JP2000052254A - 超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超薄膜砥石による切断方法 - Google Patents
超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超薄膜砥石による切断方法Info
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- JP2000052254A JP2000052254A JP10224225A JP22422598A JP2000052254A JP 2000052254 A JP2000052254 A JP 2000052254A JP 10224225 A JP10224225 A JP 10224225A JP 22422598 A JP22422598 A JP 22422598A JP 2000052254 A JP2000052254 A JP 2000052254A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石と
する。 【解決手段】 薄板円盤状のニッケルメッキ盤１１にダ
イヤモンド砥粒１２を規則的に配すると共に、ニッケル
メッキ盤１１の径方向の中心部位の両面に補強板１３を
設け、寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石１４と
する。
する。 【解決手段】 薄板円盤状のニッケルメッキ盤１１にダ
イヤモンド砥粒１２を規則的に配すると共に、ニッケル
メッキ盤１１の径方向の中心部位の両面に補強板１３を
設け、寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石１４と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド砥粒
を含有する超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超
薄膜砥石による切断方法に関する。
を含有する超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超
薄膜砥石による切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハー等の高脆性材料を切断
する場合、ダイヤモンドホイールによる研削切断や遊離
砥粒によるワイヤー切断により実施されている。
する場合、ダイヤモンドホイールによる研削切断や遊離
砥粒によるワイヤー切断により実施されている。
【０００３】図７にはシリコンウエハー等の高脆性材料
を切断するダイヤモンドホイールの断面を示してある。
図７に示すように、ダイヤモンドホイール１は、基板２
上に高分子材料のバインダー３が配され、バインダー３
の表面にダイヤモンド砥粒４が塗布されて構成されてい
る。ダイヤモンドホイール１を使用した場合、切断速度
が高くランニングコストが比較的低い。
を切断するダイヤモンドホイールの断面を示してある。
図７に示すように、ダイヤモンドホイール１は、基板２
上に高分子材料のバインダー３が配され、バインダー３
の表面にダイヤモンド砥粒４が塗布されて構成されてい
る。ダイヤモンドホイール１を使用した場合、切断速度
が高くランニングコストが比較的低い。
【０００４】図８には遊離砥粒によるワイヤー切断の状
況を示してある。図８に示すように、ワイヤー５が駆動
ロール６及び一対の補助ロール７に掛け回され、一対の
補助ロール７の間のワイヤー５に非切断材８が押し付け
られる。ワイヤー５の駆動により非切断材８が切断さ
れ、切断部位には砥粒（ＧＣ）９が供給される。ワイヤ
ー切断を使用した場合、口径の制約がなく砥粒９として
ＧＣを用いるため切断速度は低いがマルチ加工が可能
で、一度に数多くのウエハーを加工できるため生産能率
が高い。また、加工変質層がダイヤモンドホイール１を
用いた研削切断に比較して小さい。
況を示してある。図８に示すように、ワイヤー５が駆動
ロール６及び一対の補助ロール７に掛け回され、一対の
補助ロール７の間のワイヤー５に非切断材８が押し付け
られる。ワイヤー５の駆動により非切断材８が切断さ
れ、切断部位には砥粒（ＧＣ）９が供給される。ワイヤ
ー切断を使用した場合、口径の制約がなく砥粒９として
ＧＣを用いるため切断速度は低いがマルチ加工が可能
で、一度に数多くのウエハーを加工できるため生産能率
が高い。また、加工変質層がダイヤモンドホイール１を
用いた研削切断に比較して小さい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンドホイール
１は、バインダー３の表面にダイヤモンド砥粒４を塗布
しているため、ダイヤモンドホイール１の表面が粗く切
断面の平滑度が低くなってしまい、使用目的によっては
切断面を再研摩する必要があった。また、ダイヤモンド
ホイール１の基板２は相当の厚みがあるため、切断代が
大きくなり、高価な材料の場合損失が大きくなってい
た。また、ダイヤモンドホイール１を使用した切断で
は、バインダー３の保持力が小さいため、切断時の応力
や熱膨張差によりダイヤモンド砥粒４が早期に脱落して
しまっていた。
１は、バインダー３の表面にダイヤモンド砥粒４を塗布
しているため、ダイヤモンドホイール１の表面が粗く切
断面の平滑度が低くなってしまい、使用目的によっては
切断面を再研摩する必要があった。また、ダイヤモンド
ホイール１の基板２は相当の厚みがあるため、切断代が
大きくなり、高価な材料の場合損失が大きくなってい
た。また、ダイヤモンドホイール１を使用した切断で
は、バインダー３の保持力が小さいため、切断時の応力
や熱膨張差によりダイヤモンド砥粒４が早期に脱落して
しまっていた。
【０００６】ワイヤー５を使用した切断では、オイルを
用いた遊離砥粒を使用するため、切断精度には限界があ
り、また、作業環境が悪く産業廃棄物が多いといった問
題があった。
用いた遊離砥粒を使用するため、切断精度には限界があ
り、また、作業環境が悪く産業廃棄物が多いといった問
題があった。
【０００７】本発明は上記状況に鑑みてなされたもの
で、寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石及び超薄
膜砥石の製造方法を提供することを目的とする。また、
寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石を用いた効率
のよい切断方法を提供することを目的とする。
で、寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石及び超薄
膜砥石の製造方法を提供することを目的とする。また、
寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石を用いた効率
のよい切断方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の超薄膜砥石は、薄板円盤状のニッケルメッキ盤
にダイヤモンド砥粒を規則的に配すると共に、ニッケル
メッキ盤の径方向の中心部位の両面に補強板を設けたこ
とを特徴とする。
本発明の超薄膜砥石は、薄板円盤状のニッケルメッキ盤
にダイヤモンド砥粒を規則的に配すると共に、ニッケル
メッキ盤の径方向の中心部位の両面に補強板を設けたこ
とを特徴とする。
【０００９】また、上記目的を達成するため本発明の超
薄膜砥石の製造方法は、アルミ円盤基板にフォトレジス
トで砥粒配置穴を規則的にパターンニングして砥粒配置
穴にダイヤモンド砥粒を超音波で均一配分し、ニッケル
メッキでフォトレジスト上にダイヤモンド砥粒の高さま
でオーバメッキを行ない、オーバメッキ側をマスキング
してアルミ円盤基板をアルカリ溶液で溶解してニッケル
メッキ面を露出させることでダイヤモンド砥粒が規則的
に配されたニッケルメッキ盤とし、酸溶液中で電解によ
り砥石両面をドレッシングしてダイヤモンド砥粒を均一
に頭出しし、ニッケルメッキ盤の径方向の中心部位の両
面に補強板を取り付けたことを特徴とする。
薄膜砥石の製造方法は、アルミ円盤基板にフォトレジス
トで砥粒配置穴を規則的にパターンニングして砥粒配置
穴にダイヤモンド砥粒を超音波で均一配分し、ニッケル
メッキでフォトレジスト上にダイヤモンド砥粒の高さま
でオーバメッキを行ない、オーバメッキ側をマスキング
してアルミ円盤基板をアルカリ溶液で溶解してニッケル
メッキ面を露出させることでダイヤモンド砥粒が規則的
に配されたニッケルメッキ盤とし、酸溶液中で電解によ
