KR100334532B1

KR100334532B1 - 워드라인 구동장치

Info

Publication number: KR100334532B1
Application number: KR1019990011711A
Authority: KR
Inventors: 이재진; 양선석
Original assignee: 박종섭; 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 1999-04-03
Filing date: 1999-04-03
Publication date: 2002-05-02
Also published as: KR20000065431A

Abstract

본 발명은 반도체 메모리소자에서 번-인 테스트동작시 테스트시간 단축 등의 목적으로 다수의 워드라인을 동시 구동하는데 사용되는 워드라인 구동장치에 관한 것으로, 특히 각 디코딩부마다 웨이퍼 번-인 테스트를 위해 구비하는 트랜지스터를 제거하고 대신 각 디코딩부에 공통으로 입력되는 파워라인에 공통제어 스위치를 구비하므로써 면적의 증가없이도 동일한 번-인 테스트 동작을 고속으로 수행하도록 하고, 테스트 모드시의 워드라인 구동전압을 고전압수준이 아닌 전원전압수준으로 사용하여 전압강하 정도를 감소시키므로써 회로동작을 보다 안정화시킨 워드라인 구동장치에 관한 것이다.

Description

워드라인 구동장치{Word line driver}

본 발명은 반도체 메모리소자에서 번-인 테스트동작시 다수의 워드라인을 동시 구동하는데 사용하는 워드라인 구동장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 각 디코딩부마다 웨이퍼 번-인 테스트를 위해 구비하는 트랜지스터를 제거하고 대신 각 디코딩부에 공통으로 입력되는 파워라인에 공통제어 스위치를 구비하므로써 면적의 증가없이도 동일한 번-인 테스트 동작을 고속으로 수행하는 워드라인 구동장치에 관한 것이다.

일반적으로, 메모리소자의 번-인 테스트 동작이라 함은 소자 자체의 초기결함을 조기에 발견하기 위해 전체 DRAM소자에 대해 전압과 주위 온도를 실제의 사용조건보다도 더욱 가혹한 조건(Stress)으로 인가해주면서 소자의 특성변화를 검출하는 것을 의미하며, 웨이퍼(wafer) 상태에서 번-인 스트레스(burn-in stress)를 주기 위하여 다수의 워드라인을 동시에 구동하는 동작을 행하게 된다.

도 1 은 종래에 사용된 워드라인 구동장치를 개략적으로 도시한 블럭 구성도로, 워드라인 선택을 위해 일반적으로 사용되는 계층적 디코딩방식을 동 도면을 참조하며 설명하기로 한다.

우선, 외부로부터 로오 어드레스신호(X-add1 또는 X-add2)가 입력되어 하나의 주 디코딩부(12)가 선택되면 상기 주 디코딩부(12)의 출력신호(MWL1, MWL2)는 후단에 연결된 다수의 부 디코딩부(14)로 입력되게 되는데, 이때 상기 다수의 부 디코딩부(14) 중 하나로만 활성화상태의 부스팅신호(px1, px2)가 인가되어 다수의 워드라인(WL1내지 WL4 중 하나의 워드라인)이 선택되어지는 것이다. 동 도면에서는 단일 주 디코딩부(12)에 연결된 상기 부 디코딩부(14)의 수를 2개로 하여 간단히 도시하고 있다.

그리고, 통상적으로 워드라인과 동일한 방향으로 전달되는 신호를 메인 워드라인 신호(Main Word Line: MWL)라 하고 상기 워드라인과 수직방향으로 전달되는 신호를 부스팅신호(px, /px)라 하는데, 워드라인 구동 제어신호는 상기 부스팅신호(px, /px)를 통해 전달될 수도 있고 상기 주 디코딩부(12)로부터 전달되는 경우도 있다.

본원 명세서에서는 상기 워드라인 구동 제어신호가 주 디코딩부에서부터 전달되는 경우로 설명을 진행하기로 한다.

도 2 는 종래에 웨이퍼 번-인 테스트(wafer burn-in test)를 위해 다수의 워드라인 구동에 사용된 워드라인 구동장치의 회로 구성도를 나타낸 것으로, 입력되는 로오 어드레스 신호(ax23∼ax67)를 디코딩하여 주 워드라인(MWL)을 하나 선택하는 주 디코딩부(22)와; 상기 선택된 주 워드라인(MWL)을 통해 각각으로 전원전압이 인가되며 구동 제어신호인 부스팅신호(px, /px)를 입력받아 선택적으로 활성화되어 단일 워드라인을 선택하게 되는 다수의 부 디코딩부(24: 동 도면에서는 1개의 부 디코딩부(24)만을 도시하고 있지만, 후단부에 동일 구조를 갖고 상호병렬로 연결된 여러개의 부 디코딩부가 접속되는 것이 일반적임) 및; 로오 어드레스 신호(ax01)의 일부를 입력받아 상기 다수의 부 디코딩부(24) 중 하나로만 활성화상태의 부스팅신호(px, /px)를 발생시켜 하나의 워드라인을 선택하도록 제어하는 부스팅신호 발생부(26)를 구비하여 구성한다.

상기 구성으로 이루어지는 워드라인 구동장치는 입력되는 로오 어드레스 신호를 이용하여 주 워드라인을 선택하게 되며 선택된 주 워드라인 신호가 워드라인에 구동전위를 공급하는 부 디코딩부로 전달되어 구동 제어신호인 부스팅신호가 인가되는 곳에만 워드라인을 동작상태로 만들고 그렇지 않은 부 디코딩부의 워드라인은 대기상태로 머물도록 제어한다.

이때, 부스팅신호 발생부(26)는 상기 주 워드라인에 복수(N)개의 부 디코딩부가 연결되어 있는 경우, N개의 부 디코딩부로 인가되는 N쌍의 부스팅신호 중 한쌍으로만 활성화상태의 신호를 출력시키고 나머지로는 대기상태의 신호를 유지시키는 동작을 하게 된다. 예를들어, 워드라인(WL)이 선택되는 경우는 주 워드라인신호(MWL)가 하이상태로 선택되고, 부스팅신호는 각각 px=하이, /px=로우로 변하면서 동작한다.

또한, 상기 구성을 갖는 워드라인 구동장치는 동시에 다수의 워드라인을 구동할 수 있는 특징을 갖고 있는데, 종래에는 이러한 동작을 위해 주 디코딩부(22)마다 테스트 모드시 동작하는 별도의 트랜지스터(도 2 의 T1으로 도시됨)를 구비하므로써, 워드라인의 동시구동에 사용하였다. 부스팅신호(px, /px)의 경우에도 테스트 모드시 동시에 동작하는 별도의 트랜지스터(도 2 의 T2로 도시됨)를 각각의 부스팅신호 발생부(26)마다 구비하므로써 워드라인의 동시구동을 수행하였다.

상기 트랜지스터(T1)는 각각의 주 디코딩부(22)마다 연결되어 정상동작시에는 턴-오프되어 동작하지 않고, 테스트(웨이퍼 번-인 테스트) 동작시 테스트모드를 알리는 신호(test)가 인가되어 턴-온되므로써 이에 연결된 모든 주 워드라인(MWL) 신호가 인에이블되면서 다수의 워드라인을 동시에 선택할 수 있게 된다.

마찬가지로, 트랜지스터(T2)는 각 부스팅신호 발생부(26)마다 연결되어 정상동작시에는 턴-오프되어 동작하지 않고 테스트(웨이퍼 번-인 테스트) 동작시에만 테스트모드를 알리는 신호(test)가 인가되면서 턴-온되므로써, 이에 연결된 모든 워드라인이 선택되게 된다.

도 3 은 도 2 에 도시된 워드라인 구동장치의 테스트 모드시의 동작 타이밍도를 나타낸 것으로, (b)에 도시된 바와 같이 로오 어드레스 신호(axij)가 '로우'상태로 인가되고 (a)에 도시된 워드라인 구동 제어신호(xdp)가 t1의 시점에서 '하이'로 천이되어 있는 상황에서 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)가 (c)에 도시된 바와 같이 '하이'상태로 천이되어 인가되면, 주 디코딩부(22) 내의 트랜지스터(T1)가 턴-온되면서 노드(N1)의 전위를 '로직로우'로 떨어뜨리게 된다.

상기 노드(N1)의 전위신호는 후단에 연결된 CMOS형 인버터를 구성하는 PMOS 트랜지스터(MP1)를 턴-온시켜 그 소오스단으로 인가되는 고전압(Vpp)을 (d)에 도시된 바와 같이 주 워드라인(MWL)으로 전달시키며, 이와 동시에 상기 하이레벨로 천이된 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)는 부스팅신호 발생부(26) 내의 트랜지스터(T2)로도 인가되어져 부스팅 신호를 각각 px= 하이, /px= 로우로 발생시켜 후단의 부 디코딩부(24)로 전달시킨다.

그 후, 상기 부 디코딩부(24)는 로우레벨을 갖고 인가되는 부스팅신호(/px)에 의해 구동 제어되어 전원단으로 인가되는 고전위(Vpp) 수준의 주 워드라인(MWL) 신호를 전달받아 워드라인(WL)을 (f)에 도시된 바와 같이 승압시켜 구동하게 된다.

그런데, 상기한 바와 같이 번-인 테스트 동작시 주 디코딩부(22) 및 부스팅신호 발생부(26)마다 구비하는 별도의 트랜지스터(T1, T2)에 의해 다수의 워드라인을 동시 구동하도록 제어하는 종래의 워드라인 구동장치는 디코딩회로가 소자 전체에서 반복적으로 많이 사용되는 회로임을 감안할 때, 상당한 설계면적 부담 및 비용부담으로 작용하게 되는 문제점이 있다.

또한, 테스트 모드시 다수의 워드라인을 구동하기 위해 고전위(Vpp)수준의 전압을 사용하므로써, 전압강하가 심해져 회로동작이 안정되지 못한 문제점이 발생한다.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 각 디코딩부 및 부스팅신호 발생부마다 번-인 테스트 모드시 동작하는 별도의 트랜지스터를 구비하는 대신 각 디코딩부에 공통으로 입력되는 파워라인에 스위치를 첨가하여 파워를 제어하므로써 설계면적 및 비용의 증가없이도 안정된 웨이퍼 번-인 테스트 동작을 동일하게 수행하도록 한 워드라인 구동장치를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 워드라인 구동장치는 워드라인 구동 제어신호의 상태에 따라 로오 어드레스신호를 입력받아 이를 디코딩하여 주 워드라인을 하나 선택하는 주 디코딩부와;

상기 주 디코딩부에 의해 선택된 주 워드라인이 각각의 전원전압 인가단으로 접속되며, 워드라인 부스팅신호를 입력받아 선택적으로 활성화되어 해당 서브 워드라인을 구동하는 다수의 부 디코딩부와;

로오 어드레스 신호의 일부를 입력받아 상기 다수의 부 디코딩부 중 하나로만 활성화상태의 부스팅신호를 발생시켜 하나의 워드라인을 선택하도록 제어하는 부스팅신호 발생부와;

테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호에 따라 각각 구동제어되어 상기 주 디코딩부와 부스팅신호 발생부 각각의 전원단으로 공급되는 전위가 테스트모드시 상기 주 워드라인 및 서브 워드라인 각각을 활성화상태로 구동하기 위한 전위수준이 되도록 조절하는 제1 및 제2 전위 조절부와;

상기 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호에 따라 상기 주 디코딩부의 타 전원단으로 공급되는 전위수준을 동작모드와 테스트모드별로 차등적인 전위수준이 되도록 제어하여 테스트모드시의 워드라인 구동시 전압강하를 감소시킨 전압강하 감소부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

도 1 은 종래에 사용된 워드라인 구동장치를 개략적으로 도시한 블럭 구성도

도 2 는 종래에 웨이퍼 번-인 테스트를 위해 다수의 워드라인 구동에 사용된 워드라인 구동장치의 회로 구성도

도 3 은 도 2 에 도시된 워드라인 구동장치의 테스트 모드시의 동작 타이밍도

도 4 는 본 발명에 따른 워드라인 구동장치의 회로 구성도

도 5 는 도 4 에 도시된 워드라인 구동장치의 테스트 모드 진입시의 동작 타이밍도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10, 40: 메모리 셀 어레이 12, 22, 42: 주 디코딩부

14, 24, 44: 부 디코딩부 26, 46: 부스팅신호 발생부

47, 48: 전위 조절부 49: 전압강하 감소부

상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 4 는 본 발명에 따른 본 발명에 따른 워드라인 구동장치의 회로 구성도를 나타낸 것으로, 워드라인 구동 제어신호(xdp)의 상태에 따라 로오 어드레스신호(ax23∼ax67)를 입력받아 이를 디코딩하여 주 워드라인(MWL)을 하나 선택하는 주 디코딩부(42)와; 상기 주 디코딩부(42)에 의해 선택된 주 워드라인(MWL)이 각각의 전원전압 인가단으로 접속되며, 워드라인 부스팅신호(px, /px)를 입력받아 선택적으로 활성화되어 해당 서브 워드라인(SWL)을 구동하는 다수의 부 디코딩부(44: 동 도면에서는 간단한 도시를 위해 1 개만을 도시함)와; 로오 어드레스 신호의 일부(ax01)를 입력받아 상기 다수의 부 디코딩부(44) 중 하나로만 활성화상태의 부스팅신호를 발생시켜 하나의 서브 워드라인(SWL)을 선택하도록 제어하는 부스팅신호 발생부(46)와; 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)에 따라 각각 구동제어되어 상기 주 디코딩부(42)와 부스팅신호 발생부(46) 각각의 전원단(N1, N2)으로 공급되는 전위가 테스트모드시 상기 주 워드라인(MWL) 및 서브 워드라인(SWL) 각각을 활성화상태로 구동하기 위한 전위수준이 되도록 조절하는 제1 및 제2 전위 조절부(47, 48)와; 상기 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)에 따라 상기 주 디코딩부(42)의 타 전원단(N3)으로 공급되는 전위수준을 동작모드와 테스트모드별로 차등적인 전위수준(동작모드시 Vpp, 테스트모드시 Vcc)이 되도록 제어하여 테스트모드시의 워드라인 구동시 전압강하(voltage drop)를 행하는 전압강하 감소부(49)로 구성된다.

상기 주 디코딩부(42)는 상기 제1 전위 조절부(47)에 의해 동작모드와 테스트모드별로 전위수준이 조절된 전원전압이 공급되는 전원단(N1)과 노드(N4) 사이에 접속되며, 워드라인 구동 제어신호(xdp)가 게이트단으로 인가되는 PMOS 트랜지스터(MP1)와; 상기 노드(N4)와 접지단 사이에 상호 직렬연결되며, 각각의 게이트단으로 로오 어드레스신호(ax23, ax45, ax67)가 인가되는 다수의 NMOS 트랜지스터(MN1∼MN3)와; 상기 노드(N4)의 전위가 각각의 게이트단으로 인가되며, 상기 전압강하 감소부(49)에 의해 선택적인 전위수준(Vpp, Vcc)으로 전원전압이 공급되는 전원단(N3)과 접지단 사이에 주 워드라인(MWL)에 의해 직렬접속된 PMOS 트랜지스터(MP2)와 NMOS 트랜지스터(MN4)를 구비하여 구성된다.

상기 구성을 갖는 주 디코딩부(42)는 입력되는 로오 어드레스신호(ax23∼ax67)를 이용하여 주 워드라인(MWL: main word line)을 선택하는 신호를 발생시키게 된다.

또한, 상기 부 디코딩부(44)는 상기 주 디코딩부(42)의 출력단에 연결된 주 워드라인(MWL)과 접지단 사이에 서브 워드라인(SWL)에 의해 직렬접속되며, 상기 부스팅신호 발생부(46)에서 출력된 부스팅신호(/px)가 각각의 게이트단으로 인가되는 PMOS 트랜지스터(MP3) 및 NMOS 트랜지스터(MN5)와; 상기 주 워드라인(MWL)과 서브 워드라인(SWL) 사이에 접속되며, 상기 부스팅신호 발생부(46)에서 출력된 부스팅신호(px)가 게이트단으로 인가되는 NMOS 트랜지스터(MN6)를 구비하여 구성된다.

상기 구성을 갖는 각각의 부 디코딩부(44)는 상기 주 디코딩부(42)에 의해 선택된 주 워드라인(MWL) 신호가 전원전압으로 인가되며, 부스팅신호(px, /px)가 활성화상태로 인가되어 들어오는 곳에서만 서브 워드라인을 동작상태로 만들게 되며, 그렇지 않은 나머지 부 디코딩부는 해당 서브 워드라인을 대기상태로 머물도록 제어한다.

그리고, 부스팅신호 발생부(46)는 로오 어드레스신호의 일부(ax01)가 일 입력단으로 인가되는 낸드게이트(NAND1)와; 상기 낸드게이트(NAND1)의 출력신호가 각각의 게이트단으로 인가되며, 고전압(Vpp) 인가단과 접지단 사이에 노드(N5)에 의해 접속된 PMOS 트랜지스터(MP4) 및 NMOS 트랜지스터(MN7)와; 상기 노드(N5)의 전위신호가 각가의 게이트단으로 인가되며, 상기 제2 전위 조절부(48)의 출력단(N2)과 접지단 사이에 노드(N6)에 의해 접속된 PMOS트랜지스터(MP5) 및 NMOS 트랜지스터(MN8)를 구비하여 구성되며, 상기 노드(N5, N6) 각각으로 상호 반전신호값을 갖는 부스팅신호(px, /px)를 발생시키게 된다.

