体チップに用いられる電気的なコンタクトならびに該電気的なコンタクトを製造するための方法 | |
JP2008098336A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2006269912A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2007103689A (ja) | 半導体発光装置 | |
CN109037412B (zh) | 一种具有掩膜层的反极性led芯片及其制备方法 | |
JP2004266039A (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
JP2019207925A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2004207508A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2007005361A (ja) | 発光素子 | |
JP3997523B2 (ja) | 発光素子 | |
JP4985930B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
CN1866559B (zh) | 氮化物半导体发光器件 | |
US20110136273A1 (en) | Reflective contact for a semiconductor light emitting device | |
JP5945409B2 (ja) | 半導体素子とその製造方法 | |
JP5520638B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007165609A (ja) | 発光素子及びその製造方法並びに照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101018 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110318 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110324 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120319 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4985930 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |