DE19520630A1 - Scheibeneinbrenn-Testschaltkreis für eine Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbeiter­ speichervorrichtungen und insbesondere auf einen Scheibenein­ brenn-Testschaltkreis zum Feststellen einer defekten Zelle in einer Halbleiterspeichervorrichtung.

Im allgemeinen sollte ein Einbrenntest für die Zuverläs­ sigkeit eines Chips nach dem Beenden der Scheibenherstellung durchgeführt werden. Ein allgemeiner Einbrenntest dient zum Auffinden defekter Bereiche nach dem Zusammenbau und wird im verpackten Zustand durchgeführt. Da die überprüften, defekten Bereiche weggeworfen werden, nachdem Test- und Zusammenbau­ verfahren durchgeführt wurden, entsteht eine Vergeudung von Zeit und Kosten.

In einem dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) sind die meisten Defekte Ein-Bit-Defekte, und es dau­ ert lange, die Defekte zu überprüfen. Ein Ein-Bit-Defekt ist direkt mit dem Leckstrom einer nicht perfekten Speicherzelle verbunden. Der Leckstrom wird durch Defekte in der Transfer­ gate-Oxydschicht, einer dielektrischen Kondensatorschicht usw. eines Speicherknotens verursacht.

In einem herkömmlichen Einbrenntest im verpackten Zu­ stand ist die Zufuhreffiziens für eine Lastspannung an eine Speicherzelle sehr niedrig, da auf mehrere tausend Zyklen (zum Beispiel 4096 oder 8192 Zyklen für einen 64 Mega-DRAM) nur eine Wortleitung ausgewählt wird. Mit einer ständig zu­ nehmenden Packungsdichte der Halbleiterspeichervorrichtung wird die Zufuhreffizienz der Lastspannung immer geringer. Um die Einbrennzeit zu verringern und die Zufuhreffiziens der Lastspannung zu erhöhen, besteht Bedarf für ein Verfahren zum gleichzeitigen Auswählen aller Wortleitungen. Die Ausbeute kann erhöht werden, und die Kosten können verringert werden, wenn dies in einem Scheibenzustand durchgeführt wird. Eine solche Technik ist im Detail in IEDM, 1993, Seiten 639-642 mit dem Titel "Wafer Burn-in (WBI) Technology for DRAMs" im Detail offengelegt.

Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm eines herkömmli­ chen Einbrennschaltkreises. Wortleitungen WL0-WLn, die mit einem Wortleitungstreiber 6 und der Gateelektrode eines Transfertransistors 2 verbunden sind, und Bitleitungen BL und BL, die mit einem Leseverstärker 8 verbunden sind, sind die Basisstruktur, die eine typische Speicherzellenanordnung bil­ det. Die Bitleitungen BL und übertragen in einem Speicher­ kondensator 4 gespeicherte Daten über den Transfertransistor 2. Wie gezeigt, bilden ein Transfertransistor 2 und ein Kon­ densator 4 eine Speicherzelle.

Auf der anderen Seite ist ein Transistor 10 mit einem Kanal geringer Größe mit einem Anschluß der Wortleitungen WL0-WLn verbunden, und somit wird eine Lastspannung Vstress gleichzeitig an alle Speicherzellen angelegt. Spannungen Vg und Vstress dienen zum Anlegen einer hohen Spannung während eines Scheibeneinbrenntests an die Wortleitung. Die Spannung Vstress wird zum Steuern der Gateelektrode des Transistors 10 angelegt, und dann wird die Spannung Vg an die Gateelektrode des Transfertransistors 2 angelegt. Die Lastspannung mit ei­ nem gewünschten Spannungswert kann an die dielektrische Schicht und den Speicherknotenübergang des Kondensators 4 an­ gelegt werden, indem eine Plattenspannung V_PL und eine Bitleitungsspannung von außen gesteuert werden. Der in Fig. 4 gezeigte Scheibeneinbrenn-Schaltkreis legt eine hohe Spannung an die Gateelektrode des Transfertransistors 2 an, so daß ein kleiner Leckstrompfad auf gebrochen werden kann, um eine de­ fekte Zelle festzustellen.

