DE4234698A1 - Integrierte schaltung mit leitern auf mehreren niveaus sowie verfahren zu deren herstellung - Google Patents
Integrierte schaltung mit leitern auf mehreren niveaus sowie verfahren zu deren herstellungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemei
nen auf integrierte Schaltungen mit Leitern auf
mehreren Niveaus, wobei diese Leiter typischerweise
entweder aus einem ausgewählten Metall oder aus
polykristallinem Silizium hergestellt werden. Im
spezielleren ist die Erfindung auf ein Verfahren
zur Bildung selbstausgerichteter vertikaler Zwi
schenverbindungen gerichtet, bei dem sich die er
zielbare Packungsdichte innerhalb der hergestellten
integrierten Schaltung maximieren läßt.
In vielen Gebieten der Herstellung integrierter
Schaltungen, wie z. B. bei der Herstellung von DRAMs
(Dynamic Random Access Memories), bei denen mehrere
Niveaus von Metall oder Polysilizium verwendet
werden, die über der Oberfläche eines Siliziumsub
strats photolithographisch definiert worden sind,
wird es erforderlich, bestimmte unterschiedliche
Arten elektrischer Verbindungen zwischen den ver
schiedenen leitfähigen Niveaus und den aktiven
oder passiven Vorrichtungen innerhalb eines darun
terliegenden Substrats zu schaffen. Bei der Her
stellung von DRAMs ist es üblich, auf photolitho
graphischem Wege definierte Wortleitungen auf einem
Niveau innerhalb der integrierten Schaltungsstruk
tur zu bilden sowie auf photolithographischem Wege
definierte Bitstellenleitungen oder Ziffernleitun
gen auf einem anderen Niveau innerhalb der in
tegrierten Schaltungsstruktur zu bilden. Außerdem
ist es dann erforderlich, bestimmte vertikale
Zwischenverbindungen zwischen den Wortleitungen und
den Bitstellenleitungen sowie bestimmten Vorrich
tungen, wie z. B. Zugriffstransistoren, zu schaffen,
die innerhalb des Siliziumsubstrats gebildet sind.
Zusätzlich zu den oben genannten Erfordernissen ist
es notwendig, daß eine elektrische Isolierung
zwischen den Wortleitungen und den Bitstellenlei
tungen an bestimmten Stellen hergestellt wird und
daß elektrische Zwischenverbindungen zwischen den
Wortleitungen und den Bitstellenleitungen an be
stimmten anderen Stellen hergestellt werden, an
denen es erwünscht ist, eine spezielle Wortleitung
mit einer speziellen Bitstellenleitung oder einer
Speichervorrichtung, wie z. B. einem Stapelkondensa
tor, elektrisch zusammenzufügen und zu verbinden,
um einen gewünschten Lese-, Schreib- oder Datenauf
frischungs-Vorgang für den DRAM zu schaffen.
In der Vergangenheit hat man die vorstehend ge
schilderte elektrische Isolierung zwischen den auf
mehreren Niveaus befindlichen Leitern in der in
tegrierten Schaltung dadurch erreicht, daß man
zuerst eine Öffnung in einer zwischengeordneten
Leiterschicht definiert hat, durch die hindurch
eine vertikale Zwischenverbindung zwischen einem
Leiter in einer oberen Schicht und einer unteren
integrierten Schaltungskomponente gebildet wurde,
ohne daß die vertikale Zwischenverbindung dabei die
genannte zwischengeordnete Leiterschicht berührt
und kurzschließt. Wenn es erwünscht war, einen
Leiter einer oberen Schicht mit einer zwischenge
ordneten Leiterschicht oder mit einem unteren Vor
richtungsbereich innerhalb der integrierten Schal
tung elektrisch zu verbinden, so hat man die
Metallisierungsmuster normalerweise seitlich
voneinander beabstandet, so daß Durchgänge, welche
die von einer Schicht ausgehende leitende Zwischen
verbindung tragen, in einer vorbestimmten Masken
distanz von denjenigen Durchgängen seitlich ent
fernt sind, welche die Metallisierung tragen, die
eine Zwischenverbindung zu einer benachbarten lei
tenden Schicht herstellt.
