JP2004066409A - Cmpコンディショナ - Google Patents
Cmpコンディショナ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004066409A JP2004066409A JP2002230487A JP2002230487A JP2004066409A JP 2004066409 A JP2004066409 A JP 2004066409A JP 2002230487 A JP2002230487 A JP 2002230487A JP 2002230487 A JP2002230487 A JP 2002230487A JP 2004066409 A JP2004066409 A JP 2004066409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- resin
- layer
- abrasive
- cmp conditioner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】スラリによる腐食を生じにくくする。
【解決手段】台金21(砥石基体)の略円形をなす一面21a上に、NiもしくはNi基合金等からなる金属結合相22によって例えばダイヤモンド砥粒等の多数の超砥粒23…が固着された砥粒層24を形成する。少なくとも砥粒層24の表面に、酸化クロムからなる第一の保護層25を形成する。この第一の保護層25は、電気めっきによって形成する。この第一の保護層25の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26を設ける。第二の保護層26を構成する樹脂としては、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂を用いる。
【選択図】 図2
【解決手段】台金21(砥石基体)の略円形をなす一面21a上に、NiもしくはNi基合金等からなる金属結合相22によって例えばダイヤモンド砥粒等の多数の超砥粒23…が固着された砥粒層24を形成する。少なくとも砥粒層24の表面に、酸化クロムからなる第一の保護層25を形成する。この第一の保護層25は、電気めっきによって形成する。この第一の保護層25の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26を設ける。第二の保護層26を構成する樹脂としては、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂を用いる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等の被研磨材の表面をCMP装置によって研磨する際に用いられる研磨用のパッドをコンディショニングするため等に用いられる電着砥石に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンインゴットから切り出した半導体ウェーハ(以下、単にウェーハという)の表面を化学的且つ機械的に研磨するCMP装置(ケミカルメカニカルポリッシングマシン)の一例として、図3に示すような装置がある。このCMP装置1は、図3に示すように中心軸2に取り付けられた円板状の回転テーブル3上に例えば硬質ウレタンからなるポリッシング用のパッド4が設けられ、このパッド4に対向して且つパッド4の中心軸2から偏心した位置に自転可能なウェーハキャリア5が配設されている。このウェーハキャリア5はパッド4よりも小径の円板形状とされてウェーハ6を保持するものであり、このウェーハ6がウェーハキャリア5とパッド4間に配置されてパッド4側の表面の研磨に供され高精度に平坦化される。
【0003】
CMPによる研磨のメカニズムは、微粒子シリカ等によるメカニカルな要素(遊離砥粒)とアルカリ液や酸性液等によるエッチング要素とを複合したメカノ・ケミカル研磨法に基づいている。研磨に際して、例えば上述した微粒子シリカ等からなる遊離砥粒が研磨剤として用いられ、さらにエッチング用のアルカリ液等が混合されたものが液状のスラリSとしてパッド4上に供給されているため、このスラリSがウェーハキャリア5に保持されたウェーハ6とパッド4との間に流動して、パッド4でウェーハ6の一面が研磨される。
ウェーハ6の研磨を行う硬質ウレタン製などのパッド4上にはスラリSを保持する微細な発泡層が多数設けられており、これらの発泡層内に保持されたスラリSでウェーハ6の研磨が行われる。ところが、ウェーハ6の研磨を繰り返すことでパッド4の研磨面の平坦度が低下したり目詰まりを起こしたりするためにウェーハ6の研磨精度と研磨効率が低下するという問題が生じる。
【0004】
そのため、従来からCMP装置1には図3に示すようにパッドコンディショナ8が設けられ、パッド4の表面を定期的に再研磨または再研削(コンディショニング)するようになっている。このパッドコンディショナ8は、回転テーブル3の外部に設けられた回転軸9にアーム10を介してCMPコンディショナ11が取り付けられたものである。
そしてウェーハキャリア5でウェーハ6を研磨しながら或いはウェーハ6の研磨を停止した状態で、CMPコンディショナ11でパッド4を研削してパッド4の平坦度を回復または維持し、パッド4の発泡層の目詰まりを解消するようになっている。このCMPコンディショナ11は、通常、ダイヤモンド等の超砥粒をNi(ニッケル)またはNi基合金等で電気めっきによって固着した砥粒層を台金(砥石基体)に形成した構成になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ウェーハ6に設けられたタングステン材その他の金属材料の研磨に用いられるスラリ(例えばキャボット社製W−2000等)には、硝酸に加えて、金属材料のエッチングのために過酸化水素が2%から6%程度含まれている。過酸化水素は酸化力が強いために、パッド4のコンディショニングを繰り返すうちに、CMPコンディショナ11の台金や、砥粒層において超砥粒を台金に固着させている金属結合相を酸化させ、スラリに含まれる硝酸で腐食させてしまう。
このため、CMPコンディショナ11には、より高い耐食性を持たせるために、表面に耐食性を有するコーティングが施される。このようなコーティングとしては、耐食性を有する樹脂によるコーティングのほか、PVDによるセラミックスのコーティングや、貴金属めっきによるコーティング等がある。
【0006】
しかし、耐食性を有する樹脂、例えばふっ素系樹脂によるコーティングは、CMPコンディショナ11に対する付着強度が低く、その寿命が短かった。