り砥石両面をドレッシングしてダイヤモンド砥粒を均一
に頭出しし、ニッケルメッキ盤の径方向の中心部位の両
面に補強板を取り付けたことを特徴とする。
【００１０】また、上記目的を達成するための本発明の
超薄膜砥石による切断方法は、上述した超薄膜砥石もし
くは上述した方法で製造された超薄膜砥石を、切削間隔
と略等しい間隔で駆動軸に複数枚装着し、駆動軸の駆動
により複数枚の超薄膜砥石で同時に切断を行うことを特
徴とする。
超薄膜砥石による切断方法は、上述した超薄膜砥石もし
くは上述した方法で製造された超薄膜砥石を、切削間隔
と略等しい間隔で駆動軸に複数枚装着し、駆動軸の駆動
により複数枚の超薄膜砥石で同時に切断を行うことを特
徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１には本発明の一実施形態例に
係る超薄膜砥石の要部断面、図２には図１中のII-II 線
矢視を示してある。また、図３には本発明の一実施形態
例に係る超薄膜砥石の製造方法の工程説明を示してあ
る。
係る超薄膜砥石の要部断面、図２には図１中のII-II 線
矢視を示してある。また、図３には本発明の一実施形態
例に係る超薄膜砥石の製造方法の工程説明を示してあ
る。
【００１２】図１、図２に示すように、薄板円盤状のニ
ッケルメッキ盤１１にはダイヤモンド砥粒１２が規則的
に配され、ニッケルメッキ盤１１の盤面の両側にダイヤ
モンド砥粒１２が露出している。ニッケルメッキ盤１１
の径方向の中心部位の両面には補強板１３が設けられて
超薄膜砥石１４が構成されている。
ッケルメッキ盤１１にはダイヤモンド砥粒１２が規則的
に配され、ニッケルメッキ盤１１の盤面の両側にダイヤ
モンド砥粒１２が露出している。ニッケルメッキ盤１１
の径方向の中心部位の両面には補強板１３が設けられて
超薄膜砥石１４が構成されている。
【００１３】図１乃至図３に基づいて超薄膜砥石１４の
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
【００１４】ダイヤモンド砥粒１２として、メッシング
により（切断代＋０μｍ）〜（切断代−５μｍ）の粒径
の範囲のものを準備した。図３に示すように、アルミ円
盤基板２１に膜厚１μｍ〜10μｍのフォトレジスト２２
で砥粒配置穴２３を規則的にパターニングし、準備した
ダイヤモンド砥粒１２を砥粒配置穴２３に超音波で均一
分配配置する。
により（切断代＋０μｍ）〜（切断代−５μｍ）の粒径
の範囲のものを準備した。図３に示すように、アルミ円
盤基板２１に膜厚１μｍ〜10μｍのフォトレジスト２２
で砥粒配置穴２３を規則的にパターニングし、準備した
ダイヤモンド砥粒１２を砥粒配置穴２３に超音波で均一
分配配置する。
【００１５】ダイヤモンド砥粒１２を配分した後、ニッ
ケルメッキ２４でフォトレジスト２２上にダイヤモンド
砥粒１２の高さまで電気でオーバメッキを行なう。オー
バメッキ側をマスキングし、アルミ円盤基板２１をアル
カリ溶液で溶解してニッケルメッキ２４の面を露出させ
る。これにより、ダイヤモンド砥粒１２が規則的に配さ
れたニッケルメッキ盤１１とされる。
ケルメッキ２４でフォトレジスト２２上にダイヤモンド
砥粒１２の高さまで電気でオーバメッキを行なう。オー
バメッキ側をマスキングし、アルミ円盤基板２１をアル
カリ溶液で溶解してニッケルメッキ２４の面を露出させ
る。これにより、ダイヤモンド砥粒１２が規則的に配さ
れたニッケルメッキ盤１１とされる。
【００１６】ニッケルメッキ盤１１を酸溶液中で電解に
より砥石両面を電解ドレッシングし、図１、図２に示す
ように、ダイヤモンド砥粒１２を均一に頭出しする。最
後にニッケルメッキ盤１１の径方向の中心部位の両面に
補強板１３を取り付けて超薄膜砥石１４とする。超薄膜
砥石１４は、高速回転させることにより遠心力で歪が是
正される。
より砥石両面を電解ドレッシングし、図１、図２に示す
ように、ダイヤモンド砥粒１２を均一に頭出しする。最
後にニッケルメッキ盤１１の径方向の中心部位の両面に
補強板１３を取り付けて超薄膜砥石１４とする。超薄膜
砥石１４は、高速回転させることにより遠心力で歪が是
正される。
【００１７】上述した超薄膜砥石１４は、切削間隔と略
等しい間隔でスペーサを介して駆動軸に複数枚装着さ
れ、駆動軸の駆動により複数枚の超薄膜砥石１４で同時