Bei beiden der vorstehend beschriebenen Techniken
zur elektrischen Isolierung sowie zur elektrischen
Zwischenverbindung bestand ein Nachteil darin, daß
sie eine inhärente photolithographische Dimensions
begrenzung hinsichtlich der maximal erreichbaren
Packungsdichte, die innerhalb der integrierten
Schaltungsstruktur erzielbar ist, mit sich bringen.
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit der
Lösung dieses Problems. Dabei besteht ein Hauptziel
der vorliegenden Erfindung in der Schaffung eines
neuartigen und verbesserten selbstausgerichteten
vertikalen Zwischenverbindungs-Verfahren, das bei
der Herstellung von integrierten Schaltungen mit
Leitern auf mehreren Niveaus von Nutzen ist und bei
dem die beim Stand der Technik vorhandene, vorste
hend erläuterte Begrenzung hinsichtlich der maxima
len Packungsdichte bzw. Unterbringungsdichte elimi
niert ist.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung be
steht in der Schaffung eines neuartigen und verbes
serten selbstausgerichteten vertikalen Zwischenver
bindungs-Verfahrens der genannten Art, das in der
Anwendung angenehm unkompliziert ist und sich mit
relativ hohen Ausbeuten unter Verwendung planarer
Verarbeitungstechniken des Standes der Technik
sowie einer minimalen Anzahl von Zwischenverbin
dungs-Maskier- und Ätz-Bearbeitungsschritten durch
führen läßt.
Diese Ziele sowie weitere wesentliche begleitende
Vorteile erzielt die vorliegende Erfindung gemäß
einem Gesichtspunkt durch ein Verfahren mit folgen
den Schritten:
- a) Bereitstellen eines gewünschten Substrats mit darin befindlichen aktiven und/oder passiven Vor richtungen, mit denen externe elektrische Ver bindungen herzustellen sind,
- b) Bilden einer dielektrischen Schicht auf dem Substrat, die bestimmte mit diesen Vorrichtungen zu verbindende leitfähige Streifen sowie bestimmte andere leitfähige Streifen enthält, die von den Vorrichtungen elektrisch isoliert bleiben müssen,
- c) Öffnen einer oder mehrerer erster Durchgängen in der dielektrischen Schicht über den leitfähigen Streifen, die elektrisch isoliert bleiben müssen, und Behandeln der durch die Durchgängen freigeleg ten Ränder dieser Streifen zur Schaffung einer isolierenden Beschichtung an diesen,
- d) Weiterführen der ersten Durchgang oder Durch gängen durch die Oberfläche des Substrats hindurch und zwar unter zusätzlicher,
- e) Öffnung einer oder mehrerer zweiter Durchgängen durch die mit Vorrichtungen in dem Substrat zu verbindenden leitfähigen Streifen innerhalb der dielektrischen Beschichtung hindurch, sowie sodann erfolgendes,
- f) Bilden vertikaler elektrischer Zwischenverbin dungen in den ersten und zweiten Durchgängen, wo durch die vertikalen Zwischenverbindungen in dem selben Bearbeitungsschritt der auf mehreren Niveaus befindlichen Leiter gebildet werden können, wodurch die sowohl für die elektrische Isolierung des oder der ersten leitfähigen Streifen als auch für die elektrische Zwischenverbindung mit dem oder den zweiten leitfähigen Streifen sowie zwischen dem oder den zweiten leitfähigen Streifen und dem Substrat erforderliche seitliche Beabstandung auf ein Minimum reduziert wird.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben
sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung
werden im folgenden anhand der zeichnerischen
Darstellungen eines bevorzugten Ausführungs
beispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen noch
näher erläutert.