また、PVD処理等によるセラミックスコーティングは、CMPコンディショナ11に対する付着強度は高いものの、PVD処理によって形成されるセラミックス層は、砥粒層の表面だけでなく、超砥粒の先端の上にも形成されてしまう。
セラミックスは高硬度であるので、このように超砥粒の先端にセラミックスが乗ってしまうと、CMPコンディショナ11の研削性能が変化してしまい、好ましくない。また、PVD処理によって形成されるセラミックス層は、PVDに用いた電極に対して影となる領域には形成されないので、超砥粒の付け根部分などにはセラミックス層が形成されにくく、耐食性を十分に確保することができない場合がある。
【0007】
また、CMPコンディショナ11の表面に貴金属めっきを施した場合には、パッドのコンディショニングの際に貴金属成分がパッドに移ってしまうと、この貴金属成分がこのパッドを用いて研磨したウェーハに付着してしまう可能性がある。貴金属は化学的に安定していて、耐食性を有しているが、この性質のために、一旦ウェーハに付着してしまうと、酸洗い等では洗い落とすことは困難である。
【0008】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、高い耐食性を有しスラリによる腐食が生じにくいCMPコンディショナを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるCMPコンディショナは、砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相中に固着されてなる砥粒層が形成されており、少なくとも前記砥粒層の表面には、酸化クロムからなる第一の保護層が形成されていることを特徴としている。
【0010】
第一の保護層を構成する酸化クロムは高い耐食性と耐磨耗性を有しており、この酸化クロムからなる第一の保護層によって、砥粒層を構成する金属結合相がスラリから保護される。ここで、砥石基体自体が耐食性を有していない場合には、砥石基体において砥粒層が形成されていない部分の表面にも第一の保護層を形成してスラリから保護する。
この第一の保護層は電気めっきによって形成されるものである。このため、第一の保護層は、砥粒層において導体である金属結合相の表面や砥石基体の表面にのみ形成され、絶縁体である超砥粒上には形成されず、超砥粒の先端は露出された状態となる。
さらに、酸化クロムは絶縁体であるため、数μm程度のごく薄い膜が形成された後はめっきの成長が生じないので、第一の保護層の厚みは数μm程度となり、第一の保護層からの超砥粒の突出量が確保される。
また、第一の保護層を構成する酸化クロムの粒子は、一部が砥粒層の表面に拡散されることとなるので、第一の保護層は、砥粒層または砥石基体に対する付着強度が非常に高い。
【0011】
ここで、前記第一の保護層の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層を設けてもよい。
この場合には、第一の保護層に加えて第二の保護層によっても、砥粒層を構成する金属結合相が保護されることとなる。
第一の保護層は、酸化物の層であるため、通常のめっき層とは異なり、表面に微細な凹凸が形成されている。このため、第二の保護層を構成する耐食性を有する樹脂は第一の保護層に含浸されることとなり、第二の保護層の第一の保護層に対する付着強度が通常よりも高められる。
【0012】
また、この耐食性を有する樹脂は、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂としてもよい。
テフロン(登録商標)等の四ふっ化樹脂は、高い耐食性と撥水性とを有しているが、通常は溶媒に対して溶かすことができないので、薄く塗布することができず、膜厚を20μm以下とすることが困難である。このため、通常、第二の保護層を四ふっ化樹脂によって形成した場合には、超砥粒が第二の保護層に埋まってしまい、パッドの研削に作用しなくなってしまう。
これに対して、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂は、溶媒に溶かすことが可能であって薄く塗布することが可能であるから、第二の保護層として用いた場合にも、第二の保護層からの超砥粒の突出量を確保することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本実施の形態にかかるCMPコンディショナの部分縦断面図であって、図2は図1の拡大図である。
図1に示す本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20は、電着砥石(電着ホイール)で構成されており、例えばステンレス鋼からなる円板形状の台金21(砥石基体)の略円形をなす一面21a上に、NiもしくはNi基合金等からなる金属結合相22によって例えばダイヤモンド砥粒等の多数の超砥粒23…が固着されて砥粒層24を形成している。
CMPコンディショナ20は、超砥粒23が一層のみ形成されて金属結合相22によって固着された単層砥石であって、本実施の形態では、超砥粒23の平均粒径を160μmとしており、砥粒層24表面からの突出量は約60μmとしている。
【0014】
図2に示すように、このCMPコンディショナ20において、少なくとも砥粒層24の表面には、酸化クロムからなる第一の保護層25が形成されている。この第一の保護層25は、電気めっきによって台金21の一面21a上に形成されるものであって、超砥粒23自体は覆っていない。
本実施の形態では、台金21の一面21aにおいて砥粒層24上も含む全領域に、第一の保護層25を形成している。また、第一の保護層25の厚みD1は、2μmとしている。
【0015】
さらに、この第一の保護層25の上には、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26が設けられている。第二の保護層26を構成する樹脂としては、例えば二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂を用いることが好ましい。また、第二の保護層26の厚みD2は、3μm以上10μm以下とすることが好ましい。
本実施の形態では、第二の保護層26を構成する樹脂は、二ふっ化樹脂としており、第二の保護層26の厚みD2は5μmとしている。
【0016】
本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20は上述のように構成されており、次にこのCMPコンディショナ20の製造方法について説明する。
例えばSUS304等からなる円板形状の台金21の一面21aのうち、砥粒層24が形成される領域以外の部分にマスクを施し、露出状態にある領域に、NiめっきまたはNi基合金めっきによって金属結合相22を形成し、この金属結合相22によって超砥粒23を台金21の一面21a上に固着して砥粒層24を形成する。
【0017】
続いて、砥粒層24の表面も含む台金21の一面21a上に、電気めっきによって酸化クロムからなる第一の保護層25を形成する。
このめっき処理は、めっき浴として通常のクロムめっきと同じくサージェント浴(無水クロム酸100g/L〜400g/L、硫酸1g/L〜4g/L)を用いるものであって、めっき浴温度は−5°C〜−10°C、電流密度は10A/dm2〜60A/dm2とされる。本実施の形態では、めっき浴は、無水クロム酸250g/L、硫酸2.5g/L、めっき浴温度は−7°C、電流密度を30A/dm2としている。
【0018】
このような条件でめっきを行うことにより、砥粒層24上及び台金21上には、酸化した状態でクロムが析出して酸化クロムの被膜が形成される。
この第一の保護層25は電気めっきによって形成されるものであるから、台金21の表面と、砥粒層24において導体である金属結合相22の表面にのみ形成され、絶縁体である超砥粒23上には形成されず、超砥粒23の先端は露出された状態となる。
さらに、酸化クロムは絶縁体であるので、数μm程度のごく薄い膜が形成された後はめっきの成長が生じない。このため、このめっき処理によって形成される第一の保護層25の厚みD1は数μm程度となり、第一の保護層25からの超砥粒23の突出量が確保される。
ここで、第一の保護層25を構成する酸化クロムの粒子は、一部が砥粒層24及び台金21の表面に拡散されることとなるので、第一の保護層25は、砥粒層24及び台金21に対する付着強度が非常に高い。
【0019】
このように第一の保護層25を形成したのち、第一の保護層25の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26を形成する。
第二の保護層26を構成する樹脂は、例えば静電塗装によって第一の保護層25上に塗装される。この耐食性を有する樹脂は、溶媒に溶かすことが可能な二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂であるので、薄く塗布することが可能である。耐食性を有する樹脂としては、薄く塗布することが可能な材質であれば、他の任意の樹脂を用いることができる。
ここで、第一の保護層25は、酸化物の層であるため、通常のめっき層とは異なり、その表面には微細な凹凸が形成されている。このため、第二の保護層26を構成する樹脂は第一の保護層25に含浸されることとなり、第二の保護層26が、第一の保護層25に対して強固に結合する。
【0020】
このように構成されるCMPコンディショナ20は、従来のCMPコンディショナ11と同様にしてCMP装置においてパッドのコンディショニングに用いられる。
【0021】
このCMPコンディショナ20は、台金21の一面21aが、砥粒層24の表面及びその他の部分も含めて、耐食性の高い酸化クロムからなる第一の保護層25によって覆われているので、金属結合相22及び台金21がスラリから保護される。この第一の保護層25は、金属結合相22及び台金21に対する付着強度が非常に高く、また磨耗にも強いので、耐食性を長期にわたって継続させることができる。
さらに、本実施の形態では、第一の保護層25の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26を形成しており、金属結合相22及び台金21は二重に保護されている。第一の保護層25と第二の保護層26とは強固に結合しており、第二の保護層26の剥離が生じにくいので、寿命をさらに向上させることができる。
【0022】
このように、本実施形態にかかるCMPコンディショナ20は、スラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、長寿命である。
【0023】
また、この第一の保護層25は黒色であるので、CMPコンディショナ20の表面は黒色となる。これに対して、CMP装置に用いられるパッドやスラリは白色もしくはそれに近い明るい色をしているので、目視によって、または光学的な検査装置によって、コンディショナ20へのパッドの切屑やスラリの付着の様子(コンディショナ20の目詰まりの様子)を知ることができ、コンディショナ20の交換時期を容易に知ることができる。
【0024】
ここで、第一の保護層25の厚みD1が1μmよりも薄いと、第一の保護層25が薄すぎて、第一の保護層25による台金21や金属結合相22の保護が不十分となり、コンディショナ20の耐食性が不十分となってしまう。このことから、第一の保護層25の厚みD1は、1μm以上とすることが好ましい。なお、酸化クロムの層は、その性質上、2μmよりも厚く形成することは困難である。
【0025】
なお、本実施の形態では、CMPコンディショナ20を、第一の保護層25の上に第二の保護層26を形成した例を示したが、これに限られることなく、第一の保護層25のみを設けた構成としてもよい。
【0026】
【実施例】
次に、本発明にかかるCMPコンディショナの性能を調べるため、耐食性試験と研削性能試験を行った。以下、これらの試験について説明する。
これらの試験では、本発明にかかるCMPコンディショナとして、第1の保護層25の厚みD1=1μm、第二の保護層26の厚みD2=5μmとしたCMPコンディショナ(以下、実施例1とする)と、第二の保護層26が形成されていない以外は実施例1と同一の構成とされるCMPコンディショナ(以下、実施例2とする)とを用意し、比較のために、実施例2において第一の保護層25の厚みを0.5μmとしたCMPコンディショナ(以下、比較例とする)と、実施例1において第一、第二の保護層25、26を形成する代わりにエポキシ樹脂からなる保護層を形成したCMPコンディショナ(以下、従来例とする)とを用意した。
ここで、実施例1、2、比較例、及び従来例は、それぞれ、砥粒層24からの超砥粒23の突出量が60μmとされたCMPコンディショナに対して保護層を形成したものである。
【0027】
まず、耐食性能試験について説明する。
この試験では、これらのCMPコンディショナを用いて、図3に示すように、ウェーハ6の研磨と平行して、回転テーブル3上に貼り付けられたパッド4の研削を50時間連続して行った。そして、ウェーハ6の研磨には、スラリSとして、キャボット社製W−2000(過酸化水素含有量3%)を用いた。
【0028】
そして、5時間連続研磨した時点で、各砥石の状態を確認した。すると、従来例では、保護層の表面には金属結合相を構成するNiが大量に存在しており、砥粒層表面に保護層を形成しているにもかかわらず、金属結合相がスラリと接触して溶け出していることがわかる。これは、保護層の耐磨耗性不足のためと思われる。
また、比較例においても、第一の保護層25の表面にはNiが存在していた。これは、第一の保護層の厚みが十分でなかったためと思われる。
このことから、従来例及び比較例では、それぞれの保護層は十分な耐食性、耐久性を有していないことがわかる。
【0029】
これに対し、実施例2では、最表層である第一の保護層25の表面には、酸化クロムのみが存在し、金属結合相を構成するNiの溶出は生じていない。実施例1では、最表層である第二の保護層26の表面には、ふっ素樹脂のみが存在し、金属結合相を構成するNiの溶出は生じていない。
そして、さらに試験を継続すると、30時間経過した時点で実施例2でもNiの溶出が認められたが、実施例1ではNiの溶出は認められなかった。
また、50時間経過後においても同様に実施例1ではNiの溶出は認められなかった。
このことから、実施例1、2では、第一、第二の保護層25、26によって砥粒層24の金属結合相22が確実に保護されていることがわかる。特に、第一の保護層25の上に第二の保護層26を設けた実施例1では、金属結合相の保護がより確実に行われていることがわかる。
また、以上の試験結果からわかるように、十分な耐食性を得るためには、第一の保護層25の厚みD1は、1μm以上とすることが望ましい。
【0030】
次に、研削性能試験について説明する。
この研削性能試験では、上記耐食性試験における研削速度に基づいて研削性能を評価した。
これらCMPコンディショナの研削速度は、従来例では10μm/min、比較例では30μm/min、実施例1では30μm/min、実施例2では30μm/minであった。
このように、実施例1、2、及び比較例においては、研削速度は従来例よりも速い。このことから、実施例1、2、及び比較例では、超砥粒23の突出量が十分に確保されていてパッドの研削に十分に作用しており、従来例よりも研削性能が高いことがわかる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかるCMPコンディショナは、第一、第二の保護層によって金属結合相とスラリとの接触が防止されて、スラリによる腐食から保護することができ、さらにスラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、長寿命である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかるCMPコンディショナの構成を示す縦断面図である。
【図2】図1の拡大図である。
【図3】従来のCMP装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
20 CMPコンディショナ 21 台金(砥石基体)
21a一面 22 金属結合相
23 超砥粒 24 砥粒層
25 第一の保護層 26 第二の保護層
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等の被研磨材の表面をCMP装置によって研磨する際に用いられる研磨用のパッドをコンディショニングするため等に用いられる電着砥石に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンインゴットから切り出した半導体ウェーハ(以下、単にウェーハという)の表面を化学的且つ機械的に研磨するCMP装置(ケミカルメカニカルポリッシングマシン)の一例として、図3に示すような装置がある。このCMP装置1は、図3に示すように中心軸2に取り付けられた円板状の回転テーブル3上に例えば硬質ウレタンからなるポリッシング用のパッド4が設けられ、このパッド4に対向して且つパッド4の中心軸2から偏心した位置に自転可能なウェーハキャリア5が配設されている。このウェーハキャリア5はパッド4よりも小径の円板形状とされてウェーハ6を保持するものであり、このウェーハ6がウェーハキャリア5とパッド4間に配置されてパッド4側の表面の研磨に供され高精度に平坦化される。
【0003】
CMPによる研磨のメカニズムは、微粒子シリカ等によるメカニカルな要素(遊離砥粒)とアルカリ液や酸性液等によるエッチング要素とを複合したメカノ・ケミカル研磨法に基づいている。研磨に際して、例えば上述した微粒子シリカ等からなる遊離砥粒が研磨剤として用いられ、さらにエッチング用のアルカリ液等が混合されたものが液状のスラリSとしてパッド4上に供給されているため、このスラリSがウェーハキャリア5に保持されたウェーハ6とパッド4との間に流動して、パッド4でウェーハ6の一面が研磨される。
ウェーハ6の研磨を行う硬質ウレタン製などのパッド4上にはスラリSを保持する微細な発泡層が多数設けられており、これらの発泡層内に保持されたスラリSでウェーハ6の研磨が行われる。ところが、ウェーハ6の研磨を繰り返すことでパッド4の研磨面の平坦度が低下したり目詰まりを起こしたりするためにウェーハ6の研磨精度と研磨効率が低下するという問題が生じる。
【0004】
そのため、従来からCMP装置1には図3に示すようにパッドコンディショナ8が設けられ、パッド4の表面を定期的に再研磨または再研削(コンディショニング)するようになっている。このパッドコンディショナ8は、回転テーブル3の外部に設けられた回転軸9にアーム10を介してCMPコンディショナ11が取り付けられたものである。
そしてウェーハキャリア5でウェーハ6を研磨しながら或いはウェーハ6の研磨を停止した状態で、CMPコンディショナ11でパッド4を研削してパッド4の平坦度を回復または維持し、パッド4の発泡層の目詰まりを解消するようになっている。このCMPコンディショナ11は、通常、ダイヤモンド等の超砥粒をNi(ニッケル)またはNi基合金等で電気めっきによって固着した砥粒層を台金(砥石基体)に形成した構成になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ウェーハ6に設けられたタングステン材その他の金属材料の研磨に用いられるスラリ(例えばキャボット社製W−2000等)には、硝酸に加えて、金属材料のエッチングのために過酸化水素が2%から6%程度含まれている。過酸化水素は酸化力が強いために、パッド4のコンディショニングを繰り返すうちに、CMPコンディショナ11の台金や、砥粒層において超砥粒を台金に固着させている金属結合相を酸化させ、スラリに含まれる硝酸で腐食させてしまう。
このため、CMPコンディショナ11には、より高い耐食性を持たせるために、表面に耐食性を有するコーティングが施される。このようなコーティングとしては、耐食性を有する樹脂によるコーティングのほか、PVDによるセラミックスのコーティングや、貴金属めっきによるコーティング等がある。
【0006】
しかし、耐食性を有する樹脂、例えばふっ素系樹脂によるコーティングは、CMPコンディショナ11に対する付着強度が低く、その寿命が短かった。
また、PVD処理等によるセラミックスコーティングは、CMPコンディショナ11に対する付着強度は高いものの、PVD処理によって形成されるセラミックス層は、砥粒層の表面だけでなく、超砥粒の先端の上にも形成されてしまう。
セラミックスは高硬度であるので、このように超砥粒の先端にセラミックスが乗ってしまうと、CMPコンディショナ11の研削性能が変化してしまい、好ましくない。また、PVD処理によって形成されるセラミックス層は、PVDに用いた電極に対して影となる領域には形成されないので、超砥粒の付け根部分などにはセラミックス層が形成されにくく、耐食性を十分に確保することができない場合がある。
【0007】
また、CMPコンディショナ11の表面に貴金属めっきを施した場合には、パッドのコンディショニングの際に貴金属成分がパッドに移ってしまうと、この貴金属成分がこのパッドを用いて研磨したウェーハに付着してしまう可能性がある。貴金属は化学的に安定していて、耐食性を有しているが、この性質のために、一旦ウェーハに付着してしまうと、酸洗い等では洗い落とすことは困難である。
【0008】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、高い耐食性を有しスラリによる腐食が生じにくいCMPコンディショナを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるCMPコンディショナは、砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相中に固着されてなる砥粒層が形成されており、少なくとも前記砥粒層の表面には、酸化クロムからなる第一の保護層が形成されていることを特徴としている。
【0010】
第一の保護層を構成する酸化クロムは高い耐食性と耐磨耗性を有しており、この酸化クロムからなる第一の保護層によって、砥粒層を構成する金属結合相がスラリから保護される。ここで、砥石基体自体が耐食性を有していない場合には、砥石基体において砥粒層が形成されていない部分の表面にも第一の保護層を形成してスラリから保護する。
この第一の保護層は電気めっきによって形成されるものである。このため、第一の保護層は、砥粒層において導体である金属結合相の表面や砥石基体の表面にのみ形成され、絶縁体である超砥粒上には形成されず、超砥粒の先端は露出された状態となる。
さらに、酸化クロムは絶縁体であるため、数μm程度のごく薄い膜が形成された後はめっきの成長が生じないので、第一の保護層の厚みは数μm程度となり、第一の保護層からの超砥粒の突出量が確保される。
また、第一の保護層を構成する酸化クロムの粒子は、一部が砥粒層の表面に拡散されることとなるので、第一の保護層は、砥粒層または砥石基体に対する付着強度が非常に高い。
【0011】
ここで、前記第一の保護層の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層を設けてもよい。
この場合には、第一の保護層に加えて第二の保護層によっても、砥粒層を構成する金属結合相が保護されることとなる。
第一の保護層は、酸化物の層であるため、通常のめっき層とは異なり、表面に微細な凹凸が形成されている。このため、第二の保護層を構成する耐食性を有する樹脂は第一の保護層に含浸されることとなり、第二の保護層の第一の保護層に対する付着強度が通常よりも高められる。
【0012】
また、この耐食性を有する樹脂は、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂としてもよい。
テフロン(登録商標)等の四ふっ化樹脂は、高い耐食性と撥水性とを有しているが、通常は溶媒に対して溶かすことができないので、薄く塗布することができず、膜厚を20μm以下とすることが困難である。このため、通常、第二の保護層を四ふっ化樹脂によって形成した場合には、超砥粒が第二の保護層に埋まってしまい、パッドの研削に作用しなくなってしまう。
これに対して、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂は、溶媒に溶かすことが可能であって薄く塗布することが可能であるから、第二の保護層として用いた場合にも、第二の保護層からの超砥粒の突出量を確保することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本実施の形態にかかるCMPコンディショナの部分縦断面図であって、図2は図1の拡大図である。
図1に示す本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20は、電着砥石(電着ホイール)で構成されており、例えばステンレス鋼からなる円板形状の台金21(砥石基体)の略円形をなす一面21a上に、NiもしくはNi基合金等からなる金属結合相22によって例えばダイヤモンド砥粒等の多数の超砥粒23…が固着されて砥粒層24を形成している。
CMPコンディショナ20は、超砥粒23が一層のみ形成されて金属結合相22によって固着された単層砥石であって、本実施の形態では、超砥粒23の平均粒径を160μmとしており、砥粒層24表面からの突出量は約60μmとしている。
【0014】
図2に示すように、このCMPコンディショナ20において、少なくとも砥粒層24の表面には、酸化クロムからなる第一の保護層25が形成されている。この第一の保護層25は、電気めっきによって台金21の一面21a上に形成されるものであって、超砥粒23自体は覆っていない。
本実施の形態では、台金21の一面21aにおいて砥粒層24上も含む全領域に、第一の保護層25を形成している。また、第一の保護層25の厚みD1は、2μmとしている。
【0015】
さらに、この第一の保護層25の上には、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26が設けられている。第二の保護層26を構成する樹脂としては、例えば二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂を用いることが好ましい。また、第二の保護層26の厚みD2は、3μm以上10μm以下とすることが好ましい。
本実施の形態では、第二の保護層26を構成する樹脂は、二ふっ化樹脂としており、第二の保護層26の厚みD2は5μmとしている。
