CN102341215A - 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具 - Google Patents

用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具 Download PDF

Info

Publication number
CN102341215A
CN102341215A CN2009801578105A CN200980157810A CN102341215A CN 102341215 A CN102341215 A CN 102341215A CN 2009801578105 A CN2009801578105 A CN 2009801578105A CN 200980157810 A CN200980157810 A CN 200980157810A CN 102341215 A CN102341215 A CN 102341215A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
milling tool
substrate
abrasive
abrasive article
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801578105A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102341215B (zh
Inventor
C·迪恩-古兹
S·拉曼斯
E·M·舒勒
J·吴
T·珀坦纳恩加迪
R·维达塔姆
T·黄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Abrasifs SA
Saint Gobain Abrasives Inc
Original Assignee
Saint Gobain Abrasifs SA
Saint Gobain Abrasives Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Abrasifs SA, Saint Gobain Abrasives Inc filed Critical Saint Gobain Abrasifs SA
Publication of CN102341215A publication Critical patent/CN102341215A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102341215B publication Critical patent/CN102341215B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12Dressing tools; Holders therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一种研磨工具包括一个CMP垫修整器,该修整器具有一个基底,该基底包括一个第一主表面、与该第一主表面相反的一个第二主表面、以及在该第一主表面和第二主表面之间延伸的一个侧表面,其中一个第一磨料颗粒层附接到该第一主表面上,并且一个第二磨料颗粒层附接到该第二主表面上。该修整器进一步包括一个第一密封构件,该密封构件沿着该基底的侧表面的一部分在一个周边方向上延伸。