に切断が実施される。これにより、高脆性材料をロスな
く効率的に切断することができる。
等しい間隔でスペーサを介して駆動軸に複数枚装着さ
れ、駆動軸の駆動により複数枚の超薄膜砥石１４で同時
に切断が実施される。これにより、高脆性材料をロスな
く効率的に切断することができる。
【００１８】次に、上述した超薄膜砥石１４を製作した
場合の具体例を説明する。
場合の具体例を説明する。
【００１９】厚さ10μｍ、直径８インチのアルミ円盤基
板２１の片面を平坦度0.1 μｍに仕上げ、その表面に膜
厚５μｍのフォトレジスト２２で直径60μｍの砥粒配置
穴２３をパターニングした。砥粒配置穴２３のパターン
は、120 μｍピッチで正三角形状に配列した。ダイヤモ
ンド砥粒１２をメッシングして、粒径を（50μｍ＋０μ
ｍ）〜（50μｍ−５μｍ）の範囲に揃えた。ダイヤモン
ド砥粒１２を塩化ニッケルメッキ液中でアルミ円盤基板
２１のフォトレジスト２２上に乗せて、超音波（28KHz,
５分間）で砥粒配置穴２３に配置した。
板２１の片面を平坦度0.1 μｍに仕上げ、その表面に膜
厚５μｍのフォトレジスト２２で直径60μｍの砥粒配置
穴２３をパターニングした。砥粒配置穴２３のパターン
は、120 μｍピッチで正三角形状に配列した。ダイヤモ
ンド砥粒１２をメッシングして、粒径を（50μｍ＋０μ
ｍ）〜（50μｍ−５μｍ）の範囲に揃えた。ダイヤモン
ド砥粒１２を塩化ニッケルメッキ液中でアルミ円盤基板
２１のフォトレジスト２２上に乗せて、超音波（28KHz,
５分間）で砥粒配置穴２３に配置した。
【００２０】微電流（電流密度1mA/cm2)で4 時間メッキ
を行ない、メッキ液からアルミ円盤基板２１を取り出
し、フォトレジスト２２上の余分なダイヤモンド砥粒１
２を水流で除去した。その後、塩酸１Ｎ溶液に１分間浸
漬した後に再度メッキ液に浸漬し、電流密度100mA/cm2
の電流で１時間メッキを行った。
を行ない、メッキ液からアルミ円盤基板２１を取り出
し、フォトレジスト２２上の余分なダイヤモンド砥粒１
２を水流で除去した。その後、塩酸１Ｎ溶液に１分間浸
漬した後に再度メッキ液に浸漬し、電流密度100mA/cm2
の電流で１時間メッキを行った。
【００２１】アルミ円盤基板２１のニッケルメッキ側を
ターコ樹脂でマスキングし、水酸化ナトリウム(NaOH)10
wt％、60℃の溶液中で１２時間アルミを溶解した。ニッ
ケルメッキ面が露出した後、砥石をNaOH溶液から取り出
してニッケルメッキ側のマスキングを除去した。マスキ
ングを除去した後、砥石を、クエン酸50％＋硫酸15％、
60℃の溶液中で電流密度15A/dm2 で30秒間電解した。こ
れにより、ダイヤモンド砥粒１２が均一に頭出しされ
る。
ターコ樹脂でマスキングし、水酸化ナトリウム(NaOH)10
wt％、60℃の溶液中で１２時間アルミを溶解した。ニッ
ケルメッキ面が露出した後、砥石をNaOH溶液から取り出
してニッケルメッキ側のマスキングを除去した。マスキ
ングを除去した後、砥石を、クエン酸50％＋硫酸15％、
60℃の溶液中で電流密度15A/dm2 で30秒間電解した。こ
れにより、ダイヤモンド砥粒１２が均一に頭出しされ
る。
【００２２】この際のダイヤモンド砥粒１２の先端の揃
い状況を図４に示してある。図に示すように、表面の突
出端精度は、0.1 μｍ以内に抑えられていることが判
る。
い状況を図４に示してある。図に示すように、表面の突
出端精度は、0.1 μｍ以内に抑えられていることが判
る。
【００２３】図５に示すように、超薄膜砥石１４を回転
軸３１に取付け、回転数8000rpm でワーク３２を切断し
た。尚、図中の符号で、３３はIPT 電極、34はIPD 電極
である。切断した時の切断面の粗さを測定した結果を図
６に示してある。図６(a) に示したように、本実施形態
例のものは、切断代が50μｍであり切断面が約0.1 μｍ
以下の平滑性を有している。図６(b) に示したように、
従来のボンド砥石の場合、切断代が300 μｍであり切断
面が粗い状態（本実施形態例の10倍以上）になってい
る。
軸３１に取付け、回転数8000rpm でワーク３２を切断し
た。尚、図中の符号で、３３はIPT 電極、34はIPD 電極
である。切断した時の切断面の粗さを測定した結果を図
６に示してある。図６(a) に示したように、本実施形態