【0016】
本実施の形態にかかるCMPコンディショナ20は上述のように構成されており、次にこのCMPコンディショナ20の製造方法について説明する。
例えばSUS304等からなる円板形状の台金21の一面21aのうち、砥粒層24が形成される領域以外の部分にマスクを施し、露出状態にある領域に、NiめっきまたはNi基合金めっきによって金属結合相22を形成し、この金属結合相22によって超砥粒23を台金21の一面21a上に固着して砥粒層24を形成する。
【0017】
続いて、砥粒層24の表面も含む台金21の一面21a上に、電気めっきによって酸化クロムからなる第一の保護層25を形成する。
このめっき処理は、めっき浴として通常のクロムめっきと同じくサージェント浴(無水クロム酸100g/L〜400g/L、硫酸1g/L〜4g/L)を用いるものであって、めっき浴温度は−5°C〜−10°C、電流密度は10A/dm2〜60A/dm2とされる。本実施の形態では、めっき浴は、無水クロム酸250g/L、硫酸2.5g/L、めっき浴温度は−7°C、電流密度を30A/dm2としている。
【0018】
このような条件でめっきを行うことにより、砥粒層24上及び台金21上には、酸化した状態でクロムが析出して酸化クロムの被膜が形成される。
この第一の保護層25は電気めっきによって形成されるものであるから、台金21の表面と、砥粒層24において導体である金属結合相22の表面にのみ形成され、絶縁体である超砥粒23上には形成されず、超砥粒23の先端は露出された状態となる。
さらに、酸化クロムは絶縁体であるので、数μm程度のごく薄い膜が形成された後はめっきの成長が生じない。このため、このめっき処理によって形成される第一の保護層25の厚みD1は数μm程度となり、第一の保護層25からの超砥粒23の突出量が確保される。
ここで、第一の保護層25を構成する酸化クロムの粒子は、一部が砥粒層24及び台金21の表面に拡散されることとなるので、第一の保護層25は、砥粒層24及び台金21に対する付着強度が非常に高い。
【0019】
このように第一の保護層25を形成したのち、第一の保護層25の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26を形成する。
第二の保護層26を構成する樹脂は、例えば静電塗装によって第一の保護層25上に塗装される。この耐食性を有する樹脂は、溶媒に溶かすことが可能な二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂であるので、薄く塗布することが可能である。耐食性を有する樹脂としては、薄く塗布することが可能な材質であれば、他の任意の樹脂を用いることができる。
ここで、第一の保護層25は、酸化物の層であるため、通常のめっき層とは異なり、その表面には微細な凹凸が形成されている。このため、第二の保護層26を構成する樹脂は第一の保護層25に含浸されることとなり、第二の保護層26が、第一の保護層25に対して強固に結合する。
【0020】
このように構成されるCMPコンディショナ20は、従来のCMPコンディショナ11と同様にしてCMP装置においてパッドのコンディショニングに用いられる。
【0021】
このCMPコンディショナ20は、台金21の一面21aが、砥粒層24の表面及びその他の部分も含めて、耐食性の高い酸化クロムからなる第一の保護層25によって覆われているので、金属結合相22及び台金21がスラリから保護される。この第一の保護層25は、金属結合相22及び台金21に対する付着強度が非常に高く、また磨耗にも強いので、耐食性を長期にわたって継続させることができる。
さらに、本実施の形態では、第一の保護層25の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層26を形成しており、金属結合相22及び台金21は二重に保護されている。第一の保護層25と第二の保護層26とは強固に結合しており、第二の保護層26の剥離が生じにくいので、寿命をさらに向上させることができる。
【0022】
このように、本実施形態にかかるCMPコンディショナ20は、スラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、長寿命である。
【0023】
また、この第一の保護層25は黒色であるので、CMPコンディショナ20の表面は黒色となる。これに対して、CMP装置に用いられるパッドやスラリは白色もしくはそれに近い明るい色をしているので、目視によって、または光学的な検査装置によって、コンディショナ20へのパッドの切屑やスラリの付着の様子(コンディショナ20の目詰まりの様子)を知ることができ、コンディショナ20の交換時期を容易に知ることができる。
【0024】
ここで、第一の保護層25の厚みD1が1μmよりも薄いと、第一の保護層25が薄すぎて、第一の保護層25による台金21や金属結合相22の保護が不十分となり、コンディショナ20の耐食性が不十分となってしまう。このことから、第一の保護層25の厚みD1は、1μm以上とすることが好ましい。なお、酸化クロムの層は、その性質上、2μmよりも厚く形成することは困難である。
【0025】
なお、本実施の形態では、CMPコンディショナ20を、第一の保護層25の上に第二の保護層26を形成した例を示したが、これに限られることなく、第一の保護層25のみを設けた構成としてもよい。
【0026】
【実施例】
次に、本発明にかかるCMPコンディショナの性能を調べるため、耐食性試験と研削性能試験を行った。以下、これらの試験について説明する。
これらの試験では、本発明にかかるCMPコンディショナとして、第1の保護層25の厚みD1=1μm、第二の保護層26の厚みD2=5μmとしたCMPコンディショナ(以下、実施例1とする)と、第二の保護層26が形成されていない以外は実施例1と同一の構成とされるCMPコンディショナ(以下、実施例2とする)とを用意し、比較のために、実施例2において第一の保護層25の厚みを0.5μmとしたCMPコンディショナ(以下、比較例とする)と、実施例1において第一、第二の保護層25、26を形成する代わりにエポキシ樹脂からなる保護層を形成したCMPコンディショナ(以下、従来例とする)とを用意した。
ここで、実施例1、2、比較例、及び従来例は、それぞれ、砥粒層24からの超砥粒23の突出量が60μmとされたCMPコンディショナに対して保護層を形成したものである。
【0027】
まず、耐食性能試験について説明する。
