JP5255860B2 - 研磨布用ドレッサー - Google Patents

研磨布用ドレッサー Download PDF

Info

Publication number
JP5255860B2
JP5255860B2 JP2008039218A JP2008039218A JP5255860B2 JP 5255860 B2 JP5255860 B2 JP 5255860B2 JP 2008039218 A JP2008039218 A JP 2008039218A JP 2008039218 A JP2008039218 A JP 2008039218A JP 5255860 B2 JP5255860 B2 JP 5255860B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
abrasive grains
pad
dresser
abrasive
flatness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008039218A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009196025A (ja
Inventor
広明 坂本
俊哉 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority to JP2008039218A priority Critical patent/JP5255860B2/ja
Priority to US12/812,643 priority patent/US20100291844A1/en
Priority to PCT/JP2008/003076 priority patent/WO2009104224A1/ja
Priority to MYPI2010003221A priority patent/MY153268A/en
Priority to TW098105440A priority patent/TWI455794B/zh
Publication of JP2009196025A publication Critical patent/JP2009196025A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5255860B2 publication Critical patent/JP5255860B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/04Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
    • B24D3/06Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12Dressing tools; Holders therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、化学的かつ機械的平面研磨(Chemical Mechanical Planarization、以下CMPと略す)の工程で、研磨布の平坦性を維持するため、および、目詰まりや異物除去を行うために使用されるドレッサーに関する。
半導体ウェーハの表面を研磨する装置、あるいは、集積回路を製造する途中の配線や絶縁層の表面を平坦化する装置、磁気ハードディスク基板に使用されるAl板やガラス板の表面を平坦化する装置、等ではCMP研磨が用いられている。このCMP研磨とは、例えば、ウレタン製の研磨パッドが貼り付けられた回転基板に、微細な砥粒を含むスラリー液を供給しながら、被研磨面を押し当てて、被研磨面を平坦化する方法である。当然のことながら、この研磨パッドの研磨能力は使用時間と共に低下していくが、この低下を抑制するために、一定時間毎に研磨パッド表層部を研削して研磨パッドの平坦性を維持しながら、常に新しい面が出るようにドレッシングしている。このドレッシングに使用する部品をドレッサーと呼び、ドレッサーは、金属基板に砥粒を電着、あるいは、ろう付け等によって接合させて得られる。
最近では、集積回路のライン/スペ−スの極狭化によるパターン露光装置の低焦点深度化、あるいは磁気ハードディスクの記録容量増加、などに伴って、被研磨面に発生するスクラッチ傷を無くすという従来からの要求に加えて、被研磨面のうねりを低減させるなど、平坦性への要求が益々高くなってきている。これらの要求に応えていくためには、ドレッシングによってパッド表面を均一に研削してパッドの平坦性を維持することが必要とされる。さらには、ドレッシングには、パッドの目詰まりや異物を除去できる、パッド研削力も必要とされる。
均一なパッド研削を目的としたドレッサーとしては、以下のものが開示されている。特許文献1には、円盤状台金の表面に一片の長さが0.2mm〜10mmの正三角形のメッシュを想定し、メッシュの各交点に5μm〜1000μmの超砥粒を配列し固着させたドレッサーが開示されている。特許文献2には、砥粒を径の異なる複数の略同心円上に略等間隔で配置したドレッサーであって、例として、ダイヤモンド砥粒径が約1mmで、砥粒中心間距離が3mmに配置されたドレッサーが開示されている。また、ダイヤモンド脱落を防止しスクラッチ傷低減を目的として特許文献3が開示されている。特許文献3は、円盤状の母材の一面に砥粒層を電着したドレッサーであって、隣り会う砥粒同士の中心間隔を砥粒平均粒径の2〜10倍としたものである。
特許文献4には、ろう材の溶融温度の変動バラツキを抑制することによって、ろう付け温度の低下が可能になり、その結果、金属製支持材の変形が低減されたドレッサーが開示されている。特許文献5には、ろう材を所定の組成にすることによって、ろう材の溶融温度の変動バラツキが抑制され、その結果、ろう付け温度の低下が可能になり、金属製支持材の変形が低減されたドレッサーが開示されている。ただし、特許文献4、特許文献5には、金属製支持材の表面形状は言及されていない。
特開2006−55944号公報 特開2000−141204号公報 特開2001−121418号公報 特開2006−305659号公報 特開2007−83352号公報
前述したように、従来からパッド表面を均一に研削するドレッサーが開示されてはいるものの、パッド研削力とパッド平坦性はトレードオフの関係にあり、両者を同時に満たすことは困難であった。例えば、集積回路基板、Alやガラスの磁気ハードディスク基板の生産性を上げるためには、パッドを研削し常に新しい面を出すようにしなければならず、そのためにはドレッサーのパッド研削レイトをある程度以上にする必要がある。しかし、このような場合には、どうしてもパッド平坦性が低下してしまう問題があった。特に、磁気ハードディスク基板の平坦性の要求度合いは集積回路基板よりも高く、従来のドレッサーでは、平坦性を良くしようとすると、パッド研削力が低下し生産性が低下するという問題が生じていた。