例のものは、切断代が50μｍであり切断面が約0.1 μｍ
以下の平滑性を有している。図６(b) に示したように、
従来のボンド砥石の場合、切断代が300 μｍであり切断
面が粗い状態（本実施形態例の10倍以上）になってい
る。
【００２４】上述した超薄膜砥石１４（電着ブレード）
を使用してシリコンウエハーを切断した場合と、従来の
ワイヤー切断を使用してシリコンウエハーを切断した場
合との比較を説明する。直径300mm 円柱状のシリコンウ
エハーから厚さ１mmのチップを切り出した場合を説明す
る。
を使用してシリコンウエハーを切断した場合と、従来の
ワイヤー切断を使用してシリコンウエハーを切断した場
合との比較を説明する。直径300mm 円柱状のシリコンウ
エハーから厚さ１mmのチップを切り出した場合を説明す
る。
【００２５】ワイヤー切断の場合の切断代は300 μｍで
あり、超薄膜砥石１４の切断代は50μｍであるため、超
薄膜砥石１４で切断した場合の損失は少ない。また、超
薄膜砥石１４でシリコンウエハーを切断した場合のチッ
プの切り出し個数は、ワイヤー切断に比べて約1.5 倍多
くなる。また、切断速度は、超薄膜砥石１４の場合一枚
につき20mm/secとなり、ワイヤー切断の場合一本につき
５×10-3mm/secとなるため、超薄膜砥石１４の切断速度
が４倍以上速くなり、従って、加工時間も1/4程度とな
る。
あり、超薄膜砥石１４の切断代は50μｍであるため、超
薄膜砥石１４で切断した場合の損失は少ない。また、超
薄膜砥石１４でシリコンウエハーを切断した場合のチッ
プの切り出し個数は、ワイヤー切断に比べて約1.5 倍多
くなる。また、切断速度は、超薄膜砥石１４の場合一枚
につき20mm/secとなり、ワイヤー切断の場合一本につき
５×10-3mm/secとなるため、超薄膜砥石１４の切断速度
が４倍以上速くなり、従って、加工時間も1/4程度とな
る。
【００２６】更に、ワイヤー切断の場合、遊離砥粒によ
りワイヤー自身も摩耗するため、ワイヤーの寿命が短く
頻繁に交換が必要となり、作業効率が悪い。超薄膜砥石
１４は、ダイヤモンド砥粒１２が欠落し切断面を傷付け
ることがない。また、ニッケルメッキ２４でダイヤモン
ド砥粒１２を保持しているため、摩耗するまで保持でき
るので、砥石の寿命が非常に長い。
りワイヤー自身も摩耗するため、ワイヤーの寿命が短く
頻繁に交換が必要となり、作業効率が悪い。超薄膜砥石
１４は、ダイヤモンド砥粒１２が欠落し切断面を傷付け
ることがない。また、ニッケルメッキ２４でダイヤモン
ド砥粒１２を保持しているため、摩耗するまで保持でき
るので、砥石の寿命が非常に長い。
【００２７】
【発明の効果】本発明の超薄膜砥石は、薄板円盤状のニ
ッケルメッキ盤にダイヤモンド砥粒を規則的に配すると
共に、ニッケルメッキ盤の径方向の中心部位の両面に補
強板を設けたので、寿命が長く切断面の精度が高い超薄
膜砥石とすることができる。
ッケルメッキ盤にダイヤモンド砥粒を規則的に配すると
共に、ニッケルメッキ盤の径方向の中心部位の両面に補
強板を設けたので、寿命が長く切断面の精度が高い超薄
膜砥石とすることができる。
【００２８】本発明の超薄膜砥石の製造方法は、アルミ
円盤基板にフォトレジストで砥粒配置穴を規則的にパタ
ーンニングして砥粒配置穴にダイヤモンド砥粒を超音波
で均一配分し、ニッケルメッキでフォトレジスト上にダ
イヤモンド砥粒の高さまでオーバメッキを行ない、オー
バメッキ側をマスキングしてアルミ円盤基板をアルカリ
溶液で溶解してニッケルメッキ面を露出させることでダ
イヤモンド砥粒が規則的に配されたニッケルメッキ盤と
し、酸溶液中で電解により砥石両面をドレッシングして
ダイヤモンド砥粒を均一に頭出しし、ニッケルメッキ盤
の径方向の中心部位の両面に補強板を取り付けたので、
寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石を製作するこ
とが可能となる。
円盤基板にフォトレジストで砥粒配置穴を規則的にパタ
ーンニングして砥粒配置穴にダイヤモンド砥粒を超音波
で均一配分し、ニッケルメッキでフォトレジスト上にダ
イヤモンド砥粒の高さまでオーバメッキを行ない、オー
バメッキ側をマスキングしてアルミ円盤基板をアルカリ
溶液で溶解してニッケルメッキ面を露出させることでダ
イヤモンド砥粒が規則的に配されたニッケルメッキ盤と
