DE69030433T2 - Herstellungsmethode für Halbleiterspeicher - Google Patents

Herstellungsmethode für Halbleiterspeicher

Info

Publication number
DE69030433T2
DE69030433T2 DE69030433T DE69030433T DE69030433T2 DE 69030433 T2 DE69030433 T2 DE 69030433T2 DE 69030433 T DE69030433 T DE 69030433T DE 69030433 T DE69030433 T DE 69030433T DE 69030433 T2 DE69030433 T2 DE 69030433T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
film
contact hole
substrate
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69030433T
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE69030433D1 (de
Inventor
Taku Fujii
Narakazu Shimomura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1340159A external-priority patent/JP2574910B2/ja
Priority claimed from JP2074639A external-priority patent/JP2547882B2/ja
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of DE69030433D1 publication Critical patent/DE69030433D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69030433T2 publication Critical patent/DE69030433T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01Manufacture or treatment
    • H10B12/02Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/014Capacitor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/109Memory devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
DE69030433T 1989-12-29 1990-12-28 Herstellungsmethode für Halbleiterspeicher Expired - Fee Related DE69030433T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1340159A JP2574910B2 (ja) 1989-12-29 1989-12-29 半導体装置の製造方法
JP2074639A JP2547882B2 (ja) 1990-03-23 1990-03-23 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69030433D1 DE69030433D1 (de) 1997-05-15
DE69030433T2 true DE69030433T2 (de) 1997-10-09

Family

ID=26415810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69030433T Expired - Fee Related DE69030433T2 (de) 1989-12-29 1990-12-28 Herstellungsmethode für Halbleiterspeicher

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5118640A (enExample)
EP (1) EP0439965B1 (enExample)
KR (1) KR960002078B1 (enExample)
DE (1) DE69030433T2 (enExample)
TW (1) TW218933B (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0453644B1 (de) * 1990-04-27 1995-05-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Öffnung in einem Halbleiterschichtaufbau und dessen Verwendung zur Herstellung von Kontaktlöchern
JP2524863B2 (ja) * 1990-05-02 1996-08-14 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5236860A (en) * 1991-01-04 1993-08-17 Micron Technology, Inc. Lateral extension stacked capacitor
US5231043A (en) * 1991-08-21 1993-07-27 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Contact alignment for integrated circuits
TW243541B (enExample) * 1991-08-31 1995-03-21 Samsung Electronics Co Ltd
KR960003773B1 (ko) * 1992-08-25 1996-03-22 금성일렉트론주식회사 디램(DRAM) 셀(Cell) 제조방법
US5605857A (en) * 1993-02-12 1997-02-25 Micron Technology, Inc. Method of forming a bit line over capacitor array of memory cells and an array of bit line over capacitor array of memory cells
US5563089A (en) * 1994-07-20 1996-10-08 Micron Technology, Inc. Method of forming a bit line over capacitor array of memory cells and an array of bit line over capacitor array of memory cells
US5840605A (en) * 1993-04-19 1998-11-24 Industrial Technology Research Institute Dual layer polysilicon capacitor node DRAM process
KR100388519B1 (ko) * 1995-02-22 2003-09-19 마이크론 테크놀로지, 인크. 메모리셀의커패시터배열위에비트선을형성하는방법및이를이용한집적회로및반도체메모리장치
WO2001009946A1 (de) * 1999-07-29 2001-02-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zur herstellung integrierter halbleiterbauelemente
DE10332600B3 (de) * 2003-07-17 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Kontaktes
JP4301227B2 (ja) * 2005-09-15 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器並びにコンデンサー