本発明は、前述した課題を解決するために、高いパッド研削力と優れたパッド平坦性を同時に満たすドレッサーを提供すること、さらには、砥粒脱落も抑制されたドレッサーを提供することを目的とする。
本発明の要旨は、以下の通りである。
(1)金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、
前記金属製支持材の砥粒が固着される面の表面形状は凸状を成し、前記表面の端部と中心部の高さの差が3μm以上40μm以下であり、かつ、
前記砥粒の粒径をd、隣り会う砥粒同士の中心間距離をLとした場合、
前記砥粒の粒径dが、3μm≦d<100μmであり
前記ドレッサー全体の砥粒数に対する、隣り会う砥粒同士の中心間距離Lがd≦L<2dであるように配置された砥粒数の割合が70%以上であることを特徴とする研磨布用ドレッサー。
(2)前記金属製支持材の砥粒が固着される面の端部と中心部の高さの差が、5μm以上20μm以下であることを特徴とする(1)記載の研磨布用ドレッサー。
(3) 前記砥粒の粒径dが、3μm≦d<100μm、であることを特徴とする前項(1)または(2)記載の研磨布用ドレッサー。
(4) 前記砥粒が、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも1種である前項(1)〜(3)いずれかに記載の研磨布
用ドレッサー。
(5) 前記砥粒が前記金属製支持材の表面にろう付けにより固着されている前項(1)〜(4)のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
(6) 前記金属製支持材がステンレス鋼製である前項(1)〜(5)のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
本発明のドレッサーを用いることによって、十分なパッド研削力が維持され、かつ、優れたパッド平坦性の確保も可能となる。このためAlやガラスの磁気ハードディスク基板のCMP研磨のパッドコンディショナーに本発明のドレッサーを適用する場合、製品基板の平坦性が向上して優れた品質が達成されるとともに、高い生産性も維持できる効果を奏でる。
Alやガラスの磁気ハードディスク基板をCMP研磨する場合には、パッドの平坦性が特に重要となる。このため、ドレッサーに用いる砥粒の粒径もできるだけ小さくすることが望まれているが、砥粒径を小さくしていくと、ドレッサーのパッド研削力が低下してしまう。そこで、本発明者は、パッド平坦性とパッド研削力を同時に満足するドレッサーを鋭意検討した。金属製支持材の表面に砥粒を固着させる際、金属製支持材の表面形状を変えるとともに、これらの表面に配置する砥粒の粒径、及び、砥粒の配置間隔、配置パターンを変えた種々のドレッサーを用いて、パッド研削力の指標となるパッド研削レイト、およびパッド平坦性を詳細に評価した。具体的には、ウレタン等の樹脂製パッドを研削し、そのパッドの厚み減少量をパッド全面に亘って詳細に調べた。
これらの検討の中で、十分なパット研削レイトを保ち、かつ、パッド平坦性を維持するためには、金属製支持材の砥粒が固着される面(以下「砥粒固着面」ともいう)の表面形状を凸状とし、かつ固着される砥粒の間隔を特定の範囲にすることが有効であることを見出した。
前記金属製支持材の砥粒固着面の表面形状の凸形状は、前記表面の端部と中心部の高さの差が3μm以上40μm以下である場合にパット研削レイトが向上し、かつ、パッド平坦性も確保される。特に、端部と中心部の高さの差の下限値が重要あって、この値が3μm未満では、パッド研削レイトが低下してしまう。この現象は、砥粒が小さくなるほど顕著になる。金属製支持材の砥粒固着面の表面形状が凸状を成し、表面の端部と中心部の高さの差を3μm以上にすることによって、パッドをCMP研磨する際にスラリー液やパッド研削屑がドレッサー表面から順調に排出されるようになる。高さの差が40μmを超えるとパッド平坦性が低下してしまう。高さの差が5μm以上30μm以下であれば、更に、パッド研削レイト、平坦性に優れるようになる。高さの差が5μm以上20μm以下であれば、特に、パッド研削レイト、平坦性に優れるので好ましい。
また、前記砥粒固着面の凸状の頂点は、前記砥粒固着面の中心にあることが好ましい。凸状の形状は、略円錐状、略円錐台状、略角錐状、略角錐台状であってもよい。略円錐状とは、円錐状または円錐がやや歪んだ形状をいう。円錐がやや歪んだ形状とは、円錐状であったものがパッドを研削すること等によりやや歪んだ形状になったものを含む。従って、円錐の断面傾斜は直線又は曲線であってもよい。略円錐台状、略角錐状、略角錐台状についても同様である。表面形状がフラット、あるいは、凹状になるとパッド研削レイトが低下するとともにパッド平坦性も低下してしまう。前記砥粒固着面が、略円錐台状、略角錐台状である場合は、上面の直径と底面の直径との比が「1」:「2〜20」であることが好ましい。略角錐台状である場合、底面の形状は、八角形や二十角形等の多角形であることが好ましい。
本発明においては、加工が容易であることから略円錐状であることが好ましい。
前記金属支持体に配置される砥粒に関し、パッド研削レイトを上げるためには、砥粒1個あたりに付加される荷重を大きくすれば良く、そのためには、砥粒間隔を大きくし、全体の砥粒数を減らすことが良い、とされてきた従来の考え方に全く相反する結果を見出すに至った。
パッド平坦性が磁気ハードディスク基板ほどには要求されない場合に、パッドをCMP研磨する場合は、ドレッサーに固着される砥粒として120〜200μm程度の比較的大きな砥粒が使用でき、この場合には従来通りに砥粒間隔を大きくした方がパッド研削レイトは高くなることが知られていた。しかし、発明者らは、砥粒径が100μm未満と小さくなる場合には、従来の傾向とは反対に、砥粒間隔が大きくなるとパッド研削レイトが低下してしまうことを見出した。具体的には、砥粒径をd、隣り会う砥粒同士の中心間距離をL(「砥粒中心間距離L」ともいう)とした場合、少なくとも一組の隣会う砥粒同士における前記Lが、d≦L<2d、である場合に高いパッド研削レイトが得られた。砥粒中心間距離Lが2d以上になるとパッド研削力が低下してしまう。中心間距離Lが砥粒径dよりも小さい場合では、もはや単層の砥粒を配置できなくなる。前記の距離に配置された砥粒数の割合がドレッサー全体の砥粒数の50%以上であれば本発明の効果を得ることができる。その割合が70%以上であれば更に好ましい。