この試験では、これらのCMPコンディショナを用いて、図3に示すように、ウェーハ6の研磨と平行して、回転テーブル3上に貼り付けられたパッド4の研削を50時間連続して行った。そして、ウェーハ6の研磨には、スラリSとして、キャボット社製W−2000(過酸化水素含有量3%)を用いた。
【0028】
そして、5時間連続研磨した時点で、各砥石の状態を確認した。すると、従来例では、保護層の表面には金属結合相を構成するNiが大量に存在しており、砥粒層表面に保護層を形成しているにもかかわらず、金属結合相がスラリと接触して溶け出していることがわかる。これは、保護層の耐磨耗性不足のためと思われる。
また、比較例においても、第一の保護層25の表面にはNiが存在していた。これは、第一の保護層の厚みが十分でなかったためと思われる。
このことから、従来例及び比較例では、それぞれの保護層は十分な耐食性、耐久性を有していないことがわかる。
【0029】
これに対し、実施例2では、最表層である第一の保護層25の表面には、酸化クロムのみが存在し、金属結合相を構成するNiの溶出は生じていない。実施例1では、最表層である第二の保護層26の表面には、ふっ素樹脂のみが存在し、金属結合相を構成するNiの溶出は生じていない。
そして、さらに試験を継続すると、30時間経過した時点で実施例2でもNiの溶出が認められたが、実施例1ではNiの溶出は認められなかった。
また、50時間経過後においても同様に実施例1ではNiの溶出は認められなかった。
このことから、実施例1、2では、第一、第二の保護層25、26によって砥粒層24の金属結合相22が確実に保護されていることがわかる。特に、第一の保護層25の上に第二の保護層26を設けた実施例1では、金属結合相の保護がより確実に行われていることがわかる。
また、以上の試験結果からわかるように、十分な耐食性を得るためには、第一の保護層25の厚みD1は、1μm以上とすることが望ましい。
【0030】
次に、研削性能試験について説明する。
この研削性能試験では、上記耐食性試験における研削速度に基づいて研削性能を評価した。
これらCMPコンディショナの研削速度は、従来例では10μm/min、比較例では30μm/min、実施例1では30μm/min、実施例2では30μm/minであった。
このように、実施例1、2、及び比較例においては、研削速度は従来例よりも速い。このことから、実施例1、2、及び比較例では、超砥粒23の突出量が十分に確保されていてパッドの研削に十分に作用しており、従来例よりも研削性能が高いことがわかる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかるCMPコンディショナは、第一、第二の保護層によって金属結合相とスラリとの接触が防止されて、スラリによる腐食から保護することができ、さらにスラリによる腐食を長期にわたって防止することができ、長寿命である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかるCMPコンディショナの構成を示す縦断面図である。
【図2】図1の拡大図である。
【図3】従来のCMP装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
20 CMPコンディショナ 21 台金(砥石基体)
21a一面 22 金属結合相
23 超砥粒 24 砥粒層
25 第一の保護層 26 第二の保護層
Claims (3)
- 砥石基体の一面に、超砥粒が金属結合相中に固着されてなる砥粒層が形成されており、
少なくとも前記砥粒層の表面には、酸化クロムからなる第一の保護層が形成されていることを特徴とするCMPコンディショナ。 - 前記第一の保護層の上に、耐食性を有する樹脂からなる第二の保護層が設けられていることを特徴とする請求項1記載のCMPコンディショナ。
- 前記耐食性を有する樹脂が、二ふっ化樹脂または三ふっ化樹脂とされていることを特徴とする請求項2記載のCMPコンディショナ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002230487A JP2004066409A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | Cmpコンディショナ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002230487A JP2004066409A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | Cmpコンディショナ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004066409A true JP2004066409A (ja) | 2004-03-04 |
Family
ID=32016549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002230487A Pending JP2004066409A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | Cmpコンディショナ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004066409A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009091140A2 (en) * | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. | Conditioner for chemical mechanical planarization pad |
JP2009184058A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Mitsubishi Materials Corp | 薄刃ブレードおよびその製造方法 |
US8342910B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-01-01 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
US8657652B2 (en) | 2007-08-23 | 2014-02-25 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Optimized CMP conditioner design for next generation oxide/metal CMP |