Description

用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具
技术领域
以下申请是针对一种研磨工具、并且更具体地涉及一种用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具。
背景技术
在目前的市场上在电子器件的制造中,沉积了多层不同类型的材料,这些材料包括例如导电的、半导电的以及介电的材料。不同的层的顺序沉积或生长以及移除产生了一个非平面的上表面。不足够平面的晶片表面将导致具有较差轮廓的结构,其中这些电路是非功能性的或表现出较欠佳的性能。化学机械平坦化(CMP)是一种用于平坦化或抛光工件(例如半导体晶片)的常见技术。
在典型的CMP过程中,将一个工件置于与一个抛光垫相接触中并且在该垫上提供一种抛光浆料以辅助这个平坦化过程。这种抛光浆料可以包括磨料颗粒,这些磨料颗粒能以一种研磨方式与该工件作用以除去材料、并且还能以化学的方式起作用以改善对工件某些部分的去除。这种抛光垫典型地比工件大得多、并且总体上是一种聚合物材料,这种材料可以包括某些特征,如适合于将浆料固持在该垫表面上的微构造。
在这样的抛光操作过程中,典型地使用一种垫修整器来在该抛光垫上移动从而清洁该抛光垫并且适当地修整这个表面而固持浆料。抛光垫修整对于维持所希望的抛光表面从而得到一致的抛光性能而言是重要的,因为这种抛光垫的表面随时间磨损掉并且导致了该垫的微构造的平滑。然而,这种修整操作面临某些阻碍,包括:可能阻塞部件的抛光碎片的存在、化学腐蚀、修整器几何形状的不规则性、修整器的过度使用、以及颗粒的拉出这干扰了修整操作并且损害了被抛光的敏感性电子部件。
因此,行业上继续要求改进的CMP垫修整器以及用于成形它们的方法。
发明内容
根据一个第一方面,一种研磨工具包括一个CMP垫修整器,该修整器具有一个基底,该基底包括一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面、一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层、以及一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层。该研磨工具可以进一步包括在该基底上的一个第一标记,该标记对应于该第一主表面并且标识了该第一磨料颗粒层的磨损状态。
在另一方面,一种研磨工具包括一个CMP垫修整器,该修整器具有一个基底,该基底包括一个第一主表面、与该第一主表面相反的一个第二主表面、以及在该第一主表面和该第二主表面之间延伸的一个侧表面。该CMP垫修整器进一步包括一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层、一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层、以及一个第一密封构件,该密封构件沿着该基底的侧表面的一部分在一个周边方向上延伸。
在另外其他方面,披露了一种用作CMP垫修整器的研磨工具,该研磨工具包括一个板以及一个磨料物品,该磨料物品包括一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面。该CMP垫修整器还包括一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层、一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层、以及一个接合结构,该接合结构被配置为接合该板的一部分并且可拆卸地联接该磨料物品与该板。
其他方面是针对一种用作CMP垫修整器的研磨工具,该研磨工具包括一个板以及一个磨料物品,该磨料物品具有一个基底,该基底包括一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面、一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层、以及一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层。该研磨工具被形成为使得该板和磨料物品是通过一个联接机构可拆卸地联接的。
根据另一方面,一种用作CMP垫修整器的研磨工具包括由一个基底构成的磨料物品,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面、一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层、以及一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层。具体地,该板包括一个磁体用于可拆卸地联接该板与磨料物品。
根据又一个方面,披露了一种用作CMP垫修整器的研磨工具,该研磨工具包括一个含凹陷的板、以及可拆卸地联接到该凹陷内的一个磨料物品。该磨料物品包括一个基底,该基底具有一个第一主表面以及一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层,并且其中该第一磨料颗粒层具有不大于约0.02cm的平面度,如通过光学自动聚焦技术测量的。
本披露的其他方面是针对一种形成磨料物品的方法,该方法包括以下步骤:将一种第一粘结层材料置于一个基底的第一主表面上,其中该基底包括一个接合结构,该接合结构被配置为将该基底可拆卸地联接到一个板上;并且将一个第一磨料颗粒层置于该第一粘结层材料内。该方法进一步包括:将一个第二粘结层材料置于该基底的一个第二主表面上,其中该第二主表面与该第一主表面相反;将一个第二磨料颗粒层置于该第二粘结层材料内;并且形成一个CMP垫修整器,该修整器包括由该第一主表面上的第一磨料颗粒层所限定的一个第一磨料表面以及由该第二主表面上的第二磨料颗粒层所限定的一个第二磨料表面。
在另一个方面,一种研磨工具包括由一个基底构成的一种CMP垫修整器,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面,其中该第一主表面包括一种研磨构造,该研磨构造包括由第一组凸起的上部部分所限定的一个第一上表面,这些凸起从第一组凹槽所限定的一个下表面延伸,该第一组凹槽分隔了这第一组凸起。该第二主表面包括一种研磨构造,该研磨构造包括由第二组凸起的上部部分所限定的一个第二上表面,这些凸起从第二组凹槽所限定的一个下表面延伸,该第二组凹槽分隔了这第二组凸起。
根据又一个方面,披露了一种整修CMP垫的方法,该方法包括以下步骤:将一个磨料物品联接到一个整修机器上,该磨料物品包括一个基底,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面,其中该磨料物品包括在该基底的第一主表面处的一个第一磨料表面、以及在该基底的第二主表面处的一个第二磨料表面,并且其中该磨料物品被安装在该整修机器上以暴露该第一磨料表面。该方法进一步包括:将该第一磨料表面与一个第一CMP垫的一个表面相接触并且将该第一CMP垫相对于该第一磨料表面进行移动以修整该第一CMP垫;将该磨料物品反转以暴露该第二磨料表面;并且将该第二磨料表面与一个第二CMP垫的一个表面相接触并且将该第二CMP垫相对于该第二磨料表面进行移动以修整该第二CMP垫。
附图说明
通过参见附图可以更好地理解本披露,并且使其许多特征和优点对于本领域的普通技术人员变得清楚。
图1包括用于形成根据一个实施方案的磨料物品的流程图。
图2A-2E包括根据一个实施方案的一种磨料物品的截面图。
图3包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图4包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图5包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图6包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图7包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图8包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图9包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图10包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图11包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图12A包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图12B-12C包括根据一个实施方案的一种研磨工具的多个俯视图。
图13包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。
图14包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图15包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图16包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。
图17包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。
图18包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。
图19包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。
图20包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。
图21包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图22包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图23包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。
图24A-24D包括根据一个实施方案使用一种磨料物品用于进行CMP垫修整操作的一种方法的图示。
图25A包括根据一个实施方案的一个板的背面的俯视图。
图25B包括根据一个实施方案的图25A的板的一部分的截面图。
图25C包括根据一个实施方案的一种CMP垫修整器的一个截面图。
图25D-25G包括根据多个实施方案的CMP垫修整器的侧面区域的部分的截面图。
图26A包括根据一个实施方案的一种修整系统的截面图,该修整系统包括一个板以及一个CMP垫修整器。
图26B包括根据一个实施方案的一种修整系统的截面图,该修整系统包括一个板以及一个CMP垫修整器。
图27A-27C包括根据一个实施方案的一个CMP垫修整器以及板的一部分的截面图。
图28A包括根据一个实施方案的一个板的俯视图。
图28B包括根据一个实施方案的图28A的板的截面图。
图28C包括根据一个实施方案的一个板以及CMP垫修整器的俯视图。
图29包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。
在不同的图中使用相同的参考符号表示相似的或相同的事项。
具体实施方式
以下内容是针对于一种用作化学机械平坦化(CMP)垫修整器的研磨工具,也称为一种整修器(dresser)。该研磨工具包括多个特征,包括一个磨料物品以及多个联接机构,该磨料物品具有两个(第一和第二)磨料表面,这些联接机构用于可拆卸地联接该磨料物品与一个夹具或板。该研磨工具可以包括不同类型的接合结构,这些接合结构有助于移除并且反转该研磨工具这样使得第一及第二磨料表面均是可用的。
图1包括一个流程图,该流程图显示了用于形成根据一个实施方案的磨料物品的一种方法。如所展示的,该方法可以在步骤101通过将一种第一粘结层材料置于一个基底的第一主表面上而开始。
总体上,该基底是由适合于经受研磨过程的严酷情况的一种材料制成的。例如,该基底可以是具有至少2E3MPa的弹性模量的材料。在其他实施方案中,该基底可以由一种具有更大弹性模量的材料制成,例如在至少约5E3MPa的等级上,如至少约1E4MPa、或甚至是至少约1E5MPa。在具体的情况下,该基底材料具有的弹性模量在约2E3MPa与约4E5之间的范围内。
例如,该基底可以包括多种材料,如金属类、金属合金类、陶瓷类、聚合物类、或它们的一种组合。根据一个具体实施方案,该基底是由一种金属合金(例如钢)制成的。对于某些实施方案,如在此将理解的,该基底可以包括一种磁化的或能够被磁化的材料。
该基底可以具有某种形状,包括例如一种总体上盘状的形状,该形状具有彼此相反并且基本上彼此平行的一个第一主表面和一个第二主表面。该第一主表面和第二主表面可以通过一个限定了该基底高度的侧表面进行连接。尽管该基底可以具有一种具有圆形轮廓的盘状形状,使得该基底的形状是圆柱形的,但是在此考虑了其他形状。例如,该基底可以具有一种矩形或多边形的形状,这样使得该基底具有可能彼此平行的多个基本上平面的侧面。值得注意地,该基底可以包括其他特征(例如接合结构),将在此对其进行更详细地说明。
将一种第一粘结层材料安置在该基底的第一主表面上可以包括施用一个材料层,可以将该层以薄膜、箔片、胶带或类似物的形式施用到该基底表面上。典型地,该粘结层材料的施用方式是使得该粘结层具有一个厚度,该厚度足以将磨料颗粒包含在其中并且在处理过程中形成一种均匀的粘结层材料。例如,在一个实施方案中,该粘结层材料可以包括一种金属或金属合金。特别有用的金属可以包括过渡金属。例如,该粘结层材料可以是一种硬焊材料,该材料包括过渡金属,如镍、铬、钛、锡、金、钯、银以及它们的一种组合。
在另外其他的实施方案中,该第一粘结层材料可以是一种聚合物材料。特别有用的聚合物粘结层材料可以包括热塑性塑料类以及热固性材料类、聚酰胺类、聚酰亚胺类、聚酯类、聚醚类、氟聚合物类、以及它们的一种组合。例如,用于第一粘结层中的特别合适的聚合物材料可以包括环氧化物类、丙烯酸类树脂以及它们的一种组合。某些粘结层材料还可以掺合酚醛树脂。
该第一粘结层材料可以包括填充剂类,它们可以改善这种粘结材料的机械特征,从而使该粘结材料更耐用。此外,可以使用填充剂颗粒来使得硬焊物-填充剂的组合的热膨胀系数与硬焊物-磨料的组合的热膨胀系数相匹配以便抑制不平整。同样,可以使用此类惰性填充剂来防止在热处理过程中硬焊物粘在未完成的工具停靠其上的板或耐火材料上,从而抑制不平整。此外,此类惰性填充剂可以改善耐磨性并且可以作为一种磨料运作,如果希望如此的话。
在第步骤101将一个第一粘结层材料置于一个第一主表面上之后,该过程在步骤103通过将一个第一磨料颗粒层置于该第一粘结层材料内而继续。可以使用不同的方法来将这些磨料颗粒安置在该粘结层材料内。例如,可以将这些磨料颗粒按一种不具有短程或长程有序的随机安排置于该粘结层内。作为替代方案,磨料颗粒的安置能以这样一种方式完成,该方式是使得这些颗粒具有一种图案、并且甚至以具有长程有序的一种图案被安排,如一种阵列(例如面心立方图案、立方体图案、六边形图案、斜方图案、螺旋图案、随机图案以及这些图案的组合)。在具体的情况下,这些磨料颗粒可以置于该粘结层内的特定位置处,这样使得它们以一种自避随机分布(即,一种SARDTM图案)来安排,这特别适合于修整CMP垫。
这些磨料颗粒可以是特别硬的材料,这样这些磨料颗粒可以具有至少约1500kg/mm2的维氏硬度。在具体情况下,这些磨料颗粒可以包括多种材料,如氧化物类、硼化物类、氮化物类、碳化物类、基于碳的结构(包括人造的基于碳的材料,例如富勒烯)、以及它们的一种组合。在某些情况下,可以使用超级磨料材料(如立方氮化硼或金刚石)作为磨料颗粒。
这些磨料颗粒可以具有适合于在CMP处理中对垫进行修整的平均砂砾大小。对于此类应用,该平均砂砾大小可以是小于约250微米。然而,在其他情况下,可以使用更小的磨料颗粒,使得该平均砂砾大小是不大于约200微米、不大于约100微米、或甚至不大于约50微米。在具体情况下,这些磨料颗粒可以具有的平均砂砾大小是在约1微米与约250微米之间的范围内,例如在约1微米与约100微米的范围内。
在步骤103将第一磨料颗粒层置于该第一粘结层材料内之后,该过程可以在步骤105通过将一种第二粘结层材料置于该基底的一个第二主表面上而继续。如以上所描述的,这些基底可以具有一种盘状或圆柱形的形状,这样该第一主表面和第二主表面是相反的并且基本上是彼此平行的。该第一及第二主表面可以与彼此间隔开并且通过侧表面彼此连接。安置该第二粘结层材料可以包括与将第一粘合层材料安置在该基底的第一主表面上类似或相同的过程。在具体的过程中,安置该第二粘结层可以包括基底的悬挂,这样所完成的第一粘结层材料以及第一磨料颗粒层不与任何表面相接触。在形成该第二粘结层的同时悬挂该基底避免了该第一磨料颗粒层的安置或取向方面的改变、或甚至使该第一磨料颗粒层变钝。该基底可以使用机械装置、加压装置或类似物进行悬挂。
根据一个实施方案,该第二粘结层材料可以是与该第一粘结层材料相同的粘结层材料。而且,在替代的设计中,可能合适的是该第二粘结层材料是与该第一粘结层材料不同的材料。此种设计可能适合用于改变该磨料物品的能力,使得该第一粘结层材料适合于第一类型的整修操作并且该基底的第二主表面适合于一种不同的整修操作。
在步骤105将第二粘结层材料置于第二主表面上之后,该过程可以在步骤107通过将一个第二磨料颗粒层置于该第二粘结层材料内而继续。如同上述步骤102,安置该第二磨料颗粒层能以一种随机的安排、一种图案化的安排、或甚至一种自避随机分布(SARDTM)来完成。此外,该第二磨料颗粒层可以具有与该第一磨料颗粒层相同的安排。
此外,在该第二层中使用的磨料颗粒可以与该第一层的磨料颗粒相同,包括相同的材料类型以及相同的平均砂砾大小。然而,在具体实施方案中,该第二层的磨料颗粒可以与该第一磨料颗粒层中使用的磨料颗粒不相同。在第一主表面与第二主表面之间使用不同的磨料颗粒可能有助于形成一种能够进行不同整修操作的磨料物品。例如,该第二层的磨料颗粒可以包含一种与该第一层磨料颗粒不同类型的材料。在一些设计中,该第二层的磨料颗粒可以具有不同的平均砂砾大小,以用于在同一CMP垫或不同类型的CMP垫上完成一种不同的整修操作。
在步骤107将第二磨料颗粒层置于该第二粘结层材料内之后,该过程在步骤109通过将该基底加热以形成一种CMP垫修整器而继续。加热可以按一种适合于自该第一及第二粘结层材料来形成硬焊层的方式完成,以便将这些磨料颗粒固定到该基底上。
在具体实施方案中,该加热过程包括悬挂该基底材料,这样该第一层以及第二层的磨料颗粒与任何接触表面是间隔开的。这样一种安排避免了在处理过程中这些磨料颗粒的重定向、转动、和/或变钝。在某些过程中,可以在加热期间将该基底悬挂在该加热炉底上方的一个竖直位置,这样该基底被定向为与该加热炉底成一个垂直角度。在其他实施方案中,可以将该基底悬挂在该加热炉底上方的一个水平位置,这样该第一主表面以及第二主表面基本上与该加热炉底平行。而且在其他实施方案中,可以使该基底相对于该加热炉底是成角度的,这样该基底的第一主表面以及第二主表面既不是平行于也不是垂直于该加热炉底。
根据一个过程,该基底可以在该加热过程中相对于一个初始位置和一个停止位置而改变位置。在加热期间改变基底的位置可以有助于形成一种具有一个特别均匀的粘结层的磨料物品、同时还有助于维持这些磨料颗粒的初始位置。例如,改变基底的位置可以包括在加热期间转动、倾斜或反转该基底。这样一个过程特别适合于在第一及第二主表面上具有粘结层材料以及磨料颗粒的一种磨料物品。
在此描述的成形过程有助于形成可反转的磨料物品,该磨料物品具有各自适合于研磨过程的第一及第二主表面。此外,在此描述的这些过程有助于形成就该第一磨料颗粒层和第二磨料颗粒层而言具有优异的平面度的一种磨料物品。这种优异的平面度有助于对CMP垫的改进的处理以及整修。
参见图2A,提供了根据一个实施方案的一种磨料物品的截面图。具体地,该磨料物品200包括一个基底201,该基底具有一个第一主表面202以及与该第一主表面202相反的一个第二主表面204,其中该第一及第二主表面202和204通过一个侧表面206而连接。一个第一粘结层203覆盖并且抵靠了该第一主表面202,并且一个第一磨料颗粒层221包含在该粘结层203内,这样这些磨料颗粒被固定到该基底201上。如所展示的,该第一磨料颗粒层221可具有优异的平面度,如使用一种非接触光学测量方法通过用不同波长的光来计算沿该表面的距离并且生成该样品的平面度的映射而测量的。例如,该第一磨料颗粒层具有的平面度可以是不大于约0.02cm,例如不大于约0.01cm、或甚至不大于约0.005cm。此类平面度测量结果是使用光学自动聚焦技术来测量多点之间的距离而搜集的。此种技术的一个例子是通常从VIEW Engineering,Inc可得的Benchmark 450TM
该第一磨料颗粒层221的平面度与该第一粘结层的平面度、以及这些磨料颗粒的取向和大小有关。如所展示的,磨料物品200限定了一个下部工作表面211,该下部工作表面总体上是由延伸经过设置在该粘结层203上方最低高度处的这些磨料颗粒的最上面的表面的一个平面所限定。磨料物品200进一步展示了一个上部工作表面213,该上部工作表面是由延伸经过设置在该粘结层203上方最大高度处的这些磨料颗粒的最上面的表面的一个平面所限定。下部工作表面211与上部工作表面213之差是工作表面的变形高度215(Δh),该变形高度可受到粘结层203的非平面的表面的影响并且进一步通过该第一磨料颗粒层221内的粒度差而被放大。值得注意地,在此描述的成形过程有助于形成具有减小的工作表面变形高度215以及优异的平面度的多种磨料物品。具体地,磨料物品200具有关于该基底中心的对称性,这样第一及第二主表面202和204被形成为具有类似的结构,包括粘结层203和205以及磨料颗粒层221和223。这种对称性有助于形成这样的磨料物品200,它具有关于磨料颗粒221和223而言的优异的平面度和工作表面变形高度,这特别适合于CMP垫的修整。
如所展示的,该磨料物品200包括一个粘结层205,该粘结层附接到并且抵靠了该基底201的第二主表面204。一个磨料颗粒层223被包含并且被固定在该粘结层205内。值得注意地,该磨料颗粒层223可以具有与在此描述的磨料颗粒层221相同的平面度以及工作表面变形高度。
此外,该磨料物品200可以具有一个侧表面206,该侧表面具有特殊的、有助于形成该磨料物品200的轮廓。例如,该基底201可以沿着这些侧表面包括多个接合结构,用于改善该成形过程并且还用于提供在修整操作过程中将基底201可拆卸地联接到一个板上的多个联接结构。根据所展示的实施方案,这些接合结构可以包括在侧表面206内的凹陷207和208,这些凹陷横向地延伸到该基底201的内部。凹陷207和208可以用来在加工过程中固持该基底201(例如悬挂该基底201),用于适当地形成粘结层203和205以及磨料颗粒层221和223。此外,凹陷207和208可以提供用于将该磨料物品200固定在一个板内的结构,如将在另外的实施方案中进行说明的。还考虑了其他接合结构并且将在此更详细地描述。
该磨料物品200进一步包括布置在该基底201的侧表面206上的标记231和232。标记232对应于该基底201的第一主表面202以及磨料颗粒层221,用于标识该磨料颗粒层221的磨损状态。同样地,该标记231对应于该第二主表面204并且用来标识该磨料颗粒层223的磨损状态。在使用过程中,标记231和232可以通过标识该磨料颗粒层在一种修整操作中已被使用的次数来指示磨损状态。这些标记帮助使用者对比未使用的侧面而识别用过的侧面并且进一步帮助识别一个对应的磨料颗粒层的剩余可用寿命。
图2A的标记231和232作为记号被展示,这些记号结合了对应于磨料颗粒层223和221的箭头。将理解的是当磨料颗粒层223和221之一完成使用时,使用者可以做标注或刻画标记231或232,指示对应的磨料颗粒层223或221已被使用。在不同的实施方案中,该标记可以包括其他用于标识磨料颗粒层223和221的磨损状态的手段。例如,该标记可以包括物理记号或印制记号,如罗马数字,指示对应的磨料颗粒层221和223已被使用的次数。
根据另一个实施方案,某些标记可以包括颜色指示物,其中这些标记可以具有标识对应的磨料颗粒层223或221的磨损状态的不同颜色状态。具体地,这些颜色示物可以具有不同的颜色状态,其中标记的颜色随着重复暴露于CMP过程中所使用的某些化学物中而改变。根据其他实施方案,可以使用其他的物理记号作为标记231和232。作为替代方案,该标记可以是一种使用者应用的材料,例如一片粘附剂或胶带或其他标识结构,指示了一个磨料颗粒层被使用的次数以及最终的磨料颗粒层的磨损状态。
图2B包括根据一个实施方案的一种磨料物品的截面视图。磨料物品240具有与图2A的磨料物品200相同的特征,包括一个基底201,该基底具有一个第一主表面202、与该第一主表面202相反的一个第二主表面204的、以及一个侧表面206。该磨料物品进一步包括一个覆盖并且抵靠该第一主表面202的第一粘结层203、以及包含在该粘结层203内的一个第一磨料颗粒层221,这样这些磨料颗粒被固定到该基底201上。一个第二粘结层205覆盖并且抵靠该第二主表面204,并且一个第二磨料颗粒层223包含在该粘结层205内,这样这些磨料颗粒被固定到该基底201上。值得注意地,磨料物品230包括与磨料物品200不同的接合结构237和238.如所展示的,接合结构237和238是凸起,这些凸起在与轴线291平行的径向方向上从该基底201的侧表面206延伸。
图2B进一步包括轴线290和291,它们彼此平行并且限定了方向来帮助说明多个实施方案。轴线290延伸穿过该磨料物品并且限定了一个纵向的或轴向的方向,该轴线总体上延伸穿过该磨料物品230的一个厚度。轴线291延伸穿过该磨料物品并且限定了一个横向的或径向的方向,由此限定了该磨料物品230的宽度或圆周。如在此的实施方案中所使用的,提及这些方向应理解为是提及轴线290和291所展示的总体方向。
图2C包括根据一个实施方案的一种磨料物品的截面视图。磨料物品250具有与图2A的磨料物品200相同的特征,包括一个基底201,该基底具有一个第一主表面202以及与该第一主表面202相反的、通过一个侧表面206连接的一个第二主表面204。该磨料物品250进一步包括一个覆盖并且抵靠该第一主表面202的第一粘结层203、以及包含在该粘结层203内的一个第一磨料颗粒层221,这样这些磨料颗粒被固定到该基底201上。还展示了覆盖并且抵靠该第二主表面204的一个第二粘结层205、以及包含在该粘结层205内的一个第二磨料颗粒层223,这样这些磨料颗粒被固定到该基底201上。值得注意地,磨料物品250包括与磨料物品200不同的接合结构257和258。如所展示的,这些接合结构257和258包括在该基底201的侧表面206上的多个凹槽与凸起的一种组合。在具体实施方案中,该凹槽与凸起的组合可以包括一种螺旋形图案,该图案围绕该侧表面的周边延伸并且形成了一种带螺纹的接合结构,这样该磨料物品可以被旋拧到一个互补结构(如包括互补螺纹的一个板)上。
该磨料物品250进一步包括覆盖该磨料颗粒层223的一个保护层261。该保护层261提供了覆盖这些磨料颗粒的一个材料层以保护颗粒免于在货运过程中以及另外在磨料物品250的相反侧面的使用过程中的损伤。根据一个实施方案,该保护层261可以包括一种当使用者准备使用该磨料颗粒层223时是可去除的材料。该材料可能是使用物理或机械力(即,剥离)、热、化学物、辐射、或类似作用可去除的。如将理解的,保护层261可以提供在该磨料物品250的两侧上,这样在使用之前,一个保护层261覆盖了磨料颗粒层221和223二者。
例如,该保护层261可以包括一种聚合物材料,例如一种热固性物质、热塑性塑料、树脂、弹性体、以及它们的一种组合。特别合适的聚合物材料可以包括乙酸酯类(例如聚乙酸乙烯酯)、聚酰胺类、聚酰亚胺类、聚氨酯类、聚酯类、氟聚合物类、凝胶类、有机硅类、聚二甲苯类(polyxylylenes)(例如聚对二甲苯或ParyleneTM)以及它们的一种组合。在某些设计中,该保护层261可以包括一种多孔材料(例如一种泡沫材料),从而对机械冲击和/或振动提供额外的保护。
某些保护层261可以包括适合于吸收冲击并且保护所覆盖的磨料物品250的被覆盖部分的材料。例如,该保护层261具有的肖氏A硬度基于ASTMD2240类型A等级可以是不大于约90A。在其他实施方案中,该保护层261具有的肖氏A硬度可以是不大于约80A,例如不大于约70A、不大于约60A、或甚至不大于约50A。特定的保护层261具有的肖氏A硬度是在约10A与约90A之间的范围内,例如在约20A与约70A之间,并且更特别地是在约30A与约60A之间的范围内。
图2D包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该磨料物品270可以包括具有一个第一主表面202和一个第二主表面204的一个基底268。与前面描述的实施方案不同,该磨料物品270可以是一种包括基底268的整体物品,该基底具有在该基底本体的第一及第二主表面202和204中整体地形成的研磨构造(abrasive texture)263和264。就是说,该研磨工具270可能不必须包括一个粘结层或包含在该基底268的这些主表面中的磨料颗粒。
根据一个实施方案,该磨料物品270包括在该基底268的第一主表面202中形成的第一组凸起273。该第一组凸起273在轴向方向上从该基底268的一个下表面271延伸。该第一组凸起273还限定了第一组凹槽274,这些凹槽在第一组凸起273的每个凸起之间延伸。此外,该磨料物品270包括由第一组凸起273的上部凸起275限定的一个第一上表面272,该第一上表面在离该第一主表面202的一个距离处轴向地移位并且还在离下表面271的一个距离处轴向地移位。这种设计确保了这些凸起可以适当地接合并且修整一个CMP垫并且降低其他表面(例如202和271)与该垫接触的可能性。此外,此种设计有助于一个CMP垫的适当研磨以及切屑去除。
该第一组凸起273可以按一种随机的方式形成于该第一主表面202上。然而,在具体情况下,该第一组凸起273可以被安排为一种图案,例如关于在此的磨料物品所讨论的那些中的任一种,例如处于一种自避随机分布(SARDTM)图案的形式。
该基底268可以由此前描述的那些材料形成。例如,具有的弹性模量在约2E3MPa和约4E5之间的范围内的一种材料。某些基底268的材料可以包括金属、金属合金、陶瓷、聚合物、以及它们的一种组合。某些实施方案可以使用磁化的或能够被磁化的金属或金属合金材料以协助该磨料物品270与一个板的可拆卸的联接。在此提供了对结合了磁体的可拆卸联接特征的更详细内容。
某些设计利用了包括一种研磨材料的基底268,这样与该基底268整体地形成的这些组的凸起273和277是由一种研磨材料制成的。适合的研磨材料可以包括氧化物类、碳化物类、硼化物类、氮化物类和它们的组合。一个具体实施方案使用了包含氧化铝的一个基底268以及多组凸起273和277。