L≧2dにおいても、砥粒径dが小さくなれば、平坦性が向上する傾向を示す。しかし、本発明者らは、砥粒径dと砥粒中心間距離Lを、d≦L<2d、に配置することによって、「L≧2dにおいて砥粒径を小さくすることによって得られるパッド平坦性向上効果」よりも格段に平坦性が良くなる効果を見出した。砥粒中心間距離Lが、d≦L≦1.5d、であれば、パッド平坦性がさらに良くなる。この効果は、前述の通り、砥粒径の大きさが100μm未満の場合に顕著に現れる。しかし、砥粒径が3μm未満では、パッド研削レイトが低下することがあるので、砥粒径dは、3μm≦d<100μmであることが好ましい。このような本発明のドレッサーを使用することによって、パッド研削力とパッド平坦性を同時に満たすことが可能となる。
砥粒径dが50μm以下になるとパッド平坦性がさらに良くなるためより好ましい。砥粒径dが20μm以下であれば、パッド平坦性はさらに良くなる。ただし、砥粒のハンドリング性の観点で見れば、砥粒径が大きい方が取り扱いは容易である。
砥粒径は任意の方法で測定した値として良いが、本発明においては、以下のとおりに測定した値の平均粒径とすることが好ましい。砥粒径は、固着される前の砥粒、又は、固着した砥粒を剥がして集めて測定してよい。この場合、砥粒径は、篩分級法、レーザー回折法、遠心沈降法、走査型電子顕微鏡(SEM)の直接観察法等により得られる数平均粒径とすることができる。固着した砥粒の粒径をそのまま測定する場合には、SEMによる直接観察法により得られる円相当径から得られる数平均粒径とすることができる。
砥粒の配置パタ−ンは、ランダム的であっても良く、規則的であっても良い。規則的に配置する場合には、砥粒を三角形、四角形、五角形、六角形等、種々のパタ−ンに配置することが可能である。
本発明の研磨布用ドレッサーを構成する砥粒は、硬度が大きく、酸性あるいはアルカリ性のスラリーと反応しにくいものが好適であり、例えば、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化珪素、又は酸化セリウムからなる砥粒を用いる。中でも特に好ましいのは、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムからなる砥粒である。これらの砥粒は一種類を単独で用いても良く、複数の砥粒を併用しても良い。これらの砥粒表面に、チタン、ジルコニウム、クロムから選ばれた少なくとも1種を被覆したもの、また、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化クロムから選ばれた少なくとも1種を被覆したものを用いることも可能である。通常は、個々の砥粒を単独で使用するが、大きさが同程度のものを2種類以上混合して使用することによって、パッドの平坦性を維持した状態で、研削能力を上げることが可能になる。
本発明によるドレッサーは、以下のように製造される。先ず、金属製支持材にろう材を仮付けする。金属製支持材は、砥粒同様に、酸性あるいはアルカリ性のスラリーとの反応が生じにくいステンレス鋼が好ましい。代表的なステンレスであるSUS304、SUS316、SUS430、等が好適である。炭素鋼等の一般構造用鋼の表面にNi等のめっきをしたものも使用可能である。
また、金属製支持材の形状は、特に限定されるものではなく、前述の通り、八角形、二十角形等の多角形の形状でも良いが、金属製支持材自体が回転しながらパッドを研削するので、均一研削性を担保するためには円盤状であることが好ましい。金属製支持材の砥粒固着面の表面を凸状に加工する方法としては、機械加工を用いても良いし、あるいは、支持材の周囲を押さえた状態で中心部を押して変形加工させても良い。また、金属製支持材を熱処理して熱変形させ、前記機械加工や前記変形加工と組み合わせて、所望の凸状に加工しても良い。前記凸状の加工は、砥粒を固着させた後に形成しても良い。熱変形で凸形状にするためには熱処理の冷却過程において、金属製支持材の砥粒固着面側の冷却速度を反対側よりも速くすれば良く、例えば、金属製支持材の砥粒固着面の反対側の表面をアルミナなどの断熱効果を有する部材と接触させておけば良い。
ろう材は、BNi−2やBNi−5等のJIS規格材に代表されるNi−Cr−Fe−Si−B系、Ni−Si−B系、Ni−Cr−Si−B系が適用できる。ろう材が箔の場合には、スポット溶接で金属製支持材へ仮付け可能である。粉の場合には、例えば、セルロース系のバインダー等をろう粉と混練したものを金属製支持材に塗布すれば良い。砥粒は、ろう材の上に所定の間隔で単層に配列すれば良い。また、この場合、砥粒がずれないように糊等で仮止めする。次に、10−3Pa程度に真空引きした後、ろう材が溶融する温度まで昇温する。バインダー、糊等は、昇温の途中で殆どが気化してしまう。ろう材を溶融させる温度は、ろう材の融点以上であって、できるだけ低温であることが好ましい。高くても液相線温度+20℃程度以内が好ましい。温度が高い場合には金属製支持材の熱による変形が大きくなるからである。ろう付け温度における保持時間は、5〜30分程度あれば十分である。砥粒は、ろう付け以外に、Ni等の電着によって、固定させることも可能である。
以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。
(実施例1)
平均粒径d(砥粒径)が15μm、および、70μmの二種類のダイヤモンド砥粒を用いて、金属製支持材の表面形状を変えたドレッサーを作製し、パッド研削レイト、パッド平坦性を評価した。使用した金属製支持材は、直径100mm、厚み4mmの円盤状SUS304ステンレスであり、砥粒固着面の表面形状を凸状(円錐状)、フラット状、凹状に機械加工した。このようにして表面形状を変えたドレッサーの表面端部と中心部の高さの差を以下のようにして測定した。先ず、支持材の中心を通り互いに直交する二つの軸を引く。これをx軸、y軸とし、中心を原点にする。次にダイヤルゲ−ジを用いて、原点(0,0)の高さ、および端部では最エッジから1mm中心部側へ入った部位、すなわち、(0,49)、(0,−49)、(−49,0)、(49,0)の4点の高さを測定する。これらの周囲の4点の各高さと原点の高さの差分を求め、4点の平均値として求めた。
砥粒固着面の形状の異なる前記金属製支持材を13枚用意し、それぞれの支持材に、平均粒径dが15μmのダイヤモンド砥粒を、隣り会う砥粒中心間距離LがL=1.5dになるように正方形配置した。具体的には、片側の面に描いた半径35mmの円と半径48mmの円の間のド−ナツ状領域にダイヤモンド砥粒を配置した。その際、ド−ナツ状領域を支持材中心から見て等角度で6つのアーク形状に分割し、それぞれの隣りどうしのア−ク形状領域に2mm幅で砥粒が無い部位を設けた。ダイヤモンド砥粒の配置パタ−ンは正方形配置とし、高さの異なる支持材毎に前記Lが1.5dとなるようにダイヤモンド砥粒を配置して、13個のドレッサーを作製した。本ドレッサーにおいては、前記正方形の一辺の長さがLに相当する。
実際のダイヤモンド砥粒は、以下のようにして配置した。先ず、ステンレス製支持材のダイヤモンド配置領域にスポット溶接で箔状のろう材を仮付けする。次に、ダイヤモンドが通り抜ける程度の穴を正方形配置した篩を作製し、その篩を支持材の上に置いて篩を通してダイヤモンドを配置した。使用したろう材は組成がNi−0.12%Fe−7.4%Cr−4.0%Si−3.0%B−0.5%P(mass%)の箔ろうで、ろう材の厚みは30μmである。ろう材の上には、ダイヤモンド砥粒がずれないように有機系接着剤を塗布した。その後、980℃で真空中15分間ろう付け処理を施した。
同様にして、砥粒固着面の形状の異なる前記金属製支持材を13枚用意し、この支持材の上に、平均粒径dが70μmのダイヤモンド砥粒が、隣り会う砥粒中心間距離LがL=1.5dになるように正方形配置されたドレッサーを、13個製造した。
上記のようにして作製したドレッサーの金属製支持材の砥粒固着面の表面形状について、表1(15μmダイヤモンド砥粒)、および、表2(70μmダイヤモンド砥粒)に示した。高さの差が3〜40μmであるドレッサーは実施例と、高さの差がこの範囲以外にあるドレッサーは比較例と記載した。No.1およびNo.21の比較例とした高さの差がマイナスになっているが、これは表面が凹状になっていることを表している。
作製したドレッサーを用いて、実際にパッドを研削し、研削後のパッド厚み減少量からパッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を求めた。パッドは発砲ポリウレタン製であり、パッドの直径は250mmである。このパッドを研磨盤の上に貼り付けた。ドレッサーを、回転機構とパッドの半径方向に揺動する機構を備えた装置に固定し、加圧機構によって1kgの加重を加えて、パッドに押し付けた。ドレッサーの中心をパッド半径方向にパッド中心から30mm〜90mmの範囲で半径方向に揺動させた。パッド回転数は90rpm、ドレッサー回転数は80rpm、揺動は10往復/分とした。パッド回転方向とドレッサーの回転方向は同じである。研削全面が水の膜で覆われる程度に水を供給した。
研削開始後5分が経過した時点で一端、研削を中断して、互いに直交する2本の直径上に沿ってパッド厚みを測長顕微鏡で測定した。1つの直径を等間隔で10等分し、等分した部位のほぼ真中付近を合計で20点測定し、平均値を求めた。再び研削を続けて、15時間後に同様な測定を行った。パッド厚みの平均値から、研削開始後5分から15時間の研削時間の間における平均のパッド研削レイトを求めた。平坦性は、15時間後に測定した20点の値の中で最大値から最小値を引いた値として求めた。
Figure 0005255860
Figure 0005255860
表1、および、表2の結果(図1及び図2)からわかるように、表面形状が凸状を成し、表面の端部と中心部の高さの差が3μm以上40μm以下であるNo.5〜No.11、および、No.25〜No.31のドレッサーでは、1.9μm/分以上の優れたパッド研削レイトと0.8μm以下の優れた平坦性が両立している。高さの差が5μm以上30μm以下となるNo.7〜No.10、および、No.27〜No.30では、更に優れたパット研削レイトと平坦性が得られた。
高さの差が40μmを超えているNo.12、No.13、および、No.32、33では平坦性が0.95μm以上と悪くなった。表面形状がフラット、あるいは、凹状であるNo.1、No.2、および、No.21、No.22では、パッド研削レイトが1.0μm/分未満と低下し、表面が凹状になるとパッド平坦性も劣化傾向を示した。
(実施例2)
直径100mm、厚み4mmの円盤状SUS304ステンレス部材を金属製支持材に用いた。この金属製支持材は、砥粒固着面の表面形状を凸状(円錐状)に機械加工したものであり、表面端部と中心部の高さの差の実測値は17μmであった。高さの測定は、実施例1と同様にして行った。各部位の高さの差の最小値は16.1μm、最大値は17.8μmであった。この片側の面に描いた半径35mmの円と半径48mmの円の間のド−ナツ状領域に平均粒径が8μmのダイヤモンド砥粒を配置した。その際、ド−ナツ状領域を支持材中心から見て等角度で6つのアーク形状に分割し、それぞれの隣りどうしのア−ク形状領域に2mm幅で砥粒が無い部位を設けた。ダイヤモンド砥粒の配置パタ−ンは正方形配置とし、それぞれのダイヤモンド砥粒の配置間隔を変えたドレッサーを作製した。正方形の一辺の長さがLに相当する。平均粒径dが8μmのダイヤモンド砥粒では、図3に示すとおり、Lを9μm〜47μmの間で調整したドレッサーを作製した。
同じ様にして、dが12μm、48μm、70μm、95μmおよび比較例として150μmの砥粒を配置したドレッサーをそれぞれ作製した。その際、dが12μmの砥粒については、Lを12μm〜120μmの間で調整したドレッサーを作製した。同様に、dが48μm砥粒については、Lを52μm〜230μm間で調整した、dが70μmの砥粒については、Lを73〜320μmの間で調整した、dが95μmの砥粒については、Lを100〜360μmの間で調整した、dが150μmの砥粒については、Lを157μm〜410μmの間で調整したドレッサーをそれぞれ作製した。ここで、例えば、dが12μmの場合、Lが12μmではほぼダイヤモンド砥粒が互いに接触している状態となる。ダイヤモンド砥粒は、実施例1と同じようにして配置した。
作製したドレッサーを用いて、実施例1と同様にしてパッドを研削し、研削後のパッド厚み減少量からパッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を求めた。
パッド研削レイト(μm/分)の結果を図3に示した。図3からわかるように、平均粒径が8μmのダイヤモンド砥粒においては、本発明範囲である砥粒中心間距離Lがd≦L<2dの範囲である9μm〜16μmでは、2.0μm/分の研削レイトであったが、L≧2dではLが大きくなるにつれて研削レイトは低下傾向となった。
平均粒径が12μmのダイヤモンド砥粒においては、本発明範囲である砥粒中心間距離Lがd≦L<2dの範囲である12μm〜23μmでは、2.1μm/分の研削レイトであったが、L≧2dではLが大きくなるにつれて研削レイトは低下傾向となった。
平均粒径dが48μmのダイヤモンド砥粒においては、本発明の範囲である砥粒中心間距離Lがd≦L<2dの範囲である52μm〜95μmでは2.2μm/分の研削レイトであったが、L≧2dではLが大きくなるにつれて研削レイトは低下傾向となった。
平均粒径dが70μmのダイヤモンド砥粒においては、本発明範囲である砥粒中心間距離Lがd≦L<2dの範囲である73μm〜120μmでは2.4μm/分の研削レイトであったが、L≧2dではLが大きくなるにつれて研削レイトは低下傾向となった。
平均粒径dが95μmのダイヤモンド砥粒においては、本発明範囲である砥粒中心間距離Lがd≦L<2dの範囲である100μm〜185μmでは2.6μm/分の研削レイトであったが、L≧2dではLが大きくなるにつれて研削レイトは低下傾向となった。