US8905823B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-09 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Corrosion-resistant CMP conditioning tools and methods for making and using same |
US8951099B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-02-10 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
JP2022064826A (ja) * | 2020-10-14 | 2022-04-26 | 中國砂輪企業股▲ふん▼有限公司 | 研磨パッドドレッサーおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-08-07 JP JP2002230487A patent/JP2004066409A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8657652B2 (en) | 2007-08-23 | 2014-02-25 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Optimized CMP conditioner design for next generation oxide/metal CMP |
WO2009091140A2 (en) * | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. | Conditioner for chemical mechanical planarization pad |
WO2009091140A3 (en) * | 2008-01-15 | 2009-10-08 | Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. | Conditioner for chemical mechanical planarization pad |
JP2009184058A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Mitsubishi Materials Corp | 薄刃ブレードおよびその製造方法 |
US8342910B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-01-01 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
US9022840B2 (en) | 2009-03-24 | 2015-05-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
US8905823B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-09 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Corrosion-resistant CMP conditioning tools and methods for making and using same |
US8951099B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-02-10 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
JP2022064826A (ja) * | 2020-10-14 | 2022-04-26 | 中國砂輪企業股▲ふん▼有限公司 | 研磨パッドドレッサーおよびその製造方法 |
JP7281502B2 (ja) | 2020-10-14 | 2023-05-25 | 中國砂輪企業股▲ふん▼有限公司 | 研磨パッドドレッサーおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2896657B2 (ja) | ドレッサ及びその製造方法 | |
JP3895840B2 (ja) | Cmp用コンディショナ及びその製造方法 | |
JP2007528299A (ja) | 絶縁パッドコンディショナおよびその使用方法 | |
JPH10128654A (ja) | Cmp装置及び該cmp装置に用いることのできる研磨布 | |
JP6014835B2 (ja) | Cmpパッドコンディショナおよび当該cmpパッドコンディショナの製造方法 | |
JP2000106353A (ja) | 半導体基板用研磨布のドレッサ― | |
JP2004066409A (ja) | Cmpコンディショナ | |
JP3969047B2 (ja) | Cmpコンディショナ及びその製造方法 | |
US20220111488A1 (en) | Polishing pad conditioner and manufacturing method thereof | |
JP2009136926A (ja) | コンディショナおよびコンディショニング方法 | |
TWI531444B (zh) | 陰極保護墊調節器及其使用方法 | |
JP2008229775A (ja) | Cmpパッドコンディショナー | |
JP2002337050A (ja) | Cmpコンディショナ | |
JP2001315062A (ja) | 電着砥石及びその製造方法 | |
JP2003094332A (ja) | Cmpコンディショナ | |
JP2000246646A (ja) | 電着砥石 | |
JP4470559B2 (ja) | 極薄刃砥石およびその製造方法 | |
JP3293579B2 (ja) | 電着砥石 | |
JP2002331460A (ja) | 電着砥石 | |
JPS63251171A (ja) | 極薄刃砥石 | |
JP2004306220A (ja) | Cmpコンディショナ | |
JP2000288939A (ja) | 電着砥石及びその製造方法 | |
JP2000246650A (ja) | 耐食性砥石 | |
JP2002127011A (ja) | Cmpコンディショナ | |
JP2002264014A (ja) | Cmpコンディショナ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080205 |