第一组凸起273的每个凸起都可以具有一个高度(h)和一个宽度(w),它们限定了一个二维的横向轮廓。在图2D中展示的这些凸起的二维横向轮廓是一种总体上三角形的形状。然而,这些凸起可以具有其他的多边形形状,包括例如矩形、梯形、以及类似形状。此外,该第一组凸起273内的每个凸起可能不必须各自具有相同的形状。例如,在每组凸起内,可以采用不同的多边形二维横向轮廓的组合。
如所展示的,该磨料物品270被形成为它是一个可反转的CMP垫修整工具,该工具在该第一主表面202上具有第一研磨构造263并且在第二主表面204上具有第二研磨构造264。这种设计有助于以下过程,在其中使用者可以使用第一研磨构造263来修整一个CMP垫或一系列的CMP垫,并且在完全使用该第一研磨构造263后将该磨料物品270反转并且使用在相反表面上的第二研磨构造263来在一个CMP垫或一系列CMP垫上进行修整过程。
该第二研磨构造264可以包括与该第一研磨构造263类似的特征。值得注意地,该第二研磨构造264是在该基底268的本体内整体地形成的并且包括第二组凸起277,这些凸起从第二组凹槽279所限定的一个下表面276轴向延伸,该第二组凹槽在该第二组凸起277的每个凸起之间延伸。该第二组凸起277包括多个上部凸起278,这些上部凸起限定了一个第二上表面280,该第二上表面从该第二主表面204和下表面轴向地移位以协助在一个修整操作过程中该第二组凸起277与一个CMP垫的适当接合。
该第二组凸起277可以在第二主表面204处以与第一组凸起273类似的方式来定向。也就是说,它们可以按一种相同的随机安排来形成、或者可替代地以一种相同的图案化安排来形成。此外,该第二组凸起277内的每个凸起均可以具有与第一组凸起273的每个凸起相同的二维横向轮廓。而且,在具体的实施方案中,该第二组凸起277的这些凸起的安排或横向轮廓可以与第一组凸起273内这些凸起的安排或横向轮廓不相同。
如在图2D中所展示的,该磨料物品270可以具有多个接合结构257和258,用于将该基底268与一个板可拆卸地联接,以用于该磨料物品270的可反转的操作。将理解的是尽管展示了具体的接合结构,但该磨料物品270可以结合在此描述的用于与板可拆卸联接的这些接合结构中的任一种。
已知了以上关于磨料物品270所指出的区别特征,形成这样一种磨料物品的方法可能不同于根据图1所描述的方法。值得注意地,该方法可以不包括将多个磨料颗粒层安置在该基底的相反主表面上的一个粘结层内。相反地,在某些形成过程中,该基底268是作为一个生坯材料件获得的,具有有限的构造(texture)或其他轮廓或者完全没有。该基底268可以被机加工以具有合适的轮廓,该轮廓包括在该第一及第二主表面上的研磨构造。此外,这些接合结构可以在同一机加工过程中在该基底内形成。这些机加工操作可以是自动的、并且可以包括使用计算机引导的机床、其他切割仪器、以及类似物。
根据另一种用于形成磨料物品270的方法,该基底268可以是一种模制的物品或浇注物品。在具体情况下,该研磨构造263和264可以与该基底268的形成同时形成。该模制或浇注过程可以使用不同的原料开始,例如有待模制的粉末原料或有待浇注的一种材料的浆料。可以进行这种模制或浇注过程以获得一个接近最终形状的件,包括具有第一及第二组凸起的基底本体。模制或浇注之后,可以将这个件进行干燥、热处理(例如烧结)并且机加工。
图2E包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。与图2D的磨料物品270相同,该磨料物品290包括具有一个第一主表面202和一个第二主表面204的一个基底268。具体地,该磨料物品290是一种包含基底268的整体物品,该基底具有在该基底体的第一及第二主表面202和204中整体地形成的研磨构造263和264。就是说,该研磨工具290可能不必须包括一个粘结层或包含在该基底268的主表面中的磨料颗粒。
如在所展示的实施方案中提供的,该磨料物品具有一种不同的形状,其中下表面291和第一主表面202在同一个平面内。同样地,下表面296和第二主表面204在同一个平面内。这种设计消除了这些平面之间的区别并且可以辅助切屑去除以及修整。
此外,该磨料物品290包括在该基底268内的一个磁体293,该磁体可以协助磨料物品290与一个板之间的可拆卸的联接。该磁体293可以埋在该基底268的本体内,这样它在所有侧面上都被该基底268的材料包围。在其他实施方案中,该磨料物品290可以结合多于一个的磁体,例如埋在该基底268的本体内的一系列磁体。在基底268的本体内结合了一系列磁体的实施方案可以这样做,其方式为使这些磁体沿着径向轴线彼此对齐。贯穿本披露将理解的是在图2A-2E中所展示的任何磨料物品可以与在此的实施方案中的任何研磨工具相结合。
图3展示了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。具体地,该研磨工具300包括可拆卸地联接到一个板301上的磨料物品250。具体地,该板301包括一个凹陷304,该凹陷延伸进入板301的内部并且被配置为提供一个用于可拆卸地联接该磨料物品201的空间。此外,该板301和磨料物品300通过联接机构351和352而彼此可拆卸地联接,这些联接机构包括磨料物品250的接合结构257和258,这些接合结构与该板301的互补联接表面261及262相接合。也就是,板301具有特定的形状以及联接表面261和262,它们被特别地设计为可拆卸地联接到磨料物品250上,该磨料物品具有结合了磨料颗粒的第一及第二工作表面。
如所展示的,该研磨工具300包括了这样的板301,该板具有一个凹陷304使得该磨料物品250可以在凹陷304内被可拆卸地联接到板301上。根据一个具体实施方案,该凹陷304具有一个深度305,如在板301的上表面331与凹陷304的底表面309之间测量的。值得注意地,凹陷304的深度305可以显著地大于磨料物品200的高度335,这样包含在该凹陷304内的磨料颗粒层223与底表面309间隔开。这样一种安排有助于将底表面309与第一磨料颗粒层223之间充分隔开,以避免磨料颗粒223的破坏、变钝、或其特征及取向的改变。
如进一步展示的,该研磨工具300被设计为使得磨料物品250具体地被置于板301的凹陷304内。也就是说,该基底201的上部主表面202可以与板301的上表面331平齐,使得仅有粘结层203和磨料颗粒层221延伸超过该板301的上表面331。这样一种构型有助于在修整过程中磨料颗粒层221的接合以及在整修操作过程中板301的上表面331与垫之间的恰当间隔。磨料物品250与板301之间以这样一种方式的定向可以由联接机构351和352协助,这些联接机构有助于固定该磨料物品250与301之间的取向。如将理解的并且在此更详细说明的,这些联接机构351和352可以包括使用了多种连接物的替代性特征及接合结构,例如一种过盈配合连接物、闩扣、紧固件、杠杆、夹紧件或它们的组合。在此描述的某些联接机构可以进一步包括在磨料物品250与板301之间的磁性联接装置和/或电极联接装置(例如,阳极键合)。
该板可以包括一种适合用于CMP处理的材料。例如,该板301可以包括与在磨料物品200的基底201中所使用的相同材料。此外,该板301总体上是由具有适当机械特征(如至少2E3MPa的弹性模量)的一种材料形成。例如,在具体实施方案中,该板301是由具有的弹性模量在约2E3MPa和约4E5MPa之间范围内的材料形成的。
一些适合用作板301的材料可以包括金属类、金属合金类、聚合物类以及它们的组合。例如,在某些实施方案中,该板301是由金属材料制成的,例如一种金属合金,并且特别地包括过渡金属元素。作为替代方案,该板301可以包括一种聚合物材料使得该板是由耐用的聚合物(例如一种热塑性塑料、热固性物质或树脂材料)制成。值得注意地,该板301被设计为要经受反复的CMP处理和整修过程。也就是说,旨在使板301是一个可重复使用的构件,这样它在被更换之前可以经受许多次使用。简言之,该板301被设计为使得它是具有超过该磨料物品250的寿命的可重复使用的构件。
该板301可以包括被配置用于与典型地设计来固持修理器的一个夹具相接合的凹陷302和303,这样该板301及磨料物品250可以根据一个整修操作来转动。将理解的是尽管板301被展示为具有用于与一个夹具相接合的凹陷302和303,但可以使用其他接合结构,如穿过板301中心的一个心轴孔洞或其他结构,这些其他结构被适当地设计为使得该板301可以与磨料物品200一起转动以用于修整以及整修一个CMP垫。
图4展示了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。如所展示的,该研磨工具包括一个板301,该板具有一个凹陷304用于在其中可拆卸地联接一个磨料物品200。值得注意地,可以将密封构件409和410置于该基底201的侧表面206与板301的侧表面341和342(它们限定了凹陷304)之间。密封构件409和410旨在避免CMP流体的渗透并且避免碎片穿透磨料物品250与板301之间的连接物。另外,此类材料可能在随后的整修操作中污染其他的垫。
根据一个实施方案,密封构件409和410可以附接到该基底201上。例如,密封构件409和410可以在该基底201的侧表面206上在周边方向上(即,围绕该周边)延伸。在其他实施方案中,密封构件409和410可以附接到该板301上。然而,某些设计可能结合被固定地附接到基底201上的一个密封构件409,并且第二密封构件410可以被固定地附接到该板301上。该密封构件409可以在沿着该基底201的侧表面206的周边方向上延伸。也就是说,该密封构件409可以围绕基底201的侧表面206的整个周边环圆周地(在一种圆形基底的情况下)延伸。同样地,该密封构件410可以与凹陷403接合并且沿着基底201的侧表面206的周边(特别是整个周边)延伸。根据一个实施方案,该密封构件409被置于沿着基底201的侧表面206的一个凹陷401内。
此外,板301和该板301的侧表面341可以被形成为包括一个互补凹陷407,用于接收该密封构件409。同样地,该密封构件410可以被安排在一种类似构型中这样使得该基底201具有一个接收表面403,用于沿着侧表面206与密封构件410相接合。此外,该板301的侧表面341可以具有一个互补的接收表面,该互补的接收表面被配置为在其中接受并且接合该密封构件410。
根据一种特别的设计,该密封构件409和密封构件410可以彼此间隔开。某些设计结合了密封构件409,该密封构件沿着该侧表面206被布置在更靠近基底201的第一主表面202的一个位置,而该第二密封构件410沿着侧表面206被布置在更靠近基底201的第二主表面204的一个位置。值得注意地,密封构件409和410各自与该接合结构307间隔开。这样一种设计有助于这些密封构件沿着凹陷304的侧表面341适当地接合这些凹陷407和405,而不依赖于该第一磨料颗粒层221与第二磨料颗粒层223之间的取向。也就是说,无论该磨料物品250是如图4中所展示的定向的、或被反转为使得磨料颗粒层223从凹陷304延伸,密封构件409和410都被适当地接合在板301的凹陷405和407内。
密封构件409和410是一种可变形的或可弯曲的构件。例如,密封构件409和410可以包括一种聚合物材料。一些合适的聚合物材料包括弹性体类。根据一个具体实施方案,密封构件409和410可以是O型环。将理解的是尽管密封构件409和410被展示为具有具体的轮廓以及布局。但在此考虑了其他的密封构件以及构型。例如,该密封构件可以是布置在基底201与板301之间的一个单一薄膜或材料层。
图5包括了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具500包括一个磨料物品200,该磨料物品可拆卸地联接到一个板301上并且包含在该板301的一个凹陷304内。包括紧固件505和506的一个联接机构协助了磨料物品200与板301之间的可拆卸的联接。根据所展示的实施方案,该板301可以包括开口501和502用于在其中接合多个紧固件。如所展示的,这些紧固件可以是相对于该板301的上表面331并且相对于轴向以及径向方向成角度的,这样使用者可以接近紧固件501和506。开口501和502允许紧固件505和506被布置在该板301内、在上表面331之下以避免在整修操作过程中紧固件505和506与CMP垫之间的接合。
开口501和502各自可以包括一个通道部分503和504,这些通道部分从开口501和502延伸穿过板301的一个内部部分。通道部分503和504可以具有小于开口501和502的直径,用于在其中接合这些紧固件505和506的螺纹部分。研磨工具500可以进一步包括延伸进入该基底201内部的通道部分509和510。值得注意地,通道部分509和510与通道部分503和504沿着它们纵向轴线对齐,这样通道部分503和509是彼此同轴的并且通道部分504和510是彼此同轴的。板301的通道部分503和504与基底201的通道部分509和510之间的对齐有助于紧固件505和506在其中的接合以及板301与基底201之间的联接。
板301的通道部分503和504与基底201的通道部分509和510的恰当对齐可以通过使用在凹陷304内从板301的表面341和342延伸的脊521和523来协助。该磨料物品200可以置于凹陷304内直至该磨料物品200的一部分接合了脊521和523,这确保了通道部分503、504、509以及510之间的适当的取向。
在操作过程中,该磨料物品200可以通过将该磨料物品200置于一个板301的凹陷304内并且将该磨料物品使用紧固件505和506固定在位而与该板可拆卸地联接。在充分使用第一侧的磨料颗粒221之后,使用者可以旋开这些紧固件505和506,将该磨料物品200反转从而暴露出该第二磨料颗粒层223,并且使用这些紧固件将该磨料物品200的位置固定在板301的凹陷304内。
图6包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。如所展示的,该研磨工具600包括一个磨料物品200,该磨料物品可拆卸地联接到一个板301的凹陷304内。该研磨工具200和板301通过一个包括锁定机构601的联接机构可拆卸地联接。如所展示的,该锁定机构601包括一个闩扣607以及一个互补通道605,该闩扣具有附接到一个头部构件610上的长形构件609,该长形构件可以在板301内的通道606内移动,该补充通道延伸进入该基底201的内部。
该锁定结构601进一步包括布置在该板301的一个表面和该头部构件610之间的一个偏置构件603。该偏置构件603可以将所展示的位置内的锁定构件607弹性地偏置,使得该长形构件609延伸进入通道606、并且更具体地延伸进入互补通道605内以便将板301和磨料物品200彼此联接。在从该凹陷304内释放磨料物品200时,使用者可以在所展示的方向612上操纵该头部构件610以将该长形构件609从基底201的通道605中移除,由此协助将该磨料物品从凹陷304内移除。当移除时,使用者可以将磨料物品200反转以便使用相反的磨料颗粒层223。因此,该基底201可以进一步包括一个第二互补通道615,该第二互补通道与这个被配置为接合该锁定构件607的长形构件609的通道605是相反布置的。如将理解的,如图5中所展示的脊或其他安置构件可以用来适当地定向该磨料物品200以及板301以便协助该锁定构件601的接合。
图7展示了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。如所展示的,该研磨工具700包括一个磨料物品200,该磨料物品被配置为可拆卸地联接在板301的一个凹陷304内。与前述的实施方案不同,该磨料物品200的基底201具有一种被配置为联接在板301的凹陷304内的独特形状。具体地,该基底201可以包括成角度的表面703和701,这些表面被配置为接合该凹陷301的成角度的表面702。表面703和701相对于基底201的上主表面202和下主表面204是成角度的,这样在这两个表面之间形成了角721和722。具体地,角721和722可以是钝角(>90°),这些角有助于将磨料物品200置于该凹陷304的中心内并且还可以允许侧表面341和342与粘结层205及磨料颗粒层223之间的一个空隙707。该空隙707降低了在板301和磨料物品200的联接过程中损害该磨料颗粒层223的可能性。
如所展示的,该板301以及磨料物品200通过一个联接机构709可拆卸地联接,该联接机构包括从基底201横向延伸的接合结构(即,凸起)741和742,这些接合结构被配置为接合该板301的一个互补的联接表面743。在一个实施方案中,该磨料物品200可以通过将该磨料物品200置于该凹陷内直至表面701接合了表面702而与板301可拆卸地联接。在将磨料物品200安置在该凹陷内时,可以转动该磨料物品直至该接合结构接合了该互补的联接表面743并且该基底201以及板301彼此抵靠地被固定(例如处于一种转动-且-锁定式的联接安排中)。
该研磨工具700可以进一步包括被布置在该基底201的多个表面与板301之间的一个密封层715。该密封层715有助于对基底201与板301之间的连接物进行密封以免被CMP流体及碎片渗透。在一个具体的实施方案中,该密封层715可以包括一种在该磨料物品使用之后可以很容易地移除的聚合物材料。例如,该密封层715可以是一种可以通过热处理被移除或软化的有机硅或低温聚合物,以便有助于从该板301上移除该磨料物品200。
图8包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具800包括与一个板830可拆卸地联接的一个磨料物品200,其中该板830包括一个第一夹具801以及一个第二夹具803,并且该磨料物品800在凹陷834内被联接到板830上。在此概括地说,该板可以包括多个单独的构件,这些构件可以通过联接机构(例如磁性装置、加压装置、电子联接装置、机械装置以及它们的一种组合)彼此可拆卸地联接。某些机械装置可以包括紧固件、闩扣、夹紧件、锁、偏置构件、类似物、以及它们的组合。
根据图8的研磨工具800,该第一夹具801可以是一种总体上平面的构件。该第一夹具801可以由与其他实施方案中描述的板301以相同的材料制成。对于某些设计,在该第一夹具801的本体内可以存在开口805和806,它们可以轴向地延伸穿过该本体的一部分。具体地,开口805和806可以延伸穿过该第一夹具801的整个厚度,用于在其中接合多个紧固件809和810。
根据一个实施方案,该第一夹具801可以包括附接到该第一夹具801的上表面831上的一个偏置构件811。该偏置构件811可以从上表面831延伸并且被配置为接合该基底201的多个部分(例如这些接合构件827和828)以在凹陷834内有弹性地偏置该磨料物品200的位置。此外,当组装该研磨工具800时,该偏置构件811可以联接到这些接合构件827和828上,使得该磨料物品200可以被夹紧在该偏置构件811的部分与该第二夹具803的一个部分之间。这样一种设计可以降低损害该磨料物品200的可能性并且改善修整性能。根据一个具体实施方案,该偏置构件811可以具有一种个环形形状。
用于偏置构件811中的适当材料可以包括金属类、陶瓷类、聚合物类、或它们的组合。在某些实施方案中,该偏置构件811可以包括一个金属弹簧或类似物。根据其他实施方案,该偏置构件811可以包括一种聚合物材料以及类似物。此外,该偏置构件811可以是一种固体材料,该固体材料是一个整体件,例如一种泡沫材料或弹性体材料。将理解的是这些接合结构827和828是不同的结构,然而在其他设计中,该基底可以包括一种绕着该基底201的侧表面的整个周边延伸的单一接合结构。
该第一夹具801以及第二夹具803可以通过紧固件809和810联接。因此,该第二夹具801可以包括开口807和808,这些开口被配置为与第一夹具801内的开口805和806对齐,以接受并且接合这些紧固件809和810的螺纹部分。
如进一步展示的,该第二夹具803的本体可以包括一个脊850,该脊在垂直于该第二夹具803的本体的方向上延伸并且被配置为接合该基底201的侧表面。该脊850可以围绕该第二夹具803的内表面环圆周地延伸,以协助将该第二夹具803和第一夹具801抵靠该基底的接合构件827和828而夹紧从而将磨料物品200固定在该凹陷834内。
该第二夹具803可以进一步包括一个布置在该脊850的内表面815上的密封构件813。该密封构件可以被布置在这个位置以抑制碎片和修整流体进入该凹陷834以及干扰该磨料物品800的运作。在一个具体的实施方案中,该密封构件815被固定地附接到内表面815上,这样使得它在研磨工具800的组装过程中被适当地放置。该密封构件815可以包括根据此处的其他实施方案中所描述的密封构件的其他特征。
在研磨工具800的组装过程中,该磨料物品200可以被置于该第一夹具801之上,这样这些接合结构827和828接合了该偏置构件811。该第二夹具803接着可以被放置为使得该脊850覆盖在接合结构827和828上并且该密封构件813与接合结构827和828的顶表面相接合,这样该磨料物品200被夹紧在该偏置构件813与偏置构件811之间。该第二夹具803的开口807和808可以与该第一夹具801的开口805和806对齐,并且这些紧固件可以接合在这些开口内,由此将该第一及第二夹具801和803固定到一起并且将该磨料物品200夹紧在凹陷834内。
图9展示了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具900包括一个可拆卸地联接到板930上的磨料物品200,其中该板包括一个第一夹具801、一个第二夹具803、以及在该第一夹具与第二夹具803之间形成的凹陷934。如所展示的,该研磨工具900可以具有与图8的研磨工具800相似的一种构造,然而该研磨工具900在该第一夹具801与第二夹具803之间包括一个不同的联接机构。具体地,该第一夹具801和第二夹具803通过一个联接结构955联接到一起,其中该第一夹具801和第二夹具803可以被直接拧到或旋到一起。这种直接的旋拧连接通过在该第一夹具801和该第二夹具803各自的互补螺纹表面901来协助。值得注意地,尽管该第一夹具801与第二夹具803之间的接合手段在研磨工具900中与研磨工具800中不同,但组装该研磨工具900的方式可以与根据图8的实施方案中所描述的基本上相同。
图10展示了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。值得注意地,该研磨工具1000包括可拆卸地联接到一个板上的一个磨料物品200,该板包括一个第一夹具801、第二夹具803、以及在该第一夹具801与第二夹具803之间形成的一个凹陷1034。如所展示的,该研磨工具1000具有与在此描述的研磨工具900相同的设计,包括一个第一夹具801,该第一夹具通过一个联接结构955而联接到一个第二夹具803上。
该研磨工具1000可以包括从该第一夹具801的上表面1031延伸的一个偏置构件1005。具体地,该偏置构件1005可以具有一种环形形状,这样它围绕该第一夹具801的中心点环圆周地延伸。此外,该偏置构件1005可以具有一个斜切的表面1015,用于与从基底201延伸的接合结构1027和1028相接合,这些接合结构根据所展示的实施方案包括互补的斜切表面。使用这些接合结构1027和1028上的斜切表面有助于磨料物品200在该凹陷1035内的恰当定位。此外,该研磨工具1000可以包括一个构件1007,该构件被联接到该第二夹具803上并且被配置为在组装该研磨工具900时接合这些接合结构1027和1028。具体地,该构件1007可以是一种能够变形的可弯曲构件,从而有助于磨料物品200在凹陷1034内的恰当的安置和定向。同样地,该构件1007可以具有一个斜切表面1016,该表面被配置为接合了这些接合结构1027和1028的互补的上部倾斜表面。
图11展示了根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。如所展示的,该研磨工具1100包括一个磨料物品200,该磨料物品被包含在一个板1101的凹陷1106内。值得注意地,该板1101是一个总体上H型的构件,该构件具有一个第一臂1103一个第二臂1102,它们被一个第三臂1104连接起来,从而在它们之间形成了一个第一凹陷1106以及一个第二凹陷1107。在组装过程中,可以通过首先在该第一1107内施加足够的压力以促使臂1103和1102在方向1105和1108上远离彼此进行移动而将该磨料物品200放置到凹陷1106内。压力的施加可以通过一种流体或气体来提供。在这些臂1102和1103在方向1105和1108上充分地分开之后,可以将该磨料物品200置于臂1102和1103之间的凹陷1106内,并且在适当地安置磨料物品200之后,可以改变(即,减小)凹陷1107内的压力以促使这些臂1103和1102返回到开始位置。从凹陷1107内消除压力允许了这些臂1103和1102返回到它们的初始位置,由此在凹陷1106内将磨料物品200在臂1103和1102之间夹紧就位。要移除该磨料物品200,可以在凹陷1107内施加压力以便将臂1103和1102在方向1108和1105上分开。
图12A包括根据一个实施方案的一种研磨工具的一部分的截面图。值得注意地,该研磨工具1200包括一个板1201以及覆盖在并且可拆卸地联接到该板1201上的一个磨料物品1202。具体地,该磨料物品1202包括处于开口1207和1209形式的接合结构,这些接合结构轴向地延伸穿过了该磨料物品1202的整个厚度。开口1207和1209被配置为与多个从该板1201的上表面1205延伸的销钉1203和1204相接合,这样该磨料物品1202以其相对于板1201的布局和取向被固定。销钉1203和1204可以固定到该基底1201的上表面1205上,或者在其他的设计中这些销钉1203和1204以及基底1201可以是一个单一整体件。
如进一步所展示的,销钉1203和1204可以包括覆盖了这些销钉1203和1204的顶表面的上层1213和1214。具体地,这些上层1213和1214可以直接地附接到销钉1203和1204的上表面上,并且具体地,这些上层1213和1214可以被配置为与该磨料物品1202的粘结层203的上表面平齐。这些上层1213和1214协助密封该磨料物品1202与销钉1203和1204之间的连接物。此外,这些上层1213和1214可以由一种软的或可弯曲的材料制成,这样它们不会干扰一种修整过程。根据一个实施方案,这些上层1213和1214可以包括一种聚合物材料。
该研磨工具1200可以进一步包括磁体1213、1214、以及1215,这些磁体被布置在板1201内并且被配置为将磨料物品1202的基底201磁性地吸引并且联接到板1201上。磁体1213-1215可以具有一种适合于将基底1201或其他材料吸引到磨料物品200内到该板1201的上表面1205上的极性磁体1213-1215可以埋入该板1201内使得它们在所有侧面上都被板1201的材料完全包围。
将理解的是尽管图12A的磨料物品1200被展示为在板1201内部包括磁体1213、1214以及1215。根据其他实施方案,这样的磁体可以存在于磨料物品1202内。此外,磨料物品1202和板1201均可以包括多个磁体使得它们在极性上是相反的并且彼此吸引,由此将磨料物品1202固定到板1201上。此外,进一步理解的是尽管图12A的实施方案展示了磁体,但在此的实施方案中任一个都可以结合磁性联接机构以形成研磨工具。
根据一个替代实施方案,该板1201和磨料物品1202可以通过电极连接物(例如阳极键合)可拆卸地联接,其中在板1201和基底201上提供了相反的电荷以支持这两个构件之间的联接。
在图12B中以一个俯视图展示了研磨工具1200,并且如所描述的,该研磨工具1200包括一个磨料物品1202,该磨料物品具有开口1207和1209用于在其中接合多个销钉1203和1204。值得注意地,该磨料物品1202内的开口1207和1209与一个中心点1220径向地间隔开,并且具体地,磨料物品1202内的开口1207与该磨料物品1202的中心点1220间隔一个径向距离1221,而开口1209与该中心点1220间隔一个径向距离1222。将开口1207和1209与该磨料物品1202的中心点1220间隔开有助于将磨料物品1202锁定到位置1201上使得它在修整过程中不发生转动。
图12C包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视图。该研磨工具1250包括一个磨料物品1202,该磨料物品覆盖在一个板(未示出)的上表面上。该磨料物品1202包括开口1217和1219,这些开口与该磨料物品1202的中心点1253间隔开。具体地,开口1217和1219位于该磨料物品1202的周边上使得该磨料物品1202的圆周截断了开口1217和1219。此外,这些开口1217和1219可以与中心点1253间隔一个距离、并且是如所展示的一个径向距离1251和1252,以便协助该磨料物品1202与该板之间的恰当联接,使得该磨料物品1202在整修操作过程中不发生转动或改变位置。
图13包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。如所展示的,该研磨工具1300可以包括一个磨料物品1302,该磨料物品可以可拆卸地联接到一个板(未示出)上,该板可以通过一个夹紧环1301联接到该磨料物品的底部。该夹紧环1301包括一个第一环部分1303以及一个第二环部分1304,这些环部分被配置为围绕该磨料物品1302的周边延伸并且将其固定到该夹紧环1301上。该第一环部分1303和第二环部分1304可以通过一个夹紧组件1305连接起来,该夹紧组件包括一个紧固件1308。在操作过程中,该磨料物品1302可以被置于该夹紧环1301内,并且该第一部分1303和第二部分1304可以通过紧固件1308在第一夹紧部分1306与第二夹紧部分1307之间的的接合而围绕该磨料物品1302被封闭。具体地,紧固件1308与第一夹紧部分1306及第二夹紧部分1307的接合帮助减小了该第一与第二夹紧部分1306与1307之间的空间并且将该磨料物品1302固定在该第一环部分1303与第二环部分1304之间。
图14包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。研磨工具1400包括一个联接机构1402用于可拆卸地联接该磨料物品200与该板1401。根据所展示的实施方案,该联接机构1402利用了一个接合结构1405,该接合结构从该基底201的本体延伸、接合了该板1401内的凸起1403和1404。具体的,该接合结构1405是一个凸起,该凸起从该基底的侧面横向延伸并且被配置为接合在该板的凸起1403与1404之间的一个凹陷内。此外,该联接机构1402进一步包括一个紧固件1406以便协助该基底201的接合结构1405与该板1401的凸起1403及1404之间的联接。如将理解的,该接合结构1405以及凸起1403和1404可以具有多个延伸通过它们的开口用于在其中接合紧固件1406。此外,可以将一个垫圈1407布置在该紧固件1406与该板1401的一个表面之间。