し、酸溶液中で電解により砥石両面をドレッシングして
ダイヤモンド砥粒を均一に頭出しし、ニッケルメッキ盤
の径方向の中心部位の両面に補強板を取り付けたので、
寿命が長く切断面の精度が高い超薄膜砥石を製作するこ
とが可能となる。
【００２９】本発明の超薄膜砥石による切断方法は、上
述した超薄膜砥石を、切削間隔と略等しい間隔で駆動軸
に複数枚装着し、駆動軸の駆動により複数枚の超薄膜砥
石で同時に切断を行うようにしたので、寿命が長く切断
面の精度が高い超薄膜砥石を用いた効率のよい切断が可
能となる。
述した超薄膜砥石を、切削間隔と略等しい間隔で駆動軸
に複数枚装着し、駆動軸の駆動により複数枚の超薄膜砥
石で同時に切断を行うようにしたので、寿命が長く切断
面の精度が高い超薄膜砥石を用いた効率のよい切断が可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態例に係る超薄膜砥石の要部
断面図。
断面図。
【図２】図１中のII-II 線矢視図。
【図３】本発明の一実施形態例に係る超薄膜砥石の製造
方法の工程説明図。
方法の工程説明図。
【図４】砥粒の先端の揃い状況を表すグラフ。
【図５】切断状況を表す斜視図。
【図６】切断面の粗さを表すグラフ。
【図７】従来のダイヤモンドホイールの断面図。
【図８】従来のワイヤー切断の状況を表す説明図。
１１ ニッケルメッキ盤 １２ ダイヤモンド砥粒 １３ 補助板 １４ 超薄膜砥石 ２１ アルミ円盤基板 ２２ フォトレジスト ２３ 砥粒配置穴 ２４ ニッケルメッキ ３１ 回転軸 ３２ ワーク ３３ IPT 電極 ３４ IPD 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｄ 3/06 Ｂ２４Ｄ 3/06 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 薄板円盤状のニッケルメッキ盤にダイヤ
モンド砥粒を規則的に配すると共に、ニッケルメッキ盤
の径方向の中心部位の両面に補強板を設けたことを特徴
とする超薄膜砥石。 - 【請求項２】 アルミ円盤基板にフォトレジストで砥粒
配置穴を規則的にパターンニングして砥粒配置穴にダイ
ヤモンド砥粒を超音波で均一配分し、ニッケルメッキで
フォトレジスト上にダイヤモンド砥粒の高さまでオーバ
メッキを行ない、オーバメッキ側をマスキングしてアル
ミ円盤基板をアルカリ溶液で溶解してニッケルメッキ面
を露出させることでダイヤモンド砥粒が規則的に配され
たニッケルメッキ盤とし、酸溶液中で電解により砥石両
面をドレッシングしてダイヤモンド砥粒を均一に頭出し
し、ニッケルメッキ盤の径方向の中心部位の両面に補強
板を取り付けたことを特徴とする超薄膜砥石の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の超薄膜砥石もしくは請
求項２で製造された超薄膜砥石を、切削間隔と略等しい
間隔で駆動軸に複数枚装着し、駆動軸の駆動により複数
枚の超薄膜砥石で同時に切断を行うことを特徴とする超
薄膜砥石による切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224225A JP2000052254A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超薄膜砥石による切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224225A JP2000052254A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 超薄膜砥石及び超薄膜砥石の製造方法及び超薄膜砥石による切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000052254A true JP2000052254A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16810474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1998
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