KR100455731B1 - 웨이퍼번-인테스트장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 번-인 실시에 필요한 모든 패드 및 다이를 도선으로 연결하므로써, 한 번의 프로빙으로 한 장의 웨이퍼내에 있는 모든 다이의 번-인을 동시에 실시할 수 있도록 하고, 번-인 인에이블 회로를 이용하여 번-인 모드 및 테스트 모드를 제어할 수 있는 웨이퍼 번-인 테스트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이와같은 본 발명의 웨이퍼 번-인 테스트 장치는 한 번의 프로빙으로 웨이퍼 번-인을 실시할 수 있도록 모든 소자의 패드에 연결되는 도선과, 도선상의 소정의 위치에 설치되어 있으면서 인위적으로 플로팅(floating)되며 외부로부터 전압을 인가받아 전압을 전달하기 위한 번-인 인에이블 패드와, 도선상의 소정의 위치에 설치되어 있으며 번-인 신호를 외부로부터 인가받아 전달하기 위한 번-인용 패드와, 번-인 인에이블 패드가 플로팅되므로 인하여 테스트 모드를 제어하거나, 번-인용 패드로부터 번-인 신호를 인가받아 번-인 모드를 제어하는 번-인 인에이블 회로와, 번-인 인에이블 회로에 의하여 제어되어 테스트 모드를 실시하는 테스트용 패드를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 웨이퍼 번-인 테스트 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 초기불량을 웨이퍼 상태에서 스크린하기 위한 웨이퍼 번-인 테스트 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼 번-인은 램의 최종적인 제품들의 신뢰도를 보증하기 위하여 웨이퍼의 공정을 완성한 후에 테스트 순서에서 반드시 실시해야 하는 단계이다.
이와같은 웨이퍼 번-인을 실시할 때에 트랜지스터나 집적회로 칩의 패드(pad)에 탐침(probe)을 꽂아 웨이퍼의 정상상태를 테스트하는 프로빙의 방법으로 번-인을 실시하였다.
종래에는 한번의 프로빙으로는 웨이퍼내에 있는 많은 다이들 중에서 32개의 다이(Die) 및 64개의 다이만을 동시에 번-인을 실시할 수 있도록 되어 있었다.
따라서, 상기와 같은 프로빙의 방법으로 웨이퍼내의 모든 다이들을 테스트 하려면 여러번의 프로빙을 행하여야만 웨이퍼 번-인을 실시할 수 있었다.
그러나, 이러한 방법으로 웨이퍼 번-인을 실시하기 위하여 여러번의 프로빙을 실시함에 따라서 웨이퍼 번-인을 실시하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 번-인 실시에 필요한 모든 패드 및 다이를 도선으로 연결하므로써, 한 번의 프로빙으로 한 장의 웨이퍼내에 있는 모든 다이의 번-인을 동시에 실시할 수 있도록 하고, 번-인 인에이블 회로를 이용하여 번-인 모드 및 테스트 모드를 제어할 수 있는 웨이퍼 번-인 테스트 장치를 제공하기 위한 것이다.
이와같은 본 발명의 웨이퍼 번-인 테스트 장치는 한 번의 프로빙으로 웨이퍼 번-인을 실시할 수 있도록 단위 소자의 패드들에 연결되는 도선과, 상기 도선상의 소정의 위치에 설치되어 있으면서 인위적으로 플로팅(floating)되며 외부로부터 전압을 인가받아 전압을 전달하기 위한 번-인 인에이블 패드와, 상기 도선상의 소정의 위치에 설치되어 있으며 번-인 신호를 외부로부터 인가받아 전달하기 위한 번-인용 패드와, 상기 번-인 인에이블 패드가 플로팅되므로 인하여 테스트 모드를 제어하거나, 상기 번-인용 패드로부터 번-인 신호를 인가받아 번-인 모드를 제어하는 번-인 인에이블 회로와, 상기 번-인 인에이블 회로에 의하여 제어되어 테스트 모드를 실시하는 테스트용 패드를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
첨부한 도면 제 1 도는 본 발명의 실시예에 따른 것으로서, 웨이한다.
첨부한 도면 제 1 도는 본 발명의 실시예에 따른 것으로서, 웨이퍼의 번-인 실시를 위한 패드의 연결 구성도로서, 한 번의 프로빙으로 웨이퍼 번-인을 실시할 수 있도록 단위 소자의 패드들에 연결되는 도선(1)과, 도선(1)상의 소정의 위치에 설치되어 있으면서 인위적으로 플로팅(floating)되며 외부로부터 전압을 인가받아 전압을 전달하기 위한 번-인 인에이블 패드(4)와, 도선(1)상의 소정의 위치에 설치되어 있으며 번-인 신호를 외부로부터 인가받아 전달하기 위한 번-인용 패드(2)와, 번-인 인에이블 패드(4)가 플로팅되므로 인하여 테스트 모드를 제어하거나, 번-인용 패드(2)로부터 번-인 신호를 인가받아 번-인 모드를 제어하는 번-인 인에이블 회로(3)와, 번-인 인에이블 희로(3)에 의하여 제어되어 테스트 모드를 실시하는 테스트용 패드(5)와, 도선(1)에 의하여 모두 연결되어 있으며 다수개의 번-인 인에이블 회로(3) 및 다수개의 테스트용 패드(5)를 포함하고 있는 다이(6)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 번-인 인에이블 회로는 N-MOS인 TR1(7) 및 용량이 3/500의 P-MOS인 TR2(8)로 구비되며, TR1의 에러동작을 방지하기 위하여 TR2는 TR1의 게이트 레벨을 접지와 같은 레벨로 만들어 주고 있다.
도면 제 1 도 및 제 2 도를 참조하여 본 발명의 웨이퍼 번-인의 실시에 따른 신호 흐름 및 동작 방법을 설명한다.
먼저 제 1 도에서 보여지는 것처럼, 웨이퍼 번-인 실시에 필요한 모든 패드(2, 4, 5)를 도선(1)으로 연결하고, 도선(1)내에 번-인용 패드(2)를 설치하여 번-인 신호를 인가함과 동시에 모든 다이의 번-인을 실시할 수 있게하며, 또한 번-인용 패드(2)로부터 번-인 신호를 인가받아 동작하는 번-인 인에이블 회로(3)를 이용하여 번-인 모드 및 테스트 모드를 제어한다.
상기 번-인 모드일 때는 제 2 도에 보여지는 것처럼, 번-인용 패드(2)에 번-인 신호의 인가와 동시에 번-인 인에이블 패드(4)에도 전압(5V)를 인가하며, 이렇게 인가된 전압을 번-인 인에이블 회로(3)에 전달하여 TR1(7)이 온 되도록 하므로써 소자에 번-인 신호가 전달되도록 한다.
이때, TR2는 용량이 3/500의 P-MOS이므로 TR1의 동작에 아무 영향을 끼치지 못할만큼 TR2에는 미약한 전류가 흐르게 된다.
상기 테스트 모드일 때는, 번-인 인에이블 패드(4)를 플로팅(floating)시키면 TR1이 오프됨에 따라서 번-인용 패드(2) 및 테스트용 패드(5)가 개방됨으로써 소자가 각각 독립적으로 분리되어 개별적인 테스트가 가능하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 번-인 및 구성은 번-인실시에 필요한 모든 패드 및 다이를 도선으로 연결하고, 번-인 인에이블 회로를 이용하여 번-인 모드 및 테스트 모드를 제어할 수 있도록 하므로써, 한 번의 프로빙으로 한 장의 웨이퍼내의 모든 다이의 번-인을 동시에 실시할 수 있고, 웨이퍼 번-인의 실시에 따른 시간도 절약할 수 있으며, 또한 웨이퍼 번-인의 효율성을 증대 시킬 수 있는 본 발명의 탁월한 효과를 제공한다.
여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
제 1 도는 본 발명의 실시예에 따른 것으로서, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼 번-인 실시를 위한 패드의 연결 구성도.
제 2 도는 본 발명의 실시예에 따른, 번-인 모드 및 테스트 모드를 제어하기 위한 번-인 인에이블 회로도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 도선 2: 번-인용 패드
3: 번-인 인에이블 회로 4: 번-인 인에이블 패드
5: 테스트용 패드 6: 다이
7: TR1 8: TR2
Claims (3)
- 웨이퍼 번-인 테스트 장치에 있어서,한 번의 프로빙으로 웨이퍼 번-인을 실시할 수 있도록 단위 소자의 패드에 연결되는 도선과, 상기 도선상의 소정의 위치에 설치되어 있으면서 인위적으로 플로팅되며 외부로부터 전압을 인가받아 전압을 전달하기 위한 번-인 인에이블 패드와, 상기 도선상의 소정의 위치에 설치되어 있으며 번-인 신호를 외부로부터 인가받아 전달하기 위한 번-인용 패드와, 상기 번-인 인에이블 패드가 플로팅되므로 인하여 테스트 모드를 제어하거나 상기 번-인용 패드로부터 번-인 신호를 인가받아 번-인 모드를 제어하는 번-인 인에이블 회로와, 상기 번-인 인에이블 회로에 의하여 제어되어 테스트 모드를 실시하는 테스트용 패드와, 도선에 의하여 모두 연결되어 있으며 다수개의 번-인 인에이블 회로 및 다수개의 테스트용 패드를 포함하고 있는 다이를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 테스트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 번-인 인에이블 회로는 N-MOS인 TR1 및 P-MOS인 TR2를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 테스트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 TR2는 용량이 3/500인 P-MOS인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 테스트 장치.
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPS6326584A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH0529418A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-02-05 | Sony Corp | 半導体装置のバーイン方法及びそれに用いるバーインボード |
JPH07115113A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-05-02 | Nec Corp | 半導体ウエハの試験装置および試験方法 |
KR960002369A (ko) * | 1994-06-08 | 1996-01-26 | 김광호 | 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인 테스트 회로 |
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