在操作过程中,该基底201的接合结构1405可以被置于该板1401的凸起1403与1404之间,并且在凸起1403、1404和1405之间适当地对齐时,可以将一个紧固件1406穿过每个凸起1403-1405而拧入以将该磨料物品200可拆卸地联接到板1401上。将理解的是尽管该研磨工具1400被展示为具有布置在该磨料物品200的一侧上的一个单一联接机构1402,但可以加入另外的联接机构以将该磨料物品200适当地固定到板1401上。
该研磨工具1400进一步包括多个密封构件1418和1419。具体地,这些密封构件1418和1419被布置在该联接机构1402下方的一个位置处并且被附接到该板1401上。如进一步展示的,这些密封构件1418和1419以一种方式被定位以便接合该磨料物品200的侧表面,并且在一些设计中,这些密封构件1418和1419可以接合该粘结层205以便抑制碎片和流体进入凹陷1435内并且避免该磨料物品200的未使用侧面被污染以及有待在随后的整修操作中进行整修的垫被污染的风险。尽管在图14中未展示,但可以将另外的密封构件置于在该磨料物品200与板1401之间的特定位置处,例如在该基底201与凸起1403之间的一个位置,以阻止碎片和流体进入该联接结构1402内。
图15包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具1500可以包括可拆卸地联接到一个夹头构件1501上的磨料物品200,并且该夹头构件1501可以可拆卸地联接到一个板1510上。根据一个实施方案,该研磨工具1500包括接合结构1503和1504并且被配置为在该夹头构件1501的凹陷1514内可拆卸地联接到磨料物品200上。该联接机构1503和1504可以包括凸起1513和1514,这些凸起从该夹头构件1501的本体延伸并且被配置为接合该基底201内的凹陷1523和1524。尽管联接机构1503和1504被展示为包括接合在凹陷1523和1524内的凸起1513和1514,但将理解的是可以使用在此描述的其他联接机构中的任何一种将磨料物品200联接到该夹头构件1501上。
如所展示的,该夹头构件1501可以包括一个表面1507,该表面相对于该基底201的第一及第二主表面202和204以及该夹头构件1501的底表面1508是倾斜的或成角度的。此外,在某些实施方案中,该夹头构件1501可以包括布置在表面1507内的一个接合结构1516以将该夹头构件可拆卸地联接到该板1510上。具体地,该夹头构件1501、并且更具体地是该接合结构1516,可以包括在该表面1507内的一个通道1519,该通道被配置为接合了板1510内的一个凸起1517使得这两个部件可以可拆卸地连接。在某些实施方案中,该接合结构1516可以包括一个转动-且-锁定式的机构,这样该板1510的凸起1517可以首先被接合在该夹头构件1501的通道1519内,并且此后可以将该夹头构件1501或板1510转动某一角度以相对于该板1510锁定该夹头构件1501的位置。将理解的是该夹头构件1501是在磨料物品200与板1510之间的一个中间部件并且此外这样一个夹头构件1501可以用于在此的任一实施方案。
此外,该夹头构件1501可以是包括多于一种类型的材料的一个复合构件使得该夹头构件1501的某些部分能够围绕该板1510在联接界面处膨胀和收缩,以便协助这两个部件之间的一种顺性的并且紧密的配合。例如,该夹头构件1501的多个部分可以包括一种硬质材料(例如一种金属或金属合金),这些部分可以联接到夹头构件1501的包括一种更软材料(如聚合物材料,例如一种橡胶或有机硅材料)的一个部分上。值得注意地,包括更软材料的这些部分可以包括被设计为将夹头构件1501直接联接到板1510上的那些表面。
图16包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。如所展示的,该研磨工具1600包括一个磨料物品1602,该磨料物品包括一个基底1603以及覆盖该基底1603的磨料颗粒层1621。在某些设计中,该基底1603可以具有一个包括多个边以及拐角的总体上多边形的形状,而该磨料颗粒层1621在该表面上以一种形状被定向,该形状不同于该基底1603的总体形状。例如,如在图16的实施方案中所呈现的,该磨料颗粒层以一种总体上圆形的图案存在于该基底1603的表面上。具体地,这样的基底1603的形状(结合了多个边以及拐角)有助于更容易地联接该基底1603与一个板(未示出)用于可拆卸地联接该磨料物品1602与一个板。
图17包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。该研磨工具1700包括可拆卸地联接到一个磨料物品1702上的一个板1701。具体地,该板1701可以具有一个轮廓,该轮廓从顶部观看时(与穿过该板体的一个部分观看的截面轮廓相反)与磨料物品1702的轮廓显著不同。例如,根据图17所展示的实施方案,该板1701可以具有从该磨料物品1702的顶部观看时总体上圆形的轮廓。然而,该磨料物品1702具有一种轮廓,该轮廓包括限定了一部分外周的一个弓形部分1705并且进一步包括限定了一部分外周的一个平坦部分1703。具体地,该弓形部分1705可以具有一种总体上半圆形的形状使得它延伸经过该外周的至少180°。值得注意地,该平坦部分1703提供了多个拐角和一个边,这个边有助于固定该可拆卸的磨料物品1702在板1701内的位置以及取向,使得该磨料物品1702在整修操作过程中不发生转动或偏移。
图18包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。该研磨工具1800包括与板1801可拆卸地联接的一个磨料物品1802。具体地,该磨料物品1802包括开口1803和1804,这些开口可以延伸穿过该磨料颗粒层和粘结层而进入该基底的本体内部。开口1803和1804可以用于可拆卸地联接该磨料物品1802与板1801。例如,根据一个实施方案,开口1803和1804可以提供用于一个工具的键销孔开口,该工具被设计为将该磨料物品1802接合在开口1803和1804内并且帮助握紧该磨料物品1802并且将其从该板1801移除。例如,在一个实施方案中,一个带键销的工具(keyedtool)可以包括一个柄以及被配置为将磨料物品1802接合在开口1803和1804内的多个互补的凸起。在具体情况下,这种带键销的工具可以用来将磨料物品1802相对于板1801转动,由此将磨料物品1802从板1801中移除。在替代设计中,该磨料物品1802和板可以通过磁性吸引力可拆卸地联接,并且该带键销的工具可以包括一个被配置为将磨料物品1802接合在开口1803和1804内的互补凸起并且进一步包括被配置为吸引该磨料物品1802并有效地将该磨料物品1802从板1801中脱联接的一个磁体。
图19包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。该研磨工具1900包括一个板1901,该板包括在板1901的表面上以一种特定的安排被定向的多个磨料物品1912、1913、1914、1915(1912-1915)。如所展示的,这些磨料物品1912-1915可以各自具有不同于彼此的一种独特形状以在该板1901的表面上形成一种图案。此外,该研磨工具1900包括将磨料物品1912-1915分隔开的通道1903和1904。在该研磨工具1900的表面上形成的通道1903和1904可以协助在CMP整修操作过程中去除切屑以及其他碎片。将理解的是磨料物品1912-1915各自具有一种独特形状并且被配置为与板1901可拆卸地联接。
图20包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。值得注意地,该研磨工具2000包括一个板2001以及可拆卸地联接到该板2001上的一个磨料物品2002。如同在此的其他实施方案,该磨料物品2002是可反转的、具有一个基底,该基底在一个第一主表面以及与该第一个相反的第二主表面上包括一个磨料颗粒层。具体地,用于将磨料物品2002可拆卸地联接到板2001上的联接机构包括一系列的可操控的钳口2005、2006、2007、和2008(2005-2008)。根据一个实施方案,可以移动这些可操控的钳口2005-2008以将该磨料物品2002接合并且夹紧在该板2001的表面上。这些可操控的钳口2005-2008可以使用不同的机构(包括例如机构装置,如转动件(turn)、螺纹件、曲柄、楔形件、滑动件或类似物)来启动。这些可操控的钳口2005-2008可以单独地或一起操作,以用于将磨料物品2002适当地定位到板2001上。
在一个具体的实施方案中,这些可操控的钳口2005-2008可以在箭头2013、2014、2015、和2016所指示的方向上移动(也就是说在相对于该板的中心总体上向内和向外的径向方向上)以接合该磨料物品2002。在某些设计中,这些可操控的钳口2005-2008可以通过在箭头2020所指示的方向上转动该板2001(或相对于板2001转动这些可操控的钳口2005-2008)而移动。因此,该板2001可以沿着其上表面包括多个脊或凹槽(特别是螺旋形的脊或凹槽),用于联接并且相对于该板2001的表面移动这些可操控的钳口2005-2008。例如,板2001在顺时针方向上的转动可以协助使这些可操控的钳口2005-2008在径向向内的方向上(朝向该板2001的中心)移动以接合该磨料物品2002。而该板2001在相反的方向上的转动可能协助使这些可操控的钳口2005-2008在径向向外的方向上移动。
在该研磨工具2000的使用过程中,使用者可以将该磨料物品2002置于该板2001上并且在顺时针方向上转动该板或该板的一部分(例如该板的上部部分)直至这些可操控的钳口2005-2008径向地向内移动并且接合该磨料物品2002。在充分使用该磨料物品2002之后,使用者可以如下移除该磨料物品2002:通过在一个相反的方向(即,逆时针方向)上转动该板以便在径向向外的方向上移动这些可操控的钳口2005-2008、由此将该磨料物品2002脱接合以移除该板2001。
此外,该研磨工具2000可以包括多个密封构件2009、2010、2011、和2012(2009-2012)。根据一个实施方案,这些密封构件2009-2012的位置被固定在板2001的表面上,由此协助将该磨料物品2002相对于该板2001初始地安置。此外,在这些可操控的钳口2005-2008在径向向内的方向上移动的过程中,这些密封构件2009-2012可被布置在每个臂2005-2008之间,从而协助在这些可操控的钳口2005-2008、磨料物品2002、和该板2001之间进行密封。在其他实施方案中,这些密封构件2009-2012可以被可固定地附接到这些可操控的钳口2005-2008的某一个的末端上并且与这些可操控的钳口2005-2008一起径向地移动。
图21包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具2100包括一个磨料物品2102,该磨料物品可拆卸地联接在一个板2101的凹陷2134内。该磨料物品2102可以通过一个联接机构2103可拆卸地联接到该凹陷2134内。该联接机构2103可以包括一个紧固件2107,该紧固件被配置为接合在该板2101的本体的一个开口2106内并且对应地接合在一个延伸进入磨料物品2102的基底2108的一部分之中的开口2105内。根据图21的实施方案,该紧固件2107横向地延伸穿过该板2101以及基底2108的一部分以便协助相对于该板2101而锁定该磨料物品2102的位置。将理解的是可以使用多于一个的紧固件2107来可拆卸地联接该磨料物品2102和板2101。此外,尽管没有展示,但可以将一个或多个密封构件布置在该磨料物品2102与板2101之间(例如在该基底2108与板2101的一个内表面之间)以降低碎片和流体进入凹陷2134内的可能性。在替代的设计中,可以在该凹陷内提供多个脊或其他安置构件(例如参见图5的脊521和523)以帮助相对于该板2101适当地安置该磨料物品2102,从而协助这些开口2105和2106的对齐以及紧固件2107在其中的接合。将进一步理解的是,尽管展示了一个紧固件2107,但可以使用其他紧固机构,例如亚伦螺栓(Allen bolt)、螺帽母、销钉以及类似物。
图22包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具2200包括一个可拆卸地联接到一个板2201上的磨料物品2202。该板2201可以在该板2201的本体内包括磁体2209,该磁体有助于磨料物品2202与板2201之间的联接。该磁体2209可以具有一种极性以及足以吸引该磨料物品2202(特别是该磨料物品2202的基底2208)的强度,其中该基底2202可以包括能够被磁性地吸引至磁体2209的一种材料,例如一种金属或金属合金。在具体的实施方案中,该磁体2209在该板2201的底表面处被定向,使得它并不在所有侧面上被该板2201包围并且是从该板2201的背表面2255可接近的。这可能有助于移除该磁体2209用于维护或更换。此外,在该板2201的背表面2255处安置该磁体2209可以在该磁体2209与基底2208之间提供足够的空间用于联接。此外,磁体2209的位置可以提供适当的间隔距离用于通过一个移除磁体(未示出)从板2201中移除该磨料物品2202,该磁体可以更近地接合并且更强地磁性吸引该基底2208,用于将该磨料物品2202与板2201脱联接。
如进一步展示的,该基底2208可以具有一种独特的形状,包括对应地相对于基底2208的上下主表面2223和2225成角度的表面2233和2234。这些成角度的表面2233和2234提供了一种独特的形状用于与该基底的成角度的表面2244的互补接合。此外,这些成角度的表面2233和2234辅助了该磨料物品2202与一个密封构件2207之间的有效接合,该密封构件被布置在该板2201与磨料物品2202之间。该密封构件2207可以是覆盖在该凹陷内的板2201的一个表面上的一个可弯曲薄膜,该密封构件被配置为在该磨料物品2202与板2201之间进行联接时被压缩或变形。如将理解的,这种密封构件2207可以是一种聚合物材料、或是结合了一种聚合物材料的复合材料。
根据一个具体的实施方案中,该基底2208的上下主表面2223和2225可以包括多个凹陷,其中对应地布置了粘结层2213和2215。在上下主表面2223和2225内的这些凹陷提供了一种结合了粘结层2213和2215的磨料物品(这些粘结层是用更大的机械力被固定到基底2208上的)并且还提供了一种包括更光滑的轮廓的磨料物品,其中暴露了更少的拐角用于在凹陷2221内适当地联接该板2201,以避免损害这些粘结层2213和2215以及其中所包含的磨料颗粒。
图23包括根据一个实施方案的一种研磨工具的截面图。该研磨工具2300包括可拆卸地联接到一个板2302上的一个磨料物品2301。值得注意地,该磨料物品2302包括根据其他实施方案所描述的一个可反转的磨料物品,该磨料物品在一个基底2308的相反的第一及第二主表面上结合了第一及第二磨料颗粒层。该磨料物品2301可以联接在该板2303的一个凹陷2334内。具体地,该板2303具有一种独特的形状,该形状包括在凹陷2334的任一侧上的第一及第二臂2310和2311、以及在该板的背表面2366上形成的一个凹陷2307。该凹陷2307包括一个背表面2308以及多个开口2309,这些开口从该凹陷2307的背表面延伸穿过该板2302的本体到达该凹陷2334的底表面2313。这样一种设计可以有助于一个加压的联接机构,其中在该凹陷2307内提供了一种减小的压力气氛,由此创造了足以将该磨料物品2302固持在该板2302的凹陷2334内的压差或抽吸力。该凹陷2307内的减小的压力气氛可以通过使用真空泵来提供,该真空泵是相对于该板2302的后表面2366被适当地定位和密封。
如进一步展示的,该研磨工具2300可以进一步包括一个密封构件2305,该密封构件沿着该板2302的一个内表面被布置在凹陷2334内并且被配置为接合该磨料物品2301。在具体的实施方案中,该密封构件2305可以包括在横向方向上从该密封构件2305的本体伸入凹陷2334内的一个脊2306,使得它被配置为接合该磨料物品2301的粘结层2322。该密封构件2305可以降低碎片和流体渗透进入凹陷2334内。该密封构件2305的脊2306可以进一步帮助将该磨料物品2301适当地安置在凹陷2334内,使得粘结层2322与凹陷2334的底表面2313适当地间隔开,以避免损害该磨料颗粒层并且协助形成一个适当的加压的力用以将该磨料物品2301固持在凹陷2334内。
图24A-24D包括根据一个实施方案使用一种磨料物品进行CMP垫修整操作的一种方法的图示。具体地说,以下附图展示了该磨料物品的可反转的性质,以及磨料物品、板、以及一个夹持器之间的联接安排。
图24A包括根据一个实施方案的夹持件、板、以及磨料物品的截面图。具体地,该磨料物品2403是根据在此的实施方案形成的,包括对应地在该基底的第一及第二主表面上的一个第一磨料表面2404以及一个第二磨料表面2405。该第一及第二磨料表面2404和2405可以包括研磨构造、或粘结层与磨料颗粒的组合,如根据在此的实施方案所描述的。
该夹持件2401可以包括一个基底,该基底典型地由一种金属或金属合金材料构成、并且具有多个轴向地延伸穿过该基底本体的厚度的开口2422和2423,用于在其中接合紧固件2431和2432。该板2402可以布置在该夹持件2401与磨料物品2403之间并且可以包括从一个背表面延伸的互补开口2424和2425,用于在其中接合这些紧固件2431和2432的多个部分以便将该板2402直接联接到该夹持件2401上。相比之下,在常规的设计中,该夹持件2401是基于一种制造商的标准设计,典型地与一个具体的整修机器整合在一起,并且紧固件2431和2432是用来将垫修整器直接附接到夹持件2401上的一种常见的工业标准物。该磨料物品2403可以可拆卸地联接到板2402上,这样一个第一磨料表面2404被配置为是暴露的并且准备来修整一个CMP垫。该第二磨料表面2405可以位于该板2402的一个表面处或在板2402内,例如包含在此处所描述的板2402的一个凹陷内。
该夹持件2401、板2402、以及磨料物品2403可以组合形成一个附接到CMP工具上的研磨组件2409。图24B包括根据一个实施方案的一种CMP工具的一个示意图。如所展示的,该CMP工具包括一个整修机器2410,该机器可以包括适合于进行CMP垫整修过程的电子的以及机械的系统。
该研磨组件2409可以联接到该整修机器2410上,其方式为使得该第一磨料表面2404被暴露出并且被配置为接触并且整修该CMP垫2411。在操作过程中,使该第一磨料表面2404接触该CMP垫2411的一个表面,可以使该垫相对于第一磨料表面2404移动,并且经常使该CMP垫2411和研磨组件2409二者相对于彼此移动以实现对该CMP垫2411的适当修整。该第一磨料表面2404和CMP垫2411的移动可以是一种旋转运动,使得该CMP垫如所展示的围绕一条轴线2431转动并且使该研磨组件2409如所展示的围绕一条不同的轴线2436转动。该CMP垫2411以及研磨组件2409可以在相同的或不同的方向上转动。这样一个过程可以对于一个或多个CMP垫规则地并且反复地进行,直至第一磨料表面2404的预期的修整寿命被耗尽。使用者可以使用该基底上提供的标记或通过在此描述的其他手段来记录或追踪该第一磨料表面2404的使用量或磨损状态。
在常规的修整过程中,在该修整器已被彻底使用并且耗尽至其预期的修整寿命之后,将该修整器移除并且丢弃。然而,根据在此的实施方案,可以将该磨料物品2403从该板2402中移除、反转使得第二磨料表面暴露出,并且可以使用同一磨料物品2403来继续一个随后的修整过程。
参见图24C,再次展示了该夹持件2401、板2402以及磨料物品2403。值得注意地,在该第一磨料表面2404彻底使用之后,可以将该磨料物品从板2402中移除、如所展示的反转、并且再次联接到板2402上。以这种方式,第二磨料表面2405暴露出,而第一磨料表面2404未被暴露,并且同一磨料物品2403形成了不同的研磨组件2415,该组件准备用于第二个、后续的修整步骤。在具体的实施方案中,反转该磨料物品可以包括仅仅将磨料物品2403从板2402中移除,而板2402和夹持件2401仍然联接到该整修机器2410上,这有助于迅速并且反复地修整而不显著地中断该CMP过程。
如在图24D中展示的,该研磨组件2415可以联接到该整修机器2401上使得该第二磨料表面2405暴露出并且被配置为接触并且修整一个CMP垫2411。该CMP垫2441可以是与CMP垫2411相同的垫,然而,因为该修整机的寿命典型地超过了一个单一CMP垫的寿命,所以这些CMP垫2411以及2441很可能是不同的。修整操作可以使用第二磨料表面2405以对于第一磨料表面2404所使用的相同方式来完成,特别地包括CMP垫2441相对于该第二磨料表面2405的移动。
以下描述内容提供了具体的磨料物品(包括CMP垫修整器、板、以及夹持件)的另外的细节。以下描述的实施方案提供了另外的特征,这些特征有助于该板与CMP垫修整器之间的可拆卸的联接,从而辅助了一个可反转的CMP垫修整器的使用。将理解的是,以下描述的实施方案包括了可以与在此所描述的磨料物品的任何特征结合使用的特征。
图25A包括根据一个实施方案的一个板的背面的俯视图。如所展示的,该板2501具有总体上圆形的轮廓并且可以具有一种总体上圆柱形的三维形状。该板2501可以包括径向地延伸进入板2501的本体内的多个开口。这些开口可以用来帮助将板2501与其他物体联接,这些物体是该CMP修整操作的部件,包括例如一个夹持件。如在此所说明的,夹持件可以是在行业中所使用的将CMP垫修整器附接到其上以用于抛光机操作的一种标准工具的一部分。
如所展示的,板2501可以包括延伸进入板2501的本体内的一个中心开口2503。在具体情况下,开口2503可以定位在板2501的本体的中心处使得它包含板2501的一个中心点并且以其为中心。此外,开口2503可以被形成为使得它完全地延伸穿过板2501的本体的厚度,这样它可能完全在该板2501的本体的一个上表面与和一个下表面之间延伸。开口2503可以协助从该板2501中移除一个CMP垫修整器。具体地,该开口2503可以提供入口用于一个装置或工具从该2501的背表面延伸穿过该中心开口2503以接合该包含在板2501内的CMP垫修整器的后表面。该工具可以用来从该板2501中接合并且驱动该CMP垫修整器。这将在以下实施方案中更详细地说明。
该板2501可以进一步包括开口2507和2508,这些开口可以与该板2501的本体的中心径向地间隔开并且远离彼此而定位在中心开口2503的相反侧。值得注意地,开口2507和2508可以通过一个约180度的角度彼此环圆周地间隔开。这些开口2507和2508可以用来可拆卸地连接该板2501与一个夹持件。这些开口2507和2508可以包括被配置为与紧固件一起使用的多个特征,包括例如被配置为与一个带螺纹的紧固件一起使用的带螺纹的表面。
板2501可以进一步包括开口2505和2506,这些开口可以与中心开口2503径向地间隔开并且远离彼此而定位在该中心开口2503的相反侧。这些开口2505和2506可以通过一个特定的角度彼此环圆周地间隔开。根据所展示的实施方案,开口2505和2506可以彼此环圆周地间隔开约180的一个角度。开口2505和2506可以用于将板2501联接到一个夹持件上、并且在具体的设计中可以被形成为具有许多被配置为与紧固件一起使用的特征。也就是说,开口2505和2506可以具有多个带螺纹的表面,这些表面被配置为在其中与紧固件相接合以便将该板2501联接到一个夹持件上。
该板2501还可以包括开口2509、2510和2511,它们各自与该中心开口2503径向地间隔开。此外,开口2509、2510和2511可以定位在该板内使得它们彼此环圆周地间隔开。例如,开口2509-2511可以被彼此环圆周地间隔开使得每一个都被分开某个角度(例如约120)。开口2509-2511可以用于将板2501联接到一个夹持件上、并且可以包含适合于联接该板2501与夹持件的多个特征,例如用于在其中接合多个带螺纹的紧固件的多个螺纹表面。
尽管板2501可以包括可用于将板2501联接到一个夹持件上的多个开口,但将理解的是可能不必同时将所有的开口用于板2501到其他物体(如夹持件)上的联接。也就是说,该板2501可以具有多个开口,它们各自被特殊地定位在板2501上使得该板2501可以联接到不同类型的夹持件上,其中不同的工业机器可能具有不同类型的夹持件并且因此使用了不同的紧固机构的配置。例如,某些夹持件可能利用三个紧固件,在这种情况下,板2501的开口2509-2511可以满足了板2501与该夹持件的联接。在其他情况下,某些夹持件可能利用两个紧固件,在这种情况下,这些开口2505和2506、或者替代地2507和2508可以用来联接该板2501与该夹持件。
图25B包括根据一个实施方案沿着由轴线2512限定的一个平面看到的图25A的板的截面图。如所展示的,板2501包括如图25A中描述的开口2506、2508、2503、2507、和2505。这些开口2505、2506、2507、和2508可以从板2501的背表面2514延伸并且沿着轴向轴线2519轴向地延伸到板2501的本体之中。值得注意地,开口2505-2508可能不必从后表面2514延伸穿过板2501的本体的整个厚度直至上表面2513。也就是说,这些开口2505-2508可以延伸板2501的本体的总厚度的一个不连续的部分。具体地,这些开口2505-2508可以与一个空腔2590的底表面2518间隔开,该空腔是在板2501的本体的上表面2513内形成的。这样,在具体的实施方案中,这些开口2505-2508可以与该空腔2590轴向地间隔开并且从其断开连接,该空腔是在板2501的本体的上表面2513内形成的。这种设计可以确保多个接合在开口2505-2508内的紧固件可以不延伸穿过板2501的本体而接合包含在空腔2590内的物体。
该中心开口2503可以延伸通过板2501的本体的整个厚度。也就是说,该中心开口2503可以从一个背表面2514延伸并且与空腔2590的底表面2518相交,该空腔是在该板2501的本体的上表面2513内形成的。这样,该中心开口2503可以延伸通过板2501的本体的整个厚度这样该中心开口2503与空腔2508被连接起来并且该中心开口2503可以提供从板2501的背表面2514至空腔2508的入口。
板2501可以被形成为使得它包括空腔2590,该空腔在板2501的本体的上表面2513内形成并且被配置为在其中包含该CMP垫修整器,用于在修整操作中联接该CMP垫修整器以及板。该空腔2590可以轴向向内地延伸进入板2501的本体内。此外,将理解的是该空腔2590可以在该板2501的上表面2513内限定一个总体上圆形的开口,如在自上而下的视图中观看到的。
图25B的空腔2590是根据一个实施方案而具体成形的。具体地,该空腔2590可以包括多个空腔部分。每个空腔部分可以由空腔2590内的不同表面所限定并且可以被成形为包含该研磨工具的不同部件。例如,该空腔2590可以包括一个第一空腔部分2515以及沿着总体上垂直于该表面2591的轴向轴线2519延伸的一个表面2517,该第一空腔部分可以是由沿着总体上垂直于板2501的上表面2513的轴向轴线2519而延伸的表面2591所限定的一个区域。值得注意地,表面2591和2517的组合可以在板2501的本体内形成一个台阶或搁架(shelf)并且在其中限定了该轴向延伸进入板2501的本体之中的第一空腔部分2515。
此外,空腔2590可以包括一个第二空腔部分2516,该第二空腔部分可以联接到该第一空腔部分2515上并且与其邻接。该第二空腔部分2516可以由一个总体上平行于轴向轴线2519延伸的表面2520所限定并且连接到表面2517上。此外,该第二空腔部分2516可以由一个总体上垂直于该轴向轴线2519延伸的底表面2518所限定,该底表面可以与中心开口2503的表面相交。如所展示的,该第二空腔部分2516可以具有与该第一空腔部分2515相比更小的宽度(例如直径)。这样一种设计可能有助于与有待包含在第一空腔部分2515内物体分开地安置第二空腔部分2516内的某些物体。例如,该研磨工具可以被形成为使得一个磨料物品(例如一个CMP垫修整器)可以被包含在第一空腔部分2515内而另一个物体(例如一个垫)可以被包含在第二空腔部分2516内。
尽管图25B的实施方案已经展示了一个空腔2590,该空腔在该空腔2590内包括由不同的表面所限定的多个空腔部分,但在其他设计中,该空腔可以是由一个连接到多个侧表面上的底表面所限定的一个简单的凹陷。也就是说,某些实施方案可以不必采用具有多个不同的空腔部分的一种空腔。
图25C包括根据一个实施方案的一种CMP垫修整器的一个截面图。CMP垫修整器2521可以包括如在前述的实施方案中所描述的那些特征。此外,该CMP垫修整器2521可以具有一个平行于横向或径向轴线2524延伸的第一主表面2523。该第一主表面2523可以具有根据在此的实施方案所描述的一种研磨构造。此外,该CMP垫修整器2521可以包括与横向轴线2524以及该第一主表面2523平行的一个第二主表面2524。该第二主表面2524可以包括根据在此的实施方案所描述的研磨构造。这样,该磨料物品可以是一种在第一主表面2523和该第二主表面2524上具有研磨构造的CMP垫修整器2521,这样该CMP垫修整器2521可以在操作过程中被反转并且第一主表面2523和第二主表面2524二者均可以用于修整操作。
如进一步展示的,该CMP垫修整器2521可以包括在第一主表面2523与第二主表面2524之间延伸的一个侧面区域2527。值得注意地,该侧面区域2527可以包括多个表面,这些表面可以限定一个用于辅助CMP垫修整器2521与一个板之间的联接的接合结构。具体地,该CMP垫修整器2521可以包括具有一个楔形表面2522的侧面区域2527。该楔形表面2522可以连接到该第一主表面上并且与该第一主表面2523成一个角度并且与该CMP垫修整器2521的横向轴线2524成一个角度进行延伸。具体地,该楔形表面2522可以按一个锥角2526(可以是至少约1)进行延伸。在其他情况下,该锥角2526可以更大,例如至少约5,如至少约8,或甚至至少约10。在某些情况下,该CMP垫修整器2521被形成为使得在楔形表面2522与第一主表面2523之间限定的锥角2526可以是在约1与约25之间的范围内,例如在约5与约20之间,如在约8与约15之间。
如进一步展示的并且根据在此的实施方案,该CMP垫修整器2521可以包括多个楔形表面,它们各自可以在在侧面区域2527处在这些主表面之一与一个侧表面之间延伸。该CMP垫修整器的楔形的表面有助于该CMP垫修整器2521在板2501内的恰当安置以及间隙、并且减小了可能在修整操作中损害一个垫的锐角。
