JPH06140325A - 多結晶シリコン薄膜およびその形成法 - Google Patents
多結晶シリコン薄膜およびその形成法Info
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- JPH06140325A JPH06140325A JP4309355A JP30935592A JPH06140325A JP H06140325 A JPH06140325 A JP H06140325A JP 4309355 A JP4309355 A JP 4309355A JP 30935592 A JP30935592 A JP 30935592A JP H06140325 A JPH06140325 A JP H06140325A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速ランプアニール法によってもガラス基板
上に形成することができる大粒径の多結晶シリコン薄膜
およびその形成法を提供する。 【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜３は、アモルフ
ァスカーボンの薄膜２が形成されたガラス基板１上に形
成されてなるものである。また、本発明の多結晶シリコ
ン薄膜３の形成法は、ガラス基板１上にアモルファスカ
ーボンの薄膜２を形成した後、該ガラス基板上に多結晶
シリコン薄膜を形成するものである。
上に形成することができる大粒径の多結晶シリコン薄膜
およびその形成法を提供する。 【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜３は、アモルフ
ァスカーボンの薄膜２が形成されたガラス基板１上に形
成されてなるものである。また、本発明の多結晶シリコ
ン薄膜３の形成法は、ガラス基板１上にアモルファスカ
ーボンの薄膜２を形成した後、該ガラス基板上に多結晶
シリコン薄膜を形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜太陽電池に利用可
能なガラス基板上に形成されてなる大粒径の多結晶シリ
コン薄膜およびその形成法に関する。
能なガラス基板上に形成されてなる大粒径の多結晶シリ
コン薄膜およびその形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、薄膜トランジスタや薄膜太陽
電池の製造プロセスの簡素化および製造コストの低減の
ために多結晶シリコン薄膜が用いられている。この多結
晶シリコンは、単結晶シリコンの多くの結晶粒子がいろ
いろの方位をもった集合体であり、粒子間に結晶粒界が
存在する。この結晶粒界において、半導体物性の重要な
パラメータである移動度は、単結晶のそれに比べると小
さくなる。この移動度の低下は、結晶粒径を大きくする
ことで改善できることが知られている。
電池の製造プロセスの簡素化および製造コストの低減の
ために多結晶シリコン薄膜が用いられている。この多結
晶シリコンは、単結晶シリコンの多くの結晶粒子がいろ
いろの方位をもった集合体であり、粒子間に結晶粒界が
存在する。この結晶粒界において、半導体物性の重要な
パラメータである移動度は、単結晶のそれに比べると小
さくなる。この移動度の低下は、結晶粒径を大きくする
ことで改善できることが知られている。
【０００３】この大粒径の多結晶シリコン薄膜は、例え
ばガラス基板上にａーＳｉ：Ｈを成膜した後、このａー
Ｓｉ：Ｈをアニーリングすることにより形成される。
ばガラス基板上にａーＳｉ：Ｈを成膜した後、このａー
Ｓｉ：Ｈをアニーリングすることにより形成される。
【０００４】ところで、そのアニーリングの中で、高速
ランプアニーリング法は、急峻な温度勾配が得られるた
め各種材料のアニールに用いられている。そして、この
高速ランプアニール法をａ−Ｓｉ：Ｈ膜のアニールに適
用した場合、下地のガラス基板はランプアニールの光源
の光を吸収しないのでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の温度が上昇せ
ず、アニーリングが充分になし得ないという問題があ
る。
ランプアニーリング法は、急峻な温度勾配が得られるた
め各種材料のアニールに用いられている。そして、この
高速ランプアニール法をａ−Ｓｉ：Ｈ膜のアニールに適
用した場合、下地のガラス基板はランプアニールの光源
の光を吸収しないのでａ−Ｓｉ：Ｈ膜の温度が上昇せ
ず、アニーリングが充分になし得ないという問題があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、高速ランプア
ニール法によっても形成することができる大粒径の多結
晶シリコン薄膜およびその形成法を提供することを目的
としている。
術の問題点に鑑みなされたものであって、高速ランプア
ニール法によっても形成することができる大粒径の多結
晶シリコン薄膜およびその形成法を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の多結晶シリコン
薄膜は、アモルファスカーボンの薄膜が形成されたガラ
ス基板上に形成されてなることを特徴としている。
薄膜は、アモルファスカーボンの薄膜が形成されたガラ
ス基板上に形成されてなることを特徴としている。
【０００７】本発明の多結晶シリコン薄膜においては、
前記アモルファスカーボンの薄膜の膜厚が０．１μｍ〜
１０μｍであるのが好ましい。
前記アモルファスカーボンの薄膜の膜厚が０．１μｍ〜
１０μｍであるのが好ましい。
【０００８】また、本発明の多結晶シリコン薄膜におい
ては、前記多結晶シリコン薄膜が、高速ランプ加熱によ
り形成されてなるのが好ましい。
ては、前記多結晶シリコン薄膜が、高速ランプ加熱によ
り形成されてなるのが好ましい。
【０００９】さらに、本発明の多結晶シリコン薄膜にお
いては、前記アモルファスカーボンの薄膜が、プラズマ
ＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成されてなる
のが好ましい。
いては、前記アモルファスカーボンの薄膜が、プラズマ
ＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成されてなる
のが好ましい。
【００１０】その上、前記アモルファスカーボンの薄膜
が水素原子が存在する系にて形成されてなり、そして、
前記アモルファスカーボン中に水素原子が０．０１ａｔ
ｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下存在するのがさら
に好ましい。
が水素原子が存在する系にて形成されてなり、そして、
前記アモルファスカーボン中に水素原子が０．０１ａｔ
ｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下存在するのがさら
に好ましい。
【００１１】本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法は、
ガラス基板上にアモルファスカーボンの薄膜を形成した
後、該ガラス基板上多結晶シリコン薄膜を形成すること
を特徴としている。
ガラス基板上にアモルファスカーボンの薄膜を形成した
後、該ガラス基板上多結晶シリコン薄膜を形成すること
を特徴としている。
【００１２】本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法にお
いては、前記アモルファスカーボンの薄膜の膜厚が０．
１μｍ〜１０μｍであるのが好ましい。
いては、前記アモルファスカーボンの薄膜の膜厚が０．
１μｍ〜１０μｍであるのが好ましい。
【００１３】また、本発明の多結晶シリコン薄膜の形成
法においては、前記多結晶シリコン薄膜を、高速ランプ
加熱により形成するのが好ましい。
法においては、前記多結晶シリコン薄膜を、高速ランプ
加熱により形成するのが好ましい。
【００１４】さらに、本発明の多結晶シリコン薄膜の形
成法においては、前記アモルファスカーボンの薄膜を、
プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成す
るのが好ましい。
成法においては、前記アモルファスカーボンの薄膜を、
プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成す
るのが好ましい。
【００１５】その上、本発明の多結晶シリコン薄膜の形
成法においては、前記アモルファスカーボンの薄膜を水
素原子が存在する系にて形成するのが好ましく、そし
て、前記アモルファスカーボン中に水素原子が０．０１
ａｔｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下存在するのが
さらに好ましい。
成法においては、前記アモルファスカーボンの薄膜を水
素原子が存在する系にて形成するのが好ましく、そし
て、前記アモルファスカーボン中に水素原子が０．０１
ａｔｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下存在するのが
さらに好ましい。
【００１６】
【作用】本発明においては、ガラス基板上にランプアニ
ールの光源の光吸収係数が大きなアモルファスカーボン
の薄膜を形成しているので、高速ランプアニール法を適
用することができる。そして、このアモルファスカーボ
ンの薄膜は、また熱伝導率も低いので、ガラス基板への
熱伝導を小さくすることができる。このこともまた、高
速ランプアニール法の適用を助長している。
ールの光源の光吸収係数が大きなアモルファスカーボン
の薄膜を形成しているので、高速ランプアニール法を適
用することができる。そして、このアモルファスカーボ
ンの薄膜は、また熱伝導率も低いので、ガラス基板への
熱伝導を小さくすることができる。このこともまた、高
速ランプアニール法の適用を助長している。
【００１７】さらに、アモルファスカーボンの形成条件
を変化させることにより、熱アニールされた多結晶シリ
コン薄膜の粒径を変えることが可能である。
を変化させることにより、熱アニールされた多結晶シリ
コン薄膜の粒径を変えることが可能である。
【００１８】その上、このアモルファスカーボンの薄膜
は、太陽電池の下地電極として用いることができる。
は、太陽電池の下地電極として用いることができる。
【００１９】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明につい
て説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。
て説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。
【００２０】図１は本発明の一実施例の概略図、図２は
本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法に用いられる成膜
装置の概略図である。図において、１はガラス基板、２
はアモルファスカーボンの薄膜、３は多結晶シリコン薄
膜を示す。
本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法に用いられる成膜
装置の概略図である。図において、１はガラス基板、２
はアモルファスカーボンの薄膜、３は多結晶シリコン薄
膜を示す。
【００２１】本発明の多結晶シリコン薄膜３は、図１に
示す如く、アモルファスカーボンの薄膜２が形成された
ガラス基板１の上に形成されている。
示す如く、アモルファスカーボンの薄膜２が形成された
ガラス基板１の上に形成されている。
【００２２】用いるガラス基板１には特に限定はなく各
種のガラスが用いられる。
種のガラスが用いられる。
【００２３】アモルファスカーボンの薄膜２のガラス基
板１上への形成は、例えばプラズマＣＶＤ法やスパッタ
リング法によりなされる。このプラズマＣＶＤ法やスパ
ッタリング法にて得られるアモルファスガーボンの薄膜
２の膜厚は、０．１μｍ〜２０μｍが一般的であるが、
ランプアニールに用いるハロゲンランプの光吸収および
アモルファスカーボン３の熱伝導率を考慮すると１μｍ
〜１０μｍとするのが好ましい。
板１上への形成は、例えばプラズマＣＶＤ法やスパッタ
リング法によりなされる。このプラズマＣＶＤ法やスパ
ッタリング法にて得られるアモルファスガーボンの薄膜
２の膜厚は、０．１μｍ〜２０μｍが一般的であるが、
ランプアニールに用いるハロゲンランプの光吸収および
アモルファスカーボン３の熱伝導率を考慮すると１μｍ
〜１０μｍとするのが好ましい。
【００２４】また、アモルファスカーボンの薄膜２とし
ては、膜中の水素量が５ａｔｏｍｉｃ％以下で０．０１
ａｔｏｍｉｃ％以上のものが好ましい。ちなみに、この
水素の存在は、アモルファスカーボンの薄膜２表面にダ
イアモンド構造を有するカーボン超微粒子が形成されて
いることを意味する。
ては、膜中の水素量が５ａｔｏｍｉｃ％以下で０．０１
ａｔｏｍｉｃ％以上のものが好ましい。ちなみに、この
水素の存在は、アモルファスカーボンの薄膜２表面にダ
イアモンド構造を有するカーボン超微粒子が形成されて
いることを意味する。
【００２５】このアモルファスカーボンの薄膜２の本発
明での役割は以下の３つである。 （１）ハロゲンランプ光をよりよく吸収し、特にアモル
ファスカーボンの薄膜２とａ−Ｓｉ：Ｈの界面をより高
温とし良好な多結晶シリコンの結晶成長を行う。
明での役割は以下の３つである。 （１）ハロゲンランプ光をよりよく吸収し、特にアモル
ファスカーボンの薄膜２とａ−Ｓｉ：Ｈの界面をより高
温とし良好な多結晶シリコンの結晶成長を行う。
【００２６】（２）アモルファスカーボンの薄膜２は熱
伝導度が悪く、下地のガラス基板１への熱ダメージを小
さくする。
伝導度が悪く、下地のガラス基板１への熱ダメージを小
さくする。
【００２７】（３）アモルファスカーボンの薄膜２表面
上に存在するダイアモンド構造をしたカーボンの超微粒
子が、多結晶シリコン成長の核として働く。
上に存在するダイアモンド構造をしたカーボンの超微粒
子が、多結晶シリコン成長の核として働く。
【００２８】なお、このアモルファスカーボンの薄膜２
は、太陽電池として用いる場合には下地の電極として用
いることができる。
は、太陽電池として用いる場合には下地の電極として用
いることができる。
【００２９】プラズマＣＶＤ法としては、ＲＦプラズマ
ＣＶＤ法が大面積という観点から好ましい。このＲＦプ
ラズマＣＶＤ法においてガラス基板１はＲＦ電力投入側
にセットされる。この様にガラス基板１をセットするの
は、イオンによる衝撃を受けてアモルファスカーボンの
薄膜２が形成されるため、ガラス基板１との密着性の優
れた膜が得られるからである。
ＣＶＤ法が大面積という観点から好ましい。このＲＦプ
ラズマＣＶＤ法においてガラス基板１はＲＦ電力投入側
にセットされる。この様にガラス基板１をセットするの
は、イオンによる衝撃を受けてアモルファスカーボンの
薄膜２が形成されるため、ガラス基板１との密着性の優
れた膜が得られるからである。
【００３０】また、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いてアモ
ルファスカーボンの薄膜２をガラス基板１に形成する場
合は、反応室圧力を２００ｍＴｏｒｒ以下とし、基板温
度を２００℃以上として、反応ガスＣＨ4 、Ｈ2 等の流
量を適宜調整する。
ルファスカーボンの薄膜２をガラス基板１に形成する場
合は、反応室圧力を２００ｍＴｏｒｒ以下とし、基板温
度を２００℃以上として、反応ガスＣＨ4 、Ｈ2 等の流
量を適宜調整する。
【００３１】そのときの、ガラス基板１に生じるセルフ
バイアス電圧としては、−１００Ｖ以下（−１００Ｖ，
−２００Ｖ，−３００Ｖ，・・・）が好ましい。またＲ
ＦプラズマＣＶＤ法のみならず、ＲＦ・ＤＣ両者混合の
プラズマＣＶＤ法にてもアモルファスカーボンの薄膜２
が得られ、その場合の膜質はより良好である。
バイアス電圧としては、−１００Ｖ以下（−１００Ｖ，
−２００Ｖ，−３００Ｖ，・・・）が好ましい。またＲ
ＦプラズマＣＶＤ法のみならず、ＲＦ・ＤＣ両者混合の
プラズマＣＶＤ法にてもアモルファスカーボンの薄膜２
が得られ、その場合の膜質はより良好である。
【００３２】一方、スパッタリング法による場合は、タ
ーゲットにグラファイトを用いＡｒ＋Ｈ2 の混合ガスを
用いる。そのときのＨ2 分圧は１ｍＴｏｒｒとされ、ま
た全圧は１０ｍＴｏｒｒとされる。そしてガラス基板１
の温度は４００℃とされる。
ーゲットにグラファイトを用いＡｒ＋Ｈ2 の混合ガスを
用いる。そのときのＨ2 分圧は１ｍＴｏｒｒとされ、ま
た全圧は１０ｍＴｏｒｒとされる。そしてガラス基板１
の温度は４００℃とされる。
【００３３】しかして、このアモルファスカーボンの薄
膜２上にａ−Ｓｉ：Ｈを形成するのであるが、その前に
アモルファスカーボンの薄膜２表面を５分間程度Ｈ2 プ
ラズマ処理する。このプラズマ処理は、アモルファスカ
ーボンの薄膜２表面上に存在するダイヤモンド構造を有
するカーボンクラスタを安定させ、かつ、その付近に存
在するアモルファス構造のカーボンをわずかにエッチン
グするのためのものである。
膜２上にａ−Ｓｉ：Ｈを形成するのであるが、その前に
アモルファスカーボンの薄膜２表面を５分間程度Ｈ2 プ
ラズマ処理する。このプラズマ処理は、アモルファスカ
ーボンの薄膜２表面上に存在するダイヤモンド構造を有
するカーボンクラスタを安定させ、かつ、その付近に存
在するアモルファス構造のカーボンをわずかにエッチン
グするのためのものである。
【００３４】Ｈ2 プラズマ処理した後、プラズマＣＶＤ
法にてａ−Ｓｉ：Ｈを２μｍ〜２０μｍ堆積させる。
法にてａ−Ｓｉ：Ｈを２μｍ〜２０μｍ堆積させる。
【００３５】最後に、ガラス基板１の温度を室温から８
００℃までの昇温を８秒間〜２０秒間で行う昇温工程、
その次のハロゲンランプによる急速加熱を１５秒間〜５
００秒間を行う急速加熱工程、さらにその次の室温まで
の降温工程を１サイクルとするアニーリング処理を所定
回行い、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜から多結晶シリコン薄膜を形成
する。
００℃までの昇温を８秒間〜２０秒間で行う昇温工程、
その次のハロゲンランプによる急速加熱を１５秒間〜５
００秒間を行う急速加熱工程、さらにその次の室温まで
の降温工程を１サイクルとするアニーリング処理を所定
回行い、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜から多結晶シリコン薄膜を形成
する。
【００３６】以下、より具体的な実施例に基づいて本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【００３７】実施例 図２に示す成膜装置４を用いて、ガラス基板をＲＦ電極
側にセットし、プラズマＣＶＤ法によりガラス基板上に
アモルファスカーボンの薄膜を堆積させた。
側にセットし、プラズマＣＶＤ法によりガラス基板上に
アモルファスカーボンの薄膜を堆積させた。
【００３８】このとき条件は、ガラス基板温度が４００
℃であり、ＣＨ4 流量が４０ＳＣＣＭであり、Ｈ2 流量
が５００ＳＣＣＭであり、反応室圧力が２０ｍＴｏｒｒ
であり、ＲＦパワー密度が０．３Ｗ／ｃｍ2 であった。
なお、図２おいて、５は反応室、６はＲＦ電極、７は対
向電極、８はマッチングボックス、９は高周波電源、１
０はヒータを示す。
℃であり、ＣＨ4 流量が４０ＳＣＣＭであり、Ｈ2 流量
が５００ＳＣＣＭであり、反応室圧力が２０ｍＴｏｒｒ
であり、ＲＦパワー密度が０．３Ｗ／ｃｍ2 であった。
なお、図２おいて、５は反応室、６はＲＦ電極、７は対
向電極、８はマッチングボックス、９は高周波電源、１
０はヒータを示す。
【００３９】得られたアモルファスカーボンの薄膜の膜
厚は１μｍであり、光学的バンドギャップは０．４０Ｖ
であり、ＦＴＩＲから求めた水素量はほぼゼロであっ
た。また、膜のビッカース硬度は５００であり、電気抵
抗率は１０-3Ωｃｍであった。
厚は１μｍであり、光学的バンドギャップは０．４０Ｖ
であり、ＦＴＩＲから求めた水素量はほぼゼロであっ
た。また、膜のビッカース硬度は５００であり、電気抵
抗率は１０-3Ωｃｍであった。
【００４０】次に、同様の装置を用い、またガラス基板
をアノードにセットした後、このアモルファスカーボン
の薄膜に対し５分間水素プラズマ処理を行った。この際
ガラス基板は４００℃に加熱された。
をアノードにセットした後、このアモルファスカーボン
の薄膜に対し５分間水素プラズマ処理を行った。この際
ガラス基板は４００℃に加熱された。
【００４１】引き続きＳｉＨ4 流量を６０ＳＣＣＭ、Ｐ
Ｈ3 （１０００ｐｐｍに稀釈したもの）流量を１０ＳＣ
ＣＭ、反応室圧力を２０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー密度を
０．１Ｗ／ｃｍ2 、基板温度を４５０℃にて、アモルフ
ァスカーボンの薄膜の上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１０μｍ堆
積させた。
Ｈ3 （１０００ｐｐｍに稀釈したもの）流量を１０ＳＣ
ＣＭ、反応室圧力を２０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー密度を
０．１Ｗ／ｃｍ2 、基板温度を４５０℃にて、アモルフ
ァスカーボンの薄膜の上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１０μｍ堆
積させた。
【００４２】最後にこのガラス基板を高速ランプにより
加熱処理を行い、多結晶シリコン薄膜を得た。より具体
的には、８０℃／秒の昇温速度により８００℃まで昇温
し、その温度で５秒間保持した後冷却するという処理を
１００回繰り返して、多結晶シリコン薄膜を得た。
加熱処理を行い、多結晶シリコン薄膜を得た。より具体
的には、８０℃／秒の昇温速度により８００℃まで昇温
し、その温度で５秒間保持した後冷却するという処理を
１００回繰り返して、多結晶シリコン薄膜を得た。
【００４３】得られた多結晶シリコン薄膜の粒径は２μ
ｍ〜７μｍと大きなものであった。
ｍ〜７μｍと大きなものであった。
【００４４】比較例 実施例と同様の装置にて、ガラス基板上にプラズマＣＶ
Ｄ法にてａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１０μｍを堆積させた。
Ｄ法にてａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１０μｍを堆積させた。
【００４５】その後、実施例と同一の条件にて、このガ
ラス基板に対して高速ランプ加熱処理を行った。
ラス基板に対して高速ランプ加熱処理を行った。
【００４６】得られた膜に対してＳＥＭ観察を行ったと
ころ、粒径は０．３〜０．６μｍであった。
ころ、粒径は０．３〜０．６μｍであった。