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3986903A (en) * 1974-03-13 1976-10-19 Intel Corporation Mosfet transistor and method of fabrication
US3984822A (en) * 1974-12-30 1976-10-05 Intel Corporation Double polycrystalline silicon gate memory device
US4268951A (en) * 1978-11-13 1981-05-26 Rockwell International Corporation Submicron semiconductor devices
JPS5681968A (en) * 1979-12-07 1981-07-04 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
US4577392A (en) * 1984-08-03 1986-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication technique for integrated circuits
JPS6237960A (ja) * 1985-08-13 1987-02-18 Toshiba Corp 読み出し専用半導体記憶装置の製造方法
JPS6286853A (ja) * 1985-10-14 1987-04-21 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
DE3609274A1 (de) * 1986-03-19 1987-09-24 Siemens Ag Verfahren zur herstellung eines selbstjustiert positionierten metallkontaktes
JPS63237551A (ja) * 1987-03-26 1988-10-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4916083A (en) * 1987-05-11 1990-04-10 International Business Machines Corporation High performance sidewall emitter transistor
JPH0834311B2 (ja) * 1987-06-10 1996-03-29 日本電装株式会社 半導体装置の製造方法
JP2612836B2 (ja) * 1987-09-23 1997-05-21 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 自己整合ゲートを備えるmesfetの製造方法
US4852062A (en) * 1987-09-28 1989-07-25 Motorola, Inc. EPROM device using asymmetrical transistor characteristics
JPH01129440A (ja) * 1987-11-14 1989-05-22 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4977105A (en) * 1988-03-15 1990-12-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing interconnection structure in semiconductor device
JP2723530B2 (ja) * 1988-04-13 1998-03-09 日本電気株式会社 ダイナミック型ランダムアクセスメモリ装置の製造方法
JP2695185B2 (ja) * 1988-05-02 1997-12-24 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置及びその製造方法
US4951175A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with stacked capacitor structure and the manufacturing method thereof
JPH0278270A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Hitachi Ltd 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2633650B2 (ja) * 1988-09-30 1997-07-23 株式会社東芝 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2904533B2 (ja) * 1989-03-09 1999-06-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US4965217A (en) * 1989-04-13 1990-10-23 International Business Machines Corporation Method of making a lateral transistor

Also Published As

Publication number Publication date
EP0439965B1 (en) 1997-04-09
US5100828A (en) 1992-03-31
DE69030433D1 (de) 1997-05-15
EP0439965A2 (en) 1991-08-07
US5118640A (en) 1992-06-02
TW218933B (enExample) 1994-01-11
KR910013505A (ko) 1991-08-08
KR960002078B1 (ko) 1996-02-10
EP0439965A3 (en) 1991-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10235986B4 (de) Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer schwebenden Trap-Speicherzelle und Verfahren zur Herstellung derselben
DE69029618T2 (de) Verfahren zur Herstellung nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE3856543T2 (de) Dynamische Spreicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff und Herstellungsverfahren dafür
DE4140681C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Masken-Nur-Lesespeichers (Masken-ROM)
DE4220497B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69014486T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit Stapelkondensator und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE4332074C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69211093T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit selbstjustierten Kontakten zwischen eng beabstandeten Strukturen
DE69527104T2 (de) Struktur von Kontakt zwischen Leiterschichten in einer halbleiterintegrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung des Kontakts
DE69031575T2 (de) Halbleiteranordnung mit einer trichterförmigen Verbindung zwischen Leiter-Ebenen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102004021636B4 (de) Halbleitervorrichtung mit selbstausgerichtetem vergrabenem Kontaktpaar und Verfahren zum Ausbilden desselben
DE4316503C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Speicherzellen mit verdeckten Bitleitern
DE102005027234B4 (de) Verfahren zum Bilden einer Verbindungsstruktur für eine Halbleitervorrichtung
DE3834241A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE4445796C2 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterspeichervorrichtung
DE19638684A1 (de) Halbleitervorrichtung mit einem Kontaktloch
DE69030433T2 (de) Herstellungsmethode für Halbleiterspeicher
DE69214339T2 (de) Struktur und Verfahren für die Bildung selbstjustierender Kontakte
DE69226223T2 (de) Kontaktausrichtung für Festwertspeicher
DE3224287C2 (enExample)
DE4426311B4 (de) Leiterbahnstruktur eines Halbleiterbauelementes und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4232621C1 (de) Herstellverfahren für ein selbstjustiertes Kontaktloch und Halbleiterstruktur
DE19531602C2 (de) Verbindungsstruktur einer Halbleitereinrichtung und ihr Herstellungsverfahren
DE4312468C2 (de) Dynamische Speicherzelle mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19542606C2 (de) MIS-Transistor mit einem Dreischicht-Einrichtungsisolationsfilm und Herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee