JP3261687B2 - パッドコンディショナー及びその製造方法 - Google Patents
パッドコンディショナー及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウエハ等
の研磨用パッドの表面状態を調整するためのパッドコン
ディショナー及びその製造方法に関する。
の研磨用パッドの表面状態を調整するためのパッドコン
ディショナー及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウエハ等の研磨に用いられ
るパッド（研磨布）は研磨時間の経過とともに、目詰ま
りや圧縮変形により、表面状態が次第に変化する。これ
に伴い研磨速度の低下等好ましくない現象が起こるの
で、パッドコンディショナーを用いてパッド表面を荒ら
し、パッド表面状態を一定に保つ工夫が行われている。
るパッド（研磨布）は研磨時間の経過とともに、目詰ま
りや圧縮変形により、表面状態が次第に変化する。これ
に伴い研磨速度の低下等好ましくない現象が起こるの
で、パッドコンディショナーを用いてパッド表面を荒ら
し、パッド表面状態を一定に保つ工夫が行われている。
【０００３】また近年、半導体装置の製造工程途中にお
いても凹凸を平坦化するために研磨が用いられるように
なってきた。その際には、凸部と凹部の研磨速度比を大
きく取る目的で、独立気泡型硬質ポリウレタンのパッド
など、より強力な表面調整を必要とするパッドを使用す
る場合が増えてきた。
いても凹凸を平坦化するために研磨が用いられるように
なってきた。その際には、凸部と凹部の研磨速度比を大
きく取る目的で、独立気泡型硬質ポリウレタンのパッド
など、より強力な表面調整を必要とするパッドを使用す
る場合が増えてきた。
【０００４】ところで、従来、パッドコンディショナー
として、次のような技術が知られている。
として、次のような技術が知られている。
【０００５】第１に、表面に複数の溝や穴を形成したア
ルミナ等の焼結体治具を用いるものである。図２から図
７にその形状の例を示す。溝や穴を形成した面が表面で
あり、調整すべきパッドの表面に押し当てられる。円盤
状のパッドコンディショナー（図２から図４）は回転
し、場合によっては並進運動も伴ってパッド表面全体を
均一に調整する。直方体状のパッドコンディショナー
（図５から図７）はパッド上を並進運動してパッドの表
面状態を調整する。
ルミナ等の焼結体治具を用いるものである。図２から図
７にその形状の例を示す。溝や穴を形成した面が表面で
あり、調整すべきパッドの表面に押し当てられる。円盤
状のパッドコンディショナー（図２から図４）は回転
し、場合によっては並進運動も伴ってパッド表面全体を
均一に調整する。直方体状のパッドコンディショナー
（図５から図７）はパッド上を並進運動してパッドの表
面状態を調整する。
【０００６】第２に、ダイヤモンド電着プレートと呼ば
れるものがある。
れるものがある。
【０００７】図９にダイヤモンド電着部の断面図を、図
１０（ａ），（ｂ）に、全体形状の側面図、正面図をそ
れぞれ示す。本パッドコンディショナーでは、表面状態
の調整作用を大きくするためにダイヤモンド砥粒６が用
いられている。支持基板４にはステンレス鋼が、ダイヤ
モンドを保持する材料５としては接着力の観点からニッ
ケルがもっぱら用いられている。
１０（ａ），（ｂ）に、全体形状の側面図、正面図をそ
れぞれ示す。本パッドコンディショナーでは、表面状態
の調整作用を大きくするためにダイヤモンド砥粒６が用
いられている。支持基板４にはステンレス鋼が、ダイヤ
モンドを保持する材料５としては接着力の観点からニッ
ケルがもっぱら用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した第１
及び第２のいずれの従来例に係るパッドコンディショナ
ーにおいても、それを用いてパッドの調整を行った場合
には、最終的な半導体装置の特性の劣化（例えば、ｐｎ
接合リーク電流の増加）が生じ、また、製品歩留まりが
必ずしも良好ではない。
及び第２のいずれの従来例に係るパッドコンディショナ
ーにおいても、それを用いてパッドの調整を行った場合
には、最終的な半導体装置の特性の劣化（例えば、ｐｎ
接合リーク電流の増加）が生じ、また、製品歩留まりが
必ずしも良好ではない。
【０００９】また、第１の従来例の場合には、アルミ
ナ、マグネシア、シリカ等の焼結体は硬度が十分でな
く、パッド表面の調整作用を長期間安定に保つことはで
きなかった。
ナ、マグネシア、シリカ等の焼結体は硬度が十分でな
く、パッド表面の調整作用を長期間安定に保つことはで
きなかった。
【００１０】第２の従来例の場合には、硬度の大きなダ
イヤモンド砥粒を用いるため、バッド表面の調整作用は
大きく長期間安定ではある。しかし、ダイヤモンド砥粒
が高価なため、コンディショナーの価格が高くなる欠点
があった。
イヤモンド砥粒を用いるため、バッド表面の調整作用は
大きく長期間安定ではある。しかし、ダイヤモンド砥粒
が高価なため、コンディショナーの価格が高くなる欠点
があった。
【００１１】本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、半
導体装置の特性の劣化をもたらさず、製品歩留まりを向
上せしめることができ、しかも、パッド表面の調整作用
が大きく、長期間安定で、安価なパッドコンディショナ
ー及びその製造方法を提供することにある。
導体装置の特性の劣化をもたらさず、製品歩留まりを向
上せしめることができ、しかも、パッド表面の調整作用
が大きく、長期間安定で、安価なパッドコンディショナ
ー及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のパットコンディショナーは、平坦な表面に複
数の溝もしくは穴を形成した焼結体からなる研磨用のパ
ッドコンディショナーにおいて、前記焼結体が炭化ケイ
素もしくはグラファイトからなり、前記焼結体の表面
が、前記焼結体からの金属不純物の混入を防止するため
の多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンドで覆われてお
り、前記多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜中に
おける金属不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下であること
を特徴とする。
の本発明のパットコンディショナーは、平坦な表面に複
数の溝もしくは穴を形成した焼結体からなる研磨用のパ
ッドコンディショナーにおいて、前記焼結体が炭化ケイ
素もしくはグラファイトからなり、前記焼結体の表面
が、前記焼結体からの金属不純物の混入を防止するため
の多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンドで覆われてお
り、前記多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜中に
おける金属不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下であること
を特徴とする。
【００１３】本発明のパッドコンディショナーの製造方
法は、炭化ケイ素焼結体もしくはグラファイト焼結体の
一表面を平坦にする工程と、前記表面に複数の溝もしく
は穴を形成する工程と、前記焼結体表面全体に化学的気
相成長法で多結晶炭化ケイ素膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする。
法は、炭化ケイ素焼結体もしくはグラファイト焼結体の
一表面を平坦にする工程と、前記表面に複数の溝もしく
は穴を形成する工程と、前記焼結体表面全体に化学的気
相成長法で多結晶炭化ケイ素膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする。
【００１４】
【作用】以下に本発明の作用を本発明をなすに際して得
た知見等とともに説明する。
た知見等とともに説明する。
【００１５】本発明者は、半導体装置の特性劣化の原因
を調査したところ、その原因は、ウエハに金属が付着し
ていることであることを見いだした。
を調査したところ、その原因は、ウエハに金属が付着し
ていることであることを見いだした。
【００１６】さらに、その汚染源を探求したところ、不
純物は、パッドコンディショナーからもたらされるもの
であることを解明した。
純物は、パッドコンディショナーからもたらされるもの
であることを解明した。
【００１７】すなわち、第１の従来例の場合には、パッ
ドコンディショナーの材料としてアルミナ等の焼結体が
用いられてきており、その焼結体は通常高純度化が困難
で多量（数十ｐｐｍ）の金属不純物を含んでおり、これ
ら金属不純物が研磨後の半導体表面に残留してしまうこ
とを解明した。また、第２の従来例の場合には、ダイヤ
モンド砥粒はニッケル接着層５で保持されており、しか
も全体を支持する基板４はステンレス鋼であるため、ニ
ッケル、クロム、鉄等の金属不純物が半導体表面に残留
してしまうことを解明した。
ドコンディショナーの材料としてアルミナ等の焼結体が
用いられてきており、その焼結体は通常高純度化が困難
で多量（数十ｐｐｍ）の金属不純物を含んでおり、これ
ら金属不純物が研磨後の半導体表面に残留してしまうこ
とを解明した。また、第２の従来例の場合には、ダイヤ
モンド砥粒はニッケル接着層５で保持されており、しか
も全体を支持する基板４はステンレス鋼であるため、ニ
ッケル、クロム、鉄等の金属不純物が半導体表面に残留
してしまうことを解明した。
【００１８】そこで、本発明者は、不純物の残留を低減
せしめる技術を鋭意探求した。そのためには、焼結体を
何等かの膜で被覆すればよいのではないかとの着想を得
た。ただ、被覆したとしても本来のパッドコンディショ
ナーとしての機能を維持せしめなければならない。そこ
で、各種の材質により多大の実験を行ったが、形成しよ
うとする膜中に焼結体から拡散してきたと思われる不純
物が多量に含有する膜しか形成することができなかっ
た。
せしめる技術を鋭意探求した。そのためには、焼結体を
何等かの膜で被覆すればよいのではないかとの着想を得
た。ただ、被覆したとしても本来のパッドコンディショ
ナーとしての機能を維持せしめなければならない。そこ
で、各種の材質により多大の実験を行ったが、形成しよ
うとする膜中に焼結体から拡散してきたと思われる不純
物が多量に含有する膜しか形成することができなかっ
た。
【００１９】すなわち、パッドコンディショナーとして
の機能を維持せしめるためには、被覆しようとする膜自
体も高硬度である必要があり、高硬度の膜を形成するた
めには、適当な材料を選択すると同時に高温における成
膜が必要となる。しかるに、高温においては、当然物質
の拡散は速くなるため、膜形成中に焼結体から金属不純
物が膜中に拡散・混入してしまうためと考えられる。
の機能を維持せしめるためには、被覆しようとする膜自
体も高硬度である必要があり、高硬度の膜を形成するた
めには、適当な材料を選択すると同時に高温における成
膜が必要となる。しかるに、高温においては、当然物質
の拡散は速くなるため、膜形成中に焼結体から金属不純
物が膜中に拡散・混入してしまうためと考えられる。
【００２０】そこで、被覆しようとする膜の材質を各種
変化させて実験を行ったところ、多結晶炭化ケイ素膜ま
たはダイヤモンド膜の場合には、焼結体からの金属の拡
散が高温においても小さいことを確認した。すなわち、
多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜の場合には、
高温成膜を行ってもその膜中の不純物濃度を０．１ｐｐ
ｍ以下に制御することが可能であることがわかった。し
かも、この場合における不純物は焼結体からのものでは
なく、外部の成膜雰囲気からもたらされるものであると
考えられる。
変化させて実験を行ったところ、多結晶炭化ケイ素膜ま
たはダイヤモンド膜の場合には、焼結体からの金属の拡
散が高温においても小さいことを確認した。すなわち、
多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜の場合には、
高温成膜を行ってもその膜中の不純物濃度を０．１ｐｐ
ｍ以下に制御することが可能であることがわかった。し
かも、この場合における不純物は焼結体からのものでは
なく、外部の成膜雰囲気からもたらされるものであると
考えられる。
【００２１】一方、多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモ
ンド膜はダイヤモンドとほぼ同等の硬度を有するため、
パッド表面の調整作用は大きくかつ、長期間安定であ
り、パッドコンディショナーとして使用可能である。従
って、多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜中の不
純物を焼結体よりも少なくすれば、従来よりも金属汚染
の少ない半導体装置を実現することができる。
ンド膜はダイヤモンドとほぼ同等の硬度を有するため、
パッド表面の調整作用は大きくかつ、長期間安定であ
り、パッドコンディショナーとして使用可能である。従
って、多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜中の不
純物を焼結体よりも少なくすれば、従来よりも金属汚染
の少ない半導体装置を実現することができる。
【００２２】なお、不純物濃度を０．１ｐｐｍ以下とす
れば、調整後であってもパッドコンディショナーに起因
する不純物はほとんど半導体ウエハ上では検知できず、
特性が良好な半導体装置を実現することができる。
れば、調整後であってもパッドコンディショナーに起因
する不純物はほとんど半導体ウエハ上では検知できず、
特性が良好な半導体装置を実現することができる。
【００２３】なお、かかる純度を有する多結晶炭化ケイ
素膜またはダイヤモンド膜の形成はＣＶＤ法によること
が好ましい。ＣＶＤ法によれば、より高温成膜が可能
で、より緻密な膜の形成が可能となり、また、焼結体以
外の外部からの不純物の混入を容易に防止できるため金
属汚染を生じる可能性がない。
素膜またはダイヤモンド膜の形成はＣＶＤ法によること
が好ましい。ＣＶＤ法によれば、より高温成膜が可能
で、より緻密な膜の形成が可能となり、また、焼結体以
外の外部からの不純物の混入を容易に防止できるため金
属汚染を生じる可能性がない。
【００２４】また、多結晶炭化ケイ素はダイヤモンドと
ほぼ同等の硬度を有するため、パッド表面の調整作用は
大きく、長期間安定である。
ほぼ同等の硬度を有するため、パッド表面の調整作用は
大きく、長期間安定である。
【００２５】なお、多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモ
ンド膜は２０μｍ以上の膜厚とすることが好ましい。２
０μｍ以上とすることにより表面には、焼結体からの不
純物の拡散がほとんどない膜とすることができる。
ンド膜は２０μｍ以上の膜厚とすることが好ましい。２
０μｍ以上とすることにより表面には、焼結体からの不
純物の拡散がほとんどない膜とすることができる。
【００２６】一方、本発明では、焼結体が炭化ケイ素も
しくはグラファイトからなり、被覆膜が多結晶炭化ケイ
素膜またはダイヤモンド膜であるため、膜の剥離が生じ
難く、必要に応じて任意の膜厚とすることができ、長寿
命のパッドコンディショナーとすることができる。た
だ、膜が厚すぎると、膜形成に時間を要し経済的でない
ため、１００μｍ以下が好ましい。
しくはグラファイトからなり、被覆膜が多結晶炭化ケイ
素膜またはダイヤモンド膜であるため、膜の剥離が生じ
難く、必要に応じて任意の膜厚とすることができ、長寿
命のパッドコンディショナーとすることができる。た
だ、膜が厚すぎると、膜形成に時間を要し経済的でない
ため、１００μｍ以下が好ましい。
【００２７】本発明のパッドコンディショナーは、基体
は炭化ケイ素焼結体もしくはグラファイト焼結体であ
り、表面を被覆するＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜は薄くす
ることができるので、ダイヤモンド砥粒を用いた第２の
従来例の場合より安価である。
は炭化ケイ素焼結体もしくはグラファイト焼結体であ
り、表面を被覆するＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜は薄くす
ることができるので、ダイヤモンド砥粒を用いた第２の
従来例の場合より安価である。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【００２９】図１は、本発明によるパッドコンディショ
ナーの断面図である。基体１は炭化ケイ素焼結体もしく
はグラファイト焼結体である。これらの材料は、化学的
気相成長（ＣＶＤ）法により多結晶炭化ケイ素膜または
ダイヤモンド膜を形成する際の高温に耐え、熱膨張係数
が多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜に比較的近
いため膜剥がれ等の問題を生じない。
ナーの断面図である。基体１は炭化ケイ素焼結体もしく
はグラファイト焼結体である。これらの材料は、化学的
気相成長（ＣＶＤ）法により多結晶炭化ケイ素膜または
ダイヤモンド膜を形成する際の高温に耐え、熱膨張係数
が多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜に比較的近
いため膜剥がれ等の問題を生じない。
【００３０】基体１には、複数の溝もしくは穴２が形成
されており、表面全体がＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜また
はダイヤモンド膜３で覆われている。膜の厚さＴは６０
μｍ程度、溝もしくは穴の深さＤは１から５ｍｍ程度、
溝幅もしくは穴２の直径Ｗも１から５ｍｍ程度である。
ＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜は、高
純度で、例えばニッケル、鉄、クロム、銅などの金属不
純物含有量を０．１ｐｐｍ以下にする事が可能である。
されており、表面全体がＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜また
はダイヤモンド膜３で覆われている。膜の厚さＴは６０
μｍ程度、溝もしくは穴の深さＤは１から５ｍｍ程度、
溝幅もしくは穴２の直径Ｗも１から５ｍｍ程度である。
ＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモンド膜は、高
純度で、例えばニッケル、鉄、クロム、銅などの金属不
純物含有量を０．１ｐｐｍ以下にする事が可能である。
【００３１】炭化ケイ素膜中の金属不純物の拡散は極め
て遅いので、基体１の炭化ケイ素焼結体やグラファイト
焼結体から不純物が拡散してくる恐れはない。ＣＶＤ多
結晶炭化ケイ素膜の結晶粒径は膜厚程度であり、表面も
粒径に応じて適度に荒れている。
て遅いので、基体１の炭化ケイ素焼結体やグラファイト
焼結体から不純物が拡散してくる恐れはない。ＣＶＤ多
結晶炭化ケイ素膜の結晶粒径は膜厚程度であり、表面も
粒径に応じて適度に荒れている。
【００３２】図２から図７に、パッドコンディショナー
の全体形状の例を示す。これらの外見は、第１の従来例
と同じである。パッド表面の調整作用は、主として溝も
しくは穴２のへりで生じるので、加工が可能で使用時に
割れ欠けが起きない範囲で、溝もしくは穴のピッチを小
さくする方が良い。また、へりの総延長を長くするとい
う目的が達成されるならば、パッドコンディショナー表
面に形成するパターンは単純な溝もしくは穴に限定され
ない。
の全体形状の例を示す。これらの外見は、第１の従来例
と同じである。パッド表面の調整作用は、主として溝も
しくは穴２のへりで生じるので、加工が可能で使用時に
割れ欠けが起きない範囲で、溝もしくは穴のピッチを小
さくする方が良い。また、へりの総延長を長くするとい
う目的が達成されるならば、パッドコンディショナー表
面に形成するパターンは単純な溝もしくは穴に限定され
ない。
【００３３】図８は本発明によるパッドコンディショナ
ーの製造方法を説明するための工程断面図である。
ーの製造方法を説明するための工程断面図である。
【００３４】先ず、炭化ケイ素もしくはグラファイトの
焼結体を円盤状もしくは直方体状に切り出し、ラッピン
グ等により一表面を平坦にした基体１を作る（図８
（ａ））。
焼結体を円盤状もしくは直方体状に切り出し、ラッピン
グ等により一表面を平坦にした基体１を作る（図８
（ａ））。
【００３５】次にダイヤモンド・ホイール等を用いて基
体１の表面に複数の溝もしくは穴２を形成する（図８
（ｂ））。溝もしくは穴の深さＤは１ｍｍから５ｍｍ程
度、溝幅もしくは穴直径Ｗ’も１ｍｍから５ｍｍ程度で
ある。Ｗ’については、後にＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜
を堆積した際に狭まるので、目標の溝幅もしくは穴直径
Ｗに対して大きめに作っておく。すなわち、ＣＶＤ多結
晶炭化ケイ素膜の厚さＴとすると、Ｗ’＝Ｗ＋２×Ｔと
する。
体１の表面に複数の溝もしくは穴２を形成する（図８
（ｂ））。溝もしくは穴の深さＤは１ｍｍから５ｍｍ程
度、溝幅もしくは穴直径Ｗ’も１ｍｍから５ｍｍ程度で
ある。Ｗ’については、後にＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜
を堆積した際に狭まるので、目標の溝幅もしくは穴直径
Ｗに対して大きめに作っておく。すなわち、ＣＶＤ多結
晶炭化ケイ素膜の厚さＴとすると、Ｗ’＝Ｗ＋２×Ｔと
する。
【００３６】最後に、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）等の
ケイ素含有ガスとアセチレン（Ｃ2Ｈ 2）等の炭素含有ガ
スを原料とする化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて、
約１２００℃の温度で、表面全体に多結晶炭化ケイ素膜
を形成する。膜の厚さＴは、約６０μｍである。
ケイ素含有ガスとアセチレン（Ｃ2Ｈ 2）等の炭素含有ガ
スを原料とする化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて、
約１２００℃の温度で、表面全体に多結晶炭化ケイ素膜
を形成する。膜の厚さＴは、約６０μｍである。
【００３７】原料ガスを高純度化し、ＣＶＤ炉体を耐熱
性のある高純度材料で構成することにより、多結晶炭化
ケイ素膜は容易に高純度化でき、既述の通り膜中の金属
不純物含有量を例えば０．１ｐｐｍ以下とすることがで
きる。
性のある高純度材料で構成することにより、多結晶炭化