d=5〜148μmのダイヤモンド砥粒をL=1.3d〜4dの条件で同様にろう付けして得たドレッサーを用いて評価したパッド平坦性を図4に示した。パッド平坦性に関しては、図4からわかるように、砥粒中心間距離Lが本発明範囲のd≦L<2dであるL=1.3d、L=1.9dである場合には、全ての砥粒径の範囲において、0.8μm未満の優れた平坦性が得られた。L<1.5dであるL=1.3dの場合にはさらに平坦性が良くなった。
さらに、L=1.3d、L=1.9dであって、かつ、砥粒径dがd<100μmである場合には、L≧2dにおいて砥粒径が小さくなることによって得られるパッド平坦性向上分よりも格段に平坦性が良くなった。特に、d≦50μmでは、0.6μm以下の優れたパッド平坦性が得られた。d≦20μmになると、0.3μm以下のさらに優れたパッド平坦性となった。dが10μm未満では0.2μm以下の更に優れた平坦性となった。ダイヤモンド砥粒径が2μm(L=1.8d)ではパッド平坦性は0.04μm以下と優れたものとなったが、パッド研削レイトは1.6μm/分となった(図示せず)。
一方、平均粒径dが150μmのダイヤモンド砥粒では、Lが大きくなるにつれて研削レイトは大きくなる傾向となった(図3)。また、パッド平坦性は砥粒中心間距離Lが本発明範囲外のL=2.4d、L=4dでは全ての砥粒径の範囲において、平坦性は0.9μm以上となった(図4)。
以上の結果から、本発明のドレッサーを用いることによって、十分なパッド研削力が維持されるとともに、優れたパッド平坦性の確保も可能となる。
(実施例3)
直径100mm、厚み4mmの円盤状SUS304ステンレス部材を金属製支持材に用いた。この金属製支持材は、砥粒固着面の表面形状をフラットに機械加工したものであり、この片側の面に描いた半径35mmの円と半径48mmの円の間のド−ナツ状領域に平均粒径dが30μmのダイヤモンド砥粒を配置した。その際、ド−ナツ状領域を支持材中心から見て等角度で6つのアーク形状に分割し、それぞれの隣りどうしのア−ク形状領域に2mm幅で砥粒が無い部位を設けた。ダイヤモンド砥粒の配置パタ−ンは次のようにした。ダイヤモンド砥粒配置領域に格子状にメッシュを描き、その交点にダイヤモンド砥粒を配置した。格子間隔が砥粒中心間距離Lに相当する。その際、格子間隔を50μm(L=1.7d)と100μm(L=3.3d)の二つとし、両者を所定の割合でランダムに配置させた。
実際のダイヤモンド砥粒は、以下のようにして配置した。先ず、ステンレス製支持材のダイヤモンド配置領域にスポット溶接で箔状のろう材を仮付けする。次に、ダイヤモンドが通り抜ける程度の穴を配置した篩を作製し、その篩を支持材の上に置いて篩を通してダイヤモンドを配置した。篩に穴を開ける場合の穴に位置決めは、間隔が50μmである格子と100μmである格子をランダムに配置させた格子を描き、それらの各格子点に穴を開けた。Lが50μmである格子辺の数をN50、100μmである数をN100とした場合、{N50/(N50+N100)}×100(%)が表1に示すように設計した。
使用したろう材、ダイヤモンド塗布、および、ろう付け処理は実施例1と同様である。ろう付け後の各ドレッサーの表面形状を変えるために、支持材の周囲を押さえた状態で中央部を押して変形させ、円錐状に加工した。実施例1と同様に測定した表面端部と中心部の高さの差の実測値は8μmであった。但し、前記高さの測定では、ろう付けしたダイヤモンド砥粒の高さは含まれないように、砥粒固着面の表面を計測した。
パッド研削レイト、パッド平坦性の評価も実施例1と同様である。
結果を表3に示した。
Figure 0005255860
実施例No.121〜127の結果から、少なくとも隣り会う一組の砥粒同士のLが本発明範囲であるd≦L<2dを満たせば0.8μm以下の優れた平坦性が得られることが明らかである。さらに、d≦L<2dを満たす砥粒数の割合がドレッサー全体の砥粒数の50%以上であれば、0.7μm以下の優れた平坦性が得られ、その割合が70%以上であれば0.5μm以下のさらに優れた平坦性が得られた。なお、本発明においては、非常に多くの砥粒を用いているため、{N50/(N50+N100)}×100の値は、「全砥粒数」における「50μmの間隔で配置された砥粒数」の割合として良い。
すなわち、前記砥粒が、一辺の長さがL、B、B、・・・Bの格子であって、それぞれがランダムに配置された格子の交点に配置されている場合においては(nは正の整数)、長さLの格子辺の数をNL、長さB、B、B・・・Bの格子辺の数をNB、NB、・・・NBとしたときに、NL/(NL+NB+NB+・・・+NB)×100で算出されるXを、全砥粒数における、Lμmの間隔で配置された砥粒数の割合として良い。
(実施例4)
実施例3のNo.121のドレッサーにおいて、ダイヤモンド砥粒の代わりに、砥粒として、平均粒径dが30μmの立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、前記炭ホウ素と炭化ケイ素を質量で50%ずつ混合したもの、および、酸化珪素を用いたドレッサーを作製した。
砥粒の配置方法、ろう付け方法、研削レイト、および、パッド平坦性の評価方法は実施例1と同様である。結果を表4に示した。
Figure 0005255860
以上の結果から、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、又は酸化珪素の少なくとも1種の砥粒を用いることによって、優れたパッド平坦性が得られた。特に優れた性能を示したのは、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも1種の砥粒を用いた場合であった。また、2種類の砥粒を混合して使用することによって、パッドの平坦性を維持した状態で、研削能力を上げることが可能になる。
(実施例5)
実施例3のNo.121と同様のドレッサーにおいて、金属製支持材の砥粒固着面の表面形状を凸状にする方法を以下のように変更してドレッサーを作製した。実施例1と同様のろう付けの熱処理において、その冷却過程で、金属製支持材の砥粒固着面の反対側の表面にアルミナを接触させることで、砥粒固着面の表面形状を凸状(円錐状)に変形させ、更に、前記金属支持材に応力をかけて前記凸形状を調整した。実施例1と同様に測定した表面端部と中心部の高さの差の実測値は10μmであった。但し、前記高さの測定では、ろう付けしたダイヤモンド砥粒の高さは含まれないように、砥粒固着面の表面を計測した。
砥粒の配置方法、研削レイト、および、パッド平坦性の評価方法は実施例1と同様である。評価の結果、研削レイトは、2.2μm/分であり、平坦性は、0.31μmであり、十分な研削レイトと平坦性が得られた。
パッド研削レイトと砥粒固着面の高さの差の関係を示す図 平坦性と砥粒固着面の高さの差の関係を示す図 パッド研削レイトと砥粒中心間距離の関係を示す図 平坦性と砥粒径の関係を示す図