Die Fig. 1 bis 7 zeigen eine Reihe fragmentari
scher, schematischer Querschnittsansichten, in
denen eine Abfolge von Verfahrensschritten darge
stellt ist, die bei der Herstellung integrierter
Schaltungskonstruktionen gemäß einem bevorzugten
Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet werden.
Fig. 1 zeigt ein Substrat-Ausgangsmaterial 10, das
unter Verwendung herkömmlicher planarer Halbleiter-
Verarbeitungstechniken behandelt worden ist, um
aktive Vorrichtungsbereiche 12 und 14 angrenzend an
die Oberfläche des Substrats 10 zu bilden, wobei
diese Bereiche durch dicke Bereiche 16, 18 und 20
aus Feldoxid getrennt werden. Diese Vorrichtungs
bildungs- und Feldoxidations-Techniken sind im
Stand der Technik allgemein bekannt und bedürfen
somit keiner ausführlichen Beschreibung. Die Bil
dung der aktiven Vorrichtungsbereiche 12 und 14
erfolgt unter Verwendung herkömmlicher Maskier-
und Dotiertechniken, wie z. B. Diffusion und Ionen
implantation, um dadurch z. B. aktive Bereiche von
MOS-Zugriffs- oder Treibertransistoren zu bilden.
Diese Verfahren sind ebenfalls im Stand der Technik
allgemein bekannt und bedürfen somit ebenfalls
keiner ausführlichen Erläuterung. Auf der in Fig. 1
gezeigten Struktur kann außerdem typischerweise ein
erstes Leiter-Niveau vorhanden sein, wie z. B. ein
Streifen aus polykristallinem Silizium 22, das
nachfolgend auch als Polysilizium bezeichnet wird,
welches in der dargestellten Geometrie auf der
Oberfläche des Feldoxidbereichs 20 entwickelt wor
den ist.
Die in Fig. 1 gezeigte Struktur wird dann zu einer
herkömmlichen Oxidationsbildungs- und Poly
siliziumentwicklungs-Station befördert, wo zu
Beginn eine dicke Schicht aus Siliziumdioxid 24 auf
der Oberfläche der Struktur gebildet wird, wie dies
in Fig. 2 gezeigt ist. Danach wird die Oxidschicht
24 mit einer nicht gezeigten Polysiliziumschicht
bedeckt, die anschließend maskiert und geätzt wird,
so daß zwei Streifen 26 und 28 aus Polysilizium auf
der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht 24
aus Siliziumdioxid intakt bleiben.
Wie in Fig. 3 zu sehen ist, wird die in Fig. 2
gezeigte Struktur dann einem weiteren Oxidations
schritt ausgesetzt, in dem eine obere Oberflächen
schicht 30 aus Siliziumdioxid auf allen freiliegen
den Flächen der beiden Streifen 26 und 28 aus Poly
silizium und der darunter befindlichen Schicht 24
aus Siliziumdioxid derart abgeschieden wird, daß
diese Streifen aus Polysilizium von dem di
elektrischen Siliziumdioxidmaterial vollständig
umschlossen sowie in dieses eingebettet bzw. einge
graben sind. Bei diesen Polysiliziumstreifen 26 und
28 kann es sich typischerweise um Bitstellen
leitungen bzw. Ziffernleitungen für einen DPAM oder
einen anderen ähnlichen oder äquivalenten Typ einer
integrierten Schaltung handeln.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 werden zwei ver
schiedene Arten vertikaler Zwischenverbindungen zu
sehen, die zur Fertigstellung der integrierten
Schaltungsstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung
von Nutzen sein können. Die erste dieser Zwischen
verbindungen ist derart ausgebildet, daß sich die
vertikale Zwischenverbindung vollständig durch
einen der Polysiliziumstreifen 26 hindurcher
streckt, jedoch auf ihrem Weg vertikal nach unten
von dem Polysiliziumstreifen 26 elektrisch isoliert
bleibt und mit dem aktiven Transistorbereich 12
Kontakt herstellt. Diese Zwischenverbindung wird
erzielt durch den in Fig. 4 dargestellten Prozeß,
bei dem zu Beginn die in Fig. 3 gezeigte Struktur
zu einer Oxidmaskierstation verbracht wird, in der
herkömmliche Maskier- und Ätztechniken verwendet
werden, um die Öffnung 32 in der Oberfläche der
Siliziumdioxidschicht 30 zu erzeugen. Diese Öffnung
32 wird gebildet durch Herausätzen des Siliziumdioxidmaterials
bis zu einem Rinnenniveau 34, das in
etwa koplanar mit der unteren Fläche des Poly
siliziumstreifens 26 ist. Bei diesem Punkt in dem
Verfahren werden die nun freiliegenden Ränder des
Polysiliziumstreifens 26 einem Oxidationsschritt
oder einem anderen ähnlichen Schritt zur Bildung
eines Dielektrikums unterzogen, um dadurch einen
ringförmigen oxidierten Bereich zu bilden, wie er
bei dem Bezugszeichen 36 in Fig. 4 gezeigt ist.
Wie in Fig. 5 zu sehen ist, kann der zweite Typ der
elektrischen vertikalen Zwischenverbindung, der in
dem vorliegenden Verfahren wünschenswert sein kann,
derart ausgebildet sein, daß er eine elektrische
Zwischenverbindung des Polysiliziumstreifens 28
beispielsweise sowohl mit einem aktiven Vorrich
tungsbereich 14 innerhalb des Substrats 10 als auch
mit dem auf dem ersten Niveau befindlichen Leiter
22 herstellt, der in der dargestellten Weise auf
der oberen Oberfläche des Feldoxidbereichs 20
angeordnet ist. Dies erzielt man dadurch, daß man
die in Fig. 4 gezeigte Struktur zu einer herkömm
lichen Maskier- und Ätzstation verbringt, in der
nicht nur zusätzliche Öffnungen 38 und 40 in der in
bezug auf die Zeichnungen rechten Seite der Struk
tur in vertikaler Weise geschaffen werden, sondern
zusätzlich dazu auch der freiliegende Boden- oder
Rinnenbereiche 34 der Fig. 4 gleichzeitig weiter
vertikal nach unten zu dem nun freiliegenden Be
reich 42 auf der Oberfläche des aktiven Vor
richtungsbereichs 12 geätzt wird. Während dieses
Verfahrensschritts werden die Bereiche 44 und 46
auf der rechten Seite der in Fig. 5 gezeigten
Struktur nun zum Zweck der Herstellung elektrischer
Zwischenverbindungen mit diesen freigelegt.
Wie in Fig. 6 zu sehen ist, besteht der nächste
Schritt des Verfahrens in dem Füllen der in Fig. 5
gezeigten vertikalen Öffnungen 32, 38 und 40 mit
einer geeigneten Metallisierung, die typischerweise
aus einer ersten dünnen Oberflächenbeschichtung 48,
wie z. B. Titannitrid, besteht und anschließend mit
einem ausgewählten Metall, wie z. B. einer Wolfram
schicht 50, überdeckt wird. In der in Fig. 7 ge
zeigten Weise kann die Wolframschicht 50 an
schließend derart maskiert und geätzt werden, daß
drei obere separate Kontaktbereiche 52, 54 und 56
in der dargestellten Weise auf der oberen Ober
fläche der Siliziumdioxidschicht 30 gebildet
werden.