ケイ素膜は容易に高純度化でき、既述の通り膜中の金属
不純物含有量を例えば０．１ｐｐｍ以下とすることがで
きる。
【００３８】また、ＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜は高温で
形成するため、緻密で剥がれや割れが生じ難く、硬度も
ダイヤモンド並みで、大きなパッド表面の調整作用が長
期間安定に持続する。加えてＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜
は約６０μｍと薄く、原料ガスも入手容易なものなの
で、ダイヤモンド砥粒に比べて安価に形成できる。
形成するため、緻密で剥がれや割れが生じ難く、硬度も
ダイヤモンド並みで、大きなパッド表面の調整作用が長
期間安定に持続する。加えてＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜
は約６０μｍと薄く、原料ガスも入手容易なものなの
で、ダイヤモンド砥粒に比べて安価に形成できる。
【００３９】なお、多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモ
ンド膜を２０μｍの厚さで形成した所、この場合も表面
の金属不純物濃度は０．１ｐｐｍ以下であり、そのパッ
ドコンディショナーを用いてパッドを調整し、半導体装
置を作製し、その特性を調査したところ、優れた特性を
示した。一方、膜の厚さを１００μｍとした所、膜の剥
離は生じなかった。
ンド膜を２０μｍの厚さで形成した所、この場合も表面
の金属不純物濃度は０．１ｐｐｍ以下であり、そのパッ
ドコンディショナーを用いてパッドを調整し、半導体装
置を作製し、その特性を調査したところ、優れた特性を
示した。一方、膜の厚さを１００μｍとした所、膜の剥
離は生じなかった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
純度でパッド表面の調整作用が長期間安定で安価なパッ
ドコンディショナーが得られる。この結果、パッドコン
ディショナーからの金属汚染の無い半導体ウエハ研磨
を、コスト増や生産性の低下を招くこと無く、実現する
ことが可能となる。
純度でパッド表面の調整作用が長期間安定で安価なパッ
ドコンディショナーが得られる。この結果、パッドコン
ディショナーからの金属汚染の無い半導体ウエハ研磨
を、コスト増や生産性の低下を招くこと無く、実現する
ことが可能となる。
【図１】本発明によるパッドコンディショナーの断面図
である。
である。
【図２】本発明によるパッドコンディショナーの全体形
状の例を示す側面図及び正面図である。
状の例を示す側面図及び正面図である。
【図３】本発明によるパッドコンディショナーの全体形
状の例を示す側面図及び正面図である。
状の例を示す側面図及び正面図である。
【図４】本発明によるパッドコンディショナーの全体形
状の例を示す側面図及び正面図である。
状の例を示す側面図及び正面図である。
【図５】本発明によるパッドコンディショナーの全体形
状の例を示す側面図及び正面図である。
状の例を示す側面図及び正面図である。
【図６】本発明によるパッドコンディショナーの全体形
状の例を示す側面図及び正面図である。
状の例を示す側面図及び正面図である。
【図７】本発明によるパッドコンディショナーの全体形
状の例を示す側面図及び正面図である。
状の例を示す側面図及び正面図である。
【図８】本発明によるパッドコンディショナーの工程断
面図である。
面図である。
【図９】従来のパッドコンディショナーの断面図の一例
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図１０】従来のパッドコンディショナーの全体形状の
一例を示す側面図及び正面図である。
一例を示す側面図及び正面図である。
１ パッドコンディショナーの基体（炭化ケイ素もしく
はグラファイトの焼結体）、 ２ 溝もしくは穴、 ３ 化学的気相成長（ＣＶＤ）多結晶炭化ケイ素膜、 ４ 支持基板（ステンレス鋼）、 ５ ニッケル接着層、 ６ ダイヤモンド砥粒、 Ｗ 溝幅もしくは穴直径、 Ｗ' ＣＶＤ多結晶炭化ケイ秦膜形成前の溝幅もしくは
穴直径、 Ｄ 溝もしくは穴の深さ、 Ｔ ＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜の厚さ。
はグラファイトの焼結体）、 ２ 溝もしくは穴、 ３ 化学的気相成長（ＣＶＤ）多結晶炭化ケイ素膜、 ４ 支持基板（ステンレス鋼）、 ５ ニッケル接着層、 ６ ダイヤモンド砥粒、 Ｗ 溝幅もしくは穴直径、 Ｗ' ＣＶＤ多結晶炭化ケイ秦膜形成前の溝幅もしくは