Claims (5)

  1. 金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、
    前記金属製支持材の砥粒が固着される面の表面形状は凸状を成し、前記表面の端部と中心部の高さの差が3μm以上40μm以下であり、かつ、
    前記砥粒の粒径をd、隣り会う砥粒同士の中心間距離をLとした場合、
    前記砥粒の粒径dが、3μm≦d<100μmであり
    前記ドレッサー全体の砥粒数に対する、隣り会う砥粒同士の中心間距離Lがd≦L<2dであるように配置された砥粒数の割合が70%以上であることを特徴とする研磨布用ドレッサー。
  2. 前記金属製支持材の砥粒が固着される面の端部と中心部の高さの差が、5μm以上20μm以下であることを特徴とする請求項1記載の研磨布用ドレッサー。
  3. 前記砥粒が、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも1種である請求項1または2に記載の研磨布用ドレッサー。
  4. 前記砥粒が前記金属製支持材の表面にろう付けにより固着されている請求項1〜3のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
  5. 前記金属製支持材がステンレス鋼製である請求項1〜4のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
JP2008039218A 2008-02-20 2008-02-20 研磨布用ドレッサー Active JP5255860B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008039218A JP5255860B2 (ja) 2008-02-20 2008-02-20 研磨布用ドレッサー
US12/812,643 US20100291844A1 (en) 2008-02-20 2008-10-28 Dresser for abrasive cloth
PCT/JP2008/003076 WO2009104224A1 (ja) 2008-02-20 2008-10-28 研磨布用ドレッサー
MYPI2010003221A MY153268A (en) 2008-02-20 2008-10-28 Dresser for abrasive cloth
TW098105440A TWI455794B (zh) 2008-02-20 2009-02-20 研磨布用修整輪