Fig. 5 zeigt eine Wortleitungsstruktur mit einem niedri­ gen Integrationsgrad. Der in Fig. 4 gezeigte Scheibenein­ brenn-Testschaltkreis kann ohne Probleme sein Ziel erreichen, indem er nicht perfekte Speicherzellen im Scheibenzustand überprüft. Mit zunehmenden Integrationsgrad der Halbleiter­ speichervorrichtungen wird es jedoch schwierig, einen Chip in einer abgeschlossenen Fläche zu formen. Insbesondere hat sich mit zunehmenden Integrationsgrad der DRAMs von der 16 zur 64 Megabitklasse die Wortleitungsstruktur geändert. Da ein DRAM mit niedrigem Integrationsgrad einen ausreichenden Metall­ abstand besitzt, ist es möglich, ein Metall und ein Gate- Polysilizium zu verwenden, wie in Fig. 5 gezeigt. Die An/Aus- Charakteristik der Wortleitung kann durch Zusammenfügen des Metalls mit einem niedrigen Widerstand mit dem Gate-Poly­ silizium mit einem hohen Widerstand verbessert werden.

Fig. 6 zeigt eine weitere Wortleitungsstruktur mit einem hohen Integrationsgrad. Mit zunehmenden Integrationsgrad des DRAMs wird die Speicherzelle kleiner, und es wird schwierig, das Metall mit allen Wortleitungen zu verbinden. Daher wird eine gespaltene Wortleitungstreiber- (SWD-) Struktur verwen­ det, um den Wortleitungstreiber aufzuspalten und den aufgespaltenen Wortleitungstreiber in einer Speicherzellen­ anordnungen anzuordnen. Die aufgespaltene Wortleitungs­ treiberstruktur verbindet den aufgespaltenen Wortleitungs­ treiber mit einem Wortleitungs-Dekodiersignal, das von einem Zeilendekodierer erzeugt wird, um die Wortleitungen zu steu­ ern. Da der aufgespaltene Wortleitungstreiber eine Metallei­ tung auf 4 oder 8 Wortleitungen benötigt, ist er hervorragend im Hinblick auf einen ausreichenden Metallabstand. In Fig. 6 ist es, da die Wortleitung, die ein Adreßsignal erhält, aufgespalten ist, schwierig, die Lastspannung an die Spei­ cherzelle anzulegen, indem man den Transistor mit einem klei­ nen Kanal wie bei einem herkömmlichen Scheibeneinbrenn-Test­ schaltkreis anschließt.

Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, einen Einbrenn-Testschaltkreis für eine Halbleiterspeichervor­ richtung zur Verfügung zu stellen, der eine defekte Zelle durch Durchführen eines Einbrenntests im Scheibenzustand un­ abhängig von der Wortleitungsstruktur durchführen kann.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Einbrenn-Testschaltkreis für eine Halbleiterspeicher­ vorrichtung zur Verfügung zu stellen, der die Kosten reduzie­ ren und die Ausbeute erhöhen kann, indem er alle defekten Zellen vor einer Reparatur überprüft.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Einbrenn-Testschaltkreis für eine Halbleiterspeicher­ vorrichtung zur Verfügung zu stellen, der einen Scheibenein­ brenntest in einer kleinen Layout-Fläche durchführen kann.

Diese und weitere Aufgaben werden erfindungsgemäß durch den in den beigefügten Patentansprüchen definierten Scheiben­ einbrenn-Testschaltkreis gelöst.

Insbesondere umfaßt entsprechend einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung ein Einbrenntestschaltkreis zum Fest­ stellen einer defekten Zelle einer Halbleiterspeicher­ vorrichtung mit einer Mehrzahl von Speicherzellen, einer Wortleitung, die mit jeder der Speicherzellen verbunden ist, und einem Zeilendekoder zur Auswahl einer Wortleitung einen Wortleitungstreiber zum Erhalten einer Spannungserhöhungs­ spannung über einen Wortleitungs-Entladungspfad und zum Er­ halten einer Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung zum Treiben der Wortleitung und einen Steuerungsschaltkreis zum Erhalten eines Einbrenn-Freigabesignals und der Spannungs­ erhöhungsspannung. Der Wortleitungstreiber ist mit der Wort­ leitung verbunden und wird von einem Zeilendekodiersignal ge­ steuert, das von dem Zeilendekoder erzeugt wird. Der Steu­ erungsschaltkreis ist mit dem Wortleitungs-Entladungspfad verbunden. In einem normalen Modus wird die Wortleitung durch die Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung freigegeben, und in einem Einbrenntestmodus wird eine Einbrennspannung, die gleich oder größer als die Spannungserhöhungsspannung ist, an die Wortleitung angelegt.