穴直径、 Ｄ 溝もしくは穴の深さ、 Ｔ ＣＶＤ多結晶炭化ケイ素膜の厚さ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−297195（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−254578（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−179166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−71661（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−177973（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−149158（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−93069（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 622 B24D 3/00 310 B24D 3/00 340 B24B 53/12 B24B 37/00
Claims (4)
- 【請求項１】 平坦な表面に複数の溝もしくは穴を形成
した焼結体からなる研磨用のパッドコンディショナーに
おいて、前記焼結体が炭化ケイ素もしくはグラファイト
からなり、前記焼結体の表面が、前記焼結体からの金属
不純物の混入を防止するための多結晶炭化ケイ素膜また
はダイヤモンドで覆われており、前記多結晶炭化ケイ素
膜またはダイヤモンド膜中における金属不純物含有量が
０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とするパッドコンデ
ィショナー。 - 【請求項２】 前記多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモ
ンド膜は、化学的気相成長法により形成したものである
ことを特徴とする請求項１に記載のパッドコンディショ
ナー。 - 【請求項３】 前記多結晶炭化ケイ素膜またはダイヤモ
ンド膜の厚さが２０μｍ以上であることを特徴とする請
求項１又は２に記載のパッドコンディショナー。 - 【請求項４】 炭化ケイ素焼結体もしくはグラファイト
焼結体の一表面を平坦にする工程と、前記表面に複数の
溝もしくは穴を形成する工程と、前記焼結体表面全体に
化学的気相成長法で多結晶炭化ケイ素膜を形成する工程
を有することを特徴とするパッドコンディショナーの製
造方法。
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1994
- 1994-06-09 JP JP12733094A patent/JP3261687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9022840B2 (en) | 2009-03-24 | 2015-05-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
| US8905823B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-09 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Corrosion-resistant CMP conditioning tools and methods for making and using same |
| US8951099B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-02-10 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
| US9956664B2 (en) | 2012-08-02 | 2018-05-01 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive element precursor with precisely shaped features and methods of making thereof |
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