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008039218A JP5255860B2 (ja) 2008-02-20 2008-02-20 研磨布用ドレッサー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009196025A JP2009196025A (ja) 2009-09-03
JP5255860B2 true JP5255860B2 (ja) 2013-08-07

Family

ID=40985120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008039218A Active JP5255860B2 (ja) 2008-02-20 2008-02-20 研磨布用ドレッサー

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100291844A1 (ja)
JP (1) JP5255860B2 (ja)
MY (1) MY153268A (ja)
TW (1) TWI455794B (ja)
WO (1) WO2009104224A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201246342A (en) * 2010-12-13 2012-11-16 Saint Gobain Abrasives Inc Chemical mechanical planarization (CMP) pad conditioner and method of making
TWI422466B (zh) * 2011-01-28 2014-01-11 Advanced Surface Tech Inc 鑽石研磨工具及其製造方法
JP5809880B2 (ja) * 2011-08-25 2015-11-11 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
SG11201602381TA (en) * 2013-09-30 2016-04-28 Hoya Corp Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate and method for manufacturing magnetic disk
JP2017052019A (ja) * 2015-09-07 2017-03-16 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
JP6900523B2 (ja) * 2015-09-07 2021-07-07 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 研磨布用ドレッサー
JP6666749B2 (ja) * 2016-02-29 2020-03-18 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 研磨布用ドレッサー
US11389928B2 (en) * 2017-11-30 2022-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for conditioning polishing pad
JP7309772B2 (ja) * 2021-03-25 2023-07-18 株式会社ノリタケカンパニーリミテド ロータリードレッサ