图25D-25G包括根据在此的实施方案的不同CMP垫修整器的侧面区域的视图。以下实施方案提供了不同侧面区域设计的图示,采用了不同类型、数目以及取向的侧表面来构成侧面区域。具体地,这些侧面区域可以包括多个表面,这些表面被配置为接合与该研磨工具一起使用的一个密封构件。将理解的是以下实施方案的特征可以围绕一个CMP垫修整器的整个周边(例如,一个圆周)延伸,这些特征在该CMP垫修整器的主表面之间并且连接这些主表面。
图25D包括根据一个实施方案的CMP垫修整器的一个侧面区域的视图。该侧面区域2527包括相对于横向轴线2524以多个角度延伸的多个楔形表面2522以及2529。如进一步展示的,该侧面区域2527可以包括一个由多个不同的侧表面(并且具体是表面2531、2532、和2533)形成的凹槽2528。表面2531和2532可以是对应地从楔形表面2522和2529延伸的曲线形表面。表面2533在表面2531与2532之间延伸并且将其连接、并且可以具有一个特别弯曲的表面用于在其中互补地接合一个密封构件。根据某些设计,该表面2533可以具有轴向向内地延伸进入CMP垫修整器2521的本体之中的一种凹形的形状。值得注意地,表面2531、2532和2533形成了一个不存在锐拐角的凹槽,该凹槽可能特别适合于包含可弯曲的构件如密封构件,而不损害该密封构件。
图25E包括根据一个实施方案的一种CMP垫修整器的侧面区域的一部分的截面图。具体地,该侧面区域2534包括根据在此的实施方案所描述的楔形表面2522和2529。另外,该侧面区域2534包括一个凹槽2528,该凹槽在该CMP垫修整器的侧面区域2534处连接到楔形表面2522和2529上并且在其之间延伸。该凹槽2528可以是径向向内地延伸进入该CMP垫修整器的本体之中的一种总体上凹形的形状。在某些情况下,该凹槽2528可以由表面2535、2536、2537、2538、和2539所限定。具体地,表面2535-2539是总体上线性的表面,这些表面彼此平行或垂直地延伸并且彼此形成直角。其结果是,在具体展示的图25E的实施方案中,凹槽2528可以具有总体上直线的形状。也就是说,表面2535和2536总体上垂直于横向轴线2524延伸并且连接到表面2538和2539上,后两个表面可以相对于表面2535和2536成直角地、平行于横向轴线2524而延伸。此外,表面2537可以在表面2538与2539之间在垂直于横向轴线2524的方向上延伸以形成该凹槽2528的最靠内的表面。
图25F包括根据一个实施方案的一种CMP垫修整器的一个侧面区域的截面图。如所展示的,该侧面区域2540可以包括根据在此的实施方案所描述的楔形表面2522和2529。此外,该侧面区域2540可以包括一个凹槽2528,该凹槽是由多个表面(包括表面2541、表面2542、以及表面2543)的组合所形成的。该凹槽2528可以具有径向向内地延伸进入该CMP垫修整器的本体之中的一个凹形部分。表面2541可以连接到该楔形表面2522上并且可以具有一种曲线形状,具体是从该CMP垫修整器的本体径向向外地延伸的一种凸形形状。表面2541可以连接到表面2543上。表面2543可以连接到表面2542上,后者像表面2541一样可以具有一个曲线形表面,该曲线形表面从该CMP垫修整器的本体径向向外地延伸。表面2542可以连接到楔形表面2529上。如所展示的,根据图25F的实施方案,凹槽2528具有由表面2541、2542、以及2543所限定的一种曲线形轮廓,但是凹槽2528的容积小于在图25D和25E的实施方案中所展示的这些凹槽的容积。
图25G包括根据一个实施方案的一种CMP垫修整器的一个侧面区域的截面图。该侧面区域2545包括根据在此的实施方案所描述的楔形表面2522和2529。此外,侧面区域2545可以包括一个凹槽2528,该凹槽具有由线性表面2546、2546、2548、和2549所限定的一种总体上线性的轮廓。如所展示的,表面2546和2547可以相对于横向轴线2524以总体上垂直的角度从对应的楔形表面2522和2529延伸。表面2548和2549可以对应地连接到表面2546和2547上。表面2548和2549可以限定一个凹槽2528,该凹槽径向向内地延伸进入该CMP垫修整器的本体之中。表面2548和2549可以按一个总体上垂直的角度连接到表面2546和2547上并且还可以相对于横向轴线2524是成角度的。此外,表面2548和2549是总体上线性的表面,它们对应地与表面2546和2547成一个角度延伸。在某些实施方案中,在表面2548与2549之间形成的角度可以是一个钝角,即一个大于约90度的角度。
图26A包括根据一个实施方案的一个板以及一个磨料物品的一种修整系统,另外还被称为CMP垫修整器。该修整系统2600可以包括一个夹持件2601,该夹持件被配置为可拆卸地联接到板2501上,该板进而可以被可拆卸地联接到一个CMP垫修整器2521上。图26A的修整系统被展示为包括特定的部件,这些部件可以在组装该修整系统之前彼此分开。该修整系统2600的组装过的形式进一步在图26B中展示。
该夹持件2601可以包括轴向地延伸进入该夹持件2601本体内的一个中心开口2603。该开口2603可能有助于联接该夹持件与CMP过程中使用的其他物体(未展示出)。
该夹持件2601可以进一步包括开口2602和2604,这些开口从该夹持件2601的上表面2605延伸到本体内。开口2607和2608可以在中心开口2603的相反侧面上彼此间隔开并且彼此环圆周地间隔开。开口2607和2608可以从该夹持件2601的背表面2606延伸进入该夹持件2601的本体内。值得注意地,开口2602可以连接到开口2607上使得开口2602和2607的组合延伸穿过该夹持件2601的本体的整个厚度并且因此连接到上表面2605和背表面2606上。同样地,开口2604可以连接到开口2608上使得开口2604和2608的组合形成了一个开口,该开口延伸穿过该夹持件2601的本体的整个厚度并且因此将上表面2605和背表面2606连接起来。将理解的是开口2602和2604可以具有与它们对应连接的开口2607和2608相比更大的宽度(例如直径)。这种设计可以有助于在其中接合紧固件,使得一个紧固件的头部可以被包含在并且被适当地定位在开口2602和2604内,而不必延伸进入开口2607和2608内。
该修整系统2600进一步包括具有如图25B中所描述的那些特征的一个板2501。如在图26A中进一步展示的,该板2501可以包括一个凹陷2611,该凹陷从板2501的上表面2514轴向地延伸进入板2501的本体内。该凹陷2611可以在板2501的本体内的中心开口2503与开口2508之间形成。此外,该板2501可以包括一个凹陷2612,该凹陷从板2501的上表面2514轴向地延伸进入板2501的本体内。该凹陷2612可以定位在中心开口2503与开口2507之间。将理解的是凹陷2611和凹陷2612可以连接起来并且限定一个围绕该中心开口2503环圆周地延伸的单一凹陷。根据某些实施方案,凹陷2611和2612可以是一个围绕该中心开口2503延伸的单一环形凹陷。
具体地,该修整系统2600可以被形成为使得可以在组装过程中将一个密封构件1613布置在凹陷2611和2612内(参见,图26B)。值得注意地,该密封构件1613可以是一个单一的整体件,例如一个O形环。这样,该密封构件2613可以入座在凹陷2611和2612内,这些凹陷如在此描述的可以描述一个环形的凹陷。该密封构件2613可以被提供在凹陷2611和2612内用于密封该中心开口2503免于在修整操作过程中产生的流体和/或碎片。
该修整系统2600可以进一步包括一个构件2610,该构件被配置为定位在板2501的上表面2513内所形成的空腔2690之内。值得注意地,与图25B的实施方案不同,该空腔2690可能不必包括不连续的空腔部分。而是,空腔2690可以是轴向向内地延伸进入板2501的本体之中的一个开口。空腔2690可以由一个垂直于板2501的上表面2513径向向内地延伸的表面2691所限定。此外,该空腔2690可以由一个底表面2692限定,该底表面连接到表面2691上并且相对于表面2691以一个总体上垂直的角度并且在与板2501的上表面2514总体上平行的方向上延伸。
该构件2610的大小和形状可以是使得它被配置为在该修整系统2600的组装过程中被定位在空腔2690内。根据在此的实施方案,该构件2610可以是具有与在此描述的保护层261类似的材料的一个保护层或垫。也就是说,例如该构件2610可以由一种聚合物材料制成,如一种热固性物质、热塑性塑料、树脂、弹性体、以及它们的一种组合。当被组装在该修整系统内、特别是在板2501的空腔2690内时,该构件2610可以保护该CMP垫修整器2521的研磨构造。
该修整系统进一步包括根据一个实施方案可以与密封构件2609组合的一种CMP垫修整器2521。值得注意地,该密封构件2609可以定位在该CMP垫修整器2521的凹槽2528内以协助板2501与CMP垫修整器2521之间的密封。该密封构件可以是一种可弯曲的材料,如一种聚合物材料,特别是一种热固性物质、热塑性塑料、弹性体、树脂、或它们的组合。
图26B包括根据一个实施方案图26A的修整系统在组装后的截面图。如所展示的,该夹持件2601可以覆盖在板2501上并且可以直接连接到其上。该CMP垫修整器2521可以可拆卸地联接到板2501上使得它被包含在空腔2690内。值得注意地,在这种组装的形式中,该夹持件2601的背表面2606可以直接连接到板2501的上表面2514上。此外,夹持件2601的开口2607可以与板2501的开口2506轴向地对齐使得一个紧固件2631可以被置于开口2602内并且延伸穿过该夹持件2601的开口2607而进入板2501的开口2506之中,以将该夹持件2601和板2501彼此联接。此外,开口2608可以与开口2505轴向地对齐使得一个紧固件2630可以被置于开口2604内并且延伸穿过开口2608和2505以将该夹持件2601和板2501彼此联接。
如进一步展示的,该密封构件2613可以被包含在凹陷2611和2612内、在夹持件2601的背表面2606与板2501的上表面2514之间。该密封构件2613可以接合凹陷2611和2612的表面以及该夹持件2601的背表面2606,以形成一种密封并且降低流体和/或碎片进入该中心开口2503之中的可能性。
如在图26B中进一步展示的,该构件2610可以包含在空腔2690内使得该构件2610的一个主表面可以邻接该空腔2690的底表面2692。此外,该构件2610的相反的主表面可以邻接该CMP垫修整器2521的一个主表面,以保护该研磨构造在包含于该空腔2590内的同时免于损害。如进一步展示的,在组装的形式中,该CMP垫修整器2521可以包含在空腔2690内,使得该CMP垫修整器2521的一个主表面邻接了该构件2610,并且该CMP垫修整器2521的相反主表面从该板2501上伸出。CMP垫修整器2521的从板2501上伸出的这个主表面可以在轴向方向上延伸超出由板2501的上表面2513所限定的这个平面。这样,在操作过程中可该CMP垫修整器2521的主表面被放置在进行修整的一个位置并且该板2501的上表面2513可以与该垫间隔开。
该充分使用该磨料物品之后,该修整系统2600的拆解可以如下开始:由使用者从对应的开口移除紧固件2631和2630以将夹持件2601和板2501断开联接。移除紧固件2631和2630之后,板2501和CMP垫修整器2521仍可以是彼此联接的。要从板2501中移除该CMP垫修整器2521,使用者可以使用一种物体或工具(例如紧固件)来从板2501的背表面2514在方向2680上延伸穿过该中心开口2503。该物体可以在方向2680上延伸穿过该中心开口2503直至该物体抵靠该构件2610或CMP垫修整器2521的背表面。在方向2680上施加足够的力可以协助将该CMP垫修整器2521从板2501的空腔2590中移除。
依据该CMP垫修整器2521的磨损状态,可以反转CMP垫修整器2521,使得相反的主表面以及该相反主表面上的对应的研磨构造被定位为从该板2501上伸出。在重新定向该CMP垫修整器2521时,该修整器可以与空腔2590内的板2501联接起来并且用来继续该整修操作。在翻转该CMP垫修整器2521之后,可以将紧固件2630和2631定位在对应的开口内以联接该夹持件2601和板2501并且完成该修整系统2600的组装。
图27A-27C包括根据一个实施方案的一这CMP垫修整器以及板的多个部分的截面图。值得注意地,以下的图27A-27C的实施方案示出了不同的接合结构和联接机构,它们可以用于此处的任一实施方案以实现CMP垫修整器与一个板之间的可拆卸的联接。在此类实施方案中,该CMP垫修整器和板可以利用不同的接合结构,这些接合结构具有某些表面轮廓、密封构件、偏置构件以及它们的组合来协助该CMP垫修整器与板之间的可拆卸的联接。具体地,以下的图27A-27C的实施方案可以包括用于CMP垫修整器与板之间的不同联接机构(总体上在图26B中所展示的区域2695处)。
图27A包括根据一个实施方案的一个CMP垫修整器以及板的一部分的截面图。具体地,图27A的实施方案包括一种特定的接合结构的图示,该接合结构利用了特定的联接表面以及一个密封构件来协助该CMP垫修整器2521与板2501之间的可拆卸的联接。具体地,该板2501包括一个臂2762,该臂从板2501的本体轴向地延伸并且限定了一个空腔2590用于接合该CMP垫修整器2521,如在此的实施方案中所描述的。具体地,该臂2762可以包括一个凸缘2701,该凸缘相对于该臂2762以一个总体上垂直的角度径向向内地延伸。
该臂2762可以具有在一个限定在内表面2705之中的凹槽2790(即,板凹槽)。具体地,该凹槽2790可以由表面2702形成,该表面连接到该内表面2705上并且相对于它以一个总体上垂直的角度延伸。该凹槽2790可以进一步由一个表面2703限定,该表面连接到表面2702上并且相对于表面2702以一个总体上垂直的角度延伸。此外,该凹槽2790可以进一步由一个表面2704限定,该表面连接到表面2703上并且相对于表面2703以一个总体上垂直的角度延伸。表面2704和2702可以是彼此总体上平行的。这样,这些表面2702、2703、和2704可以在臂2762的内表面2705内限定一个具有总体上直线轮廓的凹槽2790。
如所展示的,当组装该CMP垫修整器和板2501时,可以将一个密封件2609包含在凹槽2790内。如进一步展示的,在该组装位置中,该CMP垫修整器2521被配置为抵靠并且接触该板2501的凹槽2790内所包含的密封构件2609。值得注意地,该密封构件2609被定位为使得该密封构件2609的体积的大部分被包含在该凹槽2790内并且该密封构件2609的表面的仅仅一部分与该CMP垫修整器2521的凹槽2528接触。因此,在该组装状态中,该CMP垫修整器2521可以包含在空腔2590内并且该CMP垫修整器2521的凹槽2528可以抵靠被包含在该凹槽2790内的密封构件2609。将理解的是,在该组装状态中,该密封构件可以以一种方式变形以允许该CMP垫修整器2521与板2501的臂2762之间的某种接触,然而这不是必须总是这种情况。这样一种构型有助于CMP垫修整器2521与板2501的可拆卸的联接并且进一步有助于密封该CMP垫修整器2521与板2501之间的连接物。
图27B包括该CMP垫修整器2521以及板2501的一部分(并且特别是用于CMP垫修整器2521与该板2501之间的可拆卸联接的该接合结构)的一个截面图。如所展示的,该CMP垫修整器2521可以具有一个凹槽2528,该凹槽径向地延伸进入该CMP垫修整器2521的本体内部用于在其中接合一个密封构件2609。与图27A的实施方案不同,图27B的实施方案被形成为使得该密封构件2609的大部分体积被包含在该CMP垫修整器2521中所形成的一个凹槽2528内。
如进一步展示的,板2501可以包括从板2501的本体轴向延伸的一个臂2762,该臂辅助在板2501内形成空腔2590。该臂2762可以包括一个邻近上表面2513并且径向向内延伸的凸缘部分2721。该凸缘部分2721被配置为在组装状态中接合该密封构件2609的一个部分。该凸缘2721可以包括:从上表面2513以一个角度延伸的一个第一表面2722、连接到表面2722上并且相对于它以一个角度且总体上垂直于上表面2513而延伸的一个表面2723、以及连接到表面2723上并且相对于它以一个角度延伸的一个表面2724,以形成该径向向内伸出的凸缘部分2721。
在组装过程中,具有包含在凹槽2528内的密封构件2609的该CMP垫修整器2521可以被装配到板2501内使得该密封构件2609延伸超出该凸缘部分2721并且从该凸缘部分轴向向内地且径向向外地延伸。在所展示的组装状态中,该密封构件2609可以抵靠该凸缘部分的表面2724以及臂2762的内表面2705。
如所展示的,该CMP垫修整器2521的表面可以与板2501的表面间隔开,使得该密封构件2609维持了板2501与CMP垫修整器2521之间的连接。然而,在某些情况下,该CMP垫修整器2521的表面2725可以接合并且抵靠板2501的一个表面,特别是凸缘部分2721的表面2723。将理解的是,在组装以及拆解过程中,该密封构件2609可以变形,使得它可以在凸缘部分2721附近并且特别在该凸缘部分的表面2723附近平移。该密封构件2609可以进一步被形成并且定位为使得当该CMP垫修整器2521接合在该板2501的空腔2590内时它是变形的。
图27C包括一个CMP垫修整器2521以及板2501的一部分(特别是用于CMP垫修整器2521与板2501的可拆卸联接的多个接合结构)的一个截面图。如所展示的,该板2501可以被形成为使得它具有一个凹陷2780,该凹陷从板2501的上表面2513轴向向内地延伸进入板2501的臂2762之中。该凹陷2780可以被限定为在臂部分2737与2731之间的一个空间,该空间可以在凹陷2780的任一侧上作为凸起或叉齿轴向向外地延伸。
根据一个实施方案,该凹陷2780可以被形成为包含一个弹性构件2733。该弹性构件2733可以是一个总体上U型的构件,该构件被配置为配合该凹陷2780的轮廓并且将臂2737和2731偏置到彼此远离的偏置位置。如所展示的,该弹性构件2733可以被配置为沿着凹陷2780的内表面延伸并且具有总体上与其相同的轮廓,即一种U型轮廓。此外,在某些实施方案中,该凹陷2780可以使用填充有一种可弯曲的材料2732。合适的可弯曲材料可以包括有机或无机的材料或它们的组合。在某些情况下,该可弯曲材料2732可以是一种聚合物,例如一种弹性体。在凹陷2780内使用该可弯曲材料2732可以提供额外的弹性用于对抗臂2737在方向2736上朝臂2731的移动。
如进一步展示的,凹陷2780可以被形成为具有朝向彼此延伸的凸缘2735和2734。凸缘2734和2735可以被形成为有助于在凹陷2780内包含该弹性构件2733以及可弯曲材料2732。
如进一步展示的,该臂2737可以被形成为使得它具有一个表面2738,该表面在板2501的一个内表面2739与上表面2513之间延伸。该表面2738可以具有一种弯曲的轮廓并且被形成为在CMP垫修整器2521与板2501之间的组装过程中接合该CMP垫修整器2521的一部分。在具体的情况下,该CMP垫修整器2521可以被形成为使得它具有一个凹槽2528,该凹槽被配置为在组装过程中接合并且抵靠臂2737的表面2738。例如,在所展示的组装形式中,该凹槽2528可以被形成为包括一个表面2742,该表面被配置为接合在板2501的表面2738与表面2739之间的一个边缘。也就是说,在组装过程中,该CMP垫修整器2521可以被置于空腔2590内直至臂2737在方向2736上充分地移动,这样该CMP垫修整器2521的表面2742接合并且抵靠了臂部分2737的表面2738与内表面2739之间的接点。
从板2501中移除该CMP垫修整器2521可以包括对CMP垫修整器2521的背面施加足够的力来在方向2736上驱动臂2737,用于得到表面2742通过臂部分2737的表面2738的足够间隙,由此从空腔2590中释放该CMP垫修整器2521。
如进一步展示的,板2501的内表面2739可以被形成为具有一个空隙2740,该空隙在板2501内的空腔2590的一个底表面2518与构件2610的一个表面之间形成。这样一个空隙2740可以提供臂2737的额外挠曲,用于该CMP垫修整器2521与板2501之间的适当的可拆卸的联接。此外,使用一种聚合物材料来制造板2501可以进一步有助于臂部分2737的挠曲性质。
图28A包括根据一个实施方案的一个板的背面的俯视图。该板2801可以具有一种总体上圆形的轮廓以及一种圆柱形的三维形状。如所展示的,该板2801可以包括一个中心开口2503、以及开口2505、2506、2507、以及2508,如在此的实施方案中所说明的。此外,该板2801可以包括如根据在此的实施方案中所说明的开口2509、2510、和2511。
如进一步展示的,该板2801可以包括凹陷2861、2862、和2863,这些凹陷与该本体的中心径向地间隔开并且围绕板2801的本体的中心彼此环圆周地间隔开。这些凹陷2861-2863可以轴向地延伸进入板2801的本体中一个足够的深度以在其中包含某些物体。值得注意地,这些凹陷2861-2863可以相等地间隔开使得凹陷2861-2863的中心分隔约120。
根据一个实施方案,凹陷2861-2863可以包括包含在这些凹陷2861-2863中的磁体2807、2808、和2809。将理解的是在该板2801的本体内使用磁体2807-2809可以用来协助该板2801与CMP垫修整器之间的磁性联接,用于该板2801与CMP垫修整器之间的可拆卸的联接。如在此所描述的,对于这样的设计,该CMP垫修整器可以利用一个金属部分来辅助与磁体2807-2809的磁性联接。
如进一步所展示的,该板2801可以包括由虚线2805所限定的具有总体上圆形轮廓的一个空腔。然而,空腔2805被形成为包括一个平坦部分2802、一个平坦部分2803以及一个平坦部分2804,这些部分在该空腔2805内并且沿着该空腔的圆周的多个部分延伸。也就是所,该空腔2805的弓形的并且总体上圆形的表面在沿着圆周的多个特定位置处被平坦部分2802-2804中断。这些平坦部分2802-2804是将空腔2805的总体上弯曲的表面中断的线性表面部分。这些平坦部分2802-2804可以协助板2801与一个CMP垫修整器之间的恰当联接,从而减小了操作过程中CMP垫修整器在板2801内转动的可能性。
图28B包括图28A的板2801的一个部分的截面图,如沿着一个由轴线
2812限定的平面所看到的。该板2801可以包括一个凹陷2861,该凹陷轴向地延伸到板2801的本体内并且被配置为在其中包含一个磁体2807。如进一步展示的,板2801可以被形成为包括与根据图26A和图26B所描述的那些相类似的凹陷2822和2821,用于在其中包含一个密封构件并且而将该板2801密封在一个夹持件上。
如进一步展示的,该板2801可以被形成为包括一个空腔2824,该空腔轴向向内地延伸到该板2801的本体内。该空腔可以由垂直于板2801的上表面2830的一个表面2829以及一个底表面2828限定,该底表面总体上垂直于该轴向轴线2866并且基本上平行于板2801的上表面2830而延伸。此外,该空腔2824可以与板2801的中心开口2503邻接并且连接到其上,使得该中心开口2503沿着该轴向轴线2866延伸穿过该板2801的整个厚度。
在组装过程中,可以将一个构件2834(可以是一个保护层或垫)插入该空腔2824内使得该构件2834的一个背表面2836抵靠在并且连接到该空腔2824的底表面2828上。此外,在组装过程中可以将一个CMP垫修整器2831与板2801的空腔2824一起放置,该修整器具有一个第一主表面2832和第二主表面2833,它们各自具有研磨构造。值得注意地,当该CMP垫修整器2831包含在板2801的空腔2824之内时,该CMP垫修整器2831的表面2832可以抵靠并且直接地连接到该构件2834的一个上表面2835上。将理解的是,尽管该CMP垫修整器2831被展示为具有一种总体上矩形的形状,它可以包括根据在此的实施方案的CMP垫修整器所描述的任何特征。
在该CMP垫2831从该板2801中拆解的过程中,使用者可以将一个物体(例如,紧固件、长形工具、或手把)插入板2801的中心开口2503内以接合该构件2834、或替代地接合该CMP垫修整器2831的背表面2832。可以对该构件2834或CMP垫修整器2831施加力以在一个方向2870上驱动该CMP垫修整器并且由此将该CMP垫修整器2831与磁体2807-2809磁性分离、并且从该板2801上可拆卸地联接该CMP垫修整器2831。
图28C包括根据一个实施方案联彼此联接的板和CMP垫修整器的俯视图。值得注意地,图28C的图示包括一个联接到图28A的板上的CMP垫修整器。如所展示的,该板2801包括平坦部分2802、2803、和2804,这些平坦部分是由一个空腔(被配置为包含该CMP垫修整器2831)的圆周处的多个线性表面区域限定的。此外,该CMP垫修整器2831可以包括多个互补的平坦部分2842、2843、和2844,这些互补的平坦部分由CMP垫修整器2831的圆周处的多个线性表面区域限定、被配置为直接接触并且抵靠该板2801的平坦部分2802,2803,和2804。这样一种安排降低了操作过程中CMP垫修整器2831在板2801内转动的可能性。
图29包括根据一个实施方案的一种研磨工具的俯视示图。以上的实施方案是针对一种可拆卸地联接到一个板上的、利用了CMP垫修整器的磨料物品。然而,还考虑到可以将一个单一板与多个CMP垫修整器一起使用。具体地,一种研磨工具可以使用多个可拆卸地联接到一个单一板上的多个CMP垫修整器,其中该板具有多个凹陷或空腔以在其中容纳并且可拆卸地联接每个CMP垫修整器。
该研磨工具2900可以包括一个板2901,该板包括根据在此的实施方案的板所描述的那些特征。例如,该板2901可以具有在俯视图中所看到的圆形轮廓、以及一种总体上圆柱形的三维形状。该板2901可以包括多个其他开口(未示出),这些开口延伸进入该本体并且被配置为辅助该板2901与另一个物体(例如一个夹持件)的联接。
板2901可以在该板2901的上表面内包括空腔2911、2912、2913、和2914(2911-2914),这些空腔轴向向内地延伸到板2901的本体内。空腔2911-2914可以位于板2901的上表面内的特定位置处,并且特别地可以围绕板2901的中心被安排为一种图案,用于在修整操作过程中的适当平衡。这些空腔2911和2913可以与该板2901的中心径向地间隔开,但是可以沿着一条轴线2908被定位并且彼此环圆周地间隔开约180度的一个角度。同样地,这些空腔2912和2914可以与该板的中心径向地间隔开,但是可以沿着一个轴线2909被定位使得空腔2912和2914可以彼此环圆周地间隔开约180度的一个角度。
这些空腔2911-2914各自可以被形成为包括一个对应的CMP垫修整器2915、2916,2917、和2918。这样,空腔2911-2914可以包括在此的实施方案的特征以协助板2901与CMP垫修整器2915-2918之间的可拆卸的联接。此外,这些CMP垫修整器2915-2918可以包括在此的实施方案中的特征以协助板2901与对应的CMP垫修整器之间的可拆卸的联接。值得注意地,这些CMP垫修整器2915-2918是可反转的,这样每个CMP垫修整器2915-2918在该基底的第一及第二主表面上具有研磨构造。
尽管图29的实施方案展示了具有四个空腔2911-2914的一个板2901,这些空腔被配置为包含四个不同的并且单独的CMP垫修整器2915-2918,但这样一个实施方案并非旨在限制可在单一板中包含的空腔及CMP垫修整器的数目。其他的实施方案可以使用具有仅2个空腔的一个板。尽管其他的实施方案可以利用具有不同数目的空腔(以及对应数目的CMP垫修整器)的板,例如至少约3个空腔、至少约4个空腔、至少约6个空腔、至少约10个空腔、至少约16个空腔、至少约24个空腔,或甚至至少约30个空腔。特别地,可以使用任何数目的空腔,典型地空腔数目是多个或两个。
如进一步展示的,该板2901可以被形成为具有在空腔2911内的一个开口2921、在空腔2912内的一个开口2922、在空腔2913内的一个开口2923、以及在空腔2914内的一个开口2924。开口2921-2924可以在该板2901的背表面形成并且轴向地延伸到该板2901的本体内。如所展示的,开口2921-2924可以被形成为从背表面延伸到对应的空腔的一个底表面,使得这些开口允许使用者从该板2901的背表面来接近一个空腔内所含的CMP垫修整器。这样一种设计有助于CMP垫修整器2915-2918与板2901之间的可拆卸的联接。操作者可以使用一种从板2901的背表面延伸穿过开口2921-2924之一的工具来接近并且逼迫一个来自对应空腔中的CMP垫修整器并且帮助从该空腔中移除该CMP垫修整器。开口2921-2924与空腔2911-2914之间的这种设计关系与图25B中展示的中心开口2503与和空腔2590之间的设计实质性相同。
在此的实施方案是针对用于形成一种包含可反转磨料物品的研磨工具的方法,这些磨料物品在基底的第一及第二主表面上具有第一及第二磨料颗粒层。这些研磨工具可以包括多个特征(包括联接机构)的一种组合,这些联接机构包括在磨料物品上的接合结构以及在板上的联接结构或联接表面,用于这两个部件之间的可拆卸的联接。根据这些实施方案的其他特征包括优异的平面性、具有不同抛光能力的双重磨料表面、部件的特定形状、密封构件、偏置构件、特定的材料、夹头构件、磁体、指示不同磨料颗粒层的磨损状态的标记、以及保护层。值得注意地,在此的研磨工具包括利用了可反转CMP垫修整器的元件组合,这些修整器具有改善的寿命以及多种用于改进修整过程的能力。
在上文中,提及的多个具体的实施方案以及某些部件的连接物是说明性的。应当理解,提及的被联接或者连接的多个部件是旨在披露在所述部件之间的直接连接或者通过如所理解的一个或多个插入部件进行的间接连接以便实施如在此讨论的这些方法。这样,以上披露的主题应被认为是解说性的、而非限制性的,并且所附权利要求旨在覆盖落在本发明的真正范围内的所有此类变体、改进、以及其他实施方案。因此,在法律所允许的最大程度上,本发明的范围应由对以下权利要求和它们的等效物可容许的最宽解释来确定,并且不应受以上的详细说明的约束或限制。
披露的摘要是遵循专利权法而提供的,并且按以下理解而提交,即它将不被用于解释或者限制权利要求的范围或含义。另外,在以上附图的详细说明中,为了使披露精简而可能将不同的特征集合在一起或者在一个单独的实施方案中进行描述。本披露不得被解释为反映了一种意图,即提出权利要求的实施方案要求的特征多于在每一项权利要求中清楚引述的特征。相反,如以下的权利要求反映出,发明主题可以是针对少于任何披露的实施方案的全部特征。因此,以下的权利要求被结合在附图的详细说明之中,而每一项权利要求自身独立地限定了分别提出权利要求的主题。