Die Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden deutlicher aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.

Fig. 1 ist ein Schaltkreisdiagramm eines Scheibenein­ brenn-Testschaltkreises nach der vorliegenden Erfindung.

Fig. 2 ist ein Schaltkreisdiagramm, das ein Ausführungs­ beispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

Fig. 3 ist ein Zeitablaufdiagramm eines Arbeitsablaufes des Schaltkreises der Fig. 2.

Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm eines herkömmli­ chen Scheibeneinbrenn-Testschaltkreises.

Fig. 5 zeigt eine Wortleitungsstruktur, die eine Metall­ verbindung verwendet.

Fig. 6 zeigt eine weitere Wortleitungsstruktur, die ei­ nen aufgespaltenen Wortleitungstreiber verwendet.

Wie in Fig. 1 gezeigt, umfaßt ein Wortleitungstreiber einen Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung-Eingabe-PMOS- Transistor 12 und ein Paar von Stromdurchlaß-NMOS- Transistoren 14 und 16. Der PMOS-Transistor 12 hat eine mit einer Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung ϕX verbundene Sourceelektrode, eine mit einem Zeilendekodiersignal NWEB verbundene Gateelektrode und eine mit einem Ausgangsknoten N, der mit einer Wortleitung verbunden ist, verbundene Drainelektrode. Die NMOS-Transistoren 14 und 16 haben jeweils mit dem Ausgangsknoten N verbundene Drainelektroden, mit dem Zeilendekodiersignal NWEB beziehungsweise mit einer Spannung ϕXB mit einem Spannungspegel, der komplementär zur Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung ϕXB ist, verbundene Gateelektroden und jeweils mit einem Wortleitungs-Entla­ dungspfad DP verbundene Drainelektroden. Ein Steuerungs­ schaltkreis umfaßt einen Einbrennsteuerungs-NMOS-Transistor 18, einen Inverter 22 und einen Entladungs-NMOS-Transistor 20. Der Einbrennsteuerungs-NMOS-Transistor 18 besitzt einen mit dem Wortleitungs-Entladungspfad DP verbundenen Kanalan­ schluß, während der andere Kanalanschluß mit der Lastspannung Vstress verbunden ist und die Gateelektrode mit einem Scheibeneinbrenn-Freigabesignal PWBE verbunden ist. Der Inverter 22 invertiert das Scheibeneinbrenn-Freigabesignal PWBE. Der Entladungs-NMOS-Transistor 20 besitzt einen mit dem Wortleitungs-Entladungspfad DP verbundenen Kanalanschluß, während der andere Kanalanschluß mit der Erdspannung VSS und die Gateelektrode mit dem Ausgangssignal des Inverters 22 verbunden ist. Die Stromdurchlaß-NMOS-Transistoren 14 und 16 sind Stromdurchlaßvorrichtungen und verbinden oder Trennen den Entladungspfad DP mit oder von dem Ausgabeknoten N.

Der NMOS-Transistor 16 dient zum Verbessern der Strom­ treiberkapazität und ist nicht immer zum Ausführen der vor­ liegenden Erfindung notwendig. Der Fachmann wird feststellen, daß der Wortleitungstreiber nach der vorliegenden Erfindung mit einer Inverterstufe aus dem PMOS-Transistor 12 und dem NMOS-Transistor 14 ausgeführt werden kann. Dann wird der Wortleitungstreiber nur von dem Wortleitungs-Dekodiersignal NWEB gesteuert, um die Wortleitungs-Spannungserhöhungs­ spannung oder die Spannungserhöhungsspannung zu erzeugen.

Der in Fig. 1 gezeigte Scheibeneinbrenn-Testschaltkreis kann einen Scheibeneinbrenntest unabhängig von der Wortlei­ tungsstruktur, die sich mit dem Integrationsgrad ändert, durchführen und defekte Zellen im Scheibenzustand überprüfen. Die meisten Defekte sind Ein-Bit-Defekte, und defekte Zellen können effizient überprüft werden, indem im Scheibenzustand eine Lastspannung angelegt wird.