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2564950B2 (ja) * 1989-05-30 1996-12-18 富士電機株式会社 飲料水殺菌装置
WO1998016347A1 (fr) * 1996-10-15 1998-04-23 Nippon Steel Corporation Appareil ebarbeur pour tampon de polissage de substrat semi-conducteur, son procede de fabrication et procede de polissage chimico-mecanique au moyen dudit appareil ebarbeur
US9463552B2 (en) * 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US6368198B1 (en) * 1999-11-22 2002-04-09 Kinik Company Diamond grid CMP pad dresser
US7124753B2 (en) * 1997-04-04 2006-10-24 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US20040112359A1 (en) * 1997-04-04 2004-06-17 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US7323049B2 (en) * 1997-04-04 2008-01-29 Chien-Min Sung High pressure superabrasive particle synthesis
US6884155B2 (en) * 1999-11-22 2005-04-26 Kinik Diamond grid CMP pad dresser
CN1197687C (zh) * 1998-06-29 2005-04-20 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨机台
JP2000106353A (ja) * 1998-07-31 2000-04-11 Nippon Steel Corp 半導体基板用研磨布のドレッサ―
JP2000141204A (ja) * 1998-09-08 2000-05-23 Sumitomo Metal Ind Ltd ドレッシング装置並びにこれを用いた研磨装置及びcmp装置
JP3484686B2 (ja) * 1998-10-13 2004-01-06 オムロン株式会社 軸重計測方法および軸重計測装置
JP2000218512A (ja) * 1999-01-28 2000-08-08 Osaka Diamond Ind Co Ltd Cmp用パッドコンディショナーおよびその製造方法
JP2001018172A (ja) * 1999-07-08 2001-01-23 Osaka Diamond Ind Co Ltd ポリシング工具の修正用工具
JP2001025973A (ja) * 1999-07-15 2001-01-30 Noritake Co Ltd ビトリファイドボンド工具及びその製造方法
TW412461B (en) * 1999-09-29 2000-11-21 Kinik Co Diamond disk for trimming wafer polishing pad and method for making the same
US7201645B2 (en) * 1999-11-22 2007-04-10 Chien-Min Sung Contoured CMP pad dresser and associated methods
JP3072991U (ja) * 2000-02-24 2000-11-07 株式会社藤森技術研究所 ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ
US6659161B1 (en) * 2000-10-13 2003-12-09 Chien-Min Sung Molding process for making diamond tools
US6814130B2 (en) * 2000-10-13 2004-11-09 Chien-Min Sung Methods of making diamond tools using reverse casting of chemical vapor deposition
US7011134B2 (en) * 2000-10-13 2006-03-14 Chien-Min Sung Casting method for producing surface acoustic wave devices
US20040072510A1 (en) * 2000-12-21 2004-04-15 Toshiya Kinoshita Cmp conditioner, method for arranging rigid grains used for cmp conditioner, and method for manufacturing cmp conditioner
JP4216025B2 (ja) * 2002-09-09 2009-01-28 株式会社リード 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法
US20060213128A1 (en) * 2002-09-24 2006-09-28 Chien-Min Sung Methods of maximizing retention of superabrasive particles in a metal matrix
JP3801551B2 (ja) * 2002-10-11 2006-07-26 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ Cmpパッドコンディショナー
JP2006055944A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Allied Material Corp Cmpパッドコンディショナー
US20070060026A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
US7258708B2 (en) * 2004-12-30 2007-08-21 Chien-Min Sung Chemical mechanical polishing pad dresser
JP2006305659A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nippon Steel Corp 研磨布用ドレッサー
US8398466B2 (en) * 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US8393934B2 (en) * 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8622787B2 (en) * 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US20110275288A1 (en) * 2010-05-10 2011-11-10 Chien-Min Sung Cmp pad dressers with hybridized conditioning and related methods
JP4791121B2 (ja) * 2005-09-22 2011-10-12 新日鉄マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
US20070128994A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Chien-Min Sung Electroplated abrasive tools, methods, and molds
JP5008969B2 (ja) * 2006-01-31 2012-08-22 新日本製鐵株式会社 液相拡散接合用合金
US20080014845A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Alpay Yilmaz Conditioning disk having uniform structures
KR101413030B1 (ko) * 2009-03-24 2014-07-02 생-고벵 아브라시프 화학적 기계적 평탄화 패드 컨디셔너로 사용되는 연마 공구

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009104224A1 (ja) 2009-08-27
JP2009196025A (ja) 2009-09-03
TWI455794B (zh) 2014-10-11
MY153268A (en) 2015-01-29
US20100291844A1 (en) 2010-11-18
TW200936317A (en) 2009-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5255860B2 (ja) 研磨布用ドレッサー
JP4216025B2 (ja) 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法
EP2351630B1 (en) Apparatus for polishing spherical body, method for polishing spherical body and method for manufacturing spherical member
KR101091030B1 (ko) 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법
JP5295868B2 (ja) 研磨布用ドレッサー及びその製造方法
JP2010274352A (ja) 研磨布用ドレッサー
KR20070063569A (ko) 윤곽지어진 cmp 패드 드레서 및 관련 방법들
JP2007165712A (ja) 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法
WO2007023949A1 (ja) 焼結体研磨部を持つ工具およびその製造方法
JP4624293B2 (ja) Cmpパッドコンディショナー
JP3744877B2 (ja) Cmp加工用ドレッサ
JP4999337B2 (ja) Cmpパッドコンディショナー
JP5809880B2 (ja) 研磨布用ドレッサー
JP6666749B2 (ja) 研磨布用ドレッサー
JP3664691B2 (ja) Cmp加工用ドレッサ
JP2006055944A (ja) Cmpパッドコンディショナー
JP2006218577A (ja) 研磨布用ドレッサー
JP5041803B2 (ja) 研磨布用ドレッサー
CN113199400A (zh) 一种化学机械研磨抛光垫整修器及其制备方法
JP6900523B2 (ja) 研磨布用ドレッサー
JP2017154189A (ja) 研磨布用ドレッサー
JP2006341332A (ja) パッドコンディショナ
JP2010173016A (ja) 半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置
JP2006055943A (ja) Cmpパッドコンディショナー
JP2017052019A (ja) 研磨布用ドレッサー

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120713

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130115

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5255860

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250