Claims (93)

1.一种研磨工具,包括:
一个CMP垫修整器,该CMP垫修整器包括:
一个基底,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面;
一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层;
一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层;以及
一个在该基底上的第一标记,该第一标记对应于该第一主表面并且标识了该第一磨料颗粒层的磨损状态。
2.如权利要求1所述的研磨工具,其中该基底包括一种具有至少2E3MPa的弹性模量的材料。
3.如权利要求1和2中任一项所述的研磨工具,其中该基底包括一种选自下组的材料,该组由以下各项组成:金属类、金属合金类、聚合物类、陶瓷类、以及它们的组合。
4.如权利要求1、2和3中任一项所述的研磨工具,其中该基底具有一种圆柱形的形状。
5.如权利要求1、2、3和4中任一项所述的研磨工具,其中该基底的第一主表面进一步包括一个第一粘结层并且该第一磨料颗粒层包含在该第一粘结层内。
6.如权利要求5所述的研磨工具,其中该第一粘结层包含选自以下材料组中的一种材料,该组由以下各项组成:金属类、聚合物类、陶瓷类、以及它们的组合。
7.如权利要求1、2、3、4和5中任一项所述的研磨工具,其中该第一磨料颗粒层包括不大于约0.02cm的平面度,如由光学自动聚焦技术测量的。
8.如权利要求7所述的研磨工具,其中该第二磨料颗粒层包括与该第一磨料颗粒层相同的平面度。
9.如权利要求1、2、3、4、5和7中任一项所述的研磨工具,其中该基底的第二主表面进一步包括一个第二粘结层并且该第二磨料颗粒层包含在该第二粘结层内。
10.如权利要求1、2、3、4、5、7和9中任一项所述的研磨工具,其中该第一磨料颗粒层的磨料颗粒具有至少约1500kg/mm2的维氏硬度。
11.如权利要求1、2、3、4、5、7、9和10中任一项所述的研磨工具,其中该第一层的磨料颗粒包括超级磨料颗粒。
12.如权利要求1、2、3、4、5、7、9、10和11中任一项所述的研磨工具,其中该第一层的磨料颗粒包括一种选自以下材料组中的一种材料,该组由以下各项组成:金刚石、碳、碳化硅、氧化铝、硅石、立方氮化硼、以及它们的组合。
13.如权利要求1、2、3、4、5、7、9、10、11和12中任一项所述的研磨工具,其中该第一磨料颗粒层的磨料颗粒不同于该第二磨料颗粒层的磨料颗粒。
14.如权利要求1、2、3、4、5、7、9、10、11、12和13中任一项所述的研磨工具,其中该第一磨料颗粒层是以一种自避随机分布被安排的。
15.如权利要求1、2、3、4、5、7、9、10、11、12、13和14中任一项所述的研磨工具,其中该第一标记包括一种颜色指示物,该颜色指示物具有标识该第一磨料颗粒层的磨损状态的不同颜色状态。
16.如权利要求1、2、3、4、5、7、9、10、11、12、13、14和15中任一项所述的研磨工具,其中该第一标记包括一种物理记号,该物理记号具有标识该第一磨料颗粒层的磨损状态的不同状态。
17.如权利要求1、2、3、4、5、7、9、10、11、12、13、14、15和16中任一项所述的研磨工具,进一步包括一个在该基底上的第二标记,该第二标记对应于该第二磨料颗粒层并且标识了该第二磨料颗粒层的磨损状态。
18.一种研磨工具,包括:
一个CMP垫修整器,该CMP垫修整器包括:
一个基底,该基底具有一个第一主表面、与该第一主表面相反的一个第二主表面、以及在该第一主表面与该第二主表面之间延伸的一个侧表面;
一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层;
一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层;以及
一个第一密封构件,该密封构件沿着该基底的侧表面的一部分在一个周边方向上延伸。
19.如权利要求18所述的研磨工具,其中该第一密封构件包括一个可变形构件。
20.如权利要求18和19中任一项所述的研磨工具,其中该第一密封构件被置于沿着该侧表面的一部分的一个凹陷内。
21.如权利要求18、19、和20中任一项所述的研磨工具,进一步包括一个第二密封构件,该密封构件沿着该侧表面的一部分在一个周边方向上延伸并且与该第一密封构件间隔开。
22.如权利要求18、19、20、和21中任一项所述的研磨工具,其中该基底包括一个接合结构。
23.如权利要求22所述的研磨工具,其中该接合结构包括从该基底的侧表面延伸的一个凸起。
24.如权利要求23所述的研磨工具,其中该凸起围绕该基底的侧表面的整个周边环圆周地延伸。
25.如权利要求22所述的研磨工具,其中该接合结构包括一个在该基底内的第一接合开口。
26.如权利要求25所述的研磨工具,其中该第一接合开口在一个轴向方向上延伸穿过该基底的一个厚度。
27.如权利要求25所述的研磨工具,其中该第一接合开口从该基底的中心以一个径向距离被移位。
28.如权利要求22所述的研磨工具,进一步包括在该接合结构处联接到该基底上的一个夹头构件。
29.如权利要求28所述的研磨工具,其中该夹头构件包括一个被配置为联接到一个板上的接合结构。
30.如权利要求29所述的研磨工具,其中该夹头构件的接合结构包括用于转动地接合该板的多个通道。
31.一种用作CMP垫修整器的研磨工具,包括:
一个板;以及
一个磨料物品,该磨料物品包括:
一个基底,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面;
一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层;
一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层;以及
一个接合结构,该接合结构被配置为接合该板的一部分并且可拆卸地联接该磨料物品与该板。
32.如权利要求31所述的研磨工具,其中该板包括一种与该磨料物品的基底相同的材料。
33.如权利要求31和32中任一项所述的研磨工具,其中该板包括一种选自下组的材料,该组由以下各项组成:金属类、聚合物类、以及它们的组合。
34.如权利要求31、32和33中任一项所述的研磨工具,其中该板包括一个联接表面用于与该磨料物品的接合结构的互补接合。
35.如权利要求31、32、33和34中任一项所述的研磨工具,其中该联接表面包括以下各项之一:从该板的一个表面延伸的一个凸起、一个带螺纹的表面、以及在该板的一个表面内的一个凹槽。
36.如权利要求31、32、33、34、和35中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品是包含在该板的一个凹陷之内。
37.如权利要求36所述的研磨工具,其中该第二磨料颗粒层与一个底表面间隔开,该底表面限定了该板内的凹陷。
38.如权利要求31、32、33、34、35、和36中任一项所述的研磨工具,其中该接合结构包括一个紧固件。
39.如权利要求31、32、33、34、35、36和38中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品通过一种过盈配合连接物而可拆卸地连接到该板上。
40.如权利要求31、32、33、34、35、36、38和39中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品通过一个夹紧件而可拆卸地联接到该板上。
41.如权利要求31、32、33、34、35、36、38、39和40中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品通过一个偏置的接合结构而可拆卸地联接。
42.如权利要求31、32、33、34、35、36、38、39、40、和41中任一项所述的研磨工具,其中该接合结构包括一个闩扣。
43.如权利要求31、32、33、34、35、36、38、39、40、41、和42中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品包括一个密封构件。
44.如权利要求31、32、33、34、35、36、38、39、40、41、42、和43中任一项所述的研磨工具,其中该板包括一个密封构件。
45.如权利要求31、32、33、34、35、36、38、39、40、41、42、43、和44中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品包括一个覆盖在该第一磨料颗粒层上的第一保护层。
46.如权利要求45所述的研磨工具,其中该第一保护层包括一种聚合物材料。
47.如权利要求31、32、33、34、35、36、38、39、40、41、42、43、44、和45中任一项所述的研磨工具,其中该磨料物品包括一个覆盖在该第二磨料颗粒层上的第二保护层。
48.一种用作CMP垫修整器的研磨工具,包括:
一个板;以及
一个磨料物品,该磨料物品包括:
一个基底,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面;
一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层;
一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层;并且
其中该板和磨料物品是通过一个联接机构可拆卸地联接的。
49.如权利要求48所述的研磨工具,其中该联接结构包括附接到该磨料物品上的一个接合结构。
50.如权利要求49所述的研磨工具,其中该接合结构包括选自以下结构组的一种结构,该组由以下各项组成:闩扣类、紧固件类、夹紧件类、过盈配合连接物、以及它们的组合。
51.如权利要求48和49中任一项所述的研磨工具,其中该联接机构包括一个磁体。
52.如权利要求51所述的研磨工具,其中该磁体包含在该板之内。
53.如权利要求52所述的研磨工具,其中该磁体包含在该磨料物品之内。
54.如权利要求53所述的研磨工具,其中该磁体包含在该基底之内。
55.如权利要求48、49、和51中任一项所述的研磨工具,其中该联接结构包括布置在该板与该磨料物品之间的一个密封构件。
56.一种用于形成磨料物品的方法,包括:
将一种第一粘结层材料置于一个基底的第一主表面上,其中该基底包括一个接合结构,该接合结构被配置为将该基底可拆卸地联接到一个板上;
将一个第一磨料颗粒层置于该第一粘结层材料内;
将一种第二粘结层材料置于该基底的一个第二主表面内,其中该第二主表面与该第一主表面相反;
将一个第二磨料颗粒层置于该第二粘结层材料内;并且
形成一个CMP垫修整器,该修整器包括由该第一主表面上的第一磨料颗粒层限定的一个第一磨料表面以及由该第二主表面上的第二磨料颗粒层限定的一个第二磨料表面。
57.如权利要求56所述的方法,其中形成包括将该基底加热。
58.如权利要求57所述的方法,其中在加热过程中,将该基底悬挂并且将该第一磨料颗粒层以及该第二磨料颗粒层与多个接触表面间隔开。
59.如权利要求57所述的方法,其中在加热过程中,将该基底悬挂于一个加热炉底上方的竖直位置,并且其中该基底的一个顶部部分与一个底表面相比是在该加热炉底上方的不同高度上。
60.如权利要求57所述的方法,其中在加热过程中,将该基底悬挂于一个加热炉底上方的水平位置上并且该第一主表面以及第二主表面是基本上平行于该加热炉底的。
61.如权利要求57所述的方法,其中在加热过程中,该基底相对于一个开始位置和一个停止位置而改变位置。
62.如权利要求61所述的方法,其中在加热过程中,将该基底转动。
63.如权利要求61所述的方法,其中在加热过程中,将该基底反转。
64.一种整修CMP垫的方法,包括:
将一个磨料物品联接到一个整修机器上,该磨料物品包括一个基底,该基底具有一个第一主表面以及与该第一主表面相反的一个第二主表面,其中该磨料物品包括在该基底的第一主表面处的一个第一磨料表面、以及在该基底的第二主表面处的一个第二磨料表面,并且其中该磨料物品被安装在该整修机器上以暴露该第一磨料表面;
将该第一磨料表面与一个第一CMP垫的一个表面相接触并且将该第一CMP垫相对于该第一磨料表面移动以修整该第一CMP垫;
将该磨料物品反转以暴露该第二磨料表面;并且
将该第二磨料表面与一个第二CMP垫的一个表面相接触并且将该第二CMP垫相对于该第二磨料表面进行移动以修整该第二CMP垫。
65.如权利要求64所述的方法,其中该第一CMP垫以及该第二CMP垫是不同的CMP垫。
66.如权利要求64和65中任一项所述的方法,其中移动该第一CMP垫包括将该CMP垫相对于该第一磨料表面进行转动。
67.如权利要求64、65和66所述的方法,其中将该磨料物品联接到一个修整机器上包括将该磨料物品可拆卸地联接到一个板上,其中该板被直接联接到该修整机器上。
68.如权利要求67所述的方法,其中该板被直接地联接到该整修机器的一个夹持件上。
69.如权利要求68所述的方法,其中该板通过多个紧固件被附连到该夹持件上,这些紧固件轴向地延伸穿过该夹持件的一部分以及该板的一部分。
70.如权利要求64、65、66、和67中任一项所述的方法,其中将该磨料物品反转包括:
将该磨料物品从该板上移除;
将该磨料物品反转;并且
将该磨料物品联接到该板上,其中该第二磨料表面被暴露以进行一个修整操作。
71.如权利要求70所述的方法,其中在将该磨料物品从该板上移除的过程中,该板仍然联接在该整修机器上。
72.一种研磨工具,包括:
一个CMP垫修整器,该CMP垫修整器包括:
一个基底,该基底具有一个第一主表面、与该第一主表面相反的一个第二主表面、以及在该第一主表面与该第二主表面之间延伸的一个侧表面;
一个附接到该第一主表面上的第一磨料颗粒层;
一个附接到该第二主表面上的第二磨料颗粒层;以及
一个凹槽,该凹槽绕着该基底的一个侧表面在周边延伸。
73.如权利要求72所述的研磨工具,其中该凹槽限定了一种径向向内地延伸的凸形形状。
74.如权利要求72和73中任一项所述的研磨工具,其中该CMP垫修整器包括在该第一主表面与一个侧表面之间延伸的一个楔形表面。
75.如权利要求74所述的研磨工具,其中该楔形表面在该第一主表面与该凹槽之间延伸。
76.如权利要求72、73、和74中任一项所述的研磨工具,进一步包括一个板,该板具有一个被配置为可拆卸地联接到该CMP垫修整器上的板体。
77.如权利要求76所述的研磨工具,其中该板包括一个中心开口。
78.如权利要求76所述的研磨工具,其中该板在一个背表面内包括一个凹陷,该凹陷围绕该中心开口环圆周地延伸。
79.如权利要求76所述的研磨工具,其中该板包括一个空腔,该空腔从一个前表面径向向内地延伸到该板体之中并且被配置为包含该CMP垫修整器。
80.如权利要求79所述的研磨工具,其中该空腔包括一个第一空腔部分以及一个第二空腔部分,并且其中该CMP垫修整器被配置为接合在该第一空腔部分之内。
81.如权利要求80所述的研磨工具,其中该第二空腔部分包括比该第一空腔部分更小的宽度。
82.如权利要求79所述的研磨工具,进一步包括一个垫,该垫被配置为包含在该空腔之内。
83.如权利要求82所述的研磨工具,其中该垫被配置为在组装状态下抵靠该CMP垫修整器的第一主表面。
84.如权利要求79所述的研磨工具,其中该板包括一个接合结构,该接合结构包括从该板的本体轴向向外地延伸的一个臂。
85.如权利要求84所述的研磨工具,其中该臂包括一个径向地向内地延伸的板凹槽。
86.如权利要求84所述的研磨工具,其中该臂包括一个径向向内地延伸到一个空腔内的凸缘部分。
87.如权利要求79所述的研磨工具,该板包括一个含有一个凹陷的臂。
88.如权利要求87所述的研磨工具,其中,一个弹性构件被安置在该凹陷内。
89.如权利要求87所述的研磨工具,其中该凹陷包含一种可弯曲的材料。
90.如权利要求87所述的研磨工具,其中该臂包括一个第一臂部分以及一个第二臂部分,并且其中该凹陷位于该第一臂部分与该第二臂部分之间。
91.如权利要求90所述的研磨工具,其中该第一臂部分被配置为朝该第二臂部分移动。
92.如权利要求72、73、74、和76中任一项所述的研磨工具,其中该板包括一个空腔,该空腔包括被多个平坦部分中断的一个总体上圆形的表面。
93.如权利要求72、73、74、76、和92中任一项所述的研磨工具,其中该CMP垫修整器包括被多个平坦部分中断的一种总体上圆形的截面轮廓。
CN200980157810.5A 2009-03-24 2009-12-31 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具 Expired - Fee Related CN102341215B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16289309P 2009-03-24 2009-03-24
US61/162893 2009-03-24
US23598009P 2009-08-21 2009-08-21
US61/235980 2009-08-21
PCT/US2009/069961 WO2010110834A1 (en) 2009-03-24 2009-12-31 Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410198642.7A Division CN103962943A (zh) 2009-03-24 2009-12-31 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102341215A true CN102341215A (zh) 2012-02-01
CN102341215B CN102341215B (zh) 2014-06-18