상기 구성을 갖는 부스팅신호 발생부(46)는 선택된 주 워드라인(MWL)에 연결된 다수개의 부 디코딩부(44)중 하나에 대해서만 활성화상태의 부스팅신호쌍(px, /px)을 출력시키고, 나머지에 대해서는 대기상태의 부스팅신호쌍을 발생시키는 동작을 한다.

그리고, 상기 제1 및 제2 전위 조절부(47, 48)은 고전압(Vpp) 인가단과 접지단 사이에 상기 노드(N1, N2)에 의해 각각 연결되며, 상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)를 인가받아 동작하는 PMOS 트랜지스터(각각 MP6, MP7)와 NMOS 트랜지스터(각각 MN9, MN10)로 구성된다.

또한, 상기 전압강하 감소부(49)는 상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)가 게이트단으로 인가되며, 고전압(Vpp) 인가단과 상기 주 디코딩부(42)의 타 전원단(N3) 사이에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터(MP8)와; 상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)가 인버터(IV1)를 거쳐 반전된 신호가 게이트단으로 인가되며, 전원전압(Vcc) 인가단과 상기 주 디코딩부(42)의 타 전원단(N3) 사이에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터(MP9)를 구비하여 구성된다.

도 5 는 도 4 에 도시된 워드라인 구동장치의 테스트 모드 진입시의 동작 타이밍도를 나타낸 것으로, 이하 동 도면을 참조하며 본 발명에 따른 워드라인 구동장치의 모드별 동작을 자세히 살펴보기로 한다.

우선, 동 도면의 t1시점이 되기 전에 도시된 바와 같이, 정상동작 모드시에는 상기 제1 및 제2 전위 조절부(47, 48)로 입력되는 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)가 비활성화상태(로직로우)로 인가되어져 각각 PMOS트랜지스터(MP6, MP7)를 턴-온시키기 때문에 그 출력단(N1, N2)으로는 고전압(Vpp)이 출력된다((c) 와 (d) 에 도시됨).

이에 따라, 주 디코딩부(47) 및 부스팅신호 발생부(48)의 전원단에 고전압(Vpp)을 인가해 주게 된다.

한편, 번-인 테스트 동작시(동 도면의 t1 시점에서 t2시점까지의 동작 타이밍도 참조)에는 (c)에 도시된 바와 같이 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)가 활성화상태(로직하이)로 천이되어지면서, 상기 제1 및 제2 전위 조절부(47, 48)내 각각의 NMOS 트랜지스터(MN9, MN10)를 턴-온시키게 되어 각각 '로직로우'의 전위신호를 발생시키게 된다.

그래서, 주 디코딩부(42)와 부스팅신호 발생부(46)내 각각의 전원단(N1, N2)으로 (d)에 도시된 바와 같이 '로직로우'의 신호를 인가받게 된다.

이와 동시에, 상기 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호(test)는 상기 전압강하 감소부(49)로도 인가되어져 전원전압(Vcc) 인가단에 접속된 PMOS 트랜지스터(MP9)를 턴-온시키므로써, 상기 주 디코딩부(42)내 타 전원단(N3)으로 (e)에 도시된 바와 같이 전원전압(Vcc)수준의 전위를 공급해 주게 된다.

그리고, 상기 제1 전위 조절부(47)에 의해 '로직로우' 수준의 전위를 인가받은 주 디코딩부(42)는 '로직로우' 레벨로 초기화되어 인가되는 워드라인 구동 제어신호(xdp)에 의해 턴-온되어 있는 PMOS 트랜지스터(MP1)를 거쳐 그 문턱전위(Vt)를 노드(N4)로 전달하게 되며((f)에 도시됨), 이는 후단에 연결된 PMOS 트랜지스터(MP2)를 턴-온시켜 그 전원단(N3)으로 인가받은 전원전압(Vcc)수준의 전위를 (g)에 도시된 바와 같이 주 워드라인(MWL)으로 전달하여 워드라인을 구동하게 된다.