【００４７】このことより、実施例においてはガラス基
板上に形成されたａ−Ｓｉ：Ｈに対して高速ランプアニ
ール法を適用しているにもかかわらず、大粒径の多結晶
シリコン薄膜が形成されているのがわかる。
板上に形成されたａ−Ｓｉ：Ｈに対して高速ランプアニ
ール法を適用しているにもかかわらず、大粒径の多結晶
シリコン薄膜が形成されているのがわかる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば高速ランプアニール法を用いても、ガラス基板上に大
粒径の多結晶シリコン薄膜を得ることができる。
ば高速ランプアニール法を用いても、ガラス基板上に大
粒径の多結晶シリコン薄膜を得ることができる。
【００４９】また、ガラス基板上に形成されているアモ
ルファスシリコンの薄膜は、この多結晶シリコン薄膜が
太陽電池として用いられた場合には、下地電極として作
用するという効果が得られる。
ルファスシリコンの薄膜は、この多結晶シリコン薄膜が
太陽電池として用いられた場合には、下地電極として作
用するという効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例の概略図である。
【図２】本発明の多結晶シリコン薄膜の形成法に用いら
れる成膜装置の概略図である。
れる成膜装置の概略図である。
１ ガラス基板 ２ アモルファスカーボンの薄膜 ３ 多結晶シリコン薄膜 ４ 成膜装置 ５ 反応室 ６ ＲＦ電極 ７ 対向電極 ８ マッチングボックス ９ 高周波電源 １０ ヒータ
Claims (12)
- 【請求項１】 アモルファスカーボンの薄膜が形成され
たガラス基板上に形成されてなることを特徴とする多結
晶シリコン薄膜。 - 【請求項２】 前記アモルファスカーボンの薄膜の膜厚
が０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項
１記載の多結晶シリコン薄膜。 - 【請求項３】 前記多結晶シリコン薄膜が、高速ランプ
加熱により形成されてなることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の多結晶シリコン薄膜。 - 【請求項４】 前記アモルファスカーボンの薄膜が、プ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成され
てなることを特徴とする請求項１、２または３記載の多
結晶シリコン薄膜。 - 【請求項５】 前記アモルファスカーボンの薄膜が水素
原子が存在する系にて形成されてなることを特徴とする
請求項１、２、３または４記載の多結晶シリコン薄膜。 - 【請求項６】 前記アモルファスカーボン中に水素原子
が０．０１ａｔｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下存
在することを特徴とする請求項１、２、３、４または５
記載の多結晶シリコン薄膜。 - 【請求項７】 ガラス基板上にアモルファスカーボンの
薄膜を形成した後、該ガラス基板上多結晶シリコン薄膜
を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の形成
法。 - 【請求項８】 前記アモルファスカーボンの薄膜の膜厚
が０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項
７記載の多結晶シリコン薄膜の形成法。 - 【請求項９】 前記多結晶シリコン薄膜を、高速ランプ
加熱により形成することを特徴とする請求項７または８
記載の多結晶シリコン薄膜の形成法。 - 【請求項１０】 前記アモルファスカーボンの薄膜を、
プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成す
ることを特徴とする請求項７、８または９記載の多結晶
シリコン薄膜の形成法。 - 【請求項１１】 前記アモルファスカーボンの薄膜を水
素原子が存在する系にて形成することを特徴とする請求
項７、８、９または１０記載の多結晶シリコン薄膜の形
成法。 - 【請求項１２】 前記アモルファスカーボン中に水素原
子が０．０１ａｔｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下
存在することを特徴とする請求項７、８、９、１０また
は１１記載の多結晶シリコン薄膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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