In Fig. 1 ist der Wortleitungstreiber vorgesehen, die mit einer Speicherzelle verbundene Wortleitung zu treiben, und wählt eine gewünschte Wortleitung durch Treiben der Wort­ leitung nach dem Dekodieren einer Adresse aus. In einem nor­ malen Modus werden das Scheibeneinbrenn-Freigabsignal PWBE und das Zeilendekodiersignal NWEB im logisch "niedrigen" Zu­ stand gehalten. Die Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung ϕX wird im logisch "hohen" Zustand eines Spannungs­ erhöhungsspannungs-VPP-Pegels gehalten. Dann wird der Wort­ leitungs-Spannungserhöhungsspannungs-Eingabe-PMOS-Transistor 12 des Wortleitungstreibers angeschaltet und das Paar von Stromdurchlaß-NMOS-Transistoren 14 und 16 wird ausgeschaltet.

Der Einbrennsteuerungs-NMOS-Transistor 18 wird ausgeschaltet und der Entladungs-NMOS-Transistor 20 wird angeschaltet. Da­ her werden die Sourceelektroden der NMOS-Transistoren 14 und 16 über den Entladungs-NMOS-Transistor 20 mit dem Erdpotential VSS verbunden. Da der PMOS-Transistor 12 ange­ schaltet ist, wird die Wortleitungs-Spannungserhöhungs­ spannung ϕX über den Ausgabeknoten N erzeugt, und die Wort­ leitung wird freigegeben.

In einem Bereitschaftszustand wird das Scheibenein­ brenn-Freigabesignal PWBE im logisch "niedrigen" Zustand ge­ halten. Das Zeilendekodiersignal NWEB und die Wortleitungs- Spannungserhöhungsspannung ϕX werden im logisch "hohen" be­ ziehungsweise "niedrigen" Zustand gehalten. Dann wird der Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannungs-Eingabe-PMOS-Tran­ sistor 12 ausgeschaltet und die Stromdurchlaß-NMOS-Tran­ sistoren 14 und 16 werden angeschaltet. Die Spannung des Aus­ gabeknotens N wird über den Wortleitungs-Entladungspfad DP zum Erdpotential VSS entladen, und die Wortleitung wird ge­ sperrt.

Beim Umschalten vom Bereitschaftszustand in einen Einbrenntestmodus wird das Scheibeneinbrenn-Freigabesignal PWBE in den logisch "hohen" Zustand gesetzt, und somit wird der Entladungs-NMOS-Transistor 20 ausgeschaltet. Der Einbrennsteuerungs-NMOS-Transistor 18 wird angeschaltet, und die Lastspannung Vstress wird über den Wortlei­ tungs-Entladungspfad DP angelegt. Die Lastspannung Vstress wird über die Stromdurchlaß-NMOS-Transistoren 14 und 16 zur Wortleitung übertragen, und die Last kann an die mit der Wortleitung verbundene Speicherzelle angelegt werden.

Im Stand der Technik ist ein weiterer Transistor mit ei­ nem Anschluß jeder Wortleitung verbunden, um die Last an die Wortleitungen anzulegen. In Fig. 1 werden die Transistoren des Wortleitungstreibers und des Steuerungsschaltkreises, die im normalen Modus verwendet werden, auch in Einbrenntestmodus verwendet. Da also keine Notwendigkeit für zusätzliche Tran­ sistoren, wie sie in herkömmlichen Scheibeneinbrenn-Test­ schaltkreisen verwendet werden, besteht, wird das Layout ver­ einfacht, und der Scheibeneinbrenntest kann unabhängig von der Wortleitungsstruktur durchgeführt werden. Die Lastspan­ nung Vstress und das Scheibeneinbrenn-Freigabesignal PWBE können leicht von einem Blindkontakt, der im Inneren des Chips angeordnet ist, aus gesteuert werden. In dem in Fig. 1 gezeigten Einbrenntestschaltkreis wird der Wortleitungs- Entladungspfad DP als ein Pfad verwendet, der im normalen Modus die Ausgangsspannung zum Erdpotential VSS entlädt und die Lastspannung Vstress im Scheibeneinbrenntestmodus erhält.

Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Scheiben­ einbrenn-Testschaltkreises nach der vorliegenden Erfindung. Fig. 3 ist ein Zeitablaufdiagramm, das den Arbeitsablauf des Schaltkreises der Fig. 2 zeigt. In Fig. 2 ist eine Mehrzahl von Wortleitungstreibern zum Treiben der mit einer Mehrzahl von Speicherzellen versehenen Wortleitungen und ein Steu­ erungsschaltkreis zum Steuern der Mehrzahl von Wortlei­ tungstreibern vorgesehen. Jeder Wortleitungstreiber und der Steuerungsschaltkreis haben denselben Aufbau wie die in dem Scheibeneinbrenn-Testschaltkreis der Fig. 1. Wie gezeigt, ist ein Wortleitungstreiber mit jeder gespaltenen Wortleitung verbunden, um alle Wortleitungstreiber durch einen Steu­ erungsschaltkreis zu steuern. Außer den gezeigten Wortleitun­ gen WL0, WL1, WL4 und WL5 können weitere Wortleitungen wie WL2, WL3 und dergleichen leicht eingebaut werden. In solchen Fällen ist klar, daß Wortleitungs-Spannungserhöhungs­ spannungen ϕX2, ϕX3 usw. an die entsprechenden Wortleitungen angelegt werden.

Die Arbeitsweise des Scheibeneinbrenn-Testschaltkreises nach der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 3 beschrieben für den Wortleitungstreiber, der in Fig. 2 durch die gestrichelte Linie eingekreist ist. Im normalen Modus werden das Scheibeneinbrenn-Freigabsignal PWBE und das Zeilendekodiersignal NWEB0 im logisch "niedrigen" Zustand ge­ halten. Die Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung ϕX0 wird im logisch "hohen" Zustand eines Spannungserhöhungs­ spannungs-VPP-Pegels gehalten, und ϕX1 wird im logisch "nied­ rigen" Zustand gehalten. Die Spannungserhöhungsspannung VPP wird an den Eingangsanschluß des Steuerungsschaltkreises an­ gelegt. Dann wird der Wortleitungs-Spannungserhöhungs­ spannungs-Eingabe-PMOS-Transistor 12 des Wortleitungstreibers angeschaltet und das Paar von Stromdurchlaß-NMOS-Transistoren 14 und 16 wird ausgeschaltet. Der Einbrennsteuerungs- NMOS-Transistor 18 des Steuerungsschaltkreises wird ausge­ schaltet und der Entladungs-NMOS-Transistor 20 wird ange­ schaltet. Daher werden die Sourceelektroden der NMOS-Transistoren 14 und 16 über den Entladungs-NMOS-Tran­ sistor 20 mit dem Erdpotential VSS verbunden. Da der PMOS-Transistor 12 angeschaltet ist, wird die Wortlei­ tungs-Spannungserhöhungsspannung ϕX1 über den Ausgabeknoten N erzeugt, und die Wortleitung WL0 wird freigegeben. Die Spannungserhöhungsspannung VPP hat einen Spannungswert, die die Versorgungsspannung VCC um wenigstens die Schwellspannung Vt1 des Transfertransistors innerhalb der Speicherzelle an­ hebt. Das bedeutet, daß die Spannungserhöhungsspannung den Spannungswert VCC + Vt1 hat.

Die Freigabevorgänge der anderen Leitungen können auf die gleiche Weise wie oben beschrieben durchgeführt werden. Da der Scheibeneinbrenn-Testschaltkreis nach der vorliegenden Erfindung keinen Transistor an einem Ende jeder Wortleitung besitzt und die Wortleitung unter Verwendung eines Pull-down-Transistors im normalen Modus hochzieht, kann der Einbrenntestschaltkreis in einer kleinen Layoutfläche ausge­ führt werden.