Family

ID=42781315

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410198642.7A Pending CN103962943A (zh) 2009-03-24 2009-12-31 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具
CN200980157810.5A Expired - Fee Related CN102341215B (zh) 2009-03-24 2009-12-31 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410198642.7A Pending CN103962943A (zh) 2009-03-24 2009-12-31 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8342910B2 (zh)
EP (1) EP2411181A1 (zh)
JP (3) JP5502987B2 (zh)
KR (2) KR101413030B1 (zh)
CN (2) CN103962943A (zh)
IL (1) IL215146A0 (zh)
SG (1) SG174351A1 (zh)
WO (1) WO2010110834A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103567858A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 圣戈班磨料磨具有限公司 研磨轮及其制备和使用方法
CN104139336A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 株式会社迪思科 修整工具
US9873184B2 (en) 2012-07-31 2018-01-23 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive wheels and methods for making and using same
CN112008503A (zh) * 2020-08-19 2020-12-01 广东长盈精密技术有限公司 中抛方法
CN112935936A (zh) * 2021-01-27 2021-06-11 曾令阳 一种不锈钢除锈抛光工艺
CN115870877A (zh) * 2023-03-08 2023-03-31 长鑫存储技术有限公司 研磨垫及其制备方法

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US8974270B2 (en) 2011-05-23 2015-03-10 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US9138862B2 (en) * 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US20140120724A1 (en) * 2005-05-16 2014-05-01 Chien-Min Sung Composite conditioner and associated methods
US8678878B2 (en) 2009-09-29 2014-03-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US20150017884A1 (en) * 2006-11-16 2015-01-15 Chien-Min Sung CMP Pad Dressers with Hybridized Abrasive Surface and Related Methods
MY159601A (en) 2007-08-23 2017-01-13 Saint Gobain Abrasifs Sa Optimized cmp conditioner design for next generation oxide/metal cmp
US9011563B2 (en) 2007-12-06 2015-04-21 Chien-Min Sung Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
JP5255860B2 (ja) * 2008-02-20 2013-08-07 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
US8393419B1 (en) * 2008-03-13 2013-03-12 Us Synthetic Corporation Superabrasive elements having indicia and related apparatus and methods
WO2010110834A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner
MY155563A (en) 2009-06-02 2015-10-30 Saint Gobain Abrasives Inc Corrosion-resistant cmp conditioning tools and methods for making and using same
US20110097977A1 (en) * 2009-08-07 2011-04-28 Abrasive Technology, Inc. Multiple-sided cmp pad conditioning disk
CN102612734A (zh) 2009-09-01 2012-07-25 圣戈班磨料磨具有限公司 化学机械抛光修整器
US8531026B2 (en) 2010-09-21 2013-09-10 Ritedia Corporation Diamond particle mololayer heat spreaders and associated methods
JP6133218B2 (ja) * 2011-03-07 2017-05-24 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械平坦化パッドコンディショナー
CN102343553B (zh) * 2011-09-28 2015-06-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 修整器装置及其检测方法
DE102011085674A1 (de) * 2011-11-03 2013-05-08 Robert Bosch Gmbh Maschinenelement einer Kraftstoffpumpe mit Oberflächen-Mikrostrukturierung
TWI472405B (zh) * 2012-04-18 2015-02-11 Kinik Co 化學機械研磨修整器
TW201350267A (zh) * 2012-05-04 2013-12-16 Saint Gobain Abrasives Inc 用於同雙側化學機械平坦化墊修整器一起使用之工具
EP2879838B1 (en) * 2012-08-02 2023-09-13 3M Innovative Properties Company Abrasive articles with precisely shaped features and method of making thereof
CN115625629A (zh) * 2012-08-02 2023-01-20 3M创新有限公司 具有精确成形特征部的研磨元件、用其制成的研磨制品及其制造方法
TWI568538B (zh) * 2013-03-15 2017-02-01 中國砂輪企業股份有限公司 化學機械硏磨修整器及其製法
TWI511841B (zh) * 2013-03-15 2015-12-11 Kinik Co 貼合式化學機械硏磨修整器及其製法
WO2015006745A1 (en) * 2013-07-11 2015-01-15 Entegris, Inc. Refurbishable coated cmp conditioner, method of making same and integrated system for use in chemical mechanical planarization
JP5954293B2 (ja) * 2013-10-17 2016-07-20 信越半導体株式会社 研磨用の発泡ウレタンパッドのドレッシング装置
US20150158143A1 (en) * 2013-12-10 2015-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for chemically mechanically polishing
TW201600242A (zh) * 2014-06-18 2016-01-01 Kinik Co 拋光墊修整器
EP3209461A4 (en) * 2014-10-21 2018-08-22 3M Innovative Properties Company Abrasive preforms, method of making an abrasive article, and bonded abrasive article
TWI551400B (zh) * 2014-10-23 2016-10-01 中國砂輪企業股份有限公司 研磨工具及其製造方法
JP6176671B2 (ja) * 2014-11-19 2017-08-09 旭精機工業株式会社 研削装置
JP6453666B2 (ja) * 2015-02-20 2019-01-16 東芝メモリ株式会社 研磨パッドドレッサの作製方法
CN107405755B (zh) * 2015-12-10 2019-03-22 联合材料公司 超硬磨料砂轮
WO2017177072A1 (en) 2016-04-06 2017-10-12 M Cubed Technologies, Inc. Diamond composite cmp pad conditioner
JP2018034257A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 信越半導体株式会社 ドレッサー
US11826883B2 (en) 2016-12-22 2023-11-28 Innovative Properties Company Abrasive article and method of making the same
KR102502899B1 (ko) * 2017-12-28 2023-02-24 엔테그리스, 아이엔씨. Cmp 연마 패드 컨디셔너
CN111936270A (zh) * 2018-03-30 2020-11-13 圣戈班磨料磨具有限公司 包括涂层的磨料制品
US11691301B2 (en) * 2018-11-29 2023-07-04 Ocado Innovation Limited Detection and measurement of wear of robotic manipulator touch points
KR20240061651A (ko) * 2021-09-29 2024-05-08 엔테그리스, 아이엔씨. 양면 패드 컨디셔너
CN114131499B (zh) * 2021-12-02 2022-10-14 成都市鸿侠科技有限责任公司 一种飞机发动机对开叶片表面精密处理系统及其处理工艺
DE102021215121A1 (de) 2021-12-30 2023-07-06 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Schleifmittel
TWI806466B (zh) * 2022-03-03 2023-06-21 中國砂輪企業股份有限公司 拋光墊修整器及其製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341984A (en) * 1964-12-08 1967-09-19 Armour & Co Surface conditioning pad
US6136043A (en) * 1996-05-24 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Polishing pad methods of manufacture and use
US20020072302A1 (en) * 1998-09-03 2002-06-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing chemical-mechanical-polishing selectivity
US20020173234A1 (en) * 1999-11-22 2002-11-21 Chien-Min Sung Diamond grid CMP pad dresser
US20050260922A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Mosel Vitelic, Inc. Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer
CN101001934A (zh) * 2004-08-24 2007-07-18 宋健民 多晶磨粒及其相关方法