Vorstehend ist also die Bildung einer ersten oder
linken vertikalen Zwischenverbindung 58 beschrieben
worden, die den auf der oberen Oberfläche befind
lichen Kontakt 52 mit dem aktiven Transistorbereich
12 verbindet, und zwar unter Durchlaufung des Poly
siliziumstreifens 26 in von diesem vollständig
elektrisch isolierter Weise. Die vertikalen
Zwischenverbindungen 60 und 62 auf der rechten
Seite der in Fig. 7 gezeigten Struktur schaffen
dagegen eine direkte elektrische Verbindung
zwischen dem Polysiliziumstreifen 28 sowie dem
aktiven Transistorbereich 14 und der ersten Leiter
lage 22 auf der Oberfläche der Feldoxidschicht 20,
wie dies vorstehend beschrieben worden ist.
Bei dem vorstehend beschriebenen, bevorzugten
Ausführungsbeispiel sind verschiedene Modifikatio
nen im Rahmen der Erfindung möglich. Z.B. versteht
es sich, daß das vorstehend beschriebene Verfahren
zur elektrischen Zwischenverbindung bei der Her
stellung einer großen Anzahl verschiedener elektri
scher Vorrichtungen von Nutzen ist, wobei in be
trächtlichem Umfang Chip-Fläche einzusparen ist, da
es nicht notwendig ist, eine körperliche Trennung
zwischen einem ersten Polysiliziumstreifen 26 und
einer angrenzenden elektrischen Zwischenverbindung
58 aufrechtzuerhalten, wie sie in Fig. 7 auf der
linken Seite gezeigt ist, und da es außerdem nicht
notwendig ist, die beim eingangs beschriebenen
Stand der Technik vorhandene seitliche Versetzungs
beabstandung vorzusehen, wenn direkte elektrische
Zwischenverbindungen 60 und 62 zwischen mehreren
Schichten und mehreren Lagen von Leitern in einer
integrierten Schaltung des Typs mit Leitern auf
mehreren Niveaus hergestellt werden. Es versteht
sich außerdem, daß die vorliegende Erfindung nicht
auf die speziellen, hier genannten leitfähigen oder
dielektrischen Materialien begrenzt ist, sondern
mit anderen dielektrischen Materialien, wie z. B.
Siliziumnitrid Si3N4 sowie mit anderen Leitern, wie
z. B. Legierungen aus Titan und hitzebeständigen
Metallen, wie z. B. Wolframsilizid WSi2 und Titansi
lizid TiS2 verwendet werden kann. Außerdem ist
darauf hinzuweisen, daß die vorliegende Erfindung
nicht auf die Verwendung von Metallen in den in den
Oxidschichten gebildeten vertikalen Durchgängen
begrenzt ist; falls es gewünscht ist, können diese
Durchgängen auch mit Polysilizium gefüllt werden.
Diese Variationen bei der verfahrensmäßigen und
vorrichtungsmäßigen Auslegung liegen allesamt im
Rahmen der vorliegenden Erfindung.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltun
gen des Typs, bei dem leitfähiges Material auf
mehreren Niveaus innerhalb sowie oben auf über
einem Halbleitersubstrat angeordnetem isolierendem
Material ausgebildet wird und das auf mehreren Ni
veaus befindliche leitfähige Material nach Maßgabe
bestimmter Verschaltungs-, Leistungs- und Betriebs
erfordernisse selektiv verbunden wird,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- a) Bereitstellen eines gewünschten Substrats (10) mit darin befindlichen aktiven und/oder passiven Vorrichtungen (12, 14), mit denen elektrische Ver bindungen herzustellen sind,
- b) Bilden einer dielektrischen Schicht (30) auf dem Substrat (10), die bestimmte, von den Vorrichtungen elektrisch zu isolierende Leiterstreifen (26) sowie bestimmte, mit den Vorrichtungen elektrisch zu verbindende Leiterstreifen (28) enthält,
- c) Öffnen von ersten Durchgängen (32) in der di elektrischen Schicht (30) über den elektrisch zu isolierenden Leiterstreifen (26) unter Freilegung der Ränder der Leiterstreifen,
- d) Isolieren der Ränder (36) der durch die Durch gängen (32) freigelegten Streifen,