Beim Einschalten des Scheibeneinbrenntestmodus wird das Scheibeneinbrenn-Freigabesignal PWBE auf die Spannungs­ erhöhungsspannung VPP gesetzt, und das Zeilendekodiersignal NWEBi (wobei i von 0 bis i läuft) hat einen Spannungswert Vbi+Vt3, indem eine Einbrennspannung Vbi um die Schwell­ spannung Vt3 der Stromdurchlaßtransistoren 14 und 16 erhöht wird. Dann wird der Einbrennsteuerungs-NMOS-Transistor 18 an­ geschaltet, und der Entladungs-NMOS-Transistor 20 wird ausge­ schaltet. Der Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannungs-Einga­ be-PMOS-Transistor 12 wird ausgeschaltet, und die Stromdurch­ laßtransistoren 14 und 16 werden angeschaltet. Die an den Steuerungsschaltkreis angelegte Spannungserhöhungsspannung VPP fällt um die Schwellspannung Vt2 des Einbrenn­ steuerungs-NMOS-Transistors 18 und wird dann über den Wortleitungsentladungspfad DP an die Sourceelektroden der NMOS-Transistoren 14 und 16 angelegt. Somit wird die Spannung der Sourceelektroden der NMOS-Transistoren 14 und 16 auf VPP-Vt2 eingestellt. Somit wird die Wortleitung WLi auf VPP-Vt2 gezogen. Die gewünschte Lastspannung Vbi kann an die mit der Wortleitung verbundene Speicherzelle angelegt werden, indem der Wert der Spannungserhöhungsspannung VPP, die von Steuerungsschaltkreis angelegt wird, um die Schwellspannung Vt2 des Einbrennsteuerungs-NMOS-Transistors 18 erhöht wird.

Wie oben beschrieben, kann der erfindungsgemäße Ein­ brenntestschaltkreis die defekten Zellen überprüfen, indem er den Einbrenntest im Scheibenzustand unabhängig von der Wort­ leitungsstruktur durchführt. Die Kosten können reduziert wer­ den, und die Ausbeute kann erhöht werden, indem die defekten Zellen vor einer Reparatur überprüft werden. Die Layout-Fläche kann reduziert werden, indem die Wortleitung unter Verwendung des Pull-down-Transistors im normalen Modus nach oben gezogen wird.

Verschiedene Modifikationen können bei dem offengelegten Ausführungsbeispiel durchgeführt werden, ohne vom Wesen und Umfang der Erfindung abzuweichen.

Claims (12)

1. Einbrenntestschaltkreis zum Feststellen einer defek­ ten Zelle einer Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Mehr­ zahl von Speicherzellen, einer Wortleitung, die mit jeder der Speicherzellen verbunden ist, und einem Zeilendekoder zur Auswahl einer Wortleitung, dadurch gekennzeichnet, daß er um­ faßt:
einen Wortleitungstreiber (12, 14, 16) zum Erhalten ei­ ner Spannungserhöhungsspannung über einen Wortleitungs- Entladungspfad, wobei der Wortleitungstreiber eine Wortlei­ tungs-Spannungserhöhungsspannung-Eingabevorrichtung zum Trei­ ben der Wortleitung umfaßt und wobei der Wortleitungstreiber durch ein Zeilendekodiersignal gesteuert wird, das von dem Zeilendekoder erzeugt wird; und
eine Steuerungsvorrichtung (18, 20, 22), die mit dem Wortleitungs-Entladungspfad verbunden ist, um ein Einbrenn­ freigabesignal und die Spannungserhöhungsspannung zu erhal­ ten;
wobei in einem normalen Modus die Wortleitung von der Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung freigegeben wird und in einem Einbrenntestmodus eine Einbrennspannung, die größer oder gleich der Spannungserhöhungsspannung ist, an die Wort­ leitung angelegt wird.

2. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Wortleitungstreiber umfaßt:
ein Paar von Stromdurchlaßtransistoren (14, 16), deren Gateelektroden mit dem Zeilendekodiersignal beziehungsweise der Spannungserhöhungsspannung verbunden sind, deren Sourceelektroden mit dem Wortleitungs-Entladungspfad (DP) verbunden sind und deren Drainelektroden mit der Wortleitung verbunden sind; und
einen Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung-Eingabe­ transistor (12), dessen Gateelektrode mit dem Zeilendeko­ diersignal verbunden ist, dessen Sourceelektrode mit der Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung verbunden ist und dessen Drainelektrode mit der Wortleitung verbunden ist.

3. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Steuerungsvorrichtung umfaßt:
einen Einbrenn-Steuerungstransistor (18), dessen einer Kanalanschluß mit dem Wortleitungs-Entladungspfad verbunden ist, dessen anderer Kanalanschluß mit der Spannungser­ höhungsspannung verbunden ist und dessen Gate mit dem Ein­ brennfreigabesignal verbunden ist; und
einen Entladungstransistor (22), dessen einer Kanalan­ schluß mit dem Wortleitungs-Entladungspfad verbunden ist, dessen anderer Kanalanschluß mit einem Erdpotential verbunden ist und dessen Gateelektrode mit dem invertierten Ein­ brenn-Freigabesignal verbunden ist.

4. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß während des normalen Modus der Entla­ dungstransistor und der Wortleitungs-Spannungserhöhungsspan­ nung-Eingabetransistor angeschaltet und der Einbrenn- Steu­ erungstransistor und der Stromdurchlaßtransistor ausgeschal­ tet sind.

5. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß während des Einbrenntestmodus der Entladungstransistor und der Wortleitungs-Spannungserhöhungs­ spannung-Eingabetransistor ausgeschaltet und der Einbrenn- Steuerungstransistor und der Stromdurchlaßtransistor ange­ schaltet sind.

6. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Spannungserhöhungsspannung und die Einbrennspannung durch einen Blindkontakt gesteuert werden.

7. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Einbrenn-Freigabesignal durch einen Blindkontakt gesteuert wird.

8. Einbrenntestschaltkreis zum Feststellen einer defek­ ten Zelle einer Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Mehr­ zahl von Speicherzellen, einer Wortleitung, die mit jeder der Speicherzellen verbunden ist, und einem Zeilendekoder zur Auswahl einer Wortleitung, dadurch gekennzeichnet, daß er um­ faßt:
einen Wortleitungstreiber (12, 14, 16), der mit der Wortleitung verbunden ist, wobei der Wortleitungstreiber eine Durchlaßvorrichtung (14, 16), die von einer Spannungser­ höhungsspannung und einem Zeilendekodiersignal, das von einem Zeilendekoder erzeugt wird, gesteuert wird, und eine Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung-Eingabevorrichtung (12), die durch das Zeilendekodiersignal gesteuert wird, zum Treiben der Wortleitung umfaßt; und
eine Steuerungsvorrichtung (18, 20, 22), die eine Ent­ ladungsvorrichtung (20), die zwischen der Stromdurchlaßvor­ richtung und einem Erdpotential angeordnet ist, und eine Einbrennsteuerungsvorrichtung (18) umfaßt, die zwischen der Stromdurchlaßvorrichtung und der Spannungserhöhungsspannung angeschlossen ist, wobei die Entladungsvorrichtung und die Einbrennsteuerungsvorrichtung von einem Einbrennfreigabe­ signal beziehungsweise einem Eingabefreigabe-Steuerungssignal gesteuert werden;
wobei in einem normalen Modus die Einbrenn­ steuerungsvorrichtung und die Stromdurchlaßvorrichtung ausge­ schaltet sind und die Entladungsvorrichtung und die Wort­ leitungs-Spannungserhöhungsspannung-Eingabevorrichtung be­ trieben werden, um die Wortleitung für die Wortleitungs-Spannungserhöhungsspannung freizugeben, und in einem Einbrenntestmodus die Wortleitungs-Spannungserhöhungs­ spannung-Eingabevorrichtung und die Entladungsvorrichtung ausgeschaltet sind und die Einbrennsteuerungsvorrichtung und die Stromdurchlaßvorrichtung so betrieben sind, daß eine Ein­ brennspannung an die Wortleitung angelegt wird, die größer oder gleich der Spannungserhöhungsspannung ist.

9. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Stromdurchlaßvorrichtung ein Paar von NMOS-Transistoren ist und daß die Wortleitungs-Spannungser­ höhungsspannung-Eingabevorrichtung ein PMOS-Transistor ist.

10. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Entladungsvorrichtung und die Steu­ erungsvorrichtung jeweils ein NMOS-Transistor ist.

11. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Spannungserhöhungsspannung und die Ein­ brennspannung durch einen Blindkontakt gesteuert werden.

12. Einbrenntestschaltkreis nach Anspruch 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Einbrenn-Freigabesignal durch einen Blindkontakt gesteuert wird.