Family Cites Families (184)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2194472A (en) 1935-12-30 1940-03-26 Carborundum Co Production of abrasive materials
US2175073A (en) 1936-10-30 1939-10-03 Behr Manning Corp Abrasive disk
US2785060A (en) 1952-10-15 1957-03-12 George F Keeleric Process for making abrasive article
BE530127A (zh) 1953-11-25
US3243925A (en) * 1963-07-18 1966-04-05 Benjamin R Buzzell Wear indicating surfacing device
USRE26879E (en) 1969-04-22 1970-05-19 Process for making metal bonded diamond tools employing spherical pellets of metallic powder-coated diamond grits
US4018576A (en) 1971-11-04 1977-04-19 Abrasive Technology, Inc. Diamond abrasive tool
US3990124A (en) 1973-07-26 1976-11-09 Mackay Joseph H Jun Replaceable buffing pad assembly
US4222204A (en) 1979-06-18 1980-09-16 Benner Robert L Holder for an abrasive plate
IT1184114B (it) 1985-01-18 1987-10-22 Montedison Spa Alfa allumina sotto forma di particelle sferiche,non aggregate,a distribuzione granulometrica ristretta e di dimensioni inferiori a 2 micron,e processo per la sua preparazione
US4931069A (en) 1987-10-30 1990-06-05 Wiand Ronald C Abrasive tool with improved swarf clearance and method of making
US4951423A (en) 1988-09-09 1990-08-28 Cynthia L. B. Johnson Two sided abrasive disc with intermediate member
US4925457B1 (en) * 1989-01-30 1995-09-26 Ultimate Abrasive Syst Inc Method for making an abrasive tool
US5049165B1 (en) 1989-01-30 1995-09-26 Ultimate Abrasive Syst Inc Composite material
US5014468A (en) 1989-05-05 1991-05-14 Norton Company Patterned coated abrasive for fine surface finishing
US4968326A (en) 1989-10-10 1990-11-06 Wiand Ronald C Method of brazing of diamond to substrate
US5382189A (en) 1990-11-16 1995-01-17 Arendall; William L. Hand held abrasive disk
US5152917B1 (en) 1991-02-06 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Structured abrasive article
JP3191878B2 (ja) 1991-02-21 2001-07-23 三菱マテリアル株式会社 気相合成ダイヤモンド被覆切削工具の製造法
US5352493A (en) 1991-05-03 1994-10-04 Veniamin Dorfman Method for forming diamond-like nanocomposite or doped-diamond-like nanocomposite films
US5817204A (en) 1991-06-10 1998-10-06 Ultimate Abrasive Systems, L.L.C. Method for making patterned abrasive material
US5219462A (en) 1992-01-13 1993-06-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article having abrasive composite members positioned in recesses
US5382489A (en) * 1992-08-06 1995-01-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor with polycarbonate resin mixture
WO1995006544A1 (en) 1993-09-01 1995-03-09 Speedfam Corporation Backing pad for machining operations
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5472461A (en) 1994-01-21 1995-12-05 Norton Company Vitrified abrasive bodies
JP2914166B2 (ja) 1994-03-16 1999-06-28 日本電気株式会社 研磨布の表面処理方法および研磨装置
JP3261687B2 (ja) 1994-06-09 2002-03-04 日本電信電話株式会社 パッドコンディショナー及びその製造方法
US5492771A (en) 1994-09-07 1996-02-20 Abrasive Technology, Inc. Method of making monolayer abrasive tools
TW383322B (en) 1994-11-02 2000-03-01 Norton Co An improved method for preparing mixtures for abrasive articles
US5511718A (en) 1994-11-04 1996-04-30 Abrasive Technology, Inc. Process for making monolayer superabrasive tools
US5667433A (en) * 1995-06-07 1997-09-16 Lsi Logic Corporation Keyed end effector for CMP pad conditioner
WO1996040474A1 (en) 1995-06-07 1996-12-19 Norton Company Cutting tool having textured cutting surface
US6468642B1 (en) 1995-10-03 2002-10-22 N.V. Bekaert S.A. Fluorine-doped diamond-like coatings
US5795648A (en) 1995-10-03 1998-08-18 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method for preserving precision edges using diamond-like nanocomposite film coatings
JP3072962B2 (ja) 1995-11-30 2000-08-07 ロデール・ニッタ株式会社 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
DE69710324T2 (de) 1996-04-22 2002-08-29 Bekaert Sa Nv Diamantaehnliche nanokomposit-zusammensetzungen
US5683289A (en) 1996-06-26 1997-11-04 Texas Instruments Incorporated CMP polishing pad conditioning apparatus
US6371838B1 (en) 1996-07-15 2002-04-16 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad conditioning device with cutting elements
US5842912A (en) 1996-07-15 1998-12-01 Speedfam Corporation Apparatus for conditioning polishing pads utilizing brazed diamond technology
US5851138A (en) 1996-08-15 1998-12-22 Texas Instruments Incorporated Polishing pad conditioning system and method
US5833724A (en) 1997-01-07 1998-11-10 Norton Company Structured abrasives with adhered functional powders
US5863306A (en) 1997-01-07 1999-01-26 Norton Company Production of patterned abrasive surfaces
GB9700527D0 (en) 1997-01-11 1997-02-26 Ecc Int Ltd Processing of ceramic materials
US7491116B2 (en) 2004-09-29 2009-02-17 Chien-Min Sung CMP pad dresser with oriented particles and associated methods
TW394723B (en) 1997-04-04 2000-06-21 Sung Chien Min Abrasive tools with patterned grit distribution and method of manufacture
US6286498B1 (en) * 1997-04-04 2001-09-11 Chien-Min Sung Metal bond diamond tools that contain uniform or patterned distribution of diamond grits and method of manufacture thereof
US6039641A (en) 1997-04-04 2000-03-21 Sung; Chien-Min Brazed diamond tools by infiltration
US6368198B1 (en) 1999-11-22 2002-04-09 Kinik Company Diamond grid CMP pad dresser
US7124753B2 (en) 1997-04-04 2006-10-24 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US6679243B2 (en) * 1997-04-04 2004-01-20 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making
US6537140B1 (en) 1997-05-14 2003-03-25 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Patterned abrasive tools
US5919084A (en) 1997-06-25 1999-07-06 Diamond Machining Technology, Inc. Two-sided abrasive tool and method of assembling same
US5921856A (en) 1997-07-10 1999-07-13 Sp3, Inc. CVD diamond coated substrate for polishing pad conditioning head and method for making same
JP3895840B2 (ja) 1997-09-04 2007-03-22 旭ダイヤモンド工業株式会社 Cmp用コンディショナ及びその製造方法
US6234883B1 (en) 1997-10-01 2001-05-22 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for concurrent pad conditioning and wafer buff in chemical mechanical polishing
US6033293A (en) 1997-10-08 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Apparatus for performing chemical-mechanical polishing
US6027659A (en) 1997-12-03 2000-02-22 Intel Corporation Polishing pad conditioning surface having integral conditioning points
US6358133B1 (en) 1998-02-06 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Grinding wheel
US6159087A (en) 1998-02-11 2000-12-12 Applied Materials, Inc. End effector for pad conditioning
US6136143A (en) 1998-02-23 2000-10-24 3M Innovative Properties Company Surface treating article including a hub
JP2001523171A (ja) 1998-02-27 2001-11-20 ポラスキイ,アンソニー 研磨材及びその製造方法
US6123612A (en) 1998-04-15 2000-09-26 3M Innovative Properties Company Corrosion resistant abrasive article and method of making
KR19990081117A (ko) 1998-04-25 1999-11-15 윤종용 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법
JP2000106353A (ja) 1998-07-31 2000-04-11 Nippon Steel Corp 半導体基板用研磨布のドレッサ―
JP2000052254A (ja) 1998-08-07 2000-02-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超薄膜砥石による切断方法
US6022266A (en) 1998-10-09 2000-02-08 International Business Machines Corporation In-situ pad conditioning process for CMP
JP3019079B1 (ja) 1998-10-15 2000-03-13 日本電気株式会社 化学機械研磨装置
JP2000127046A (ja) 1998-10-27 2000-05-09 Noritake Diamond Ind Co Ltd ポリッシャ研磨用電着ドレッサ
US6261167B1 (en) 1998-12-15 2001-07-17 Diamond Machining Technology, Inc. Two-sided abrasive tool and method of assembling same
US6402603B1 (en) 1998-12-15 2002-06-11 Diamond Machining Technology, Inc. Two-sided abrasive tool
US6263605B1 (en) * 1998-12-21 2001-07-24 Motorola, Inc. Pad conditioner coupling and end effector for a chemical mechanical planarization system and method therefor
JP2000190200A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Mitsubishi Materials Silicon Corp 研磨布のシ―ズニング治具
KR100797218B1 (ko) 1998-12-25 2008-01-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
US6099603A (en) * 1998-12-29 2000-08-08 Johnson Abrasive Company, Inc. System and method of attaching abrasive articles to backing pads
FR2788457B1 (fr) 1999-01-15 2001-02-16 Saint Gobain Vitrage Procede d'obtention d'un motif sur un substrat en materiau verrier
US6059638A (en) 1999-01-25 2000-05-09 Lucent Technologies Inc. Magnetic force carrier and ring for a polishing apparatus
JP3772946B2 (ja) 1999-03-11 2006-05-10 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置
US6244941B1 (en) 1999-03-30 2001-06-12 Speedfam - Ipec Corporation Method and apparatus for pad removal and replacement
US6390908B1 (en) * 1999-07-01 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Determining when to replace a retaining ring used in substrate polishing operations
JP2001018172A (ja) * 1999-07-08 2001-01-23 Osaka Diamond Ind Co Ltd ポリシング工具の修正用工具
US6288648B1 (en) * 1999-08-27 2001-09-11 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for determining a need to change a polishing pad conditioning wheel
US6419574B1 (en) 1999-09-01 2002-07-16 Mitsubishi Materials Corporation Abrasive tool with metal binder phase
US6439986B1 (en) 1999-10-12 2002-08-27 Hunatech Co., Ltd. Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US6293980B2 (en) 1999-12-20 2001-09-25 Norton Company Production of layered engineered abrasive surfaces
US6258139B1 (en) 1999-12-20 2001-07-10 U S Synthetic Corporation Polycrystalline diamond cutter with an integral alternative material core
US6096107A (en) 2000-01-03 2000-08-01 Norton Company Superabrasive products
KR100360669B1 (ko) 2000-02-10 2002-11-18 이화다이아몬드공업 주식회사 연마드레싱용 공구 및 그의 제조방법
US7678245B2 (en) 2000-02-17 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical processing
JP2001239449A (ja) 2000-02-29 2001-09-04 Allied Material Corp Cmp用パッドコンディショナー
US6390909B2 (en) * 2000-04-03 2002-05-21 Rodel Holdings, Inc. Disk for conditioning polishing pads
US6495464B1 (en) 2000-06-30 2002-12-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool
US6626747B1 (en) 2000-08-02 2003-09-30 Duraline Abrasives, Inc. Abrasive pad
CN1852787A (zh) * 2000-08-31 2006-10-25 多平面技术公司 化学机械抛光(cmp)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片
US6572446B1 (en) 2000-09-18 2003-06-03 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing pad conditioning element with discrete points and compliant membrane
US6641471B1 (en) 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
US6475072B1 (en) 2000-09-29 2002-11-05 International Business Machines Corporation Method of wafer smoothing for bonding using chemo-mechanical polishing (CMP)
US6821189B1 (en) 2000-10-13 2004-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive article comprising a structured diamond-like carbon coating and method of using same to mechanically treat a substrate
US7011134B2 (en) 2000-10-13 2006-03-14 Chien-Min Sung Casting method for producing surface acoustic wave devices
WO2002034437A2 (en) 2000-10-19 2002-05-02 Element Six (Pty) Ltd A method of making a composite abrasive compact
JP2002200553A (ja) 2000-11-06 2002-07-16 Nikon Engineering Co Ltd 研磨装置
KR100413371B1 (ko) 2000-11-08 2003-12-31 키니크 컴퍼니 다이아몬드 그리드 화학 기계적 연마 패드 드레서
DK1208945T3 (da) 2000-11-22 2005-10-31 Listemann Ag Werkstoff Und Wae Fremgangsmåde til fremstilling af slibende værktöjer
JP3947355B2 (ja) 2000-12-15 2007-07-18 旭ダイヤモンド工業株式会社 砥粒工具及びその製造方法
CN100361786C (zh) 2000-12-21 2008-01-16 新日本制铁株式会社 Cmp调节器、用于cmp调节器的硬质磨粒的排列方法以及cmp调节器的制造方法
JP2002210659A (ja) * 2000-12-22 2002-07-30 Chugoku Sarin Kigyo Kofun Yugenkoshi グリッド状ダイヤモンド配列の化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具
US6575353B2 (en) 2001-02-20 2003-06-10 3M Innovative Properties Company Reducing metals as a brazing flux
DE10109892B4 (de) 2001-02-24 2010-05-20 Ibu-Tec Advanced Materials Ag Verfahren zur Herstellung monomodaler nanokristalliner Oxidpulver
JP4508514B2 (ja) 2001-03-02 2010-07-21 旭ダイヤモンド工業株式会社 Cmpコンディショナ及びその製造方法
US6863774B2 (en) 2001-03-08 2005-03-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US6511713B2 (en) 2001-04-02 2003-01-28 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Production of patterned coated abrasive surfaces
US6514302B2 (en) 2001-05-15 2003-02-04 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Methods for producing granular molding materials for abrasive articles
US20020182401A1 (en) 2001-06-01 2002-12-05 Lawing Andrew Scott Pad conditioner with uniform particle height
US6508697B1 (en) * 2001-07-16 2003-01-21 Robert Lyle Benner Polishing pad conditioning system
JP2003048163A (ja) 2001-08-08 2003-02-18 Mitsubishi Materials Corp 電着砥石
JP2003053665A (ja) 2001-08-10 2003-02-26 Mitsubishi Materials Corp ドレッサー
JP2003094332A (ja) 2001-09-18 2003-04-03 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナ
KR100428947B1 (ko) 2001-09-28 2004-04-29 이화다이아몬드공업 주식회사 다이아몬드 공구
JP3969047B2 (ja) 2001-10-05 2007-08-29 三菱マテリアル株式会社 Cmpコンディショナ及びその製造方法
US6835118B2 (en) 2001-12-14 2004-12-28 Oriol, Inc. Rigid plate assembly with polishing pad and method of using
US6846232B2 (en) 2001-12-28 2005-01-25 3M Innovative Properties Company Backing and abrasive product made with the backing and method of making and using the backing and abrasive product
JP4084944B2 (ja) 2002-01-31 2008-04-30 旭ダイヤモンド工業株式会社 Cmp用コンディショナ
JP2003260656A (ja) * 2002-03-08 2003-09-16 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 両面研磨装置用研磨布のドレッシング方法およびこれに用いられるドレッシング治具
US7544114B2 (en) 2002-04-11 2009-06-09 Saint-Gobain Technology Company Abrasive articles with novel structures and methods for grinding
JP3744877B2 (ja) 2002-04-15 2006-02-15 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ Cmp加工用ドレッサ
JP2004025377A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナおよびその製造方法
KR100468111B1 (ko) * 2002-07-09 2005-01-26 삼성전자주식회사 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치
US6872127B2 (en) 2002-07-11 2005-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Polishing pad conditioning disks for chemical mechanical polisher
JP2004066409A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナ
US7004817B2 (en) 2002-08-23 2006-02-28 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, planarizing apparatuses including carrier assemblies, and methods for planarizing micro-device workpieces
ES2617576T3 (es) 2002-08-29 2017-06-19 Becton, Dickinson And Company Administración de sustancias mediante un sistema microabrasivo giratorio
JP2004090142A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨布用ドレッシング装置及び研磨布のドレッシング方法並びにワークの研磨方法
JP2004098264A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨布のドレッシング方法及びワークの研磨方法
US20060213128A1 (en) 2002-09-24 2006-09-28 Chien-Min Sung Methods of maximizing retention of superabrasive particles in a metal matrix
JP2004202639A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Allied Material Corp パッドコンディショナ及びその製造方法
KR100506934B1 (ko) 2003-01-10 2005-08-05 삼성전자주식회사 연마장치 및 이를 사용하는 연마방법
JP2004291213A (ja) 2003-03-28 2004-10-21 Noritake Super Abrasive:Kk 研削砥石
US7052371B2 (en) 2003-05-29 2006-05-30 Tbw Industries Inc. Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
JP2004351561A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nippei Toyama Corp 砥石工具のドレッシング装置およびそのドレッシング方法
US6887138B2 (en) 2003-06-20 2005-05-03 Freescale Semiconductor, Inc. Chemical mechanical polish (CMP) conditioning-disk holder
US20050025973A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Slutz David E. CVD diamond-coated composite substrate containing a carbide-forming material and ceramic phases and method for making same
US20050076577A1 (en) 2003-10-10 2005-04-14 Hall Richard W.J. Abrasive tools made with a self-avoiding abrasive grain array
US20050153634A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Cabot Microelectronics Corporation Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad
TW200540116A (en) 2004-03-16 2005-12-16 Sumitomo Chemical Co Method for producing an α-alumina powder
JP2005262341A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Noritake Super Abrasive:Kk Cmpパッドコンディショナー
JP2005313310A (ja) 2004-03-31 2005-11-10 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナ
US6945857B1 (en) * 2004-07-08 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner and methods of manufacture and recycling
US20070060026A1 (en) 2005-09-09 2007-03-15 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
US7150677B2 (en) 2004-09-22 2006-12-19 Mitsubishi Materials Corporation CMP conditioner
US7066795B2 (en) 2004-10-12 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels
US7846008B2 (en) 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US7258708B2 (en) 2004-12-30 2007-08-21 Chien-Min Sung Chemical mechanical polishing pad dresser
US20060254154A1 (en) 2005-05-12 2006-11-16 Wei Huang Abrasive tool and method of making the same
EP1726682A1 (en) 2005-05-26 2006-11-29 NV Bekaert SA Coating comprising layered structures of diamond like nanocomposite layers and diamond like carbon layers.
WO2007008822A2 (en) 2005-07-09 2007-01-18 Tbw Industries Inc. Enhanced end effector arm arrangement for cmp pad conditioning
TW200708375A (en) 2005-08-24 2007-03-01 Kinik Co Ceramic polishing pad conditioner/dresser having plastic base and manufacturing method thereof
US7300338B2 (en) 2005-09-22 2007-11-27 Abrasive Technology, Inc. CMP diamond conditioning disk
JP4791121B2 (ja) 2005-09-22 2011-10-12 新日鉄マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
US7556558B2 (en) 2005-09-27 2009-07-07 3M Innovative Properties Company Shape controlled abrasive article and method
JP2007109767A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナおよびその製造方法
CN101291777A (zh) * 2005-10-19 2008-10-22 Tbw工业有限公司 用于化学机械平坦化系统的有孔修整刷
US7439135B2 (en) 2006-04-04 2008-10-21 International Business Machines Corporation Self-aligned body contact for a semiconductor-on-insulator trench device and method of fabricating same
US20080006819A1 (en) 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
US7840305B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
JP4441552B2 (ja) * 2006-07-31 2010-03-31 メゾテクダイヤ株式会社 ダイヤモンドコンディショナ
US20080271384A1 (en) * 2006-09-22 2008-11-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization
JP2008114334A (ja) 2006-11-06 2008-05-22 Mezoteku Dia Kk Cmpコンディショナ及びその製造方法
US20080153398A1 (en) 2006-11-16 2008-06-26 Chien-Min Sung Cmp pad conditioners and associated methods
JP2008132573A (ja) 2006-11-29 2008-06-12 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナ
JP2008186998A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Jsr Corp 化学機械研磨パッドのドレッシング方法
JP4330640B2 (ja) 2007-03-20 2009-09-16 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ Cmpパッドコンディショナー
KR20090013366A (ko) 2007-08-01 2009-02-05 주식회사 세라코리 연마패드용 컨디셔닝 디스크
MY159601A (en) 2007-08-23 2017-01-13 Saint Gobain Abrasifs Sa Optimized cmp conditioner design for next generation oxide/metal cmp
PL2200780T3 (pl) 2007-09-24 2011-11-30 Saint Gobain Abrasives Inc Produkty ścierne obejmujące aktywne wypełniacze
US8889042B2 (en) 2008-02-14 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Coatings
US20100022174A1 (en) 2008-07-28 2010-01-28 Kinik Company Grinding tool and method for fabricating the same
WO2010110834A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner
MY155563A (en) * 2009-06-02 2015-10-30 Saint Gobain Abrasives Inc Corrosion-resistant cmp conditioning tools and methods for making and using same
JP2012532767A (ja) 2009-07-16 2012-12-20 サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド Cmpパッドのコンディショニングのための平坦かつ一貫した表面トポグラフィーを有する研磨工具及びその製造方法
US20110097977A1 (en) * 2009-08-07 2011-04-28 Abrasive Technology, Inc. Multiple-sided cmp pad conditioning disk
JP5542938B2 (ja) 2009-08-14 2014-07-09 サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド 細長い物体に結合させた研磨粒子を含む研磨物品
CN102612734A (zh) 2009-09-01 2012-07-25 圣戈班磨料磨具有限公司 化学机械抛光修整器
DE102010036316B4 (de) 2010-07-09 2015-06-11 Saint-Gobain Diamantwerkzeuge Gmbh Düse für Kühlschmiermittel
TW201350267A (zh) 2012-05-04 2013-12-16 Saint Gobain Abrasives Inc 用於同雙側化學機械平坦化墊修整器一起使用之工具

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341984A (en) * 1964-12-08 1967-09-19 Armour & Co Surface conditioning pad
US6136043A (en) * 1996-05-24 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Polishing pad methods of manufacture and use
US20020072302A1 (en) * 1998-09-03 2002-06-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing chemical-mechanical-polishing selectivity
US20020173234A1 (en) * 1999-11-22 2002-11-21 Chien-Min Sung Diamond grid CMP pad dresser
US20050260922A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Mosel Vitelic, Inc. Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer
CN101001934A (zh) * 2004-08-24 2007-07-18 宋健民 多晶磨粒及其相关方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103567858A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 圣戈班磨料磨具有限公司 研磨轮及其制备和使用方法
CN103567858B (zh) * 2012-07-31 2016-10-12 圣戈班磨料磨具有限公司 研磨轮及其制备和使用方法
US9873182B2 (en) 2012-07-31 2018-01-23 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive wheels and methods for making and using same
US9873184B2 (en) 2012-07-31 2018-01-23 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive wheels and methods for making and using same
US11148256B2 (en) 2012-07-31 2021-10-19 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive wheels and methods for making and using same
CN104139336A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 株式会社迪思科 修整工具
CN112008503A (zh) * 2020-08-19 2020-12-01 广东长盈精密技术有限公司 中抛方法
CN112008503B (zh) * 2020-08-19 2022-02-08 广东长盈精密技术有限公司 中抛方法
CN112935936A (zh) * 2021-01-27 2021-06-11 曾令阳 一种不锈钢除锈抛光工艺
CN115870877A (zh) * 2023-03-08 2023-03-31 长鑫存储技术有限公司 研磨垫及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
IL215146A0 (en) 2011-12-29
CN102341215B (zh) 2014-06-18
US8342910B2 (en) 2013-01-01
WO2010110834A1 (en) 2010-09-30
US20130078895A1 (en) 2013-03-28
SG174351A1 (en) 2011-10-28
KR101293517B1 (ko) 2013-08-07
KR101413030B1 (ko) 2014-07-02
US20100248595A1 (en) 2010-09-30
JP2015071224A (ja) 2015-04-16
KR20130028793A (ko) 2013-03-19
JP5502987B2 (ja) 2014-05-28
US9022840B2 (en) 2015-05-05
JP2012521309A (ja) 2012-09-13
JP2014050954A (ja) 2014-03-20
KR20110124370A (ko) 2011-11-16
JP5667268B2 (ja) 2015-02-12
CN103962943A (zh) 2014-08-06
EP2411181A1 (en) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102341215B (zh) 用作化学机械平坦化垫修整器的研磨工具
CN104471683A (zh) 用于双侧化学机械平面化垫调节器的工具
KR101156862B1 (ko) 다중 측면 cmp패드 컨디셔닝 디스크
US5967882A (en) Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
US5910041A (en) Lapping apparatus and process with raised edge on platen
US6120352A (en) Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets
US5993298A (en) Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface
US6048254A (en) Lapping apparatus and process with annular abrasive area
CN103586752B (zh) 精整玻璃板的方法和系统
US20060073776A1 (en) Tool holder for a grinding machine
US20220055183A1 (en) Machining segment for a machining tool
EP2389274B1 (en) Device for re-machining a safety valve
JP2013500173A (ja) 予備処理指標及び持続的指標を有する研磨物品
JP5632215B2 (ja) 研削加工ツール
JP2017185586A (ja) 研削ホイール、および研削砥石
CN105252440B (zh) 工业机器人铸件自动清理用打磨砂轮
KR20170073854A (ko) 연마 장치의 연마 디스크
KR20130034127A (ko) 웨이퍼 노치 휠 및 그라인딩 장치
JP2009269105A (ja) 研磨ホイール
JP2018064881A (ja) 加工工具研磨治具、加工工具の研磨方法、及び歯科補綴物の作製方法
JP2008296334A (ja) 真空吸着チャックおよびそれを用いた研削装置
JP2023135223A (ja) 工具アセンブリ、加工装置及びガラス板の製造方法
JP2006026763A (ja) グラインダーディスク
ITVI20010038A1 (it) Utensile abrasivo soffice particolarmente per la finitura e la lucidatura di materiali lapidei

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140618

Termination date: 20151231

EXPY Termination of patent right or utility model