- e) weitergehendes Ätzen der ersten Durchgängen in einer derartigen Weise, daß diese das Halbleiter substrat (42) erreichen, unter gleichzeitiger
- f) Öffnung von zweiten Durchgängen (38, 40) durch die mit dem Substrat (44) zu verbindenden Leiter streifen (28) und sodann
- g) Bilden vertikaler elektrischer Zwischenverbin dungen (52, 54) in den ersten und den zweiten Durchgängen (32, 38), wodurch die aktiven und/oder die passiven Vorrichtungen (12, 14) in dem Halb leitersubstrat (10) mit den Leiterstreifen inner halb der dielektrischen Schicht sowohl elektrisch verbunden werden können als auch von diesen elek trisch isoliert werden können und außerdem mit einer Oberflächen-Leiterschicht auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht (30) verbunden werden können.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Leiterstreifen (26, 28) aus Polysili
zium bestehen und durch die Bildung einer Silizium
dioxidbeschichtung an diesen isoliert werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die vertikalen elektrischen
Zwischenverbindungen (52, 54) innerhalb der ersten
und der zweiten Durchgängen (32, 38) gebildet
werden, indem zuerst die Durchgängen mit einer aus
der Gruppe bestehend aus Titan oder Titan
legierungen, Titannitrid und hitzebeständigen
Metallen ausgewählten Materialschicht bedeckt
werden und die Schicht dann mit Wolfram bedeckt
wird.
4. Integrierte Schaltung mit Leitern auf mehreren
Niveaus,
gekennzeichnet durch:
- a) ein Halbleitersubstrat (10) mit darin enthalte nen aktiven und/oder passiven Vorrichtungen (12, 14), mit denen elektrische Verbindungen herzu stellen sind,
- b) eine dielektrische Schicht (30) auf dem Substrat (10), die bestimmte mit den Vorrichtungen zu ver bindende Leiterstreifen (28) sowie bestimmte, von den Vorrichtungen elektrisch isoliert zu haltende Leiterstreifen (26) enthält,
- c) eine oder mehrere Durchgängen (32), die sich durch die dielektrische Schicht (30) sowie durch die elektrisch zu isolierenden Leiterstreifen (26) hindurcherstrecken und Ränder der Leiterstreifen frei legen, die mit einem ausgewählten Isolier material (36) bedeckt sind,
- d) eine oder mehrere zweite Durchgängen (38), die sich durch die dielektrische Schicht (30) sowie die darin befindlichen, mit den Vorrichtungen elek trisch zu verbindenden Leiterstreifen (28) hin durcherstrecken, wobei sich die ersten und die zweiten Durchgängen von der Oberfläche der di elektrischen Schicht (30) bis zu dem Substrat (10) oder einer in der dielektrischen Schicht (30) vorhandene Komponente erstrecken, und durch
- e) vertikale elektrische Zwischenverbindungen (52, 54), die in den ersten und den zweiten Durchgängen angeordnet sind, wodurch die aktiven und/oder die passiven Vorrichtungen (12, 14) in dem Halbleiter substrat (10) mit den Leiterstreifen innerhalb der dielektrischen Schicht (30) sowohl elektrisch ver bunden werden können als auch von diesen isoliert werden können und außerdem mit einer Oberflächen- Leiterschicht auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht (30) verbunden werden können.
5. Integrierte Schaltung nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Leiterstreifen (26, 28) aus
Polysilizium gebildet sind und durch die Bildung
einer Siliziumdioxid-Beschichtung (30) an diesen
selektiv isoliert sind.
6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die vertikalen elektri
schen Zwischenverbindungen (52, 54) aus einer Kom
bination aus einer Titannitrid-Beschichtung angren
zend an einen vertikalen Wolframbereich gebildet
sind, die sich beide von dem Substrat (10) bis an
die Oberfläche der dielektrischen Schicht (30)
erstrecken.
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