이와 같이, 상기 전압강하 감소부(49)에 의해 테스트모드시 고전압(Vpp)이 아닌 전원전압(Vcc) 수준으로 워드라인을 구동하여 이전의 고전압(Vpp)으로 워드라인을 구동하던 경우보다 전압강하(voltage drop) 정도를 감소시킬 수 있게 되어, 회로동작을 그만큼 안정되게 수행할 수 있게 되는 것이다.

한편, 상기 제2 전위 조절부(48) 또한 상기 제1 전위 조절부(47)와 동일한 동작에 의해, 테스트모드시 상기 부스팅신호 발생부(46)로 노드(N2)를 거쳐 인가되는 전원전압으로 ' 로직로우'의 접지전압 수준으로 조절하여, 부스팅신호(/px)의 전위를 '로직로우' 수준으로 발생시켜 부 디코딩부(44)로 전달하게 된다.

이에 따라, 상기 부 디코딩부(44)내 PMOS 트랜지스터(MP3)가 턴-온되어 (j)에 도시된 바와 같이 해당 서브 워드라인(SWL)을 상기 주 워드라인(MWL)과 동일한 전위(Vdd)수준으로 승압시켜 선택구동하게 된다.

본 발명의 실시예에서는 주 워드라인 디코딩부에서 워드라인 구동전위가 인가되도록 하고 있지만, 본 발명의 다른 실시예로는 부스팅신호 발생부에서 워드라인 구동전위가 인가되도록 구현할 수도 있겠다.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 워드라인 구동장치에 의하면, 번-인 테스트동작을 위해 주 디코딩부 및 부스팅신호 발생부마다 요구되었던 트랜지스터를 제거하여 구현하므로써, 설계면적 및 비용부담을 감소시킬 수 있게 되는 매우 뛰어난 효과가 있다.

또한, 테스트 모드시의 워드라인 구동전압을 고전압수준이 아닌 전원전압으로 사용할 수 있게되어, 전압강하 정도를 감소시켜 회로동작을 보다 안정화시킬 수 있게 되는 매우 뛰어난 효과가 있다.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims

워드라인 구동 제어신호의 상태에 따라 로오 어드레스신호를 입력받아 이를 디코딩하여 주 워드라인을 하나 선택하는 주 디코딩부와;

상기 주 디코딩부에 의해 선택된 주 워드라인이 각각의 전원전압 인가단으로 접속되며, 워드라인 부스팅신호를 입력받아 선택적으로 활성화되어 해당 서브 워드라인을 구동하는 다수의 부 디코딩부와;

로오 어드레스 신호의 일부를 입력받아 상기 다수의 부 디코딩부 중 하나로만 활성화상태의 부스팅신호를 발생시켜 하나의 워드라인을 선택하도록 제어하는 부스팅신호 발생부와;

테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호에 따라 각각 구동제어되어 상기 주 디코딩부와 부스팅신호 발생부 각각의 전원단으로 공급되는 전위가 테스트모드시 상기 주 워드라인 및 서브 워드라인 각각을 활성화상태로 구동하기 위한 전위수준이 되도록 조절하는 제1 및 제2 전위 조절부와;

상기 테스트 모드로의 진입을 알리는 제어신호에 따라 상기 주 디코딩부의 타 전원단으로 공급되는 전위수준을 동작모드와 테스트모드별로 차등적인 전위수준이 되도록 제어하여 테스트모드시의 워드라인 구동시 전압강하를 감소시키는 전압강하 감소부를 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 전위 조절부는 상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호가 게이트단으로 인가되며, 고전압 인가단과 상기 주 디코딩부의 전원단 사이에 접속되는 PMOS 트랜지스터와;

상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호가 게이트단으로 인가되며, 상기 주 디코딩부의 전원단과 접지단 사이에 접속된 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제2 전위 조절부는 상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호가 게이트단으로 인가되며, 고전압 인가단과 상기 부스팅신호 발생부의 전원단 사이에 접속되는 PMOS 트랜지스터와;

상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호가 게이트단으로 인가되며, 상기 부스팅신호 발생부의 전원단과 접지단 사이에 접속된 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동장치.
제 1 항에 있어서,

상기 전압강하 감소부는 상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호가 게이트단으로 인가되며, 고전압 인가단과 상기 주 디코딩부의 타 전원단 사이에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터와;

상기 테스트모드로의 진입을 알리는 제어신호의 반전신호가 게이트단으로 인가되며, 전원전압 인가단과 상기 주 디코딩부의 타 전원단 사이에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동장치.